CN115446061A - Oled模块的处理方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED模块的处理方法、装置、电子设备及存储介质。该OLED模块的处理方法包括：在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。本发明实现对OLED模块的玻璃面板高效、精准的清洗，减少后续玻璃面板不定斑纹或竖线不良的产生，降低OLED模块生产工厂的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及OLED模块处理技术领域，尤其涉及一种OLED模块的处理方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件，它很容易制作，而且只需要低的驱动电压，这些主要的特征使得OLED在满足平面显示器的应用上显得非常突出。OLED显示屏比LCD更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高，能满足消费者对显示技术的新需求。全球越来越多的显示器厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程。
在OLED模块的生产过程中，玻璃面板上的有机物以及可能出现的显示不良等问题均对OLED模块的使用存在较大影响。目前，针对OLED模块的清洗流程，可采用CP#205清洗线体进行清洗，具体流程示意图参见图1，OLED模块经过两列plasma处理机构，且两列plasma的工作原理和工作作用相同，即对OLED模块的玻璃面板进行清洗处理。现有技术存在以下缺陷：若其中一列plasma出现电极异常等情况，则将影响OLED模块生产。
发明内容
本发明提供了一种OLED模块的处理方法、装置、电子设备及存储介质，以解决单列plasma无法对OLED模块进行有效清洗，进而影响OLED模块生产的问题。
根据本发明的一方面，提供了一种OLED模块的处理方法，所述OLED模块的处理方法包括：
在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；
将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，所述单列plasma为第一plasma或第二plasma，所述待处理OLED模块在清洗线体的清洗流水线上依次经过所述第一plasma和所述第二plasma；
控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数，包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，第二plasma处于关闭状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数；或，
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，第一plasma处于关闭状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数。
可选的，所述将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将所述第一初始工艺参数切换为第一目标工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗；或，
将所述第二初始工艺参数切换为第二目标工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，在控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，在控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，所述初始工艺参数包括初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙中的至少一个；
将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙切换为目标工艺参数，所述目标工艺参数对应包括目标plasma类型、目标plasma运行功率、目标plasma运行电压、目标清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙包括中的至少一个。
可选的，所述初始plasma类型为高频输出，所述目标plasma类型为低频输出；所述初始plasma运行功率小于所述目标plasma运行功率；所述初始plasma运行电压低于所述目标plasma运行电压；所述初始清洗线体滚筒传输速度小于所述目标清洗线体滚筒传输速度；所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙。
根据本发明的另一方面，提供了一种OLED模块的处理装置，所述OLED模块的处理装置包括：
工艺参数获取模块，用于执行在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；
模块清洗模块，用于执行将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明任一实施例所述的OLED模块的处理方法。
根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明任一实施例所述的OLED模块的处理方法。
本发明实施例的技术方案，通过在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。解决单列plasma无法对OLED模块进行有效清洗，进而影响OLED模块生产的问题，以实现对OLED模块的玻璃面板高效、精准的清洗，减少后续玻璃面板不定斑纹或竖线不良的产生，降低OLED模块生产工厂的生产成本。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的采用CP#205清洗线体进行OLED模块清洗的具体流程示意图；
图2是根据本发明实施例一提供的一种OLED模块的处理方法的流程图；
图3是根据本发明实施例提供的两列plasma对OLED模块的玻璃面板进行清洗的原理示意图；
图4是根据本发明实施例提供的单列plasma对OLED模块的玻璃面板进行清洗的原理示意图；
图5是根据本发明实施例二提供的一种OLED模块的处理方法的流程图；
图6是根据本发明实施例三提供的一种OLED模块的处理装置的结构示意图；
图7是实现本发明实施例的OLED模块的处理方法的电子设备的结构示意图。
图中：
10、plasma；11、第一plasma；12、第二plasma；
31、开启状态；32、关闭状态；
50、电子场；
60、清洗线体滚筒；
70、待处理OLED模块；
610、工艺参数获取模块；620、模块清洗模块620；
710、电子设备；711、处理器；712、只读存储器(ROM)；713、随机访问存储器(RAM)；714、总线；715、输入/输出(I/O)接口；716、输入单元；717、输出单元；718、存储单元；719、通信单元。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例一
图2为本发明实施例一提供了一种OLED模块的处理方法的流程图，本实施例可适用于对OLED模块生产工厂中清洗线体使用plasma作业列数进行调整后，同样达到对OLED模块的玻璃面板清洁的情况，该OLED模块的处理方法可以由OLED模块的处理装置来执行，该OLED模块的处理装置可以采用硬件和/或软件的形式实现，该OLED模块的处理装置可配置于OLED模块生产工厂的电子设备中。如图2所示，该OLED模块的处理方法包括：
S210、在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数。
其中，清洗线体为在OLED模块生产工厂中，对OLED模块的玻璃面板进行清洁的设备，本实施例中对清洗线体中plasma作业列数进行调整以实现对OLED模块的处理。
OLED模块为常规OLED显示屏的发光单元，待处理OLED模块即为待处理加工作业的产品。
Plasma10是指等离子体，本实施例中清洗线体的plasma为对OLED模块的玻璃面板进行清洁的结构。
现有技术中，在清洗线体清洗作业流程中包括两列plasma10，即第一plasma11和第二plasma12，如图3所示，在采用清洗线体对清洗线体滚筒60上的待处理OLED模块70进行清洗时，第一plasma11和第二plasma12均处于开启状态31，且第一plasma11或第二plasma12的工作原理及工作作用是完全相同的，即两列plasma所涉及的工艺参数是完全相同的。
其中，开启状态31通过Plasma10等离子的电子场所环绕，实现对待处理OLED模块的清洗。关闭状态32则Plasma10等离子的电子场消失。
在上述基础上，第一plasma11的第一初始工艺参数和第二plasma12的第二初始工艺参数可以是完全相同的，为了在控制时便于区分，仅以不同命名表示，同时，也可以选择不同的参数，本实施例对此不作任何限制。
具体的，当第一plasma11的第一初始工艺参数和第二plasma12的第二初始工艺参数是完全相同的，第一初始工艺参数包括初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙中的至少一个；同样的，第二初始工艺参数包括初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙中的至少一个。
当第一plasma11的第一初始工艺参数和第二plasma12的第二初始工艺参数是不相同的，则第一初始工艺参数包括第一初始plasma类型、第一初始plasma运行功率、第一初始plasma运行电压、第一初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第一初始间隙中的至少一个；同样的，第二初始工艺参数包括第二初始plasma类型、第二初始plasma运行功率、第二初始plasma运行电压、第二初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第二初始间隙中的至少一个。
进一步的，在上述实施例的基础上，为减少CP线体中Plasma10使用列数，有效降低OLED模块工厂生产成本，本实施例选择两列plasma的一个进行控制，具体的，控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，第二plasma12处于关闭状态32，并对应获取所述第一plasma11的第一初始工艺参数；或，控制所述清洗线体的第二plasma12处于开启状态31，第一plasma11处于关闭状态32，并对应获取所述第二plasma12的第二初始工艺参数。
示例性的，参见图4，控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，第二plasma12处于关闭状态32，此时处于清洗线体清洗流程的仅有第一plasma11，而第二plasma12并不工作，同样可以达到对OLED模块进行清洗的目的。
S220、将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
具体的，当控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，第二plasma12处于关闭状态32，并对应获取所述第一plasma11的第一初始工艺参数，将所述第一初始工艺参数切换为第一目标工艺参数，以控制第一plasma11根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
其中，所述第一初始工艺参数包括第一初始plasma类型、第一初始plasma运行功率、第一初始plasma运行电压、第一初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第一初始间隙中的至少一个。
进一步的，将第一初始plasma类型、第一初始plasma运行功率、第一初始plasma运行电压、第一初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第一初始间隙切换为第一目标工艺参数，所述第一目标工艺参数对应包括第一目标plasma类型、第一目标plasma运行功率、第一目标plasma运行电压、第一目标清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第一目标间隙包括中的至少一个。
同样的，当控制所述清洗线体的第二plasma12处于开启状态31，第一plasma11处于关闭状态32，并对应获取所述第二plasma12的第二初始工艺参数，将所述第二初始工艺参数切换为第二目标工艺参数，以控制第二plasma12根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
其中，所述第二初始工艺参数包括第二初始plasma类型、第二初始plasma运行功率、第二初始plasma运行电压、第二初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第二初始间隙中的至少一个。
进一步的，将第二初始plasma类型、第二初始plasma运行功率、第二初始plasma运行电压、第二初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第二初始间隙切换为第二目标工艺参数，所述第二目标工艺参数对应包括第二目标plasma类型、第二目标plasma运行功率、第二目标plasma运行电压、第二目标清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的第二目标间隙包括中的至少一个。
在上述基础上，所述初始plasma类型为高频输出，所述目标plasma类型为低频输出；所述初始plasma运行功率小于所述目标plasma运行功率；所述初始plasma运行电压低于所述目标plasma运行电压；所述初始清洗线体滚筒传输速度小于所述目标清洗线体滚筒传输速度；所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙。
即，所述第一初始plasma类型和所述第二初始plasma类型为高频输出，所述第一目标plasma类型和所述第二目标plasma类型为低频输出；所述第一初始plasma运行功率小于所述第一目标plasma运行功率，所述第二初始plasma运行功率小于所述第二目标plasma运行功率；所述第一初始plasma运行电压低于所述第一目标plasma运行电压，所述第二初始plasma运行电压低于所述第二目标plasma运行电压；所述第一初始清洗线体滚筒传输速度小于所述第一目标清洗线体滚筒传输速度，所述第二初始清洗线体滚筒传输速度小于所述第二目标清洗线体滚筒传输速度；所述待处理OLED模块与plasma之间的第一初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的第一目标间隙，所述待处理OLED模块与plasma之间的第二初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的第二目标间隙。
示例性的，继续参见图3和图4，图4以控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，第二plasma12处于关闭状态32为例，第一初始plasma类型为高频输出，第一初始plasma运行功率Power为8Kw，第一初始plasma运行电压Voltage为4Kv，第一初始清洗线体滚筒传输速度为80mm/s以及所述待处理OLED模块70与plasma之间的第一初始间隙Gap为4mm，其切换为第一目标工艺参数，所述第一目标工艺参数对应包括第一目标plasma类型为低频输出，第一目标plasma运行功率Power为8.5Kw，第一目标plasma运行电压Voltage为12Kv，第一目标清洗线体滚筒传输速度为100mm/s以及所述待处理OLED模块70与plasma之间的第一目标间隙Gap为2.5mm。
在上述实施例的基础上，在控制第一plasma11根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，为得到更好的背光清洗效果时，再同时控制所述清洗线体的第二plasma12处于开启状态31，并对应获取所述第二plasma12的第二初始工艺参数，以控制第二plasma12根据所述第二初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
同样的，在控制第二plasma12根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，为得到更好的背光清洗效果时，再同时控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，并对应获取所述第一plasma11的第一初始工艺参数，以控制第一plasma11根据所述第一初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
本发明实施例的技术方案，通过在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。解决单列plasma无法对OLED模块进行有效清洗，进而影响OLED模块生产的问题，以实现对OLED模块的玻璃面板高效、精准的清洗，减少后续玻璃面板不定斑纹或竖线不良的产生，降低OLED模块生产工厂的生产成本。
实施例二
图5为本发明实施例二提供的一种OLED模块的处理方法的流程图，本实施例在上述实施例的基础上，提供一种可选的实施方式。如图5所示，该OLED模块的处理方法包括：
S510、在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的第一plasma或第二plasma处于开启状态，并对应获取所述第一plasma或所述第二plasma的初始工艺参数。
具体的，控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，第二plasma12处于关闭状态32，并对应获取所述第一plasma11的第一初始工艺参数；或，控制所述清洗线体的第二plasma12处于开启状态31，第一plasma11处于关闭状态32，并对应获取所述第二plasma12的第二初始工艺参数。
S520、将所述第一初始工艺参数切换为第一目标工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗；或，将所述第二初始工艺参数切换为第二目标工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
为达到与两列plasma同时作业的清洗效果，则对单列plasma的工艺参数进行相应调整。具体为：当仅第一plasma11处于开启状态31，则所述第一初始plasma类型为高频输出，第一目标plasma类型为低频输出，所述第一初始plasma运行功率小于所述第一目标plasma运行功率，所述第一初始plasma运行电压低于所述第一目标plasma运行电压，所述第一初始清洗线体滚筒传输速度小于所述第一目标清洗线体滚筒传输速度，所述待处理OLED模块与plasma之间的第一初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的第一目标间隙。
同理，当仅第二plasma12处于开启状态31，则所述第二初始plasma类型为高频输出，第二目标plasma类型为低频输出，所述第二初始plasma运行功率小于所述第二目标plasma运行功率，所述第二初始plasma运行电压低于所述第二目标plasma运行电压，所述第二初始清洗线体滚筒传输速度小于所述第二目标清洗线体滚筒传输速度，所述待处理OLED模块与plasma之间的第二初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的第二目标间隙。
S530、控制所述清洗线体的第二plasma12处于开启状态31，并对应获取所述第二plasma12的第二初始工艺参数，以控制第二plasma12根据所述第二初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗；或，控制所述清洗线体的第一plasma11处于开启状态31，并对应获取所述第一plasma11的第一初始工艺参数，以控制第一plasma11根据所述第一初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
由于清洗线体清洗流程的plasma能够有效清除OLED模块的玻璃面板表面的有机物，本实施例通过减少清洗线体清洗流程的plasma使用列数，调高plasma运行功率，同时减小待处理OLED模块与plasma之间的间隙，使得清洗线体产线速度加快，减少玻璃面板行经时间，并通过这些相关工艺参数的调整，同样达到对OLED模块的玻璃面板高效、精准的清洗的目的，也有效降低OLED模块生产工厂的生产成本。另一方面，清洗线体清洗流程的plasma对OLED显示屏中DIM不良以及Bezel斑纹不良也有较大的影响，为得到更好的背光清洗效果时，本实施例也可再次启动另外一列plasma，即再次同时使用两列plasma对OLED模块的玻璃面板进行清洗，但此时两列plasma工艺参数并不相同，具体工艺参数参见上述，在此不再累述。
实施例三
图6为本发明实施例三提供的一种OLED模块的处理装置的结构示意图。如图6所示，该装置包括：
工艺参数获取模块610，用于执行在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；
模块清洗模块620，用于执行将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，所述单列plasma为第一plasma或第二plasma，所述待处理OLED模块在清洗线体的清洗流水线上依次经过所述第一plasma和所述第二plasma；
控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数，包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，第二plasma处于关闭状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数；或，
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，第一plasma处于关闭状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数。
可选的，所述将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将所述第一初始工艺参数切换为第一目标工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗；或，
将所述第二初始工艺参数切换为第二目标工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，在控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，在控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
可选的，所述初始工艺参数包括初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙中的至少一个；
将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙切换为目标工艺参数，所述目标工艺参数对应包括目标plasma类型、目标plasma运行功率、目标plasma运行电压、目标清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙包括中的至少一个。
可选的，所述初始plasma类型为高频输出，所述目标plasma类型为低频输出；所述初始plasma运行功率小于所述目标plasma运行功率；所述初始plasma运行电压低于所述目标plasma运行电压；所述初始清洗线体滚筒传输速度小于所述目标清洗线体滚筒传输速度；所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙。
本发明实施例所提供的OLED模块的处理装置可执行本发明任意实施例所提供的OLED模块的处理方法，具备执行OLED模块的处理方法相应的功能模块和有益效果。
实施例四
图7示出了可以用来实施本发明的实施例的电子设备710的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。
如图7所示，电子设备710包括至少一个处理器711，以及与至少一个处理器711通信连接的存储器，如只读存储器(ROM)712、随机访问存储器(RAM)713等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器711可以根据存储在只读存储器(ROM)712中的计算机程序或者从存储单元718加载到随机访问存储器(RAM)713中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 713中，还可存储电子设备710操作所需的各种程序和数据。处理器711、ROM 712以及RAM 713通过总线714彼此相连。输入/输出(I/O)接口715也连接至总线714。
电子设备710中的多个部件连接至I/O接口715，包括：输入单元716，例如键盘、鼠标等；输出单元717，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元718，例如磁盘、光盘等；以及通信单元719，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元719允许电子设备710通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
处理器711可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器711的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器711执行上文所描述的各个方法和处理，例如OLED模块的处理方法。
在一些实施例中，OLED模块的处理方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元718。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 712和/或通信单元719而被载入和/或安装到电子设备710上。当计算机程序加载到RAM 713并由处理器711执行时，可以执行上文描述的OLED模块的处理方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器711可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行OLED模块的处理方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
用于实施本发明的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本发明的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)、区块链网络和互联网。
计算系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与VPS服务中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED模块的处理方法，其特征在于，包括：
在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；
将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
2.根据权利要求1所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，所述单列plasma为第一plasma或第二plasma，所述待处理OLED模块在清洗线体的清洗流水线上依次经过所述第一plasma和所述第二plasma；
控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数，包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，第二plasma处于关闭状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数；或，
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，第一plasma处于关闭状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数。
3.根据权利要求2所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，所述将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将所述第一初始工艺参数切换为第一目标工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗；或，
将所述第二初始工艺参数切换为第二目标工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
4.根据权利要求3所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，在控制第一plasma根据所述第一目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第二plasma处于开启状态，并对应获取所述第二plasma的第二初始工艺参数，以控制第二plasma根据所述第二初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
5.根据权利要求3所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，在控制第二plasma根据所述第二目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗之后，还包括：
控制所述清洗线体的第一plasma处于开启状态，并对应获取所述第一plasma的第一初始工艺参数，以控制第一plasma根据所述第一初始工艺参数同时对所述待处理OLED模块进行清洗。
6.根据权利要求1所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，所述初始工艺参数包括初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙中的至少一个；
将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，包括：
将初始plasma类型、初始plasma运行功率、初始plasma运行电压、初始清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙切换为目标工艺参数，所述目标工艺参数对应包括目标plasma类型、目标plasma运行功率、目标plasma运行电压、目标清洗线体滚筒传输速度以及所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙包括中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的OLED模块的处理方法，其特征在于，所述初始plasma类型为高频输出，所述目标plasma类型为低频输出；所述初始plasma运行功率小于所述目标plasma运行功率；所述初始plasma运行电压低于所述目标plasma运行电压；所述初始清洗线体滚筒传输速度小于所述目标清洗线体滚筒传输速度；所述待处理OLED模块与plasma之间的初始间隙大于所述待处理OLED模块与plasma之间的目标间隙。
8.一种OLED模块的处理装置，其特征在于，包括：
工艺参数获取模块，用于执行在采用清洗线体对待处理OLED模块进行清洗时，控制所述清洗线体的单列plasma处于开启状态，并对应获取所述单列plasma的初始工艺参数；
模块清洗模块，用于执行将所述初始工艺参数切换为目标工艺参数，以控制单列plasma根据所述目标工艺参数对所述待处理OLED模块进行清洗。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-7中任一项所述的OLED模块的处理方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的OLED模块的处理方法。
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