TWI426962B - A cleaning device for a mask member and a cleaning method, and an organic electroluminescent display - Google Patents

Description

遮罩構件之潔淨裝置及潔淨方法以及有機電激發光顯示器

本發明係關於一種用以洗淨在基板表面進行真空蒸鍍後之金屬製的遮罩構件之遮罩構件的潔淨裝置及潔淨方法者，又關於一種使用已潔淨的遮罩構件藉由在基板真空蒸鍍所製造的有機電激發光顯示器者。

例如，在有機電激發光顯示器之製造時，在玻璃基板表面形成發光為R、G、B之發光元件的圖案，但是各色的發光元件係由有機材料加以形成，其圖案形成一般都是利用真空蒸鍍法。該真空蒸鍍所使用的則是遮罩構件。遮罩構件係由鎳-鈷合金等形成，利用數十μm程度之厚度構成的金屬板加以構成。在遮罩構件中係以微小的間距間隔形成多數個微小透孔來作為遮罩圖案。當真空蒸鍍時，藉由在真空腔室內將遮罩構件成為與玻璃基板表面對向配置的狀態，從蒸發源將蒸鍍物質氣化或昇華，並介由遮罩構件附著在玻璃基板，而在玻璃基板表面形成特定的薄膜發光元件之圖案。

在真空蒸鍍時也會在遮罩構件附著蒸鍍物質，當使用相同的遮罩構件進行複數次的蒸鍍時，會使附著在遮罩構件表面的蒸鍍物質成長厚度增加。當該蒸鍍物質厚度變大時，會使根據透孔的圖案形狀變形等，造成製品的品質降低。為此，當使用遮罩構件只進行特定次數的真空蒸鍍時，潔淨或洗淨該遮罩構件，除去附著在表面、尤其是透孔附近的蒸鍍物質而進行再生。

就遮罩構件的洗淨方法而言，揭示於專利文獻1者係為習知以來既知的。在該專利文獻1中，在進行了降低遮罩與附著於其表面之蒸鍍物質之間的結合強度之前處理後，浸清在有機溶劑內，除去蒸鍍物質。在此，專利文獻1之洗淨方法中的前處理係為藉由在遮罩照射雷射束，使根據該雷射束所產生的電漿一邊膨脹一邊作出衝擊波，據此弱化朝遮罩之附著蒸鍍物質之與遮罩的結合。

(先前技術文獻)

(專利文獻)

[專利文獻1]日本特開2006-192426號

在專利文獻1中，藉由進行根據照射雷射束而產生電漿之前處理，對於在沒有進行前處理的情況下，必須將遮罩浸漬在有機溶劑約48小時以上而言，利用5分鐘程度的浸漬即可洗淨。再者，專利文獻1中的洗淨係以2階段加以進行，在前段係使用超純水的洗淨或是在超純水洗淨時於遮罩照射超音波，在後段係使用有機溶劑的洗淨，具體而言為浸漬在丙酮內。

然而，將遮罩洗淨成為組合使用根據有機溶劑、或超純水或是照射超音波之超純水的洗淨；與根據有機溶劑的洗淨，根據使用洗淨液之所謂濕洗淨方式的洗淨的話，可以將附著在遮罩的蒸鍍物質全都溶出於洗淨液中。為此，會使洗淨液的污損或劣化變嚴重，而有洗淨液之廢液處理等，所謂對於環境的負擔變大之問題點。

本發明係有鑑於上述的問題點而開發出來者，其目的係為在潔淨進行了真空蒸鍍後的遮罩構件之際，藉由在使用所謂溶劑或純水等洗淨液之濕洗淨，組合不使用洗淨液的乾洗淨，將對於潔淨時之遮罩構件及潔淨裝置的負荷抑制為最小限度。

為了達成前述目的，本發明係針對洗淨在安裝遮罩構件並於基板表面進行蒸鍍後的金屬製遮罩構件，除去附著在該遮罩構件的蒸鍍物質之遮罩構件的潔淨裝置，其特徵為形成具備：間歇性且局部性加熱前述遮罩構件之與蒸鍍物質之界面，藉由移動該加熱點，從該遮罩構件的表面除去該附著蒸鍍物質之乾洗淨平台；及利用貯留洗淨液的洗淨液槽內對乾洗淨後的前述遮罩構件進行濕洗淨的濕洗淨平台的構成。

濕洗淨係使用所謂溶劑、純水等洗淨液加以進行，但是將遮罩構件與溶劑接觸之濕洗淨為長時間進行時，會使遮罩構件受到損傷。因此，利用乾洗淨平台除去附著在遮罩構件表面之蒸鍍物質的大半。但是，只藉由該乾洗淨要完全清淨遮罩構件為困難的。在此，遮罩構件係由形成具有由多數透孔所形成的遮罩圖案之遮罩領域的遮罩板、與安裝在該遮罩板的遮罩領域外之遮罩框架構成為一般性的，尤其是要從遮罩框架與遮罩板之接合部及其附近完全除去蒸鍍物質係只利用乾洗淨為極困難的。

由以上得知，在本發明中，形成為組合乾洗淨及濕洗淨。換言之，於洗淨工程中在前段進行乾洗淨，在後段進行濕洗淨。藉由進行乾洗淨，可以除去附著在遮罩板之蒸鍍物質的大半。因此，能夠將對於在後段所進行之濕洗淨的蒸鍍物質帶入量抑制為最小限度，而可以將洗淨液槽的污損或劣化抑制為最小限度，又能夠縮短遮罩構件之濕洗淨的洗淨時間。

藉由進行乾洗淨，其次進行濕洗淨，潔淨遮罩構件，但是該遮罩構件的潔淨雖然是以每1次真空鍍蒸加以進行為佳，但是利用1次的真空蒸鍍在基板表面所形成的發光元件為數十或數百nm程度的薄膜。因此，在只進行1次真空蒸鍍中，附著在遮罩構件的蒸鍍物質為極微量。為此，即使將真空蒸鍍反覆進行複數次，例如10次前後，也依然可以維持對基板之發光元件的圖案形成精確度。當進行特定次數的真空蒸鍍時，使附著在遮罩構件的蒸鍍物質堆積為膜狀，而降低遮罩圖案的轉印精確度。在該遮罩圖案的轉印精確度降低前的階段，進行遮罩構件的潔淨。

構件遮罩構件的遮罩板係由金屬板構成。一方面，附著於該遮罩板的蒸鍍物質為有機物質。因此，在兩者間存在熱膨脹率差，因此乾洗淨係利用該熱膨脹率差。換言之，當利用微小點加熱遮罩構件的表面，也就是遮罩板中之與蒸鍍物質的界面時，以遮罩板與蒸鍍物質之間的熱膨脹率差為起因，使蒸鍍物質被破碎，由於形成為膜狀的有機物質係為脆性且強度弱，造成其碎片或薄片從遮罩板分離。為了局部性加熱遮罩構件的遮罩板，可以使用雷射照射手段。該雷射照射手段係以對於遮罩板間歇性照射雷射光的方式，也就是照射脈衝狀之雷射光的方式加以設定。再者，使從該雷射照射手段所照射的間歇性雷射光的光點順著遮罩板表面移動，為此，使用例如由集光用透鏡與電流反光鏡、以及其驅動手段所構成的掃描光學系。在只局部加熱遮罩板之中，也會有蒸鍍物質未完全分離的情況，即使從遮罩板分離，也有使已分離的附著蒸鍍物質之碎片或薄片再附著於遮罩板的情況。因此，形成具備回收從加熱點分離之附著蒸鍍物質的碎片或薄片之回收手段的構成。

雖然利用從雷射照射手段所照射的雷射光加熱遮罩板表面，但是該雷射光係以沒有被附著在遮罩構件的蒸鍍物質吸收而是使其穿透，對於該蒸鍍物質沒有波及特別的作用為佳。為此，在例如附著於遮罩板的蒸鍍物質為有機材料的情況下，就雷射照射手段而言，係可以使用波長為532～1064nm的脈衝雷射。

雖然也可以將遮罩構件配置為水平狀態，但是以配置為鉛直狀態為佳，掃描光學系則是形成為對於該遮罩構件在水平方向與垂直方向掃描加熱點。再者，回收手段係可以由對於遮罩構件之加熱點作用負壓吸力的負壓吸引手段加以構成。如此一來當在遮罩構件作用負壓吸力時，當然能夠有效回收在該遮罩構件附近分離的蒸鍍物質之碎片及薄片，也可以將部份附著於遮罩構件狀態的蒸鍍物質從遮罩構件剝離。

負壓吸引手段係形成為具有以涵跨遮罩構件寬幅方向全長的方式作用負壓吸力之長條噴嘴者，在該長條噴嘴連接驅動手段，利用該驅動手段形成使長條噴嘴追隨來自根據掃描光學系之雷射照射手段的加熱點移動而在垂直方向移動的構成。又當挾持遮罩構件對於與長條噴嘴配設側的相反側面設置作用正壓的加壓手段時，可以完全防止蒸鍍物質的碎片及薄片掉進遮罩板的內面側。再者利用負壓吸引手段回收的蒸鍍物質，因為沒有如濕洗淨，與有機溶劑接觸，因此可以再使用。

設置在前述之乾洗淨平台的後段之濕洗淨平台係形成具有1或複數個洗淨液槽的構成。洗淨液槽係可以成為用以溶出殘留在遮罩構件的蒸鍍物質之貯留有機溶劑的溶劑洗淨槽。又也可以成為進行超音波洗淨之超音波洗淨槽。再者，洗淨槽係可以由1或複數個槽加以構成，在各槽中進行相同的處理亦可，或是進行不同的處理亦可。除了溶劑洗淨槽，設置進行使用純水之噴灑洗淨的洗淨槽。因為利用濕洗淨平台之前段中的乾洗淨平台除去大半的附著蒸鍍物質，因此使各槽的污損可以抑制為最小限度。尤其是，當抑制溶劑洗淨槽中之溶劑的污損或劣化時，可以減低溶劑的消耗量，從廢液處理等觀點看來為佳。

在此，由於遮罩構件通常是在無塵室進行處理的，因此異物附著、或發生有機髒污的可能性為少，但是為了進行真空蒸鍍的平台與洗淨平台之間的遮罩構件之搬入及搬出，因為遮罩構件與移載手段接觸等的關係，而有遮罩構件被污損的可能性，尤其有與移載手段等直接接觸之遮罩框架被污損的可能性。因此，濕洗淨係不僅從遮罩構件的整體除去蒸鍍物質，也發揮除去其他異物或有機髒污等的機能為佳。為此，就洗淨液而言，可以使用純水、醇類、或各種溶劑。

藉由以上將遮罩構件加以清淨，但是在進行濕洗淨之後，使遮罩構件乾燥。該遮罩構件的乾燥係可以成為加熱乾燥，又當進行加熱真空乾燥時，會提高乾燥效率。

再者，洗淨在安裝遮罩構件並於基板表面進行蒸鍍後的金屬製遮罩構件，除去附著在該遮罩構件之蒸鍍物質的遮罩構件之潔淨方法的發明，其特徵為包含：間歇性且局部性加熱前述遮罩構件之與蒸鍍物質的界面，藉由移動該加熱點，從該遮罩構件的表面除去該附著蒸鍍物質之乾洗淨工程；在洗淨液槽內使經過前述乾洗淨工程之遮罩構件與洗淨液接觸進行濕洗淨之濕洗淨工程。又在進行乾洗淨之後，形成包含乾燥遮罩板的工程為佳。

當潔淨利用在基板進行根據真空蒸鍍之薄膜圖案形成而使蒸鍍物質附著堆積的遮罩構件之時，藉由進行使用所謂溶劑或純水等洗淨液之濕洗淨的前階段進行不使用洗淨液的乾洗淨，藉由除去大半的蒸鍍物質，將對於潔淨時之遮罩構件的損傷或劣化抑制為最小限度，謀求其長壽命化的同時，可以將根據濕洗淨之廢液產生抑制為最小限度。

以下，根據圖面說明本發明實施形態之一形態。首先，在第1圖中，1為遮罩構件，遮罩構件1係由遮罩板2、及設置在該遮罩板2周圍之由框體構成的遮罩框架3加以構成。在遮罩板2中係為具有以特定的間距間隔多數配列微小透孔4a之遮罩領域4者。

如第2圖所示，遮罩構件1係為在透明的玻璃基板5表面用來形成特定圖案者，例如在構成有機電激發光顯示器的情況下，用來形成發光為R、G、B之發光元件的圖案，此等各色的發光元件係由有機材料形成，其圖案形成係利用真空蒸鍍法加以進行。因此，接著遮罩構件1的玻璃基板5係在真空蒸鍍腔室內部，藉由與被加熱的蒸發源對向配置，將來自蒸發源之蒸鍍物質氣化或昇華，而在玻璃基板5表面成膜蒸鍍膜6，但是為了形成對該玻璃基板5的成膜圖案則是使用遮罩構件1。

遮罩構件1雖然是使該遮罩板2安裝在玻璃基板5，但是遮罩框架3也配置在真空蒸鍍腔室內。因此，當進行真空蒸鍍時，不只在遮罩板2，包含遮罩框架3之遮罩構件1整體都會使由蒸鍍物質構成的蒸鍍膜6附著為膜狀。該蒸鍍物質的附著雖然是每次重覆蒸鍍次數加以堆積，但是當使蒸鍍物質堆積到某程度時，會造成根據微小透孔4a的圖案形狀變形，而降低圖案的轉印精確度。因此，在使根據該微小透孔4a的圖案形狀變形前必須進行潔淨，除去附著在遮罩構件1表面的蒸鍍物質膜7。在此，蒸鍍物質所附著者為包含遮罩板2中之微小透孔4a的壁面，在真空蒸鍍時與蒸發源對向的表面1a側，在遮罩框架3也附著蒸鍍物質膜7。但是，在遮罩構件1的內面側1b於實質上並沒有附著蒸鍍物質。

在第3圖顯示遮罩構件1之潔淨裝置的整體構成。在圖中，10為搬入平台、11為乾洗淨平台、12為溶劑洗淨部、13為噴灑洗淨部，利用此等溶劑洗淨部12及噴灑洗淨部13構成2連式的濕洗淨平台14。又15為乾燥平台、16為搬出平台。在搬入平台10中，雖然是將遮罩構件1從真空蒸鍍裝置搬入到潔淨裝置，但是該遮罩構件1的搬入係在收納於殼體17的狀態下加以進行。又在搬出平台16也安裝同樣的殼體18，結束潔淨的遮罩構件1係收納在該殼體18，送入真空蒸鍍裝置。

被搬入到搬入平台10的遮罩構件1係從殼體17取出，移行到乾洗淨平台11。在此，遮罩構件1之移載等操作在圖示雖然省略，但是使用夾鉗遮罩框架3進行搬送的取放手段(P＆P手段)，P＆P手段係將遮罩構件1從上方拉起的方式取出，移載到下個平台。在此等各個平台中係各自於上部位置形成搬入‧搬出用開口19，遮罩構件1係由前段平台的搬入‧搬出用開口19朝上方拉出，再插入下段平台的搬入‧搬出用開口19。

在第4圖分解顯示乾洗淨平台11的概略構成。在同圖中，20、20為柱體，在柱體20、20之間係設置昇降構件21，昇降構件21係由側部導引21a、21a與底板承載21b構成，在側部導引21a、21a中係成為可插通遮罩構件1之遮罩框架3的左右兩側部，而遮罩構件1則是落入到與底板承載21b抵接。昇降構件21的兩側部導引21a係與柱體20的導引溝20a卡合，形成順著該導引溝20a而上下動。因此，遮罩構件1係以鉛直狀態被支撐。

在乾洗淨平台11的內部中為了局部性急速加熱被支撐在昇降構件21的遮罩構件1，設置射出雷射光的脈衝之雷射振盪器22來作為雷射照射手段。來自該雷射振盪器22的脈衝狀雷射光的光路徑係利用掃描光學系23被曲折，照射到遮罩構件1。在此，掃描光學系23係可以由例如集光鏡與電流反光鏡、以及其驅動致動器構成。在遮罩構件1被安裝為鉛直狀態之後，掃描光學系23係使雷射脈衝的照射位置在X軸方向(水平方向)與Y軸方向(垂直方向)移動。藉此，將由雷射振盪器22所射出的雷射脈衝一邊在對於遮罩構件1為水平方向移動，一邊在垂直方向移動，而對於遮罩構件1的整面照射雷射光。

雷射光的掃描係為對於遮罩構件1的表面1a加以進行者，遮罩板2表面的附著物係被粉碎，而從遮罩板2分離，但是具備回收像這樣分離之附著蒸鍍物質的碎片及薄片之回收手段。該回收手段係為具有以涵跨遮罩構件1寬幅方向全長的方式作用負壓吸力之負壓吸引手段的長條噴嘴者24。長條噴嘴24係為具備有涵跨被保持在昇降構件21的遮罩構件1寬幅方向全長長度的細縫狀噴嘴口之吸引噴嘴。

由第5圖可以明確得知，因為雷射振盪器22朝向對於遮罩構件1的遮罩板2為垂直交叉的方向照射雷脈衝狀的雷射光，而長條噴嘴24則不會對於由雷射振盪器22所照射的雷射光的光路徑有所干擾，而且噴嘴口24a係朝向對於掃描線為具有角度θ的方向形成開口。因此，朝向第5圖之箭頭標記所示的方向作用負壓吸力。又在乾洗淨平台11中的遮罩構件1之乾洗淨時，將面臨與遮罩板2之附著蒸鍍物質的表面1a相反側之內面1b的空間成為加壓領域25。因此，藉由在該加壓領域25進行微弱送風而保持在正壓狀態。

因此，在乾洗淨平台11中，係為用以將遮罩構件1之中，附著在遮罩板2表面的蒸鍍物質剝離回收者，而且只是進行乾洗淨係對於完全除去蒸鍍物質為困難的。尤其是對於除去附著在遮罩框架4的蒸鍍物質為更困難。而且，因為遮罩構件1係利用P＆P手段進行處理，也有像是所謂異物或有機髒污等，附著任何的污損物之可能性。由以上情況得知，為了將遮罩構件1更完全清淨化，在乾洗淨平台11的後段設置濕洗淨平台14。

在此，濕洗淨平台14係如第6圖所示，形成溶劑洗淨部12與噴灑洗淨部13的2平台構成。此等溶劑洗淨部12與噴灑洗淨部13係各自設置洗淨槽12a、13a，並形成循環使用洗淨槽12a、13a內的洗淨液之構成。為此，在洗淨槽12a、13a的底面係連接循環用配管30，在該循環用配管30的途中，係連接汲起用泵31及流量計32。又在循環用配管30的前端係安裝提供洗淨液到洗淨槽12a、13a之供給噴嘴33。在此，在洗淨槽12a中，雖然針對來自供給噴嘴33的洗淨液之供給樣態沒有特別限制，但是在洗淨槽13a中係因為噴灑洗淨遮罩構件1的關係，而使該供給噴嘴33以對於設置在槽內之遮罩構件1為斜方向噴射洗淨液的方式加以構成。因此，不一定要使洗淨槽12a的供給噴嘴與洗淨槽13a的供給噴嘴為相同構成。

就溶劑洗淨部12的洗淨槽12a之洗淨液而言為使用有機溶劑，以除去蒸鍍物質為主要目的，並且能夠除去蒸鍍物質以外的髒污。在此，就作為洗淨液使用的有機溶劑之種類而言，可以使用例如IPA(異丙醇)或HFE(氫氟醚)作為醇類洗淨液。又，分類為極性溶媒之不具有質子性的氫之雙極性非質子性溶劑，例如所謂N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲亞碸(DMSO)N-甲基2-吡咯烷酮、六甲基磷醯胺等之高分子系洗淨溶媒也適用。一方面，噴灑洗淨部13所使用的洗淨液為純水。

雖然顯示濕洗淨平台是由各自單槽方式的溶劑洗淨部12與噴灑洗淨部13構成者，但是可以將其任一方或是雙方都成為複數槽方式，使用的洗淨液也可以使用複數種種類。再者，在溶劑洗淨部12的洗淨槽12a也可以設置超音波加振器34，將洗淨液進行超音波加振。但是，可以形成不進行超音波加振的構成。一方面，取代噴灑洗淨部13，形成根據浸泡的其他方式之洗淨亦可。在該浸泡方式的情況下，利用複數槽加以構成，將遮罩構件1依序在浸泡槽浸漬。

利用濕洗淨平台進行了濕洗淨的遮罩構件1係移行到乾燥平台15，乾燥遮罩構件1整體。為此，如第7圖所示，在乾燥平台15設置乾燥腔室40。乾燥腔室40係根據匣門51而成為能夠密閉者，在該乾燥腔室40係供給來自熱風供給源42的熱風，且連接真空泵43，使乾燥腔室40內能夠成為真空狀態。藉此，在乾燥平台15中，係將遮罩構件1熱風‧真空乾燥。

遮罩構件1的潔淨裝置係為如以上所示加以構成者，其次針對以除去附著在遮罩構件1表面的蒸鍍物質之方式進行潔淨的方法加以說明。遮罩構件1係為在對玻璃基板5的真空蒸鍍進行特定次數後加以潔淨者，所謂附著蒸鍍物質係只有單側的面，也就是表面1a，在內面1b側於實質上並沒有附著蒸鍍物質。

收納在殼體17的遮罩構件1係利用P＆P手段在搬入平台10從殼體17取出後供給至乾洗淨平台11。在此，乾洗淨平台11係為利用雷射光加熱遮罩構件1者，並將該遮罩構件1的表面1a側以與雷射振盪器22對向的方式安裝在昇降構件21。

在乾洗淨平台11係設置雷射振盪器22與掃描光學系23，掃描光學系23係使由雷射振盪器22所照射的脈衝狀雷射光在水平方向移動的同時，且也可以在垂直方向移動。因此，從雷射振盪器22並介由掃描光學系23而對於遮罩構件1而言以成為與雷射光所照射的照射始點位置面對的位置之方式，驅動昇降構件21進行位置調整。在此，因為利用掃描光學系23可以使來自雷射振盪器22的雷射光在水平方向移動，因此利用掃描光學系23使來自雷射振盪器22的雷射光的光點成為水平方向的始點，而且配置在垂直方向中成為最上部的位置。此係為原點位置。又藉由昇降驅動昇降構件21，使對於遮罩構件1之乾洗淨開始位置與原點位置一致。

在此，遮罩構件1係在遮罩板2的周圍安裝遮罩框架3加以構成，該遮罩框架3係朝向配置雷射振盪器22的側突出。因此，照射雷射光所進行的乾洗淨係為對於遮罩構件1之中的遮罩板2加以進行者，在本實施形態中，在遮罩框架3並未照射雷射光。換言之，使遮罩框架3內側的任何一個角落部都成為乾洗淨開始位置。

藉此，來自雷射振盪器22的雷射光係在附著於遮罩構件1表面的蒸鍍材料沒有發揮所謂加熱等特別的作用而是穿透，並照射在遮罩板2的表面。其結果為，根據雷射光的熱而加熱遮罩板2的表面。但是，沒有直接加熱附著於該遮罩板2的蒸鍍材料。在此，藉由集中來自雷射振盪器22的雷射光，而在遮罩板2表面形成微小的加熱點。

遮罩板2係為金屬製者，附著於該遮罩板2的蒸鍍物質係由有機材料構成者，兩者的熱膨脹率有很大的差異。又雷射光係穿透蒸鍍物質，雖然該蒸鍍物質幾乎沒有被加熱，但是遮罩板2被加熱，根據遮罩板2與其表面之蒸鍍物質的熱膨脹率差，使附著在遮罩板2表面的蒸鍍物質係由於其性質為脆性且硬度為低，被粉碎而碎片化或薄片化為粉狀，而且從遮罩板2表面分離浮遊、或是形成部分分離的狀態。再者，雷射光係成為脈衝狀者，利用掃描光學系23而以每一微小的距離在水平方向移動，進行水平方向的掃描。因此，各脈衝之雷射光的照射時間係對於遮罩板2必須成為有效粉碎蒸鍍物質的程度。

對於根據從雷射振盪器22所照射的雷射光之加熱點，因為使長條噴嘴24的負壓吸力作用，因此利用該負壓吸力吸引浮遊的碎片或薄片，回收到長條噴嘴24。而且，利用負壓吸力的作用也使部份性分離的碎片或薄片從遮罩板2被撕下，回收到長條噴嘴24。藉此，乾洗淨遮罩板2。因為蒸鍍物質被碎片化或是薄片化，因此當從形成在遮罩領域4之微小透孔4a掉進遮罩板2的內面側時，就無法利用長條噴嘴24加以回收。然而，因為遮罩構件1的內面1b側係成為加壓領域25，由於介由微小透孔4a而產生來自內面1b側的空氣流動，因此不會使蒸鍍物質掉進內面1b側。

因為遮罩板2係由薄板構成，並形成多數個微小透孔4a，當在該遮罩板2作用強大的負壓吸力時，會有損毀、或是變形遮罩板2的可能性。長條噴嘴24的噴嘴口24a係因為對於遮罩板2在朝向具有角度θ的方向形成開口，因此作用於遮罩板2自身的負壓吸力係只減低角度θ份。因此，在以能夠從遮罩板2吸引完全性或部份性分離的碎片或薄片作為條件，藉由將長條噴嘴24的壓力與噴嘴口24a的角度θ設定為適當者，而不會對遮罩板2造成損傷。

利用掃描光學系23間歇性照射的雷射光的光點係在水平方向以每一微小距離移動的方式進行掃描，而且當結束水平方向的1線份的掃描時，在高度方向改變位置再對於其次的線進行掃描，藉由涵蓋遮罩板2的整面使加熱點移動，並跟隨此點使長條噴嘴24在上下方向移動，而從遮罩板2除去蒸鍍物質。又，在遮罩板2的尺寸為大時，利用據掃描光學系23以1次動作乾洗淨遮罩板2的整面為困難的。在該情況下，可以將遮罩板2分割為複數個區塊，在每個區域進行乾洗淨。為此，雷射振盪器22及掃描光學系23係必須設置在可動桌台上。

其中，在根據雷射光照射的乾洗淨時，係為只加熱蒸鍍物質，並沒有在該蒸鍍物質混合特別的不純物。因此，藉由將利用長條噴嘴24所回收的蒸鍍物質捕集在過濾器等而使其塊狀化，可以作為進行真空蒸鍍之蒸鍍材料再利用。

如前述所示藉由進行乾洗淨，可以從遮罩構件1中之遮罩板2的大約整面除去蒸鍍物質。但是，並不能說是將遮罩構件1整體完全潔淨。換言之，在遮罩框架3的表面並沒有照射雷射光，又在遮罩板2之與遮罩框架3的交界部等的蒸鍍物質只是乾洗淨的話無法除去等，而在遮罩構件1多少殘留蒸鍍物質。

在乾洗淨平台11的後段係設置由溶劑洗淨部12及噴灑洗淨部13構成的濕洗淨平台14。因此，在該濕洗淨平台14中，從包含遮罩構件1的遮罩框架3、及遮罩框架3與遮罩板2的交界部之整體除去蒸鍍物質。又也可以除去蒸鍍物質以外之髒污等的附著物質。在此，在溶劑洗淨部12中，當使用分類為極性溶媒之不具有質子性的氫之雙極性非質子性溶劑時，與蒸鍍物質產生反應，因為提升洗淨速度，而可以達到迅速的洗淨。

在溶劑洗淨部12中雖然在洗淨槽12a設置超音波加振器34，但是當該超音波加振器34形成朝向遮罩框架3作用超音波，在遮罩板2的遮罩領域4不會波及超音波時，從防止遮罩構件1的損傷或變形等觀點看來為佳。又在噴灑洗淨部13中，從遮罩構件1除去包含溶劑、不純物等而將遮罩構件1整體清淨化。如此一來，進行噴灑洗淨係為將遮罩構件1置放在洗淨液的流動之中。在浸泡方式中，在從洗淨液取出遮罩構件1之際，恐怕會使污損物再附著，但是藉由將遮罩構件1置放在流動之中，防止污損物的再附著。

雖然在構成濕洗淨平台14的溶液洗淨部12及噴灑洗淨部13之洗淨槽12a、13a貯留由有機溶劑與純水構成的洗淨液，但是在進行該濕洗淨之前，因為藉由乾洗淨從遮罩板2表面將蒸鍍物質幾乎除去，因此使洗淨槽12a、13a之洗淨液的污損情形變小，而能夠大幅增加循環使用洗淨液時的反覆次數，可以明顯減低廢液處理的負擔。

在濕洗淨遮罩構件1之後，移行到乾燥平台15，在該乾燥平台15，將遮罩構件1進行熱風‧真空乾燥。再者，藉由經過該乾燥平台15，而結束遮罩構件1的潔淨，該潔淨後的遮罩構件1係在搬出平台16中，收納在殼體18內，並且能夠用在進行根據真空蒸鍍裝置的真空蒸鍍。

1．．．遮罩構件

2．．．遮罩板

3．．．遮罩框架

4．．．遮罩領域

4a．．．微小透孔

5．．．玻璃基板

6．．．蒸鍍膜

7．．．蒸鍍物質膜

10．．．搬入平台

11．．．乾洗淨平台

12．．．溶劑洗淨部

12a．．．洗淨槽

13．．．噴灑洗淨部

13a．．．洗淨槽

14．．．濕洗淨平台

16．．．搬出平台

17．．．殼體

18．．．殼體

19．．．搬入‧搬出用開口

20．．．柱體

20a．．．導引溝

21．．．昇降構件

21a．．．側部導引

21b．．．底板承載

22．．．雷射振盪器

23．．．掃描光學系

24．．．長條噴嘴

24a．．．噴嘴口

25．．．加壓領域

30．．．循環用配管

31．．．泵

32．．．流量計

33．．．供給噴嘴

34．．．超音波加振器

40．．．乾燥腔室

41．．．匣門

42．．．熱風供給源

43．．．真空泵

第1圖係為在本發明中，構成潔淨對象之遮罩構件的平面圖。

第2圖係為顯示安裝遮罩構件並於基板表面進行真空蒸鍍狀態之主要部份擴大剖面圖。

第3圖係為顯示本發明之實施一形態的遮罩構件之潔淨裝置的整體構成圖。

第4圖係為顯示遮罩構件之乾洗淨平台構成的分解立體圖。

第5圖係為顯示進行乾洗淨狀態的作用說明圖。

第6圖係為遮罩構件之濕洗淨平台的構成說明圖。

第7圖係為遮罩構件之乾燥平台的構成說明圖。

10．．．搬入平台

11．．．乾洗淨平台

12．．．溶劑洗淨部

13．．．噴灑洗淨部

14．．．濕洗淨平台

15．．．乾燥平台

16．．．搬出平台

17．．．殼體

18．．．殼體

19．．．搬入‧搬出用開口

41．．．匣門

Claims (15)

1. 一種遮罩構件之潔淨裝置，係針對洗淨在安裝遮罩構件於基板表面進行蒸鍍後的金屬製遮罩構件，除去附著在該遮罩構件的蒸鍍物質之遮罩構件之潔淨裝置，其特徵為形成為具備以下的構成：間歇性且局部性加熱前述遮罩構件之與蒸鍍物質之界面，藉由移動該加熱點，從該遮罩構件的表面除去該附著蒸鍍物質之乾洗淨平台；及利用貯留洗淨液的洗淨液槽內對乾洗淨後的前述遮罩構件進行濕洗淨之濕洗淨平台；前述乾洗淨平台係形成為具有以下的構成：局部加熱前述遮罩構件的遮罩板表面之雷射照射手段；使從該雷射照射手段所照射的雷射順著前述遮罩板表面掃描之掃描光學系；及回收從加熱點分離之附著蒸鍍物質的碎片及薄片之回收手段。
2. 如申請專利範圍第1項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述遮罩構件係由形成具有遮罩圖案之遮罩領域的遮罩板、及安裝在該遮罩板之遮罩領域外的遮罩框架構成，在前述乾洗淨平台中為乾洗淨前述遮罩領域者，在前述濕洗淨平台中形成為將包含前述遮罩板與前述遮罩框架的接合部之整體浸漬在前述洗淨液槽內的洗淨液之構成。
3. 如申請專利範圍第1或2項中之遮罩構件的潔淨裝置，其中，前述遮罩構件係配置為鉛直狀態，前述掃描光學系係為對於該遮罩構件在水平方向及垂直方向掃描加 熱點者，前述回收手段係為在前述遮罩構件的前述加熱點作用負壓吸力之負壓吸引手段，該負壓吸引手段係為具有以涵跨前述遮罩構件寬幅方向全長的方式作用負壓吸力之長條噴嘴者，而且該長條噴嘴係形成為追隨前述加熱點的移動而在垂直方向移動的構成。
4. 如申請專利範圍第3項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述長條噴嘴係使其噴嘴口形成為對於前述遮罩構件從斜下方作用負壓吸力的構成。
5. 如申請專利範圍第3或4項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，形成為挾持前述遮罩構件在與前述長條噴嘴配設側的相反側面作用正壓的構成。
6. 如申請專利範圍第1,2,4項中任一項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述濕洗淨平台係形成為具有使前述遮罩構件與洗淨液接觸的1或複數個洗淨液槽的構成。
7. 如申請專利範圍第3項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述濕洗淨平台係形成為具有使前述遮罩構件與洗淨液接觸的1或複數個洗淨液槽的構成。
8. 如申請專利範圍第5項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述濕洗淨平台係形成為具有使前述遮罩構件與洗淨液接觸的1或複數個洗淨液槽的構成。
9. 如申請專利範圍第6項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，在前述濕洗淨平台中由1或複數個溶劑洗淨槽與1或複數個噴灑洗淨槽構成。
10. 如申請專利範圍第7項之遮罩構件之潔淨裝置， 其中，在前述濕洗淨平台中由1或複數個溶劑洗淨槽與1或複數個噴灑洗淨槽構成。
11. 如申請專利範圍第8項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，在前述濕洗淨平台中由1或複數個溶劑洗淨槽與1或複數個噴灑洗淨槽構成。
12. 如申請專利範圍第1項之遮罩構件之潔淨裝置，其中，前述濕洗淨平台所使用的洗淨液為醇類洗淨液、分類為極性溶媒之不具有質子性的氫之雙極性非質子性溶劑、及純水的至少1種類。
13. 一種遮罩構件之潔淨方法，係為洗淨在安裝遮罩構件並於基板表面進行蒸鍍後的金屬製遮罩構件，除去附著在該遮罩構件的蒸鍍物質之遮罩構件之潔淨方法，其特徵為包含：間歇性且局部性加熱前述遮罩構件之與蒸鍍物質的界面，使形成為移動該加熱點，從前述遮罩構件的表面使附著蒸鍍物質分離，藉由回收分離之附著蒸鍍物質的碎片及薄片，進行除去之乾洗淨工程；及利用洗淨液槽內使經過前述乾洗淨工程之遮罩構件與洗淨液接觸進行濕洗淨之濕洗淨工程。
14. 一種遮罩構件之潔淨方法，係為洗淨在安裝遮罩構件並於基板表面進行蒸鍍後的金屬製遮罩構件，除去附著在該遮罩構件的蒸鍍物質之遮罩構件之潔淨方法，其特徵為包含：間歇性且局部性加熱前述遮罩構件之與蒸鍍物質的界 面，使形成為移動該加熱點，從前述遮罩構件的表面使附著蒸鍍物質分離，藉由回收分離之附著蒸鍍物質的碎片及薄片，進行除去之乾洗淨工程；在洗淨液槽內使經過前述乾洗淨工程之遮罩構件與洗淨液接觸進行濕洗淨之濕洗淨工程；及在前述濕洗淨之後加熱乾燥前述遮罩構件之乾燥工程。
15. 一種有機電激發光顯示器，係使用藉由前述申請專利範圍第1項之遮罩構件之潔淨裝置或是申請專利範圍第13或14項之遮罩構件之潔淨方法所潔淨的遮罩構件，藉由在基板蒸鍍有機物質加以製造。