CN111534790A - 一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法，涉及掩膜版清洗技术领域，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版，使金属掩膜版表面的残留材料脱落，完成清洗，本发明清洗装置采用氩气作为媒介，利用等离子发生装置产生的等离子体对金属掩膜版，进行清洗，可以有效避免有机溶剂和高温汽化等清洗方法带来的金属掩膜版损坏、浪费资源、人身健康损害和环境污染等问题，而且，真空等离子体清洗还可避免外部污染的引入，回收的OLED材料可以重复利用，极大地节约了源成本，清洗效果好，清洗效率高，符合绿色生产的理念，有利于大规模量产。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜版清洗技术领域，具体涉及一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法。
背景技术
近年来，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，在中小尺寸显示领域更有取代液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的趋势，现阶段中小尺寸的OLED面板大多依赖蒸镀制程，其中在蒸镀制程中用于图形定义的治具为金属掩模版，可分为精密金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)和通用金属掩模版(Common Metal Mask，CMM)。FMM用于RGB像素定义，主要用于R、G、B发光层和掺杂材料蒸镀，CMM主要作为共通层图形定义装置。
常规的FMM清洗方法一般有两种：一种方式是通过对FMM进行整体加热，热量将FMM上残留的有机材料蒸发掉；另一种方式是利用有机溶剂清洗，对不同的有机材料选用不同的有机溶剂，以保证获得最大的溶解度，然后通过浸泡去除残留在FMM上的有机材料。但是在上述两种方法中，整体加热会造成温度高，导致FMM膨胀，可能损坏FMM；使用有机溶剂清洗FMM工艺复杂，每次都需要大量的溶剂，极易造成资源浪费和环保污染，CMM一般采用氨水类化学品清洗，利用金属络合的原理去除残留的金属材料，同样的，残留的高碱性废水挥发性大，污染严重。
发明内容
发明目的：针对上述技术问题，本发明提供了一种金属掩膜版的清洗装置、清洗方法，对金属掩膜版有很好的清洗效果，清洗效率高，对环境无污染，安全环保。
为了达到上述发明目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种金属掩膜版的清洗装置，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版，使金属掩膜版表面的残留材料脱落，完成清洗。
进一步地，所述等离子发生装置由正电极板、负电极板和电源组成，所述电源的正负极分别与正电极板、负电极板电性连接。
进一步地，所述等离子发生装置设置于清洗腔室内，所述清洗腔室由底座、内腔体和外壳组成，所述清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口。
进一步地，所述正电极板设置在清洗腔室的内部下方，所述负电极板设置在清洗腔室的内部上方。
进一步地，所述底座、内腔体由厚度≥1cm的304不锈钢板材一体焊接而成。
进一步地，所述氩气进口上对应设有快插式接口，排污管道的两端分别与排污口和收集装置固定连通。
进一步地，所述清洗腔室上还设有抽气管道，真空泵可以通过抽气管道将清洗腔室抽到-75kpa以下，所述快插式接口、排污管道、抽气管道均通过电磁阀控制开启和关闭。
进一步地，所述清洗腔室内固定设有若干个基板，所述基板用于放置金属掩膜版，所述基板的数量≥1个，且自上而下设置，所述基板为镂空结构。
进一步地，所述基板自上而下顺次设置或交错设置。
一种金属掩膜版的清洗方法：将金属掩膜版放置于上述清洗装置内，从氩气进口通入氩气，通过等离子发生装置产生的等离子体撞击金属掩膜版，对金属掩膜版进行清洗，清洗时间5-10min。
本发明的有益效果：
本发明清洗装置采用氩气作为媒介，利用等离子发生装置产生的等离子体对金属掩膜版，进行清洗，可以有效避免有机溶剂和高温汽化等清洗方法带来的金属掩膜版损坏、浪费资源、人身健康损害和环境污染等问题，而且，真空等离子体清洗还可避免外部污染的引入，氩气作为惰性气体不会与OLED材料结合形成化合物，所以回收的OLED材料可以重复利用，极大地节约了成本，清洗效果好，清洗效率高，符合绿色生产的理念，有利于大规模量产。
附图说明
图1为本发明实施例1中清洗装置的结构示意图；
图2为本发明实施例2中清洗装置的结构示意图；
图3为本发明清洗装置中电子和氩气态正离子的移动路径示意图；
图中标号分别代表：
1-底座、2-电源、3-金属掩膜版、4-正电极板、5-真空泵、6-收集装置、7-排污管道、8-外壳、9-内腔体、10-负电极板、11-快插式接口、12-抽气管道、13-基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1：
如图1所示，一种金属掩膜版的清洗装置，包括等离子发生装置，金属掩膜版3位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版3，使金属掩膜版3表面的残留材料脱落，完成清洗，其中的金属掩膜版可以为精密金属掩膜板(Fine MetalMask，FMM)和通用金属掩模版(Common Metal Mask，CMM)，本实施例清洗装置可以有效避免有机溶剂和高温汽化等清洗方法造成金属掩膜版3损坏、资源浪费、人员健康损害和环境污染等问题。另外，采用真空等离子体清洗还可避免外部污染的引入，回收的OLED材料可以重复利用，极大地节约了成本，符合绿色生产的理念，有利于大规模量产。
其中，等离子发生装置由正电极板4、负电极板10和电源2组成，电源2的正负极分别与正电极板4、负电极板10电性连接，电源在正电极板4、负电极板10之间施加电压，当真空腔体内部压力低到一定程度时，气态正离子受电场作用开始往负极移动，会加速撞击负极板，产生电极板表面原子和离子，二次电子等，此电子会受到电场作用往正电极移动，在移动过程中撞击腔体内的气体分子氩气，产生氩气态正离子，氩正离子又受到电场作用往负极移动，撞击负极又产生表面原子及电子，如此循环，此过程参见图3。
其中，等离子发生装置设置于清洗腔室内，清洗腔室由底座1、内腔体9和外壳8组成，所述底座1、内腔体9由厚度1cm的304不锈钢板材一体焊接而成，在本实施例中清洗腔室长2000mm，宽1500mm，高1800mm，可抽到真空度-75kpa，清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口，氩气进口上对应设有快插式接口11，优选为8mm口径的快插式接口，方便氩气管道与之连接，排污管道7的两端分别与排污口和收集装置6固定连通，在清洗时，OLED材料从金属掩膜版上脱落后会随着氩气气流，从排污管道7进入收集装置6中，收集装置6为本领域常用的收集瓶或收集箱。
清洗腔室上还设有抽气管道12，真空泵5可以通过抽气管道12将清洗腔室抽到-75kpa，真空泵5选用干式真空泵，快插式接口11、排污管道7、抽气管道12均通过电磁阀控制开启和关闭。
其中，正电极板4设置在清洗腔室的内部下方，所述负电极板10设置在清洗腔室的内部上方，在本实施例中，正电极板4位于负电极板10的正上方。
清洗腔室内固定设有若干个基板13，基板13用于放置金属掩膜版3，基板13的数量为3个，且自上而下顺次设置，基板13顺次设置所占用的清洗腔室内部空间更少，后续生产制造时可以相应缩小清洗装置的体积，便于使用和移动，基板13为镂空结构，镂空的结构所花费的材料更少，而且镂空的结构更有利于金属掩膜版3接受等离子体的撞击。
实施例2：
如图2所示，一种金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版3位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版3，使金属掩膜版3表面的残留材料脱落，完成清洗。
其中，等离子发生装置由正电极板4、负电极板10和电源2组成，电源2的正负极分别与正电极板4、负电极板10电性连接，电源在正电极板4、负电极板10之间施加电压，形成电场。
等离子发生装置设置于清洗腔室内，清洗腔室由底座1、内腔体9和外壳8组成，所述底座1、内腔体9由厚度1cm的304不锈钢板材一体焊接而成，在本实施例中清洗腔室长2000mm，宽1500mm，高1800mm，可抽到真空度-75kpa，清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口，氩气进口上对应设有快插式接口11，优选为8mm口径的快插式接口，方便氩气管道与之连接，排污管道7的两端分别与排污口和收集装置6固定连通。
清洗腔室上还设有抽气管道12，真空泵5可以通过抽气管道12将清洗腔室抽到-75kpa，真空泵5选用干式真空泵，快插式接口11、排污管道7、抽气管道12均通过电磁阀控制开启和关闭。
其中，正电极板4设置在清洗腔室的内部下方，所述负电极板10设置在清洗腔室的内部上方，在本实施例中，正电极板4位于负电极板10的正上方。
清洗腔室内固定设有若干个基板13，基板13用于放置金属掩膜版3，基板13的数量为3个，且自上而下交错设置，基板13交错设置可以使金属掩膜版3更好的接受等离子体撞击，清洗效果更佳，基板13为镂空结构。
本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
Claims (10)
1.一种金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，包括等离子发生装置，所述金属掩膜版(3)位于等离子发生装置内，等离子发生装置所产生的等离子体撞击金属掩膜版(3)，使金属掩膜版(3)表面的残留材料脱落，完成清洗。
2.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述等离子发生装置由正电极板(4)、负电极板(10)和电源(2)组成，所述电源(2)的正负极分别与正电极板(4)、负电极板(10)电性连接。
3.如权利要求1所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述等离子发生装置设置于清洗腔室内，所述清洗腔室由底座(1)、内腔体(9)和外壳(8)组成，所述清洗腔室的左右两侧分别设有氩气进口和排污口。
4.如权利要求2所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述正电极板(4)设置在清洗腔室的内部下方，所述负电极板(10)设置在清洗腔室的内部上方。
5.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述底座(1)、内腔体(9)由厚度≥1cm的304不锈钢板材一体焊接而成。
6.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述氩气进口上对应设有快插式接口(11)，排污管道(7)的两端分别与排污口和收集装置(6)固定连通。
7.如权利要求6所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述清洗腔室上还设有抽气管道(12)，真空泵(5)可以通过抽气管道(12)将清洗腔室抽到-75kpa以下，所述快插式接口(11)、排污管道(7)、抽气管道(12)均通过电磁阀控制开启和关闭。
8.如权利要求3所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述清洗腔室内固定设有若干个基板(13)，所述基板(13)用于放置金属掩膜版(3)，所述基板(13)的数量≥1个，且自上而下设置，所述基板(13)为镂空结构。
9.如权利要求8所述的金属掩膜版的清洗装置，其特征在于，所述基板(13)自上而下顺次设置或交错设置。
10.一种金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，将金属掩膜版(3)放置于权利要求1-8中任一项所述的清洗装置内，从氩气进口通入氩气，通过等离子发生装置产生的等离子体撞击金属掩膜版(3)，对金属掩膜版(3)进行清洗，清洗时间5-10min。
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