CN108856170A - 一种中频等离子体清洗装置 - Google Patents

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詹铁锤
程光周
倪红德
薛进
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Abstract

本发明公开了一种中频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置、真空室、抽气管路，所述进气装置包括进气口、MFC质量流量计、电磁阀，所述等离子体发生装置包括正负电极和PWM脉宽调制电源，所述正负电极包含电极接线柱、电极安装板、电极托盘，所述真空室包括视窗法兰、真空腔门、真空腔体，所述电极接线柱采用鳄鱼嘴式的插口设计。本发明的一种中频等离子体清洗装置，通过设计优良的鳄鱼嘴式的插口设计，可实现快速插拔且接触良好优于通电的电极衔接，兼具卡紧拔松，易于控制电子、离子等高能活性离子浓度，获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对PCB板及FPC的目的性、无损伤清洗。

Description

一种中频等离子体清洗装置
技术领域
本发明属于一种PCB板及FPC清洗的装置，具体涉及一种中频等离子体清洗装置。
背景技术
等离子体清洗已逐步在半导体制造、微电子封装、集成电路等行业普遍应用。所谓的等离子体清洗，就是用等离子体通过化学或物理作用时对工件表面进行处理，实现分子水平的污渍去除，提高表面活性的工艺。但是常规等离子体清洗过程中，待清洗的工件处于等离子体离化区域中，清洗过程中伴随着物理清洗过程，等离子体中电子、离子等高能活性离子对材料表面会产生很大的损伤和热效应，造成对处理件的损伤。
此等离子体装置有别于传统等离子体处理，是将等离子体合理置于等离子体放电区，再利用气流、电场等将等离子体高速游荡在加工区。和传统等离子体相同，此等离子体中包含有电子、离子和活性自由基等，但是由于放电区能够连续调节，短寿命的电子、离子浓度迅速衰减，而长寿命的活性自由基的浓度较高，因此在放电区的位置，电子、离子等高能活性离子对材料表面的轰击损伤尽可能降低，活性自由基对样品的作用占主导地位，有利于控制目的性反应，减少污染，处理环境的温度更低，对PCB板及FPC能够获得更好的且无损伤的清洗效果。
发明内容
本发明的目的旨在提供一种中频等离子体清洗装置，易于获得适宜的离子、活性自由基比例，以获得较好的且无损伤的清洗效果。
本发明的技术方案是一种中频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置、真空室、抽气管路，所述进气装置包括进气口、MFC质量流量计、电磁阀，所述等离子体发生装置包括正负电极和PWM脉宽调制电源，所述正负电极包含电极接线柱、电极安装板、电极托盘，所述真空室包括视窗法兰、真空腔门、真空腔体，所述电极接线柱采用鳄鱼嘴式的插口设计。
本发明的有益效果：
本发明的一种中频等离子体清洗装置，通过设计优良的鳄鱼嘴式的插口设计，可实现快速插拔且接触良好优于通电的电极衔接，兼具卡紧拔松，易于控制电子、离子等高能活性离子浓度，获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对PCB板及FPC的目的性、无损伤清洗。
附图说明
图1为本发明的一种中频等离子体清洗装置的结构示意图；
图2为本发明的一种中频等离子体清洗装置的电极接线柱的结构示意图。
其中，1、视窗法兰，2、真空腔门，3、电极托盘，4、真空腔体，5、电极安装板，6、抽气管路，7、电极接线柱，8、MFC质量流量计，9、电磁阀，10、进气口。
具体实施方式
为便于本领域技术人员理解本发明方案，现结合具体实施方式对本发明技术方案作进一步具体说明。
如图1、图2所示，本发明是一种中频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置、真空室、抽气管路6，所述进气装置包括进气口10、MFC质量流量计8、电磁阀9，所述等离子体发生装置包括正负电极和PWM脉宽调制电源，所述正负电极包含电极接线柱7、电极安装板5、电极托盘3，所述真空室包括视窗法兰1、真空腔门2、真空腔体4，所述电极接线柱7采用鳄鱼嘴式的插口设计。通过设计优良的鳄鱼嘴式的插口设计，可实现快速插拔且接触良好优于通电的电极衔接，兼具卡紧拔松，易于控制电子、离子等高能活性离子浓度，获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对PCB板及FPC的目的性、无损伤清洗。
本发明方案在上面进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种中频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置、真空室、抽气管路，其特征在于，所述进气装置包括进气口、MFC质量流量计、电磁阀，所述等离子体发生装置包括正负电极和PWM脉宽调制电源，所述正负电极包含电极接线柱、电极安装板、电极托盘，所述真空室包括视窗法兰、真空腔门、真空腔体，所述电极接线柱采用鳄鱼嘴式的插口设计。
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