CN108971140A - 一种射频等离子体清洗装置 - Google Patents

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程光周
倪红德
薛进
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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Abstract

本发明公开了一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，其特征在于，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口，本发明是一种射频等离子体清洗装置，结构简单、设计合理，能通过设定适当的正负电极托盘之间的间距，以获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对半导体晶片的目的性、无损伤清洗。

Description

一种射频等离子体清洗装置
技术领域
本发明属于一种半导体晶片清洗的装置技术领域，具体涉及一种射频等离子体清洗装置。
背景技术
等离子体清洗已逐步在半导体制造、微电子封装、柔性PCB板等行业普遍应用。所谓的等离子体清洗，就是用等离子体通过化学或物理作用时对工件表面进行处理，实现分子水平的污渍去除，提高表面活性的工艺。但是常规等离子体清洗过程中，待清洗的工件处于等离子体离化区域中，清洗过程中伴随着物理清洗过程，等离子体中电子、离子等高能活性离子对材料表面会产生很大的损伤和热效应，造成对半导体晶片、基板的损伤。
发明内容
本发明的目的在于提供一种结构简单、设计合理，利用等离子体获得适宜的离子、活性自由基比例，以获得较好的清洗效果且不会造成对半导体晶片、基板的损伤的射频等离子体清洗装置。
本发明技术方案是一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。
优选的，所述射频电源频率为13.56MHz、功率0-600W连续可调，通过小功率控制从而避免了对半导体晶片表面的损伤及达到较好的清洗效果。
优选的，所述电极托盘可实现的手动控制连续可调，高度范围为调节导轨长度50mm-150mm-300mm可调。
优选的，所述进气混合管路内可通入多种气体进行有效混合。
本发明的有益效果：
本发明是一种射频等离子体清洗装置，结构简单、设计合理，能通过设定适当的正负电极托盘之间的间距，以获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对半导体晶片的目的性、无损伤清洗。
附图说明
图1为本发明一种射频等离子体清洗装置的结构示意图；
其中，1、进气管路，2、破空管路，3、进气装置，4、进气阀，5、电极接线柱，6、进气混合管路，7、腔体，8、调节导轨，9、电极托盘，10、匀气管。
具体实施方式
为便于本领域技术人员理解本发明技术方案，现结合说明书附图对本发明技术方案作进一步具体说明。
如图1所示，本发明是一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置3、等离子体发生装置和真空室，所述进气装置3包括进气混合管路6、进气管路1和进气阀4，所述真空室包括腔体7和调节导轨8，所述等离子体发生装置包括电极接线柱5、电极托盘9和射频电源，所述腔体7为长方体形结构，所述腔体7上部接进气混合管路6和匀气管10，所述腔体7底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。
所述射频电源频率为13.56MHz、功率0-600W连续可调，通过小功率控制从而避免了对半导体晶片表面的损伤及达到较好的清洗效果。
所述电极托盘9可实现的手动控制连续可调，高度范围为调节导轨长度50mm-150mm-300mm可调，以获得更适宜的离子、活性自由基比例，有利于控制目的性反应，实现对半导体晶片的目的性、无损伤清洗。所述进气混合管路6内可通入多种气体进行有效混合。
本发明方案在上面结合附图对发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，其特征在于，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。
2.根据权利要求1所述的一种射频等离子体清洗装置，其特征在于，所述射频电源频率为13.56MHz、功率0-600W连续可调，通过小功率控制从而避免了对半导体晶片表面的损伤及达到较好的清洗效果。
3.根据权利要求1所述的一种射频等离子体清洗装置，其特征在于，所述电极托盘可实现的手动控制连续可调，高度范围为调节导轨长度50mm-150mm-300mm可调。
4.根据权利要求1所述的一种射频等离子体清洗装置，其特征在于，所述进气混合管路内可通入多种气体进行有效混合。
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