JP2001237213A - プラズマ洗浄装置 - Google Patents

プラズマ洗浄装置

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JP2001237213A
JP2001237213A JP2000050442A JP2000050442A JP2001237213A JP 2001237213 A JP2001237213 A JP 2001237213A JP 2000050442 A JP2000050442 A JP 2000050442A JP 2000050442 A JP2000050442 A JP 2000050442A JP 2001237213 A JP2001237213 A JP 2001237213A
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chambers
magazine
chamber
plasma
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JP2000050442A
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English (en)
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Masayuki Fukuda
正行 福田
Naoya Murakami
直也 村上
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の処理能率の大幅な向上を図ったプラズ
マ洗浄装置を提供する。 【解決手段】 開閉可能な複数個のチャンバ2と、各チ
ャンバ2内にプラズマを発生させ、このプラズマにより
各チャンバ2内の基板に対して洗浄処理を行う洗浄手段
4、5、28、29、31、33とを備えたことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばワイヤボン
ディング等の金属間接接合用のパッドを形成した基板
を、発生させたプラズマにより洗浄するプラズマ洗浄装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種のプラズマ洗浄装置は、基本的に
は、開閉可能なチャンバと、このチャンバ内にプラズマ
を発生させ、このプラズマによりチャンバ内の基板に対
して洗浄処理を行う洗浄手段とを備えている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ洗浄装
置はチャンバが一個であり、基板の処理能率を向上する
ために、処理速度を向上する等の様々な対策が行われて
いるものの、大幅な処理能率の向上は困難であった。
【0004】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、基板の処理能率の大幅な向
上を図ったプラズマ洗浄装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、請求項1に記載の発明は、開閉可能な複数個の
チャンバと、前記各チャンバ内にプラズマを発生させ、
このプラズマにより前記各チャンバ内の基板に対して洗
浄処理を行う洗浄手段とを備えたことを特徴とするプラ
ズマ洗浄装置である。
【0006】このような構成によれば、複数個のチャン
バで並行して基板を処理することにより、基板の処理能
率を大幅に向上することができる。
【0007】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載のプラズマ洗浄装置が、前記複数個のチャンバの
うちの所望のチャンバについてのみ洗浄処理を行うこと
ができるように構成されたことを特徴としている。
【0008】この場合、一部のチャンバにトラブルが生
じても、他のチャンバは基板の処理を続けることができ
るため、基板処理能率の大幅な低下を防ぐことができ
る。
【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
または2に記載のプラズマ洗浄装置が、前記各チャンバ
毎に基板の処理条件の設定を行うことができるように構
成されたことを特徴としている。
【0010】この場合、複数種類の基板を処理する場合
に、それぞれに専用のチャンバを設定することができる
ので、各基板の特性に応じた適切な処理を行うことがで
きる。
【0011】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
〜3のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置におい
て、前記洗浄手段が、前記各チャンバに設けられた高周
波電極と、前記各高周波電極に高周波電圧を印加する高
周波電源と、前記高周波電源と前記各高周波電極との間
に設けられた高周波切替器と、前記各チャンバ内を真空
にする真空吸引装置と、前記各チャンバ内にプラズマ反
応ガスを供給するガス供給装置とを含むことを特徴とし
ている。
【0012】この場合、高周波電源が一台で済むため、
コスト及びスペースの削減を図ることができる。
【0013】また、請求項5に記載の発明は、請求項4
に記載のプラズマ洗浄装置において、前記高周波切替器
が真空リレーを用いたものであることを特徴としてい
る。
【0014】この場合、高周波切替器が小型であるた
め、スペースの削減を図ることができる。
【0015】また、請求項6に記載の発明は、請求項4
または5に記載のプラズマ洗浄装置において、前記各チ
ャンバが着脱可能であるとともに、前記高周波切替器と
前記各高周波電極とが両端にコネクタを取り付けた同軸
ケーブルを介して接続されたことを特徴としている。
【0016】この場合、チャンバの着脱が容易であるた
め、メンテナンスやトラブル処理を作業性良く行うこと
ができる。
【0017】また、請求項7に記載の発明は、請求項1
〜6のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置が、第1
の基板受け渡し位置に供給される未処理基板を前記各チ
ャンバに搬送するとともに、前記各チャンバで洗浄処理
された処理基板を第2の基板受け渡し位置に搬送する搬
入・搬出機構を備えたことを特徴としている。
【0018】この場合、前後の工程の基板処理装置とイ
ンライン化することができるため、人手を介さずに基板
を連続して処理することができる。
【0019】また、請求項8に記載の発明は、請求項7
に記載のプラズマ洗浄装置において、前記搬入・搬出機
構が、前記第1の基板受け渡し位置に配置されたマガジ
ンの複数個の基板収納部から未処理基板を取り出して前
記各チャンバに搬送することができるように構成された
ことを特徴としている。
【0020】この場合、複数の製造ラインから供給され
る基板を一括処理(バッチ処理)する製造形態もとるこ
とができる。
【0021】また、請求項9に記載の発明は、請求項8
に記載のプラズマ洗浄装置において、前記搬入・搬出機
構が、前記各チャンバで洗浄処理された処理基板を前記
第1の基板受け渡し位置のマガジンに戻すことができる
ように構成されたことを特徴としている。
【0022】この場合、処理基板を第1の基板受け渡し
位置のマガジンに戻す場合には空マガジンが生じなくな
るので、その処理が不要となり、生産性が向上する。
【0023】また、請求項10に記載の発明は、請求項
1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置が、前
記各チャンバ毎に基板の処理条件の設定を行うことがで
き、前記各チャンバに対応してそれぞれ基板受け渡し位
置が設定され、前記各基板受け渡し位置に供給された未
処理基板をそれぞれ対応するチャンバに搬送するととも
に、前記各チャンバで洗浄処理された処理基板をそれぞ
れ対応する基板受け渡し位置に搬送する搬入・搬出機構
を備えたことを特徴としている。
【0024】この場合、処理条件が異なる複数種類の基
板を同時処理する際に、複数種類の基板が混ざり合う恐
れが無い。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を図面を参照しながら説明する。図1及び図2は本実施
形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示した斜視図、図
3は本実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面
図、図4は本実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図
である。
【0026】このプラズマ洗浄装置は、例えばベアチッ
プを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングに
おけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接
合強度を向上させるため、基板のボンディングパッドを
乾式で洗浄するために使用されるものであり、真空容器
であるチャンバにアルゴン等のプラズマ反応ガスを充填
し、これに高周波電圧を印加することでプラズマを発生
させ、そのプラズマに帯電したイオンがボンディングパ
ッドに向かって加速され、ボンディングパッド表面の粒
子(実施形態の場合には有機物、酸化物等)を叩き出す
ことにより、これを洗浄する。
【0027】図1及び図2に示すように、このプラズマ
洗浄装置1は、図示しない洗浄装置本体に着脱自在の一
対のチャンバ2、2と、これら一対のチャンバ2、2に
交互に高周波電圧を印加する電源部3と、一対のチャン
バ2、2にプラズマ反応ガスであるアルゴンガス及びリ
ークのための窒素ガスを交互に供給するガス供給装置4
と、各チャンバ2内を真空状態にする一対の真空吸引装
置5、5と、第1の基板受け渡し位置P1に配置された
供給側マガジン7aから未処理基板Aaを取り出して一
対のチャンバ2、2に対して交互に搬入するとともに、
チャンバ2、2で洗浄処理された処理基板Abを第2の
基板受け渡し位置P2に配置された排出側マガジン7b
に収納する搬入・搬出機構6とを備えている。
【0028】各チャンバ2は、真空容器である箱状のチ
ャンバ本体21と、チャンバ本体21の前面に設けられ
たフランジ状の蓋体22とを有している。蓋体22は、
両側に設けた蓋ガイド23、23によりチャンバ本体2
1に対して進退自在に構成され、且つチャンバ本体21
の側面に設けたチャンバ開閉シリンダ(エアシリンダ)
24のピストンロッド25と連結板26を介して連結さ
れている。また、蓋体22の内側には、2枚の基板A、
Aを載置するトレイ27が取り付けられており、トレイ
27は蓋体22とともに進退する。チャンバ開閉シリン
ダ24が駆動されて蓋体22が前進すると、チャンバ本
体21が開放されるとともに、基板Aを載置したトレイ
27が引き出され、蓋体22が後退すると、トレイ27
が押し込まれるとともにチャンバ本体21が閉塞され
る。
【0029】また、図3に示すように、各チャンバ2に
は、電源部3に接続された第1高周波電極28と、アー
スされた第2高周波電極29とが設けられている。この
場合、第1高周波電極28は、上記のトレイ27の下部
に配設される一方、第2高周波電極29は、チャンバ本
体21を構成するケーシングにより構成されている。な
お、チャンバ開閉シリンダ24は、図示左側のチャンバ
2では、その左側面に取り付けられ、右側のチャンバ2
では、その右側面に取り付けられている。また、図示し
ないが、チャンバ本体21と蓋22の間には、チャンバ
2の気密性を保持すべく、Oリング等のシール部材が介
在している。
【0030】電源部3は、高周波電源31と、自動整合
器32と、高周波切替器33とを有している。高周波切
替器33は、図示しない制御装置(パソコン)に接続さ
れ、制御装置の切替指令により、一対のチャンバ2、2
に対し高周波電源31を交互に切り替える。高周波切替
器33とチャンバ2、2間は、通常、銅板を使用してネ
ジ止めにより接続されるが、処理時間が短いか電力が低
い等、導通時の導体温度上昇特性上問題が無ければ、両
端にコネクタを取り付けた同軸ケーブルにより接続する
ようにしてもよい。このようにすると、チャンバ2、2
の洗浄装置本体からの取り外し及び洗浄装置本体への取
り付けが容易となるため、メンテナンス及びトラブル処
理を作業性良く行うことができる。
【0031】また、本実施形態では、高周波切替器33
は真空リレーを用いたものであり、小型であるため、自
動整合器32のシャーシ内に組み込むことができ、スペ
ースの削減を図ることができる。なお、高周波切替器3
3をシリンダ等を用いたメカ的なものとして、自動整合
器32のシャーシに外付けするようにしてもよい。自動
整合器32は、チャンバ2に印加した高周波の反射波に
よる干渉を防止するものであり、本実施形態では、一対
のチャンバ2、2に対し1台の自動整合器32を対応さ
せているが、各チャンバ2に対しそれぞれ1台の自動整
合器32を対応させるようにしてもよい。かかる場合に
は、高周波電源31、高周波切替器33、自動整合器3
2の順で結線される。なお、本実施形態では、高周波電
源31、自動整合器32がそれぞれ1台ずつであるた
め、低コストで、スペースの削減を図ることができると
いう利点を有している。小さくすることができる。
【0032】ガス供給装置4は、図外のアルゴンガスボ
ンベに連なるアルゴンガス供給管41と、図外の窒素ガ
スボンベに連なる窒素ガス供給管42と、各チャンバ2
に連なる一対のガス導入管43、43と、アルゴンガス
供給管41及び窒素ガス供給管42と一対のガス導入管
43、43とを接続するガス切替管44とを有してい
る。アルゴンガス供給管41及び窒素ガス供給管42に
は、それぞれマニュアルで操作されるアルゴンガス供給
バルブ45及び窒素ガス供給バルブ46が設けられてい
る。また、アルゴンガス供給管41にはマスフローコン
トローラ47が介設され、また窒素ガス供給管42には
パージ流量計48が介設され、それぞれガス流量を制御
できるようになっている。
【0033】ガス切替管44は、アルゴンガス供給管4
1に連なる2本のアルゴン側分岐管44a、44aと、
窒素ガス供給管42に連なる2本の窒素側分岐管44
b、44bとを有し、各アルゴン側分岐管44aと各窒
素側分岐管44bの合流部分に上記の各ガス導入管43
が接続されている。両アルゴン側分岐管44a、44a
には、それぞれ電磁弁で構成されたアルゴン側切替バル
ブ49、49が介設され、また、両窒素側分岐管44
b、44bには、それぞれ電磁弁で構成された窒素側切
替バルブ50、50が介設されている。一対のアルゴン
側切替バルブ49、49及び一対の窒素側切替バルブ5
0、50は制御装置に接続され、制御装置の切替指令に
より、開閉する。この場合、アルゴンガスのガス量を精
度良く制御するため、上記のマスフローコントローラ4
7は、制御信号に基づいて、フィードバック制御され
る。
【0034】アルゴンガス供給バルブ45及び窒素ガス
供給バルブ46は、それぞれ常時「開」となっており、
一対のチャンバ2、2に交互にアルゴンガスを導入する
場合には、両窒素側切替バルブ50、50が「閉」とな
り、両アルゴン側切替バルブ49、49の一方が
「開」、他方が「閉」となる。また、後述するリークの
為に窒素ガスを導入する場合には、両アルゴン側切替バ
ルブ49、49が「閉」となり、両窒素側切替バルブ5
0、50の一方が「開」、他方が「閉」となる。なお、
図中の符号51は、プラズマ反応ガスとして、アルゴン
ガスの他、酸素ガスを導入可能とする場合(仮想線にて
図示)に、開閉される開閉電磁弁である。
【0035】各真空吸引装置5は、真空ポンプ61と、
真空ポンプ61と各チャンバ2を接続する真空配管62
とを有している。真空配管62には、チャンバ2側から
真空計63、圧力調整バルブ64及びメインバルブ65
が介設されている。メインバルブ65は電磁弁で構成さ
れており、メインバルブ65が「開」状態で、フレキシ
ブル管67を介して真空配管62と真空ポンプ61とが
連通し、チャンバ2内の真空引きが行われる。
【0036】搬入・搬出機構6は、両チャンバ2、2
と、第1及び第2の基板受け渡し位置P1、P2に配置さ
れた供給側・排出側両マガジン7a、7bとの間で基板
Aを搬送する基板搬送機構12と、この基板搬送機構1
2と両チャンバ2、2との間で基板Aを移載するチャン
バ側移載機構13と、基板搬送機構12と供給側・排出
側両マガジン7a、7bとの間で基板Aを移載するマガ
ジン側移載機構14と、供給側マガジン7aを駆動する
基板ローダ15と、排出側マガジン7bを駆動する基板
アンローダ16とを有している。
【0037】供給側マガジン7aに収容されている未処
理基板Aaは、マガジン側移載機構14により基板搬送
機構12に移載され、基板搬送機構12により下動位置
からチャンバ2近傍の上動位置まで搬送される。ここ
で、チャンバ側移載機構13が駆動され、未処理基板A
aを基板搬送機構12からチャンバ2のトレイ27に移
載する。一方、処理基板Abは、チャンバ側移載機構1
3によりトレイ27から基板搬送機構12に移載され、
基板搬送機構12により上動位置から供給・排出側両マ
ガジン7a、7b近傍の下動位置まで搬送される。ここ
で、マガジン側移載機構14が駆動され、処理基板Ab
を基板搬送機構12から排出側マガジン7bに移載す
る。
【0038】基板搬送機構12は、図2に示すように、
図外の機台に取り付けられた基板昇降装置71と、基板
昇降装置71に取り付けられた基板Y動装置72と、基
板Y動装置72により図示の前後方向に移動する基板載
置ステージ73とを有している。
【0039】基板載置ステージ73は、ベースプレート
75上に、相互に平行に配設した3条の突条76、7
6、76により、上段及び下段にそれぞれ2枚の基板
A、Aを棚板状に載置できるようになっている。すなわ
ち、3条の突条76、76、76には、それぞれ上下に
内向きの受け部(図示省略)が突出形成されており、こ
の受け部により上段に2枚の未処理基板Aaを載置する
前後一対の第1載置部77が、下段に2枚の処理基板A
bを載置する前後一対の第2載置部78が構成されてい
る。すなわち、供給側マガジン7aから移載される未処
理基板Aaは第1載置部77に載置され、各チャンバ2
のトレイ27から移載される処理基板Abは第2載置部
78に載置される。
【0040】基板Y動装置72は、後述する基板昇降装
置71の昇降ブロック85に取り付けられており、減速
機付きの基板Y動モータ80と、基板Y動モータ80に
より回転するボールネジ81を有している。図示では省
略されているが、基板載置ステージ73は、基板昇降装
置71の昇降ブロック85との間で前後方向に進退自在
に構成(案内)されており、基板載置ステージ73の一
部に螺合するボールネジ81が、基板Y動モータ80に
より正逆回転することにより、基板載置ステージ73が
昇降ブロック85に対し、前後方向に進退する。
【0041】基板昇降装置71は、減速機付きの基板昇
降モータ83と、基板昇降モータ83により回転するボ
ールネジ84と、ボールネジ84に螺合する雌ネジ部
(図示省略)が形成された昇降ブロック85とを有して
いる。上述のように、基板載置ステージ73及び基板Y
動装置72は昇降ブロック85に支持されており、昇降
ブロック85は、基板昇降モータ83を介して正逆回転
するボールネジ84により、昇降する。なお、基板昇降
装置71を基板Y動装置72に取り付け、基板昇降装置
71で基板載置ステージ73を昇降させ、基板Y動装置
72で基板昇降装置71及び基板載置ステージ73を前
後動させるようにしてもよい。
【0042】後述するように、マガジン7a、7b内部
には、それぞれ上下方向に複数の基板収納部が形成され
ており、基板搬送機構12が供給側マガジン7aから未
処理基板Aaを受け取る場合には、供給側マガジン7a
の該当する基板収納部の位置に、基板載置ステージ73
の第1載置部77が合致するように、基板昇降装置71
及び基板Y動装置72が駆動される。具体的には、基板
載置ステージ73をホーム位置から後退及び上昇させ、
先ず一方の第1載置部77を該当する基板収納部に位置
合わせし、さらに基板載置ステージ73の後退(前進)
により、他方の第1載置部77を該当する次の基板収納
部に位置合わせする。なお、詳細は後述するが、供給側
マガジン7aは昇降するようになっており、未処理基板
Aaの移載高さ位置(レベル)は特定の位置に設定され
ている。
【0043】また、処理基板Abを排出側マガジン7b
に受け渡す場合には、同様に第2載置部78の2枚の処
理基板Ab、Abを、それぞれ排出側マガジン7bの該
当する基板収納部に位置合わせする。この場合も、排出
側マガジン7bは昇降するようになっており、処理基板
Abの移載高さ位置(上記の移載高さ位置とは異なる
が)は特定の位置に設定されている。なお、基板載置ス
テージ73に対し、供給側マガジン7a及び排出側マガ
ジン7bは、その左右両側に近接して配置されているた
め(図示では離れているが)、基板Aの移載に際し基板
載置ステージ73を左右方向に移動させる必要はない。
【0044】一方、未処理基板Aa及び処理基板Abを
チャンバ2との間でやりとりする場合には、先ず基板昇
降装置71及び基板Y動装置72を駆動して、トレイ2
7上の処理基板Abと第2載置部78を位置合わせし、
2枚の処理基板Ab、Abを第2載置部78に同時に受
け取る(詳細は後述する)。次に、基板載置ステージ7
3をわずかに下降させ、第1載置部77の未処理基板A
aとトレイ27(の上面)とを位置合わせし、2枚の未
処理基板Aa、Aaをトレイ27上に受け渡す。なお、
この場合も、基板載置ステージ73に対し、両チャンバ
2、2は、その左右両側に近接して配置されているため
(図示では離れているが)、基板Aの移載に際し基板載
置ステージ73を左右方向に移動させる必要はない。
【0045】マガジン側移載機構14は、未処理基板A
aを供給側マガジン7aから基板搬送機構12に送り出
す供給側シリンダ91と、処理基板Abを基板搬送機構
12から排出側マガジン7bに送り込む排出側シリンダ
92とを有している。供給側シリンダ91は図外の機台
に取り付けられており、そのピストンロッド94によ
り、該当する未処理基板Aaの端を押して、これを供給
側マガジン7aから基板搬送機構12に送り出す。
【0046】排出側シリンダ92は、図外の機台に取り
付けられ、供給側マガジン7a及び排出側マガジン7b
間に亘って延在するシリンダ本体95と、シリンダ本体
95により左右方向に移動する送り爪装置96とを有し
ている。送り爪装置96は、ハウジング内にモータ等の
アクチュエータを収容するとともに、アクチュエータに
より上下動する送り爪97を有している。アクチュエー
タにより送り爪97を所定の下動位置に移動させ、シリ
ンダ本体95により送り爪装置96を図示左方に移動さ
せることにより、送り爪97が処理基板Abの端を押し
て、これを基板搬送機構12から排出側マガジン7bに
送り込む。
【0047】供給側シリンダ91のピストンロッド94
の高さ位置及び排出側シリンダ92の送り爪97の高さ
位置は、上記の移載高さ位置に設定され、且つ、ピスト
ンロッド94側の移載高さ位置と送り爪97の移載高さ
位置とは、基板載置ステージ73の第1載置部77と第
2載置部78との間の段差分の差を有している。このた
め、基板載置ステージ73の第1載置部77と第2載置
部78を、それぞれ両移載高さ位置に位置合わせしてお
いて、先ず排出側シリンダ92を駆動することで、処理
基板Abが第2載置部78から排出側マガジン7bに送
り込まれ、次に供給側シリンダ91を駆動すれば、未処
理基板Aaが供給側マガジン7aから第1載置部77に
送り出される。もっとも、基板載置ステージ73、供給
側マガジン7a及び排出側マガジン7bは昇降可能であ
り、かつ送り爪97も上下動可能に構成されているた
め、必ずしも上記のように移載高さ位置を設定する必要
はない。
【0048】なお、詳細は後述するが、供給側マガジン
7aから送り出されるべき任意の1枚の未処理基板Aa
が収納された基板収納部の選択、及び処理基板Abが送
り込まれるべき排出側マガジン7bの任意の1つの基板
収納部(何段目か)の選択は、基板ローダ15により供
給側マガジン7aを昇降させること、及び基板アンロー
ダ16により排出側マガジン7bを昇降させることで行
われる。
【0049】図1に示すように、チャンバ側移載機構1
3は、一対のチャンバ2、2間に亘って左右方向に延在
するガイドケース101と、ガイドケース101の一方
の端部に取り付けられた減速機付きのX動モータ102
と、X動モータ102により回転するボールネジ103
と、ボールネジ103により左右方向に移動する移載爪
装置104とを有している。移載爪装置104は、ハウ
ジング内にモータ等のアクチュエータを収容するととも
に、アクチュエータにより上下動する移載爪105を有
している。
【0050】移載爪105の先端は二股に形成されてお
り、トレイ27と基板搬送機構12との間で、2枚の基
板A、Aを同時に移載可能に構成されている。移載爪装
置104は、ハウジングの部分でガイドケース101に
より左右方向の移動をガイドされており、X動モータ1
02を介してボールネジ103が正逆回転することによ
り、移載爪装置104はガイドケース101に沿って左
右方向に移動する。また、アクチュエータの正逆駆動に
より、移載爪105が上下動する。
【0051】基板搬送機構12が第1載置部77に未処
理基板Aaを載置してチャンバ2に臨むと、X動モータ
102が駆動されて移載爪装置104をトレイ27の端
位置に移動させ、続いて移載爪装置104が駆動されて
移載爪105をトレイ27の上面位置まで下動させる。
次に、X動モータ102が駆動されて移載爪装置104
を基板搬送機構12側に移動させる。これにより、移載
爪105がトレイ27上の2枚の処理基板Abを押すよ
うにして移動させ、処理基板Abを基板搬送機構12の
第2載置部78に受け渡す。次に、移載爪105を未処
理基板Aaに合わせてわずかに上動させた後、移載爪装
置104をトレイ27側に移動させることにより、移載
爪105が2枚の未処理基板Aa、Aaを第1載置部7
7からトレイ27上に受け渡す。なお、移載爪105を
二股とせず、基板Aを1枚ずつ移載させる構造であって
もよい。
【0052】図2に示すように、基板ローダ15は、複
数個の供給側マガジン7aを載置可能な供給側マガジン
載置台111と、供給側マガジン載置台111から供給
された供給側マガジン7aを昇降させる供給側昇降装置
112と、供給側マガジン7aを供給側マガジン載置台
111から供給側昇降装置112に送り込む供給側マガ
ジンシリンダ113とを有している。供給側マガジン7
aは、両側壁にそれぞれ複数の受け部が形成され、これ
によって上下方向に複数個の基板収納部が形成されてお
り、基板Aを複数段に亘って棚板状に収容できるように
なっている。そして、このように構成された供給側マガ
ジン7aは、未処理基板Aaを収容した状態で、前面を
基板搬送機構12側に向けて配設されている。なお、排
出側マガジン7bは、この供給側マガジン7aと全く同
一のものである。
【0053】供給側マガジンシリンダ113は、供給側
昇降装置112の供給側マガジン7aが空になったとき
に、そのピストンロッド115により、供給側マガジン
載置台111に載置されている複数個の供給側マガジン
7aを順に送り込んで、新たに供給側マガジン7aを供
給側昇降装置112に供給する。なお、供給側マガジン
載置台111に新たに投入される供給側マガジン7a
は、ピストンロッド115が後退した状態で、供給側マ
ガジン載置台111のピストンロッド115側に投入さ
れる。
【0054】供給側昇降装置112は、減速機付きのマ
ガジン昇降モータ116と、マガジン昇降モータ116
により回転するボールネジ117と、ボールネジ117
に螺合する雌ネジ部(図示省略)が形成された昇降ブロ
ック118とを有している。未処理基板Aaを送り出す
供給側マガジン7aは、昇降ブロック118に支持され
ており、昇降ブロック118は、マガジン昇降モータ1
16を介して正逆回転するボールネジ117により、昇
降する。
【0055】供給側昇降装置112に送り込まれた供給
側マガジン7aは適宜昇降し、その際上記の供給側シリ
ンダ91が、供給側マガジン7aに収容した未処理基板
Aaを1枚ずつ送り出してゆく。この場合、未処理基板
Aaを、供給側マガジン7aの最下段のものから順に送
り出してゆくことが、好ましい。すなわち、最初に最下
段の未処理基板Aaを移載高さ位置に位置合わせしてこ
れを送り出し、次に下から2段目の未処理基板Aaを移
載高さ位置に位置合わせ(下降)してこれを送り出す。
このようにして、最上段の未処理基板Aaを送り出した
ところで、供給側マガジン7aが空になるため、これを
さらに下降させてマガジン移送部10に受け渡すように
している。
【0056】基板アンローダ16は、基板ローダ15と
同様に、複数個の排出側マガジン7bを載置可能な排出
側マガジン載置台121と、排出側マガジン7bを昇降
させる排出側昇降装置122と、処理基板Abで満杯に
なった排出側マガジン7bを排出側昇降装置122から
排出側マガジン載置台121に送り込む排出側マガジン
シリンダ123とを有している。排出側マガジンシリン
ダ123は、そのピストンロッド125により、満杯に
なった排出側マガジン7bを順次排出側マガジン載置台
121に送り込んでゆく。
【0057】排出側昇降装置122は、供給側昇降装置
112と同様に、マガジン昇降モータ126と、ボール
ネジ127と、昇降ブロック128とを有している。処
理基板Abが送り込まれる排出側マガジン7bは、昇降
ブロック128に支持されており、昇降ブロック128
は、マガジン昇降モータ126を介して正逆回転するボ
ールネジ127により、昇降する。この場合、空の排出
側マガジン7bは、マガジン移送部10を介して供給側
昇降装置112から供給される。
【0058】そして、この場合も、排出側昇降装置12
2の排出側マガジン7bは適宜昇降し、その際上記の排
出側シリンダ92が、排出側マガジン7bに処理基板A
bを1枚ずつ送り込んでゆく。この場合には、排出側マ
ガジン7bを間欠上昇させながら、処理基板Abを最上
段から順に収容してゆくことが好ましい。なお、供給側
昇降装置112及び排出側昇降装置122の各昇降ブロ
ック118、128は、各マガジン7a、7bを載置す
るプレート部位118a、128aの中央が、広く
「コ」字状に切り欠かれており、後述するチャック装置
131が上下方向にすり抜け得るようになっている。
【0059】マガジン移送部10は、空マガジン(空に
なった供給側マガジン7a)7cを受け取って把持する
チャック装置131と、先端部でチャック装置131を
支持する回転アーム132と、回転アーム132を基端
部を中心に回転させる減速機付きの回転モータ133と
を有している。回転モータ133は、図外の機台に固定
されており、回転アーム133を水平面内において角度
180度、往復回転(回動)させ、チャック装置131
に把持した空マガジン7cを基板ローダ15から基板ア
ンローダ16に移送する。チャック装置131は、上面
に空マガジン7cが載置されるハウジング135と、ハ
ウジング135内に収容したシリンダ(図示省略)と、
ハウジング135の上面から突出しシリンダにより離接
方向に相互に移動する一対のチャック136、136と
を有している。
【0060】一対のチャック136、136を離間する
方向に開いておいて、供給側昇降装置112に臨ませ、
この状態で、供給側昇降装置112に載置されている空
マガジン7cを下降させると、昇降ブロック118のプ
レート部位118aがチャック136を上側から下側に
すり抜けたところで、空マガジン7cがハウジング13
5の上面に載る。これにより、空マガジン7cが供給側
昇降装置112からマガジン移送部10に受け渡され
る。ここで、一対のチャック136、136を閉じるよ
うにして、空マガジン7cを把持する。空マガジン7c
がチャック装置121に不動に把持されたら、回転アー
ム132を回動させて空マガジン7cを排出側昇降装置
122に臨ませる。
【0061】このとき、排出側昇降装置122の昇降ブ
ロック128には排出側マガジン7bは無く、また、昇
降ブロック128は下降位置にある。空マガジン7cが
排出側昇降装置122に臨んだら、チャック装置131
による把持状態を解除し、昇降ブロック128を上昇さ
せる。昇降ブロック128が上昇し、そのプレート部位
128aがチャック136を下側から上側にすり抜ける
と、昇降ブロック128が空マガジン7cを自動的に受
け取ってそのまま上昇する。なお、マガジン移送部10
により、基板ローダ15から基板アンローダ16に移送
された空マガジン7cは、基板アンローダ16で排出側
マガジン7bとして利用されるが、空マガジン7cは回
転して移送されるため、その前部が搬入・搬出機構6側
に向いた姿勢で、基板アンローダ16に受け渡される。
このため、移送の前後で別の装置により空マガジン7c
の姿勢を変える必要がない。
【0062】なお、搬入・搬出機構6、基板ローダ1
5、基板アンローダ16、及びマガジン移送部10にお
けるモータやシリンダ等のアクチュエータは制御装置に
接続され、この制御装置により総括的に制御される。な
お、本実施形態では、制御装置として、米国のマイクロ
ソフト社のウィンドウズをオペレーティングシステムと
するパーソナルコンピュータを使用しているが、他のも
のを使用することもできる。
【0063】本実施形態では、制御装置が、いずれか一
方のチャンバのみでも洗浄を行うことができるように構
成されている。即ち、制御装置のチャンバ選択ウインド
を開くと、チャンバ2a、2bを駆動するモード、チャ
ンバ2aのみを駆動するモード、チャンバ2bのみを駆
動するモードのいずれかを選択入力するよう要求する画
面が表示されるので、作業者は所望のモードを選択入力
する。このとき、いずれか一方のチャンバのみを駆動す
るモードを選択すると、電源部3、ガス供給装置4、真
空吸引装置5、搬入・搬出機構6等は、それぞれ選択さ
れた側のチャンバについてのみ処理を行い、選択されな
かった側のチャンバについては処理を行わないようにな
っている。このようにすることで、使用しないチャンバ
では処理が行われないので、事故を防止することがで
き、安全性が高い。また、いずれか一方のチャンバのみ
でも運転が可能であるため、一方のチャンバでトラブル
が発生したとしても、他方のチャンバは洗浄処理を続行
することができ、基板処理能率の大幅な低下を防ぐこと
ができるものである。
【0064】また、本実施形態では、制御装置が、各チ
ャンバ毎に基板の処理条件の設定を行うことができるよ
うに構成されている。即ち、制御装置の基板処理条件設
定ウインドを開くと、各チャンバ毎に、それぞれ高周波
電極に供給される電力、チャンバ内に供給されるガスの
量、種類、真空圧、洗浄時間等を設定することができる
ようになっており、作業者は、各チャンバ毎に、処理さ
れる基板に応じた条件を設定する。これによって、二種
類の基板を処理する場合に、それぞれに専用のチャンバ
を設定することができ、各基板の特性に応じた適切な処
理を行うことができる。例えば、塵埃を嫌う基板(ガラ
ス基板等)と、塵埃が生じやすい基板(ガラスエポキシ
基板等)とを処理する場合には、一方のチャンバを前者
の基板の専用とし、他方のチャンバを後者の基板の専用
とすることで、不良品の発生率を低減することができ
る。
【0065】次に、図4を参照して、各部の動作を順を
追って説明する。同図において、左側のチャンバ2aは
基板Aの洗浄工程にあり、右側のチャンバ2bは基板A
の搬入・搬出工程にあるものとする。右側のチャンバ2
bで洗浄済みの基板(処理基板Ab)Aが外部に引き出
される動きに合わせて、搬入・搬出機構6は、供給側マ
ガジン7aから未処理基板Aaを受け取って、右側のチ
ャンバ2bの近傍まで搬送する。ここで、搬入・搬出機
構6は、右側のチャンバ2bから処理基板Abを受け取
り、続いて未処理基板Aaを右側のチャンバ2bに受け
渡す。右側のチャンバ2bは、未処理基板Aaを受け取
ると、これを内部に持ち込む。同時に、搬入・搬出機構
6は、処理基板Abを搬送して排出側マガジン7bに受
け渡す。
【0066】右側のチャンバ2bは、未処理基板Aaを
内部に持ち込むと、洗浄工程に移行する。これと同時
に、左側のチャンバ2aは、窒素ガスによるリークを経
て搬入・搬出工程に移行する。そして今度は、左側のチ
ャンバ2aで処理基板Abが引き出される動きに合わせ
て、搬入・搬出機構6は、供給側マガジン7aから未処
理基板Aaを受け取って、左側のチャンバ2aの近傍ま
で搬送する。そして、搬入・搬出機構6は、左側のチャ
ンバ2aから処理基板Abを受け取り、続いて未処理基
板Aaを左側のチャンバ2aに受け渡す。左側のチャン
バ2aは、未処理基板Aaを受け取ると、これを内部に
持ち込む。同時に、搬入・搬出機構6は、処理基板Ab
を搬送して排出側マガジン7bに受け渡す。左側のチャ
ンバ2aは、未処理基板Aaを内部に持ち込むと、洗浄
工程に移行する。これと同時に、右側のチャンバ2b
は、窒素ガスによるリークを経て搬入・搬出工程に移行
する。すなわち、左右のチャンバ2a、2bは交互に搬
入・搬出工程と洗浄工程とを繰り返し、これに合わせて
搬入・搬出機構6は左右のチャンバ2a、2bに対し、
未処理基板Aa及び処理基板Abを交互に搬入・搬出す
る。
【0067】このように、一方のチャンバにおいて基板
の搬入・搬出を行っている間に他方のチャンバで洗浄処
理を行うことにより、従来のプラズマ洗浄装置に比べて
単位時間当たりの基板の処理枚数を大幅に増やすことが
でき、基板の処理能率が大幅に向上するものである。
【0068】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、種々の変形を施すことができる。
例えば、上述した実施形態では、チャンバを2個備えた
場合について説明したが、3個以上のチャンバを備える
ようにしてもよい。
【0069】また、上述した実施形態では、搬入・搬出
機構が、第1の基板受け渡し位置に配置されたマガジン
から未処理基板を取り出して各チャンバに搬送するとと
もに、各チャンバで洗浄処理された処理基板を第2の基
板受け渡し位置に配置されたのマガジンに収納するよう
に構成されているが、処理基板を、第1の基板受け渡し
位置のマガジンに戻すこともできるように構成してもよ
い。このようにすると、基板が、マガジンに収納する際
に発生する塵埃を問題にしないものである場合には、処
理基板を第1の基板受け渡し位置のマガジン内に戻すよ
うにすることにより、空マガジンが生じなくなり、空マ
ガジンを処理する必要が無くなるため、生産性が向上す
る。
【0070】また、上述した実施形態では、複数の製造
ラインから供給される基板を一括処理するべく、第1の
基板受け渡し位置にマガジンを介して基板を供給するよ
うにしているが、単一の製造ラインから大量の基板が供
給される場合には、第1及び第2の基板受け渡し位置
に、基板ローダ及び基板アンローダの代わりに基板搬送
コンベヤを配置し、プラズマ洗浄装置を前後の工程の基
板処理装置とインライン化するようにしてもよい。この
ようにすると、人手を介さずに基板を連続して処理する
ことができる。
【0071】また、各チャンバに対応してそれぞれ基板
受け渡し位置を設定し、搬入・搬出機構を、各基板受け
渡し位置に供給された未処理基板をそれぞれ対応するチ
ャンバに搬送するとともに、各チャンバで洗浄処理され
た処理基板をそれぞれ対応する基板受け渡し位置に搬送
するように構成してもよく、このようにすると、処理条
件が異なる複数種類の基板を同時処理する場合に、複数
種類の基板が混ざり合う恐れが無くなる。
【0072】なお、上述した以外にも、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の変形を施すことができる。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマ洗
浄装置によれば、複数個のチャンバで基板を並行して処
理することにより、基板の処理能率を大幅に向上するこ
とができる。
【0074】また、請求項2に記載のプラズマ洗浄装置
は、複数個のチャンバのうちの所望のチャンバについて
のみ基板の洗浄処理を行うことができるように構成され
たことにより、一部のチャンバにトラブルが生じても、
他のチャンバは基板の処理を続けることができるため、
基板処理能率の大幅な低下を防ぐことができる。
【0075】また、請求項3に記載のプラズマ洗浄装置
は、各チャンバ毎に基板の処理条件の設定を行うことが
できるように構成されたことにより、複数種類の基板を
処理する場合に、それぞれに専用のチャンバを設定する
ことができ、各基板の特性に応じた適切な処理を行うこ
とができる。
【0076】また、請求項4に記載のプラズマ洗浄装置
は、洗浄手段が、各チャンバに設けられた高周波電極
と、各高周波電極に高周波電圧を印加する高周波電源
と、この高周波電源と各高周波電極との間に設けられた
高周波切替器と、各チャンバ内を真空にする真空吸引装
置と、各チャンバ内にプラズマ反応ガスを供給するガス
供給装置とを含むものであることにより、高周波電源が
一台で済むため、コスト及びスペースの削減を図ること
ができる。
【0077】また、請求項5に記載のプラズマ洗浄装置
は、高周波切替器が真空リレーを用いたものであること
により、小型であるため、スペースの削減を図ることが
できる。
【0078】また、請求項6に記載のプラズマ洗浄装置
は、各チャンバが着脱可能であるとともに、高周波切替
器と各高周波電極とが両端にコネクタを取り付けた同軸
ケーブルを介して接続されたことにより、チャンバの着
脱が容易であるため、メンテナンスやトラブル処理を作
業性良く行うことができる。
【0079】また、請求項7に記載のプラズマ洗浄装置
は、第1の基板受け渡し位置に供給される未処理基板を
各チャンバに搬送するとともに、各チャンバで洗浄処理
された処理基板を第2の基板受け渡し位置に搬送する搬
入・搬出機構を備えたことにより、前後の工程の基板処
理装置とインライン化することができ、人手を介さずに
基板を連続して処理することができる。
【0080】また、請求項8に記載のプラズマ洗浄装置
は、搬入・搬出機構が、第1の基板受け渡し位置に配置
されたマガジンの複数個の基板収納部から未処理基板を
取り出して前記各チャンバに搬送することができるよう
に構成されたことにより、複数の製造ラインから供給さ
れる基板を一括処理(バッチ処理)する製造形態をとる
こともできる。
【0081】また、請求項9に記載のプラズマ洗浄装置
は、搬入・搬出機構が、各チャンバで洗浄処理された処
理基板を、第1の基板受け渡し位置のマガジンに戻すこ
ともできるように構成されたことにより、処理基板を第
1の基板受け渡し位置のマガジンに戻す場合には空マガ
ジンが生じなくなるので、その処理が不要となり、生産
性が向上する。
【0082】また、請求項10に記載のプラズマ洗浄装
置は、各チャンバ毎に基板の処理条件の設定を行うこと
ができ、各チャンバに対応してそれぞれ基板受け渡し位
置が設定され、各基板受け渡し位置に供給された未処理
基板をそれぞれ対応するチャンバに搬送するとともに、
各チャンバで洗浄処理された処理基板をそれぞれ対応す
る基板受け渡し位置に搬送する搬入・搬出機構を備えた
ことにより、処理条件が異なる複数種類の基板を同時処
理する場合に、複数種類の基板が混ざり合う恐れが無
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造(上
半部)を示した斜視図。
【図2】 実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造(下
半部)を示した斜視図。
【図3】 実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断
面図。
【図4】 実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図。
【符号の説明】
2 チャンバ 4 ガス供給装置 5 真空吸引装置 6 搬入・搬出機構 7a 供給側マガジン 7b 排出側マガジン 28 第1高周波電極 29 第2高周波電極 31 高周波電源 33 高周波切替器 Aa 未処理基板 Ab 処理基板 P1 第1の基板受け渡し位置 P2 第2の基板受け渡し位置

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開閉可能な複数個のチャンバと、前記各
    チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマにより
    前記各チャンバ内の基板に対して洗浄処理を行う洗浄手
    段とを備えたことを特徴とするプラズマ洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記複数個のチャンバのうちの所望のチ
    ャンバについてのみ洗浄処理を行うことができるように
    構成されたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ
    洗浄装置。
  3. 【請求項3】 前記各チャンバ毎に基板の処理条件の設
    定を行うことができるように構成されたことを特徴とす
    る請求項1または2に記載のプラズマ洗浄装置。
  4. 【請求項4】 前記洗浄手段が、前記各チャンバに設け
    られた高周波電極と、前記各高周波電極に高周波電圧を
    印加する高周波電源と、前記高周波電源と前記各高周波
    電極との間に設けられた高周波切替器と、前記各チャン
    バ内を真空にする真空吸引装置と、前記各チャンバ内に
    プラズマ反応ガスを供給するガス供給装置とを含むこと
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラ
    ズマ洗浄装置。
  5. 【請求項5】 前記高周波切替器が真空リレーを用いた
    ものであることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ
    洗浄装置。
  6. 【請求項6】 前記各チャンバが着脱可能であるととも
    に、前記高周波切替器と前記各高周波電極とが両端にコ
    ネクタを取り付けた同軸ケーブルを介して接続されたこ
    とを特徴とする請求項4または5に記載のプラズマ洗浄
    装置。
  7. 【請求項7】 第1の基板受け渡し位置に供給される未
    処理基板を前記各チャンバに搬送するとともに、前記各
    チャンバで洗浄処理された処理基板を第2の基板受け渡
    し位置に搬送する搬入・搬出機構を備えたことを特徴と
    する請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄
    装置。
  8. 【請求項8】 前記搬入・搬出機構が、前記第1の基板
    受け渡し位置に配置されたマガジンの複数個の基板収納
    部から未処理基板を取り出して前記各チャンバに搬送す
    ることができるように構成されたことを特徴とする請求
    項7に記載のプラズマ洗浄装置。
  9. 【請求項9】 前記搬入・搬出機構が、前記各チャンバ
    で洗浄処理された処理基板を前記第1の基板受け渡し位
    置のマガジンに戻すことができるように構成されたこと
    を特徴とする請求項8に記載のプラズマ洗浄装置。
  10. 【請求項10】 前記各チャンバ毎に基板の処理条件の
    設定を行うことができ、前記各チャンバに対応してそれ
    ぞれ基板受け渡し位置が設定され、前記各基板受け渡し
    位置に供給された未処理基板をそれぞれ対応するチャン
    バに搬送するとともに、前記各チャンバで洗浄処理され
    た処理基板をそれぞれ対応する基板受け渡し位置に搬送
    する搬入・搬出機構を備えたことを特徴とする請求項1
    〜6のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004030078A1 (ja) * 2002-09-26 2004-04-08 Toray Engineering Co., Ltd. 接合装置
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