JP2000212757A - パラジウム触媒付着方法 - Google Patents
パラジウム触媒付着方法Info
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Abstract
上させる。 【解決手段】 高分子材料の成形品の所定領域に、レー
ザを照射して正に帯電させた後、パラジウム触媒である
PdCl4 2-を付着する。
Description
る成形品のレーザ照射面にパラジウム触媒を付着させる
方法に関するものである。
電解めっき処理を行う場合、前処理として、表面を化学
薬品によって粗面化し、パラジウムを吸着させるように
している。但し、前記パラジウムのみの吸着は困難であ
るので、錫パラジウム化合物を吸着させた後、還元する
必要がある。
的に行うことができないため、特定箇所のみをめっきす
る場合には、一旦、全面をめっきした後、フォトレジス
トによる露光・現像処理を行う必要があった。このた
め、簡単に高分子成形品の特定箇所の表面にめっきする
ことのできる方法が望まれていた。
示すように、高分子材料からなる成形品に紫外線レーザ
照射することにより、特定箇所へのめっきを可能とする
方法が提案された。
し、パラジウムコロイド水溶液に浸漬した後、無電解め
っきを行うだけで、特定箇所のみをめっきすることが可
能である。すなわち、紫外線レーザの照射により、照射
領域のみが正に帯電するので、陰イオン性のパラジウム
コロイド水溶液に浸漬すると、簡単に照射領域のみにパ
ラジウムコロイドを付着させることができる。そして、
前記水溶液中に還元剤を含有させておくことにより、パ
ラジウムコロイド中のパラジウムを還元し、無電解めっ
きの触媒として用いることが可能である。
ーザ照射による方法では、パラジウムコロイド水溶液と
して、例えば、イオン交換水に、PdCl2粉末、Na
Cl粉末を溶解し、界面活性剤としてポリエチレングリ
コールモノ─P─ノニルフェニルエーテルを加え、コロ
イド中のパラジウムの還元剤として水酸化ホウ素ナトリ
ウムを加えたものが使用されており、含有する化学物質
が多く、コストアップを招来すると共に、環境上も好ま
しくない。
め、その量が多いと、このパラジウムを含有しない界面
活性剤が成形品の帯電部分(レーザの照射により発生す
る除去飛散物(以下、デブリーと記載する。)が主要因
で帯電すると考えられる。)に付着し、無電解めっきの
形成が不安定になる。このため、パラジウムコロイド水
溶液の調合比を厳密に管理する必要が生じ、水溶液の作
成が困難となる。特に、デブリーは、レーザ照射領域の
みならず、その周辺部にも付着する。レーザ照射領域と
その周辺部は帯電すると共に、レーザ照射領域は親水性
を、その周辺部は疎水性を有する。しかしながら、パラ
ジウムコロイド水溶液は界面活性剤を有するため、周辺
部の濡れ性が高められ、レーザ照射領域のみならず、周
辺部にもパラジウムコロイドが付着し、無電解めっきの
ためのパターン分解能が得られない。
いパラジウム触媒水溶液を使用することにより、レーザ
照射による無電解めっきの実用性を向上させることので
きるパラジウム触媒付着方法を提供することを課題とす
る。
決するための手段として、高分子材料の成形品の所定領
域に、レーザを照射して正に帯電させた後、パラジウム
触媒であるPdCl4 2 -を付着するものである。
媒付着方法の実施形態を説明する。
高分子材料の成形品の所定領域に、レーザを照射して正
に帯電させる。この場合、照射するレーザの波長は、6
00nm以下とすればよい。
ム触媒であるPdCl4 2-を付着する。
dCl2粉末をイオン交換水に溶解してなるパラジウム
水溶液に浸漬することにより行う。この場合、水溶液中
には、PdCl4 2-のほか、PdCl2、Pd2+、Cl-
等が存在するだけである。つまり、使用する化学物質が
PdCl2の1種類だけとなり、安価に製作できると共
に、従来のように混合比率を管理する必要もない。
しないため、PdCl4 2-を含む水溶液は、疎水部には
付着せず、成形品を浸漬すると、レーザ照射領域のみに
PdCl4 2-が付着し、無電解めっき膜をこの領域のみ
に形成してパターン分解能を向上させることが可能とな
る。
液に還元剤を添加すると、パラジウムが還元され、パラ
ジウムの凝集が起こり、長期の使用には耐えられない
が、前記水溶液中には還元剤も存在しないため、パラジ
ウム(Pd)が凝集することがなく、3ヶ月以上の長期
に亘る使用(保存)にも十分に耐え得る。但し、還元さ
れたパラジウムでなければ、無電解めっきの析出状態が
不安定となるが、これは無電解めっき液中の還元剤を濃
度管理することにより安定させることが可能であるた
め、問題はない。このように、前記パラジウム水溶液は
実用性の高いものである。
液として、PdCl2粉末をイオン交換水に溶解したも
のを使用したが、Na2PdCl4粉末をイオン交換水に
溶解したり、PdCl2粉末をイオン交換水に溶解した
ものに、NaCl粉末を溶解したものを使用してもよ
い。後者の場合、PdCl2とNaClの混合比率が、
PdCl21に対してNaClが10以下となるように
設定すればよく、混合比率の管理は容易である。また、
NaClによりパラジウムの利用効率を向上させること
が可能となる。これは、PdCl2粉末をイオン交換水
に溶解したときにPd2+,PdCl2として存在するも
のが、NaClから供給されるCl-により、PdCl4
2-として存在するためである。
により、さらに詳細に説明する。
施例1〜6の各条件を示し、表2は、各パラジウム水溶
液の組成を示す。
F:Glass Filer)を添加した液晶ポリマ(LCP:Liq
uid Crystal Polymer)に、KrFエキシマレーザ(波
長λ=248nm)を、フルーエンス(単位パルスの単
位面積当たりのエネルギー:J/cm2/1パルス)
0.2J/cm2、照射回数200、発振周波数10H
zにより、大気中で照射した。そして、表3(a)に示
す組成の界面活性剤が過剰なパラジウムコロイド水溶液
に15分間浸漬した後、軽く純水洗浄し、ニッケル無電
解めっき液に15分間浸漬した。この場合、無電解めっ
き膜は得られなかった。
様に、GFを添加したLCPに、KrFエキシマレーザ
を同条件で照射した。そして、表3(b)に示す組成の
界面活性剤を含むパラジウムコロイド水溶液に15分間
浸漬した後、軽く純水洗浄し、ニッケル無電解めっき液
に15分間浸漬した。この場合、レーザ照射領域のみな
らず、めっきの不要な周辺部にもめっきが形成された。
全て表3(c)に示す組成である。
に、GFを添加したLCPに、KrFエキシマレーザを
同条件で照射した。そして、表3(c)に示す組成のパ
ラジウム水溶液に、15分間浸漬した。その後、軽く純
水洗浄し、ニッケル無電解めっき液に15分間浸漬し
た。これにより、選択性良くレーザ照射領域のみにニッ
ケル無電解めっき膜を形成することができた。
rFエキシマレーザを、フルーエンス0.04J/cm
2、照射回数1000、発振周波数1Hzにより、大気
中で照射した。そして、前記実施例1と同じ組成のパラ
ジウム水溶液に60分間浸漬した。続いて、軽く純水洗
浄し、60分間大気中で自然乾燥した後、ニッケル無電
解めっき液に30分間浸漬した。これにより、レーザ照
射領域のみにニッケル無電解めっき膜を形成することが
できた。
ルスルホン(PES:Poly Ether Sulphone)に、Kr
Fエキシマレーザを前記比較実施例1と同条件で照射し
た。そして、前記実施例1と同様に、パラジウム水溶液
に浸漬した後、軽く洗浄し、ニッケル無電解めっき液に
浸漬した。これにより、レーザ照射領域のみにニッケル
無電解めっき膜を形成することができた。
rFエキシマレーザを、フルーエンス0.05J/cm
2、照射回数800、発振周波数1Hzにより、大気中
で照射した。そして、前記実施例2と同様に、パラジウ
ム水溶液に浸漬し、軽く洗浄し、自然乾燥した後、ニッ
ケル無電解めっき液に浸漬した。これにより、レーザ照
射領域のみにニッケル無電解めっき膜を形成することが
できた。
YAG第3高調波(波長λ=355nm)を、フルーエ
ンス0.2J/cm2、照射回数200、発振周波数1
0Hzにより、大気中で照射した。そして、前記実施例
1と同じ組成のパラジウム水溶液に15分間浸漬した
後、軽く純水洗浄し、ニッケル無電解めっき液に15分
間浸漬した。これにより、レーザ照射領域のみにニッケ
ル無電解めっき膜を形成することができた。
YAG第2高調波(波長λ=532nm)を、フルーエ
ンス0.4J/cm2、照射回数200、発振周波数1
0Hzにより、大気中で照射した。そして、前記実施例
1と同じ組成のパラジウム水溶液に15分間浸漬した
後、軽く純水洗浄し、ニッケル無電解めっき液に15分
間浸漬した。これにより、レーザ照射領域のみにニッケ
ル無電解めっき膜を形成することができた。
に係るパラジウム触媒付着方法によれば、レーザ照射領
域にPdCl4 2-を付着するようにしたので、パラジウ
ムを付着させるために余分な化学物質が不要となり、コ
ストを低減できる。
ザ照射領域へのめっきを確実に行わせることが可能とな
り、品質を安定化させることができる。
ムが凝縮せず、長期に亘って安定した状態を維持する。
Claims (5)
- 【請求項1】 高分子材料の成形品の所定領域に、レー
ザを照射して正に帯電させた後、パラジウム触媒である
PdCl4 2-を付着することを特徴とするパラジウム触
媒付着方法。 - 【請求項2】 前記パラジウム触媒は、Na2PdCl4
粉末をイオン交換水に溶解することにより得ることを特
徴とする請求項1に記載のパラジウム触媒付着方法。 - 【請求項3】 前記パラジウム触媒は、PdCl2粉末
をイオン交換水に溶解することにより得ることを特徴と
する請求項1に記載のパラジウム触媒付着方法。 - 【請求項4】 前記パラジウム触媒は、PdCl2粉末
をイオン交換水に溶解したものに、NaCl粉末を加え
ることにより得ることを特徴とする請求項1に記載のパ
ラジウム触媒付着方法。 - 【請求項5】 前記レーザの波長は、600nm以下で
あることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項
に記載のパラジウム触媒付着方法。
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JP1171499A JP3598317B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 無電解めっきの前処理方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000328289A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電着膜形成方法、電極形成方法および電着膜形成装置 |
JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
JP2009530502A (ja) * | 2006-03-22 | 2009-08-27 | マクダーミッド インコーポレーテッド | ポリイミド基板及びそれを使用するプリント基板の製造方法 |
WO2012060115A1 (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | 三共化成株式会社 | 成形回路部品の製造方法 |
JP2012136769A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-07-19 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60181276A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-09-14 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 基質表面の活性化方法 |
JPS63105973A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-05-11 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光選択的金属付着法 |
JPS63270474A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-11-08 | Minoru Tsuda | 触媒性インク |
JPH01180984A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Kiyoshi Okabayashi | 化学メッキ用増感活性剤 |
JPH02104671A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-17 | C Uyemura & Co Ltd | パラジウム活性化剤及びセラミック基板の無電解めっき方法 |
JPH02205686A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属材料パターンの形成方法 |
JPH04183873A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外レーザーを用いた高分子成形品への無電解めっき方法 |
JPH05202483A (ja) * | 1991-04-25 | 1993-08-10 | Shipley Co Inc | 無電解金属化方法と組成物 |
JPH06256548A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Agency Of Ind Science & Technol | フッ素系高分子成形品の化学めっき方法 |
JPH07106736A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Okuno Chem Ind Co Ltd | セラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法 |
JPH07166372A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-06-27 | Gary S Calabrese | 選択的金属化法 |
JPH08253869A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-10-01 | Sharp Corp | 樹脂の無電解メッキ方法 |
WO1998045505A1 (fr) * | 1997-04-07 | 1998-10-15 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Procede d'electrodeposition de produit moule en plastique, non conducteur |
JP3398713B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2003-04-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 無電解めっきの前処理方法 |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP1171499A patent/JP3598317B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60181276A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-09-14 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 基質表面の活性化方法 |
JPS63105973A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-05-11 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光選択的金属付着法 |
JPS63270474A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-11-08 | Minoru Tsuda | 触媒性インク |
JPH01180984A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Kiyoshi Okabayashi | 化学メッキ用増感活性剤 |
JPH02104671A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-17 | C Uyemura & Co Ltd | パラジウム活性化剤及びセラミック基板の無電解めっき方法 |
JPH02205686A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属材料パターンの形成方法 |
JPH04183873A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外レーザーを用いた高分子成形品への無電解めっき方法 |
JP2740764B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1998-04-15 | 工業技術院長 | 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法 |
JPH05202483A (ja) * | 1991-04-25 | 1993-08-10 | Shipley Co Inc | 無電解金属化方法と組成物 |
JPH06256548A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Agency Of Ind Science & Technol | フッ素系高分子成形品の化学めっき方法 |
JPH07166372A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-06-27 | Gary S Calabrese | 選択的金属化法 |
JPH07106736A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Okuno Chem Ind Co Ltd | セラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法 |
JPH08253869A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-10-01 | Sharp Corp | 樹脂の無電解メッキ方法 |
WO1998045505A1 (fr) * | 1997-04-07 | 1998-10-15 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Procede d'electrodeposition de produit moule en plastique, non conducteur |
JP3398713B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2003-04-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 無電解めっきの前処理方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000328289A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電着膜形成方法、電極形成方法および電着膜形成装置 |
JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
JP2009530502A (ja) * | 2006-03-22 | 2009-08-27 | マクダーミッド インコーポレーテッド | ポリイミド基板及びそれを使用するプリント基板の製造方法 |
WO2012060115A1 (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | 三共化成株式会社 | 成形回路部品の製造方法 |
JP2012136769A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-07-19 | Sankyo Kasei Co Ltd | 成形回路部品の製造方法 |
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