JP2740764B2 - 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 - Google Patents
高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法Info
- Publication number
- JP2740764B2 JP2740764B2 JP2313252A JP31325290A JP2740764B2 JP 2740764 B2 JP2740764 B2 JP 2740764B2 JP 2313252 A JP2313252 A JP 2313252A JP 31325290 A JP31325290 A JP 31325290A JP 2740764 B2 JP2740764 B2 JP 2740764B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- molded article
- polymer
- irradiated
- electroless plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高分子成形品、例えばフィルム、シート、
繊維、繊維強化樹脂、樹脂成形品などの加工方法に係わ
り、特に、紫外レーザー光を照射し、残渣等の不純物を
高分子表面に残すことなく、表面の構造特性や機能性を
向上させたのち、レーザー照射表面に選択的に無電解め
っきを行う新規な加工方法である。紫外レーザーを用い
た高分子表面の加工法は、レーザーがエネルギー及び位
置制御性に優れているために、極めて効果的に精密で均
一なめっき膜をレーザー照射部分だけに作製することが
できる。
繊維、繊維強化樹脂、樹脂成形品などの加工方法に係わ
り、特に、紫外レーザー光を照射し、残渣等の不純物を
高分子表面に残すことなく、表面の構造特性や機能性を
向上させたのち、レーザー照射表面に選択的に無電解め
っきを行う新規な加工方法である。紫外レーザーを用い
た高分子表面の加工法は、レーザーがエネルギー及び位
置制御性に優れているために、極めて効果的に精密で均
一なめっき膜をレーザー照射部分だけに作製することが
できる。
従来の技術 S.ラザレらは（S.Lazare,R.Srinivasan.,J.Phys.Che
m.,vol.90,p.2124（1986））、高分子フィルムの表面
を、エキシマレーザーなどの高強度紫外レーザーで特定
部位を照射すると、照射直後に容易に照射表面が改質さ
れ、現像工程等の後処理を行うことなく、直接に形態学
的な凹凸が形成されることを報告している。このよう
に、紫外レーザーを用いた高分子表面の加工は、精度よ
く高速で処理することができ、さらに、照射条件を制御
することで照射樹脂表面の構造特性や機能性を向上させ
ることができるため、多彩な表面反応を制御よく行うこ
とが可能である。しかしながら、彼らはそのエッチング
の工業的な有用性、活用策については何らの提案も行っ
ていない。
m.,vol.90,p.2124（1986））、高分子フィルムの表面
を、エキシマレーザーなどの高強度紫外レーザーで特定
部位を照射すると、照射直後に容易に照射表面が改質さ
れ、現像工程等の後処理を行うことなく、直接に形態学
的な凹凸が形成されることを報告している。このよう
に、紫外レーザーを用いた高分子表面の加工は、精度よ
く高速で処理することができ、さらに、照射条件を制御
することで照射樹脂表面の構造特性や機能性を向上させ
ることができるため、多彩な表面反応を制御よく行うこ
とが可能である。しかしながら、彼らはそのエッチング
の工業的な有用性、活用策については何らの提案も行っ
ていない。
また、レーザーを用いためっき加工については、既に
前田らの報告があるが、（前田重義、化学と工業、vol.
42,436（1989））、照射レーザーは近赤外光レーザーで
あるNd+:YAGレーザーや可視光レーザーであるアルゴン
イオンレーザーに限定されており、基板も金属材料だけ
である。さらに、レーザー照射による反応加速の原理
も、レーザー照射に伴う金属基板表面の局所加熱による
熱的な反応促進であり、金属材料に比べ耐熱性に劣る高
分子材料への応用の可能性については何も述べられてい
ない。
前田らの報告があるが、（前田重義、化学と工業、vol.
42,436（1989））、照射レーザーは近赤外光レーザーで
あるNd+:YAGレーザーや可視光レーザーであるアルゴン
イオンレーザーに限定されており、基板も金属材料だけ
である。さらに、レーザー照射による反応加速の原理
も、レーザー照射に伴う金属基板表面の局所加熱による
熱的な反応促進であり、金属材料に比べ耐熱性に劣る高
分子材料への応用の可能性については何も述べられてい
ない。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような事情の下、高分子成形品をレー
ザーを用いてめっき加工する方法を提供することを目的
としてなされたものである。
ザーを用いてめっき加工する方法を提供することを目的
としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明は、高分子成形品の光加工法に関して、紫外レ
ーザーを照射することで、光加工法の優れた特性を低下
させることなく、光照射部分に選択的に堅固な無電解め
っき膜を作製するものである。これにより、合成樹脂成
形品の光めっき加工をより効率的に行うことができる。
ーザーを照射することで、光加工法の優れた特性を低下
させることなく、光照射部分に選択的に堅固な無電解め
っき膜を作製するものである。これにより、合成樹脂成
形品の光めっき加工をより効率的に行うことができる。
S.ラザレらは、上記の報文において、この紫外レーザ
ーによる高分子表面のエッチングは、その表面状態を観
察するのに迅速で簡便な方法であるとしている。しか
し、本法の工業的な有用性、活用策には何らの提案も行
っていない。
ーによる高分子表面のエッチングは、その表面状態を観
察するのに迅速で簡便な方法であるとしている。しか
し、本法の工業的な有用性、活用策には何らの提案も行
っていない。
本発明者らは、この紫外レーザー高分子エッチング法
について鋭意研究を重ねた結果、紫外レーザー照射によ
って高分子表面の表面電位が変化していること、及び、
電位変化に対応して適切な金属触媒付与を行うことで照
射表面への選択的な触媒吸着が可能であることを見出
し、この知見に基づいて本発明をなるに至った。
について鋭意研究を重ねた結果、紫外レーザー照射によ
って高分子表面の表面電位が変化していること、及び、
電位変化に対応して適切な金属触媒付与を行うことで照
射表面への選択的な触媒吸着が可能であることを見出
し、この知見に基づいて本発明をなるに至った。
すなわち、本発明は、高分子成形品の表面の一部に波
長400nm以下の紫外レーザー光を照射して該成形品表面
のレーザー照射部分の表面電位を測定し、次いでその反
対の電位を有するパラジウムコロイドを含む水溶液を調
製し、この中に該成形品を浸せきして、照射表面部分の
みを選択的に活性化したのち、無電解めっきを行うこと
を特徴とする高分子成形品表面の選択的無電解めっき方
法を提供するものである。
長400nm以下の紫外レーザー光を照射して該成形品表面
のレーザー照射部分の表面電位を測定し、次いでその反
対の電位を有するパラジウムコロイドを含む水溶液を調
製し、この中に該成形品を浸せきして、照射表面部分の
みを選択的に活性化したのち、無電解めっきを行うこと
を特徴とする高分子成形品表面の選択的無電解めっき方
法を提供するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
紫外レーザー照射によって高分子表面の表面電位は、
正または負に大きく変化する。この変化に対応して、照
射表面が負に変化した場合には正の電荷を有するパラジ
ウムコロイドを含む水溶液を用いることで選択的に照射
表面だけの活性化を行うことができる。また、正に変化
した場合には負の電荷を有するパラジウムコロイドを含
む水溶液を用いればよい。また、表面電位の変化につい
ては市販の表面電位測定装置によって容易に測定するこ
とができる。これら表面活性化を行った高分子成形品に
対して通常の銅やニッケルの無電解めっきを行うことで
希望する部分だけに金属膜を無電解めっきすることが可
能になる。さらに、ポリマーの種類によってはレーザー
を照射した表面部分にミクロンオーダーの安定な微細構
造が形成される場合があり、これら微細構造の形成によ
ってめっき膜の高分子表面へのアンカー効果（くさび効
果）が起こり、さらに密着性のよいめっき膜を作製する
ことができる。
正または負に大きく変化する。この変化に対応して、照
射表面が負に変化した場合には正の電荷を有するパラジ
ウムコロイドを含む水溶液を用いることで選択的に照射
表面だけの活性化を行うことができる。また、正に変化
した場合には負の電荷を有するパラジウムコロイドを含
む水溶液を用いればよい。また、表面電位の変化につい
ては市販の表面電位測定装置によって容易に測定するこ
とができる。これら表面活性化を行った高分子成形品に
対して通常の銅やニッケルの無電解めっきを行うことで
希望する部分だけに金属膜を無電解めっきすることが可
能になる。さらに、ポリマーの種類によってはレーザー
を照射した表面部分にミクロンオーダーの安定な微細構
造が形成される場合があり、これら微細構造の形成によ
ってめっき膜の高分子表面へのアンカー効果（くさび効
果）が起こり、さらに密着性のよいめっき膜を作製する
ことができる。
また、本発明は、高分子フィルムの改質したい部分に
相当するマスク（金属板製パターンなど）を通過させた
紫外レーザービームを照射することで、希望する照射部
分のみに、精度よくめっき加工を行うことができる。中
でも、エキシマレーザーのビームは、ヘリウム−ネオン
レーザー、アルゴン及びクリプトンイオンレーザーやNd
+:YAGレーザー等の他のレーザーのビームと比較して、
ビーム形状は大きく、ビームを走査させ、任意の形状を
改質しようとする部分を照射することで、大面積化にも
容易に対応できる利点がある。本発明では、紫外レーザ
ーによる非熱的な光化学反応により、高分子化合物が反
応するので、照射部分の周辺には何らの熱的損傷を伴わ
ず、かつレーザーにより切削された断片は、周辺には付
着していないため、極めて効果的に無電解めっき処理を
行うことができる。
相当するマスク（金属板製パターンなど）を通過させた
紫外レーザービームを照射することで、希望する照射部
分のみに、精度よくめっき加工を行うことができる。中
でも、エキシマレーザーのビームは、ヘリウム−ネオン
レーザー、アルゴン及びクリプトンイオンレーザーやNd
+:YAGレーザー等の他のレーザーのビームと比較して、
ビーム形状は大きく、ビームを走査させ、任意の形状を
改質しようとする部分を照射することで、大面積化にも
容易に対応できる利点がある。本発明では、紫外レーザ
ーによる非熱的な光化学反応により、高分子化合物が反
応するので、照射部分の周辺には何らの熱的損傷を伴わ
ず、かつレーザーにより切削された断片は、周辺には付
着していないため、極めて効果的に無電解めっき処理を
行うことができる。
本発明において用いられる紫外レーザーとして、好適
にはエキシマレーザー、例えばXeF（351nm）、XeCl（30
8nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）あるいはF2（157n
m）エキシマレーザーなどが挙げられる。また、Nd+:YAG
レーザー、色素レーザー、Krイオンレーザー、Arイオン
レーザーあるいは銅蒸気レーザーの基本発振波長光を非
線形光学素子などにより、紫外線領域のレーザーに変換
したものも有効である。レーザーのフルエンスとして、
素材により異なるが、約0.1mJ/cm2/パルス以上の高輝度
レーザーが望ましい。
にはエキシマレーザー、例えばXeF（351nm）、XeCl（30
8nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）あるいはF2（157n
m）エキシマレーザーなどが挙げられる。また、Nd+:YAG
レーザー、色素レーザー、Krイオンレーザー、Arイオン
レーザーあるいは銅蒸気レーザーの基本発振波長光を非
線形光学素子などにより、紫外線領域のレーザーに変換
したものも有効である。レーザーのフルエンスとして、
素材により異なるが、約0.1mJ/cm2/パルス以上の高輝度
レーザーが望ましい。
なお、本発明において、対象となる合成樹脂は、非晶
性、結晶性、芳香族系、非芳香族系のいずれにあっても
よく、例えばポリフェニレンスルフィド、ポリエーテル
ケトン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリエー
テルスルホン、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ四フッ
素化エチレン、ポリフッ素化ビニリデン、ポリ三フッ素
化塩化エチレン及びエポキシ樹脂のいずれか、これらの
共縮重合物、又はこれらの混合物からなる合成樹脂であ
る。
性、結晶性、芳香族系、非芳香族系のいずれにあっても
よく、例えばポリフェニレンスルフィド、ポリエーテル
ケトン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリエー
テルスルホン、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ四フッ
素化エチレン、ポリフッ素化ビニリデン、ポリ三フッ素
化塩化エチレン及びエポキシ樹脂のいずれか、これらの
共縮重合物、又はこれらの混合物からなる合成樹脂であ
る。
発明の効果 本発明方法によれば、紫外レーザー照射部分に選択的
な、かつ密着性の高い良好な無電解めっき膜を得ること
ができるという顕著な効果を奏する。
な、かつ密着性の高い良好な無電解めっき膜を得ること
ができるという顕著な効果を奏する。
実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１ ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面の一部
に、ArFエキシマレーザーを１パルス、５パルス、10パ
ルス、20パルス、50パルス及び100パルスそれぞれ照射
して表面の電位を正に変化させた試料を６個作成した。
次に、塩化スズ（II）を含む塩化水素水溶液及び塩化パ
ラジウム水溶液から負に帯電させたパラジウムコロイド
を形成させた中へ、上記の試料を浸積し、レーザー照射
面を活性化させたのち、常法に従って銅の無電解めっき
を行った。
に、ArFエキシマレーザーを１パルス、５パルス、10パ
ルス、20パルス、50パルス及び100パルスそれぞれ照射
して表面の電位を正に変化させた試料を６個作成した。
次に、塩化スズ（II）を含む塩化水素水溶液及び塩化パ
ラジウム水溶液から負に帯電させたパラジウムコロイド
を形成させた中へ、上記の試料を浸積し、レーザー照射
面を活性化させたのち、常法に従って銅の無電解めっき
を行った。
この結果、いずれも、レーザー照射部分に密着性の高
いめっき膜が形成された。なお、レーザー照射回数が多
くなるに従ってち密性の高いめっき膜が得られた。
いめっき膜が形成された。なお、レーザー照射回数が多
くなるに従ってち密性の高いめっき膜が得られた。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF、XeCl又は
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
実施例２ ポリエチレンナフタレート繊維の表面の一部に、ArF
エキシマレーザーを10パルス照射して表面の電位を正に
変化させた試料を作成し、次いでこの試料を負に帯電さ
せたパラジウムコロイド水溶液に浸積し、レーザー照射
面を活性化させたのち、常法に従ってニッケルの無電解
めっきを行ったところ、レーザー照射部分に密着性の高
いめっき膜が形成された。
エキシマレーザーを10パルス照射して表面の電位を正に
変化させた試料を作成し、次いでこの試料を負に帯電さ
せたパラジウムコロイド水溶液に浸積し、レーザー照射
面を活性化させたのち、常法に従ってニッケルの無電解
めっきを行ったところ、レーザー照射部分に密着性の高
いめっき膜が形成された。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF、XeCl又は
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
実施例３ ポリエチレンナフタレート繊維に代えてポリイミドフ
ィルムを用い、めっきを銅めっきとした以外は実施例２
と同様にしてレーザー照射部分に密着性の高いめっき膜
を形成させた。
ィルムを用い、めっきを銅めっきとした以外は実施例２
と同様にしてレーザー照射部分に密着性の高いめっき膜
を形成させた。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF、XeCl又は
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
実施例４ ポリエチレンテレフタレートフィルムに代えてポリ四
フッ素化エチレンフィルムを用い、ArFエキシマレーザ
ーを10パルス照射した以外は実施例１と同様にしてレー
ザー照射部分に密着性の高いめっき膜を形成させた。
フッ素化エチレンフィルムを用い、ArFエキシマレーザ
ーを10パルス照射した以外は実施例１と同様にしてレー
ザー照射部分に密着性の高いめっき膜を形成させた。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF、XeCl又は
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
実施例５ ポリフェニレンスルフィドフィルムの表面の一部に、
ArFエキシマレーザーを10パルス照射して表面の電位を
負に変化させた試料を作成し、次いでこの試料を正に帯
電させたパラジウムコロイド水溶液に浸積し、レーザー
照射面を活性化させたのち、常法に従って銅の無電解め
っきを行ったところ、レーザー照射部分に密着性の高い
めっき膜が形成された。
ArFエキシマレーザーを10パルス照射して表面の電位を
負に変化させた試料を作成し、次いでこの試料を正に帯
電させたパラジウムコロイド水溶液に浸積し、レーザー
照射面を活性化させたのち、常法に従って銅の無電解め
っきを行ったところ、レーザー照射部分に密着性の高い
めっき膜が形成された。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF又はXeClエ
キシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じように
良好な結果が得られた。
キシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じように
良好な結果が得られた。
さらに、ポリフェニレンスルフィドに代えてポリスル
ホン又はポリエーテルスルホンを用いた場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
ホン又はポリエーテルスルホンを用いた場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
実施例６ ポリ四フッ素化エチレンフィルムに代えてポリエチレ
ンフィルムを用いた以外は実施例４と同様にしてレーザ
ー照射部分に密着性の高いめっき膜を形成させた。
ンフィルムを用いた以外は実施例４と同様にしてレーザ
ー照射部分に密着性の高いめっき膜を形成させた。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF又はXeClエ
キシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じように
良好な結果が得られた。
キシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じように
良好な結果が得られた。
さらに、ポリエチレンフィルムに代えてポリメチルメ
タクリレート又はポリ塩化ビニルを用いた場合も全く同
じように良好な結果が得られた。
タクリレート又はポリ塩化ビニルを用いた場合も全く同
じように良好な結果が得られた。
実施例７ ポリイミドフィルムに代えてポリエーテルケトンを用
いた以外は実施例３と同様にしてレーザー照射部分に密
着性の高いめっき膜を形成させた。
いた以外は実施例３と同様にしてレーザー照射部分に密
着性の高いめっき膜を形成させた。
また、ArFエキシマレーザーの代りに、KrF、XeCl又は
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
XeFエキシマレーザーを用いて照射した場合も全く同じ
ように良好な結果が得られた。
さらに、ポリエーテルケトンに代えてポリエーテルイ
ミドフィルムを用いた場合も全く同じように良好な結果
が得られた。
ミドフィルムを用いた場合も全く同じように良好な結果
が得られた。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−297472（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−124278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−245644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−105973（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−196834（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100279（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】高分子成形品の表面の一部に波長400nm以
下の紫外レーザー光を照射して該成形品表面のレーザー
照射部分の表面電位を測定し、次いでその反対の電位を
有するパラジウムコロイドを含む水溶液を調製し、この
中に該成形品を浸せきして、照射表面部分のみを選択的
に活性化したのち、無電解めっきを行うことを特徴とす
る高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法。 - 【請求項２】無電解めっきが銅又はニッケルめっきであ
る請求項１記載の方法。 - 【請求項３】高分子成形品が、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエス
テル、ポリオレフィン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ四フッ素化エチレン、ポリフッ素化ビニリデ
ン、ポリ三フッ素化塩化エチレン及びエポキシ樹脂の中
から選ばれた高分子化合物の成形品である請求項１又は
２記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313252A JP2740764B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313252A JP2740764B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04183873A JPH04183873A (ja) | 1992-06-30 |
| JP2740764B2 true JP2740764B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=18038964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313252A Expired - Lifetime JP2740764B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2740764B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212757A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | パラジウム触媒付着方法 |
| JP2000212756A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 無電解めっきの前処理方法 |
| KR101258145B1 (ko) | 2013-01-23 | 2013-04-26 | 이도연 | 합성수지의 도금방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465054B2 (en) * | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Roche Diagnostics Gmbh | Process for coating surfaces |
| JP3125047B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2001-01-15 | 工業技術院長 | 表面改質された高分子成形品の製造方法 |
| WO2002004705A1 (fr) * | 1999-01-20 | 2002-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Procede de traitement preliminaire d'un materiau devant etre soumis a un depot autocatalytique |
| JP3541931B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2004-07-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 電着膜形成方法、電極形成方法および電着膜形成装置 |
| JP3399434B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2003-04-21 | オムロン株式会社 | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
| JP4940512B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2012-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | 樹脂の無電解メッキ被膜形成方法 |
| JP4367623B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2009-11-18 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンシート製または多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンフィルム製の電気回路部品の製造方法、及び電気回路部品 |
| JP4503309B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-07-14 | リコーマイクロエレクトロニクス株式会社 | 中継基板を用いた電子部品固定方法、中継基板の製造方法および中継基板を備えた部品実装基板 |
| JP5388438B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2014-01-15 | 富士フイルム株式会社 | 無電解めっき方法、無電解めっき装置及び電磁波シールド材料 |
| JP5654154B1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-01-14 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | 樹脂製品及び金属皮膜付樹脂製品を製造する方法、金属皮膜付樹脂製品、並びに配線板 |
| LT6518B (lt) * | 2016-09-13 | 2018-04-25 | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Būdas, skirtas elektrai laidžioms sritims ant polimerinio gaminio paviršiaus formuoti |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245644A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩化ビニル系樹脂成形品 |
| JPS62124278A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 繊維強化プラスチツクのメツキ法 |
| JPS62297472A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-24 | Nec Corp | 絶縁材表面を無電解めつきするための増感方法 |
| EP0260514B1 (en) * | 1986-09-15 | 1991-06-19 | General Electric Company | Photoselective metal deposition process |
| DE3826046A1 (de) * | 1987-08-17 | 1989-03-02 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung von metallischen schichten |
| JPH02196834A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Rikagaku Kenkyusho | レーザーによるフッ素樹脂の表面改質方法 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313252A patent/JP2740764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212757A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | パラジウム触媒付着方法 |
| JP2000212756A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 無電解めっきの前処理方法 |
| KR101258145B1 (ko) | 2013-01-23 | 2013-04-26 | 이도연 | 합성수지의 도금방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04183873A (ja) | 1992-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2740764B2 (ja) | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 | |
| JP6898998B2 (ja) | 電磁放射及び続くエッチングプロセスにより材料内に少なくとも１つの空隙を施すための方法 | |
| JPH06192452A (ja) | 紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成形品の表面改質方法 | |
| JPS5970755A (ja) | エネルギ・ビームを用いた電気化学的処理方法 | |
| DE60032862T2 (de) | Laserätzverfahren | |
| JPS6189636A (ja) | 光加工方法 | |
| Ehrlich et al. | Laser direct writing for VLSI | |
| JP3125047B2 (ja) | 表面改質された高分子成形品の製造方法 | |
| JPH0811772B2 (ja) | レーザーを用いた高分子成形物の表面加工方法 | |
| JPH06256548A (ja) | フッ素系高分子成形品の化学めっき方法 | |
| JPH02305969A (ja) | 無電解めつきの前処理方法 | |
| Niino et al. | Excimer laser ablation of polymers and carbon fiber composites | |
| JPH0655846B2 (ja) | 高分子成形品のエッチング加工方法 | |
| JP3864211B2 (ja) | 真空紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成型品の表面改質方法 | |
| JP3194010B2 (ja) | 高反応性活性種が表面に固定されている改質された固体表面 | |
| CN111112643A (zh) | 一种纳秒激光辅助硝酸银热分解的纳米银线制备方法、纳米银线和应用 | |
| JPH06179764A (ja) | 紫外レーザーを用いた高分子成形品表面および固体基板表面への有機化合物の固定化方法 | |
| JP2860400B2 (ja) | 高反応性活性種の放出方法と固体表面の改質方法 | |
| Rytlewski | Fundamentals of laser-polymer interactions and their relevance to polymer metallization | |
| JP2706705B2 (ja) | 紫外レーザーによる有機薄膜の製造方法 | |
| CN111530297A (zh) | 具有图案的核孔膜的制造方法 | |
| JPH075775B2 (ja) | 紫外レーザーを用いた高分子成形品表面および固体基板表面への有機化合物の固定化方法 | |
| JPH07118421A (ja) | 親水性フッ素系樹脂成型品 | |
| Tan et al. | Laser treatment of polymers for selective plating | |
| JP2713638B2 (ja) | 複合レーザーめっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |