WO2002070780A1 - Procede servant a plaquer un materiau de moulage polymere, element constituant un circuit et procede servant a fabriquer cet element - Google Patents

Procede servant a plaquer un materiau de moulage polymere, element constituant un circuit et procede servant a fabriquer cet element Download PDF

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Hirokazu Tanaka
Satoshi Hirono
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Definitions

  • the present invention relates to a method for plating a polymer molding material, a circuit forming part, and a method for manufacturing the circuit forming part
  • the present invention relates to a method for forming a polymer molding material by forming an insulating layer on a polymer molding material, irradiating the insulating layer with a laser, and then performing electroless and electrolytic plating.
  • the present invention relates to a circuit forming component using a lug forming method and a method for manufacturing the same. Background art
  • a method of applying plating to a polymer material is to roughen the surface of a molded article made of the polymer material with a chemical agent, adsorb a tin-palladium compound, temporarily reduce palladium, and finally electroless plating. Is generally performed.
  • an exposure method using a photoresist is used to apply a partial feature such as a circuit pattern.
  • a multilayer substrate widely used in electronic equipment is also manufactured by repeating these two steps.
  • the insulating layer 61 is applied to the substrate 60, preliminarily dried, exposed (negative) treated 64, and developed. Completely dry.
  • the insulating layer 61 is etched (roughened), and then subjected to a catalyzing step and an accelerating step.
  • the patterning step as shown in (10) to (15) of FIG. 5, the pretreated insulating layer 61 is subjected to electroless plating or electroless plating after electroless plating, and the resist 62 is applied. After coating, exposure (positive) treatment 65, and development, Cu etching is performed to remove the resist 62, thereby obtaining a circuit pattern 63 composed of a plating layer.
  • a first object of the present invention is to dilute and coat a polymer material filled with an inorganic filler on a resin coating substrate with a solvent and dry the resin material.
  • a resin coating substrate By forming an insulating layer on the substrate, it is possible to form a circuit by laser surface treatment.
  • this structure By using this structure as a circuit, it is possible to easily and reliably construct a circuit-forming component (multilayer substrate).
  • a second object of the present invention is to form a circuit having an arbitrary circuit shape and a multilayer circuit having more than three layers, and having a small size, light weight, high density, and excellent EMC characteristics. To provide parts.
  • a third object of the present invention is to manufacture a circuit forming part having an arbitrary circuit shape and having a three-dimensional multilayer circuit having more than three layers at a low manufacturing cost and easily. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a circuit forming component that can be used. Disclosure of the invention
  • the method for forming a pattern of a polymer molded material according to the present invention comprises: coating a polymer material filled with an inorganic filler on a resin coating substrate with a solvent by diluting and drying; After forming an insulating layer, the surface of the insulating layer is irradiated with a laser to generate a positive potential at the laser-irradiated portion, and then a catalyst of electroless plating is precipitated at the laser-irradiated portion. Then, the base material for resin coating is immersed in an electroless plating solution to form an electroless plating layer on the laser-irradiated portion.
  • the method for forming a mold of a polymer molded material according to the present invention includes the steps of: The polymer material filled with the filler is diluted and coated with a solvent and dried to form an insulating layer. Then, the surface of the insulating layer is irradiated with a laser, and after the laser irradiated portion is made conductive, the electrolytic plating is performed. By doing so, an electrolytic plating layer is formed on the laser irradiation part.
  • the inorganic filler is 0.1 to 10 particulate glass or granular ceramic, the added amount of the polymer material is 10 to 50% by weight, and the laser has a wavelength of 6 to 50% by weight. It is preferable that the laser has a wavelength of 100 nm or less and the total input energy of the laser is 10 to 500 J / cm 2 . It is preferable to use polyimide or epoxy resin for the polymer material.
  • a polymer material filled with an inorganic filler is diluted with a solvent and dried on a resin coating substrate to form an insulating layer, so that electroless plating or electrolytic plating by laser surface treatment is possible.
  • electroless plating or electrolytic plating as a circuit pattern, a multilayer substrate or a circuit forming component can be easily and at low cost.
  • the circuit forming component according to the present invention is characterized in that a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and coated with a solvent on a resin coating substrate and dried. A circuit formed portion and a via hole formed by laser treatment on the insulating layer, and a circuit formed by plating the circuit formed portion and the via hole.
  • the polymer molded article has a concave portion, and a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and applied with a solvent on the surface of the concave portion and dried to form an insulating layer.
  • a circuit forming portion and a via hole are formed on the insulating layer by laser processing, a circuit is formed by applying a plating to the circuit forming portion and the via hole, and a multi-layer circuit is formed in the concave portion by repeating this procedure a plurality of times. It is formed.
  • the laser irradiates the insulating layer with a laser to generate a positive surface potential at the laser-irradiated portion, and then deposits an electroless plating catalyst at the laser-irradiated portion.
  • An electroless plating performed by immersing the insulating layer in a laser, irradiating the insulating layer with a laser, imparting conductivity to the laser-irradiated portion, and then immersing in an electrolytic plating solution. is there.
  • the inorganic filler is particulate glass or granular ceramic having a particle size of 0.1 to 10 ⁇ m.
  • the amount of the inorganic filler added to the polymer material is 10 to 50% by weight.
  • the laser has a wavelength of 600 nm or less, and the total input energy of the laser is 10 to 500 JZ cm 2 .
  • the material of the polymer molded article is a liquid crystal polymer, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyphenylene ether, polyphenylene oxide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polyamide, acrylonitrile. Linole-Putagene-styrene (ABS), polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyetheretherketone, polysulfone, polyimide, epoxy resin, or a composite resin of these.
  • ABS Linole-Putagene-styrene
  • a multilayer circuit having an arbitrary circuit shape and having more than three layers can be obtained, and a circuit-forming component having a small size, light weight, high density, and excellent EMC characteristics can be obtained.
  • the method for producing a circuit-forming component according to the present invention is characterized in that a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and coated with a solvent on a polymer molding material and dried.
  • the circuit forming component is a multilayer substrate.
  • a laser irradiates the insulating layer with a laser to generate a positive surface potential at the laser-irradiated portion, and then deposits an electroless plating catalyst at the laser-irradiated portion. Electroless plating is performed by immersion, and the plating is performed by irradiating the insulating layer with a laser and imparting conductivity to the laser-irradiated portion, and then immersing in an electrolytic plating solution. It is.
  • the inorganic filler is 0.1 to 10 ⁇ m of particulate glass or granular ceramics, and the amount added to the polymer material is 10 to 50% by weight.
  • the laser has a wavelength of 600 nm or less, and preferably has a total input energy of 10 to 500 JZcm 2 .
  • the material of the polymer molded article is a liquid crystal polymer, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyphenylene ether, polyphenylene oxide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polyamide, acrylonitrile.
  • Lil butadiene styrene (ABS) polyphenylene sulfide, polyether imide, polyether ether ketone, polysulfone, polyimide, epoxy resin, or a composite resin of these.
  • circuit forming component having an arbitrary circuit shape and having a three-dimensional multilayer circuit having more than three layers can be easily manufactured at low manufacturing cost.
  • FIGS. 1 (1) to (3) are process explanatory views of a method for forming a pattern of a polymer molded material according to the present invention, and (4) are steps using electrolytic plating in the method for forming a pattern of a polymer molded material according to the present invention.
  • FIG. 1 (1) to (3) are process explanatory views of a method for forming a pattern of a polymer molded material according to the present invention, and (4) are steps using electrolytic plating in the method for forming a pattern of a polymer molded material according to the present invention.
  • 2 (1) to 2 (4) are process explanatory diagrams of a method for manufacturing a circuit forming component (multilayer substrate) according to the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of a configuration of a circuit forming component according to the present invention.
  • FIG. 4 is a configuration explanatory view of another embodiment of the circuit forming component according to the present invention.
  • FIGS. 5 (1) to (15) are process explanatory views of a conventional method for manufacturing a multilayer substrate.
  • the resin forming substrate 20 was filled with 10 to 50% by weight of an inorganic filler as shown in FIG.
  • a high molecular material for example, polyimide
  • a solvent for example, xylene
  • the resin coating substrate 20 is washed with a noble metal aqueous solution (for example, an anionic Pd compound or P d aqueous solution containing colloid) to precipitate only the electroless plating catalyst (for example, Pd) in the laser irradiation section 22 and then immerse the resin coating substrate 20 in the electroless plating liquid.
  • a noble metal aqueous solution for example, an anionic Pd compound or P d aqueous solution containing colloid
  • the electroless plating catalyst for example, Pd
  • the method for forming a pattern on a polymer molding material according to the present invention is a method for preparing a resin-coated base material 20 by filling 10 to 50% by weight of an inorganic filler.
  • An insulating material 21 is formed by diluting a semiconductor material (for example, polyimide) with a solvent (for example, xylene) and drying, and then applying a laser R having a wavelength of 600 nm or less to the surface of the insulating layer 21. Irradiation is performed to make the laser irradiating section 22 conductive, and then electroplating is performed, thereby forming an electroplating plating layer 23 ′ on the laser irradiating section 22.
  • a semiconductor material for example, polyimide
  • a solvent for example, xylene
  • Examples of the inorganic filler include a glass filler and a ceramic particle.
  • the shape is ⁇ :! to 20 wm, a shape of a fiber having a length of 10 m or more, or a particle of ⁇ 0.5 to 20 to 20 m.
  • the addition amount to the polymer material is 10 to 50% by weight, it is possible to further suppress the scattering of debris.
  • the laser irradiation conditions are as follows: fluence (energy per unit area per unit pulse: J / cm 2 Zl pulse) and the number of times of irradiation, the charged state suitable for precipitating the noble metal. It is good to set so that. As a result, in the laser irradiation area, the debris generated by the abrasion has a good charge state, the noble metal can be appropriately deposited, and the electroless plating can be applied to the entire surface of the laser irradiation area.
  • the insulating layer 21 is immersed in an anionic noble metal aqueous solution.
  • PdClQ powder can be dissolved in ion-exchanged water, or Na. Or by dissolving the P d C l 4 powder in deionized water, P d and C 1 0 powder and N a C 1 powder Barajiumu aqueous solution obtained by dissolving in deionized water, Parajiumu chloride, sodium chloride, polyethylene Da recall ' Mono-P-nonylphenol, palladium colloid aqueous solution mixed with sodium borofluoride, and the like.
  • a noble metal is deposited only on the laser irradiation region of the insulating layer 21 and then electroless plating is performed, so that the electroless plating layer 23 is formed only in this region.
  • a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and coated with a solvent on a resin coating substrate 20 and dried to form an insulating layer 21.
  • This enables electroless plating or electroplating by laser surface treatment, and a substrate can be formed by forming the electroless plating or electroplating into a circuit (conductive pattern).
  • the multilayer substrate is composed of an insulating layer 21 formed by diluting a polymer material filled with an inorganic filler with a solvent on a resin coating base material 20 and drying the resin material, and drying the insulating layer 21 with a laser.
  • a circuit forming portion (not shown) formed by the processing and a via hole 25; and a circuit 23-1 (23'-1) formed by plating the circuit forming portion and the via hole 25. It is a thing.
  • the plating is the electroless plating or the electrolytic plating described in the method for forming a plating of a polymer molded material according to the present invention.
  • the resin coating substrate 20 is filled with 10 to 50% by weight of an inorganic filler.
  • a polymer material for example, polyimide
  • a solvent for example, xylene
  • the surface of the insulating layer 21 has a wavelength of 600 nm.
  • the resin coating substrate 20 is treated with a noble metal aqueous solution (for example, an anionic Pd compound or Pd colloid).
  • the multi-layer substrate is manufactured by a process of forming an insulating layer by diluting a polymer material filled with an inorganic filler with a solvent on a polymer molding material and drying it, and forming an insulating layer; and forming an insulating layer. Forming a circuit forming portion and a via hole by laser processing on the insulating layer formed in step (a), and forming a circuit by forming a plating layer on the circuit forming portion and the via hole formed in the circuit forming portion forming step. The circuit forming step is repeated a plurality of times in this order.
  • a polymer material (a polymer material filled with 10 to 50% of an inorganic filler) is applied to the resin coating substrate 20 and dried.
  • An electroless plating layer 23 is formed on the surface of the insulating layer 21, and only the laser irradiation area of the polymer molding material is made conductive as described above. This shows a state in which a circuit 23 ′ made of an electrolytic plating layer is formed.
  • the surface of the insulating layer 21 is again coated with a polymer material filled with an inorganic filler of 10 to 50% by diluting with a solvent, and then dried.
  • Form layer 2 4 1.
  • the surface of the first insulating layer 24-1 is irradiated with a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential at the laser-irradiated portion, and the first insulating layer 24-1 is irradiated with the laser.
  • a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential at the laser-irradiated portion
  • the first insulating layer 24-1 is irradiated with the laser.
  • it is immersed in an aqueous solution containing an anionic Pd compound or Pd colloid, and as shown in Fig. 2 (3), the Pd is used as a nucleus in the laser irradiation part (circuit formation part) and via hole 25.
  • a circuit 23-1 consisting of the electroless plating layer 1 and a land 26 connecting the circuit 23 consisting of the electroless plating layer and the circuit 23-1 consisting of the first electroless plating layer are formed. I do. Further, in the case of electrolytic plating, as described above, after the laser irradiation part (circuit forming part) of the polymer molding material and the peripheral surface of the via hole 25 are made conductive, the electrolytic plating is performed to perform the first electrolytic plating. A circuit 23 3 ′-1 composed of a plating layer and a land 26 ′ connecting the circuit 23 ′ composed of the electrolytic plating layer and the circuit 23 ′-1 composed of the first electroless plating layer are formed.
  • the first insulating layer 24-1 on which the circuit 23-1 (23'-1) and the land 26 are formed as described above, is again applied to the first insulating layer 24-1.
  • a second insulating layer 242 is formed by diluting and drying a polymer material filled with 0 to 50% of an inorganic filler with a solvent and drying.
  • the surface of the second insulating layer 24-2 is irradiated with a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential at the laser-irradiated portion, and the second insulating layer is irradiated with the laser.
  • a via hole 25 is formed in 24-2, and a positive potential is generated on the peripheral surface of the via hole 25.
  • the laser irradiation part (circuit formation part) and the via hole 25 consist of a second electroless plating layer with Pd as a nucleus.
  • a circuit 23-2 and a land 26 connecting the circuit 23-1 comprising the first electroless plating layer and the circuit 23-2 comprising the second electroless plating layer are formed.
  • the electroplating is performed after the laser irradiation part (circuit forming part) of the polymer molding material 21 and the peripheral surface of the via hole 25 are made conductive as described above.
  • Circuit 2 3 ′-1 composed of second electrolytic plating layer
  • circuit 2 3 ′-1 composed of first electrolytic plating layer
  • circuit 2 3 ′-2 composed of second electroless plating layer
  • a circuit composed of multiple electroless plating layers (three layers in FIG. 2 (4)) 23-1, 23-2, 23-3, or a circuit composed of electrolytic plating layers 2 3 ′ —1, 2 3 ′ —2, 2 3 ′ —3 are formed to manufacture a multilayer substrate. Therefore, a multilayer circuit having an arbitrary circuit shape and having more than three layers can be obtained, and a multilayer substrate having small size, light weight, high density, and excellent EMC characteristics can be obtained. Further, according to the method for manufacturing a multilayer substrate, a three-dimensional multilayer substrate having an arbitrary circuit shape and having more than three layers can be easily manufactured at low manufacturing cost. Next, components shown in FIG.
  • the polymer molded article 30 has a concave portion 39, and a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and applied with a solvent on the surface of the concave portion 39 and dried to form an insulating layer 34. -1 is formed, a circuit forming portion and a via hole 35 are formed on the insulating layer 34-1 by laser processing, and the circuit forming portion and the via hole 35 are plated to form a circuit 36-1 (36'-1).
  • a multilayer circuit is formed in the recess 39, and a land 33 (33 ') is formed from the multilayer circuit to the outside of the polymer molded article.
  • the plating is the electroless plating or the electrolytic plating described in the method for forming a plating of a polymer molded material according to the present invention.
  • a polymer material eg, polyimide
  • a solvent eg, xylene or the like
  • the surface of the insulating layer 34-1 is irradiated with a laser R having a wavelength of 600 nm or less, and a positive potential is generated in the laser irradiated portion.
  • aqueous solution for example, an aqueous solution containing an anionic Pd compound or Pd colloid
  • electroless plating catalyst for example, Pd
  • wavelength on the surface of the insulating layer 34 -1 irradiates the laser R of 600 nm or less, an electrolytic plating to perform the laser irradiation unit after conductive.
  • the polymer material of the polymer molded article 30 includes a liquid crystal polymer (LCP: Li Q cry crysta 1 P ol ym er), polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polyphenylene ether.
  • LCP Li Q cry crysta 1 P ol ym er
  • polyether sulfone polyethylene terephthalate
  • polycarbonate polycarbonate
  • polyphenylene ether Polyhueni Lenoxide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polyamide, acrylonitrile, butadiene, styrene (ABS), polyphenylene sulfide, polyether imide, polyether ether ketone, polysulfone, polyimid, epoxy resin, or These composite resins can be used.
  • the circuit forming component is manufactured as follows.
  • a circuit 36 composed of an electroless plating layer (or a circuit 36 ′ composed of an electrolytic plating layer) is formed on the inner peripheral surface 30a and the bottom surface 30c of the concave portion 39 of the polymer molded article 30. ) Is formed.
  • the inner peripheral surface 30a and the bottom surface 30c of the concave portion 39 of the polymer molded product 30 are irradiated with a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential in the irradiated portion. Thereafter, it is immersed in an aqueous solution containing an anionic Pd compound or Pd colloid, and a circuit 36 composed of an electroless plating layer with Pd as a nucleus is formed in the irradiated portion.
  • the surface of the inner peripheral surface 30a and the bottom surface 30c of the concave portion 39 of the polymer molded product 30 is irradiated with laser to make it conductive, and then the electrolytic plating is performed.
  • a circuit 36 'including an electrolytic plating layer is formed in this region.
  • a polymer material filled with 10 to 50% of an inorganic filler is diluted with a solvent and applied to the bottom surface of the concave portion 39 of the polymer molded product 30 with a solvent, followed by drying.
  • Form layer 34-1 is described above.
  • the surface of the insulating layer 34-1 is irradiated with a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential at the laser-irradiated portion, and the laser is used to form the first insulating layer 34-1. Then, a via hole 35 is formed, and a positive potential is generated on the peripheral surface of the via hole 35.
  • a circuit 36-1 consisting of the first electroless plating layer with Pd as a nucleus, is formed in the laser irradiation part and via hole 35.
  • a land 37 connecting the circuit 36 composed of the electroless plating layer and the circuit 36-1 composed of the first electroless plating layer is formed.
  • electroplating after the laser irradiation part and the peripheral surface of the via hole 35 are made conductive as described above, electroplating is performed, whereby the circuit 36 ′ comprising the first electroplated layer is formed. 1 and a circuit consisting of an electrolytic plating layer 36 'and a circuit consisting of the first electrolytic plating layer 36'-1 A land 3 7 ′ is formed.
  • the insulating layer 34-1 in which the circuit 36-1 (or the circuit 36'-1) and the land 37 (or the land 37 ') are formed, is again put into a 10-50
  • the second insulating layer 341-2 is formed by diluting and drying a polymer material filled with a% inorganic filler with a solvent and drying.
  • the surface of the second insulating layer 34-2 is irradiated with a laser having a wavelength of 600 nm or less to generate a positive potential at the laser-irradiated portion, and the second insulating layer is irradiated with the laser.
  • a via hole 35 is formed at 34 1 and 2, and a positive potential is generated on the peripheral surface of the via hole 35.
  • a circuit 36-2 consisting of a second electroless plating layer with Pd as a nucleus is formed in the laser irradiation part and via hole 35.
  • a land 37 connecting the circuit 34-1 comprising the first electroless plating layer and the circuit 36-2 comprising the second electroless plating layer is formed.
  • electrolytic plating after the laser irradiation part and the peripheral surface of the via hole 35 are made conductive as described above, electrolytic plating is performed, whereby a circuit 36 ′ comprising the second electrolytic plating layer is formed. 2 and a land 3 7 ′ connecting the circuit 36 ′-1 composed of the first electrolytic plating layer and the circuit 36 ′ ⁇ 2 composed of the second electrolytic plating layer.
  • the circuit 36-1, 36-2, 36-3 which is composed of multiple electroless plating layers, or the electrolytic plating layer is formed in the concave portion 39 of the polymer molded product 30.
  • the circuit 36 3 ′-1, 36 '2, 3 6 ′-3 is formed to manufacture a multilayer circuit component 38.
  • the land 33 composed of an electroless plating layer (or the land composed of an electrolytic plating layer) is formed on the upper surface 30 e, the outer peripheral portion 30 b, and the outer portion 30 d of the bottom surface of the polymer molded product 30. Then, the land 33 (33 ') is connected to the multilayer circuit component 38 via the circuit 36 (36').
  • a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and applied with a solvent on the surface of the polymer molded product 30, which is a polymer molded material, and dried to form an insulating layer 34-1.
  • a circuit forming part and a via hole 35 are formed on the layer 34-1 by laser processing, and a circuit 36 -1 (36 ′-1) is formed by applying a plating to the circuit forming part and the via hole 35.
  • a multilayer circuit component 38 is formed on the surface of the polymer molded article 30, so that it has an arbitrary circuit shape and has more than three layers and is three-dimensional. Circuit component 38 can be obtained, and a circuit-formed part having a small size, light weight, high density, and excellent EMC characteristics can be obtained.
  • a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and coated with a solvent on a polymer molded product 30 and dried to form an insulating layer 34-1.
  • a circuit 36-1 (36 ′-1) comprising an electroless plating or an electrolytic plating by laser surface treatment, and to manufacture a circuit component having an arbitrary circuit shape.
  • a polymer molded product (a molded product obtained by filling a polymer material with an inorganic filler and performing injection molding) 40 has two recessed portions 41, 4 2 are formed, and multilayer circuit components 43, 44 are formed inside these recesses 41, 42.
  • the multilayer circuit components 43 and 44 have the same configuration as the multilayer circuit component 38 described above, and have the same manufacturing (forming) method.
  • a land 45 connected to the multilayered circuit components 43 and 44 formed in the recesses 41 and 42 is formed on the upper surface 40a of the polymer molded product 40.
  • a polymer material filled with an inorganic filler is diluted and coated with a solvent on a resin coating substrate and dried to form an insulating layer.
  • a multilayer substrate or a circuit forming component can be formed by forming the electroless plating or the electroplating into a circuit pattern. .
  • circuit forming component according to the present invention, a multilayer circuit configuration having an arbitrary circuit shape and having more than three layers can be obtained.
  • a substrate can be obtained.
  • a circuit-forming component having an arbitrary circuit shape and having a three-dimensional multilayer circuit having more than three layers can be manufactured at a low manufacturing cost. And can be easily manufactured

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Description

明 細 書
高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 技術分野
本発明は、 高分子成形材に絶縁層を形成し、 この絶縁層にレーザ照射した後、 無電解及び電解メ ツキを施す高分子成形材のメ ツキ形成方法と、 この高分子成形 材のメ ツキ形成方法を用いた回路形成部品及びその製造方法に関するものである。 背景技術
従来、 高分子材料にメツキを施す方法は、 高分子材料からなる成形品の表面を 化学薬品によって粗面化した後、 錫パラジウム化合物を吸着させ、 一旦パラジゥ ムを還元し、 最後に無電解メツキを行う方法が一般的である。 また、 回路パター ン等の部分メ ツキを施すためには、 フォ トレジストによる露光法が用いられてい る
また、 電子機器に広く用いられている多層基板においても、 この 2つの工程を 繰り返し行うことによりその製造が行われている。
すなわち、 ビア形成工程では、 図 5の （1 ) 〜 （6 ) に示すように基板 6 0に 絶縁層 6 1を塗布した後に予備乾燥させ、 露光 （ネガ） 処理 6 4して、 現像した 後に本乾燥させる。 次に、 前処理工程では、 図 5の （7 ) 〜 （9 ) に示すように 絶縁層 6 1をエッチング （粗面化） し、 キヤタリスティ ング工程、 ァクセラレー ティ ング工程を経る。 次に、 パターニング工程では、 図 5の （1 0 ) 〜 （1 5 ) に示すように、 前処理された絶縁層 6 1に無電解メツキもしくは無電解メツキ後 電解メツキを施し、 レジスト 6 2を塗布し、 露光 （ポジ） 処理 6 5して、 現像し た後に C uのエッチングを行い、 レジスト 6 2を除去し、 メツキ層からなる回路 パターン 6 3を得る。
また、 射出成形回路部品 （M I D ) においても部分メツキ製法は同様であるが、 立体部品のための適切なレジスト材ゃ塗布方法が無いことや、 立体露光が技術的 •生産的に困難であることから、 露光法による射出成形回路部品の多層化は実現 されていない。 また、 射出成形回路部品の多層化の別手段として、 2回成形と最外層面部への 露光法とを組み合わせたものが提唱されているが 3層までしか対応できず、 回路 形成も極めて制限されるものである。
しかしながら、 上記した従来の高分子材料にメツキを施す方法及ぴフォ トレジ ストによる露光法を用いての多層基板の製造では多くの製造工程を要し、 簡単に 多層基板を製造することができなかったし、 また、 射出成形回路部品の多層化で は 3層までしか対応できず、 回路形成も極めて制限される上、 製造コストが高い という問題点があった。
本発明は、 上記した問題点を解決するものであって、 その第 1の目的とすると ころは、 樹脂塗布用基材に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗 布して乾燥させて絶縁層を形成することで、 レーザ表面処理によるメツキが可能 になり、 このメツキを回路にすることで簡単に且つ確実に回路形成部品 （多層基 板） を構成することができる高分子成形材のメツキ形成方法を提供することにあ る
また、 本発明の第 2の目的とするところは、 任意回路形状を有し且つ 3層を超 える多層の回路を得ることができ、 小型軽量化、 高密度化、 E M C特性に優れた 回路形成部品を提供することにある。
また、 本発明の第 3の目的とするところは、 任意回路形状を有し、 しかも 3層 を超える立体的な多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コス卜で、 且つ容 易に製造することができる回路形成部品の製造方法を提供することにある。 発明の開示
上記の第 1の目的を達成するために、 本発明に係る高分子成形材のメツキ形成 方法は、 樹脂塗布用基材に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗 布して乾燥させて絶縁層を形成した後、 絶縁層の表面にレーザを照射し、 当該レ 一ザ照射部に正の電位を生じさせた後、 レーザ照射部に無電解メ ツキの触媒を析 出させ、 その後、 樹脂塗布用基材を無電解メツキ液に浸漬し、 レーザ照射部に無 電解メツキ層を形成するようにしたものである。
また、 本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法は、 樹脂塗布用基材に、 無 機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成 した後、 前記絶縁層の表面にレーザを照射し、'当該レーザ照射部を導電化した後 に、 電解メツキを行うことで、 レーザ照射部に電解メツキ層を形成するようにし たものである。
そして、 無機フィ ラーは 0 0 . 1〜 1 0 の粒子状ガラス又は粒状セラミ ッ クスであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜 5 0重量％であり、 また、 レーザは波長が 6 0 0 n m以下のレーザであり、 レーザの全投入エネルギが 1 0 〜5 0 0 J / c m 2 であることが好ましい。 また、 高分子材料に、 ポリイミ ドま たはエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
したがって、 樹脂塗布用基材に、 無機フィラ—を充填した高分子材料を溶剤で 希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成することで、 レーザ表面処理による無電解 メツキ又は電解メ ツキが可能'になり、 この無電解メツキ又は電解メツキを回路パ ターンにすることで、 容易に且つ低コストで多層基板又は回路形成部品を構成す ることができる。
また、 上記の第 2の目的を達成するために、 本発明に係る回路形成部品は、 樹 脂塗布用基材上に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾 燥させて形成された絶縁層と、 この絶縁層にレーザ処理により形成された回路形 成部及びビアホールと、 回路形成部及びビアホールにメツキを施して形成された 回路とを備えたものである。
また、 回路形成部品は、 高分子成形品が凹陥部を有し、 凹陥部の表面上に、 無 機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成 し、 この絶縁層にレーザ処理により回路形成部とビアホールとを形成し、 回路形 成部及びビアホールにメ ツキを施して回路を形成し、 この手順を複数回繰り返す ことにより、 凹陥部に多層の回路を形成したものである。
そして、 メ ツキが、 絶縁層にレーザを照射し、 このレーザ照射部に正の表面電 位を生じさせた後、 レーザ照射部に無電解メツキの触媒を析出させ、 その後、 無 電解メ ツキ液に浸漬して行われる無電解メツキであり、 また、 メ ツキが、 絶縁層 にレーザを照射し、 このレーザ照射部に導電性を付与した後、 電解メツキ液に浸 潰して行われる電解メツキである。 そして、 無機フィラーは 0 0 . 1〜 1 0〃mの粒子状ガラス又は粒状セラミ ッ クスであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜 5 0重量％であり、 また、 レーザは波長が 6 0 0 n m以下のレーザであり、 レーザの全投入エネルギが 1 0 〜5 0 0 J Z c m 2 であることが好ましい。
また、 高分子成形品の材料は、 液晶ポリマ、 ポリエーテルスルホン、 ポリプチ レンテレフタ レー ト、 ポリカーボネー ト、 ポリフヱニレンエーテル、 ポリフヱニ レンォキサイ ド、 ポリァセタール、 ポリェチレンテレフタレート、 ポリアミ ド、 ァク リロ二ト リノレ · プタジェン · スチレン （A B S ) 、 ポリフエ二レンサルファ イ ド、 ポリエーテルイ ミ ド、 ポリエーテルエ一テルケ トン、 ポリスルホン、 ポリ イミ ド、 エポキシ樹脂、 またはこれらの複合樹脂である。
かかる構成により、 任意回路形状を有し且つ 3層を超える多層の回路を得るこ とができ、 小型軽量化、 高密度化、 E M C特性に優れた回路形成部品を得ること ができる。
また、 上記の第 3の目的を達成するために、 本発明に係る回路形成部品の製造 方法は、 高分子成形材上に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗 布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 この絶縁層形成工程で形 成された絶縁層にレ一ザ処理により回路形成部とビアホールとを形成する回路形 成部形成工程と、 この回路形成部形成工程で形成された回路形成部及びビアホー ルにメツキを施して回路を形成する回路形成工程とを備え、 絶縁層形成工程と回 路形成部形成工程と回路形成工程とを、 この順序に複数回繰り返すことにより多 層の回路を有する回路形成部品を製造するようにしたものである。
そして、 回路形成部品が多層基板であることが好ましい。 また、 メツキが、 絶 縁層にレーザを照射し、 このレーザ照射部に正の表面電位を生じさせた後、 レー ザ照射部に無電解メツキの触媒を析出させ、 その後、 無電解メツキ液に浸漬して 行われる無電解メ ツキであり、 また、 メツキが、 絶縁層にレーザを照射し、 この レーザ照射部に導電性を付与した後、 電解メツキ液に浸潰して行われる電解メ ッ キである。
そして、 無機フィ ラーは 0 0 . 1〜 1 0 〃mの粒子状ガラス又は粒状セラ ミ ッ タスであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜 5 0重量％であり、 また、 レ一ザは波長が 6 00 nm以下のレ一ザであり、 レーザの全投入エネルギが 1 0 〜500 JZcm2 であることが好ましい。
また、 高分子成形品の材料は、 液晶ポリマ、 ポリエーテルスルホン、 ポリプチ レンテレフタレー ト、 ポリカーボネー ト、 ポリフエ二レンエーテル、 ポリフエ二 レンォキサイ ド、 ポリァセタール、 ポリェチレンテレフタレ一 ト、 ポリアミ ド、 アク リロニト リル · ブタジエン · スチレン （A B S) 、 ポリフヱニレンサルファ イ ド、 ポリエーテルイ ミ ド、 ポリエーテルエーテルケ トン、 ポリスルホン、 ポリ イミ ド、 エポキシ樹脂、 またはこれらの複合樹脂である。
したがって、 任意回路形状を有し、 しかも 3層を超える立体的な多層の回路を 有する回路形成部品を低い製造コス 卜で、 且つ容易に製造することができる。 図面の簡単な ΐ¾明
図 1 (1) 〜 （3) は本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法の工程説明図、 (4) は本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法において電解メツキを用い た工程説明図である。
図 2 (1) 〜 （4) は本発明に係る回路形成部品 （多層基板） の製造方法の工程 説明図である。
図 3は本発明に係る回路形成部品の構成説明図である。
図 4は本発明に係る回路形成部品の他の実施の形態の構成説明図である。
図 5 (1) 〜 （1 5) は従来の多層基板の製造方法の工程説明図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明に係る高分子成形材のメ ツキ形成方法を説明する。
本発明に係る高分子成形材のメ ツキ形成方法は、 図 1の （1) 〜 （3) に示す ように、 樹脂塗布用基材 20に、 1 0〜50重量％の無機フィラーを充填した高 分子材料 （例えば、 ポリイミ ド等） を溶剤 （例えば、 キシレン等） で希釈塗布し て乾燥させて絶縁層 2 1を形成した後、 この絶縁層 2 1の表面に波長が 600 η m以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照射部 22に正の電位を生じさせた後、 樹脂塗布用基材 2 0を貴金属水溶液 （例えば、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液） に浸漬して、 レーザ照射部 22に無電解メツキの触媒 (例えば P d) のみを析出させた後、 樹脂塗布用基材 20を無電解メツキ液に浸 潰して行うことで、 レーザ照射部 22に無電解メツキ層 23を形成するようにし たものである。
また、 本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法は、 図 1の （4) に示すよ うに、 樹脂塗布用基材 20に、 1 0〜 50重量％の無機フィ ラーを充填した高分 子材料 （例えば、 ポリイミ ド等） を溶剤 （例えば、 キシレン等） で希釈塗布して 乾燥させて絶縁層 2 1を形成した後、 この絶縁層 21の表面に波長が 600 nm 以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照射部 22を導電化した後に、 電解メツキ を行うことで、 レーザ照射部 22に電解メツキ層 23 'を形成するようにしたも のである。
無機フィラーとしては、 ガラスフィラー、 セラミ ツクス粒子等が挙げられ、 形 状を ø：!〜 2 0 wm、 長さ 10 m以上のフアイパー状、 または、 φ 0 · 5〜2 0 mの粒子状で、 その高分子材料に対する添加量を 10〜50重量％とすると、 より一層デブリ一の飛散を抑制することが可能になる。
また、 レーザとしては、 エキシマレーザ （波長 λ = 19 3、 248、 308、 3 51 nm) 、 Y AG第 2高調波 （波長； I = 5 3 2 n m) 、 Y A G第 3高調波 (波長； I = 355 nm) 等の波長が 6 00 n m以下のものであれば使用できる。 また、 レーザによる全投入エネルギの総計を 10〜500 J/cm" とすると、 無電解メツキの場合は、 レーザの照射領域の帯電状態を貴金属を析出させるのに 適した状態にすることができるし、 電解メツキの場合は、 レーザの照射領域の導 電性を電解メ ツキ層の形成に適した状態にすることができる。
無電解メツキの場合は、 レーザの照射条件を、 フル一エンス （単位パルスの単 位面積当たりのエネルギ： J /c m2 Zlパルス） 及び照射回数が、 貴金属を析 出させるのに適した帯電状態となるように設定するのがよい。 これにより、 レー ザ照射領域で、 アブレ—シヨンにより発生するデブリ一の帯電状態が良好となり、 貴金属の析出を適切に行わせ、 無電解メッキをレーザ照射領域の全面に施すこと が可能となる。
また、 電解メ ツキの場合は、 レーザの照射条件を、 フルーエンス （単位パルス の単位面積当たりのエネルギ： J Z c m 2 Z 1パルス） 及び照射回数が、 レーザ の照射領域で電解メ ツキに適した導電性となるように設定するのがよい。
また、 無電解メ ツキの場合は、 絶縁層 2 1を陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬 する。 この場合、 使用可能な貴金属水溶液としては、 P d C l Q 粉末をイオン 交換水に溶解したり、 N a。 P d C l 4 粉末をイオン交換水に溶解したり、 P d C 1 0 粉末と N a C 1粉末をイオン交換水に溶解してなるバラジゥム水溶液 や、 塩化パラジゥム、 塩化ナトリウム、 ポリエチレンダリコール 'モノ · P ·ノ ニルフエ二ルェ一テル、 ホゥ素化フッ化ナトリウムを混合したパラジウムコロイ ド水溶液等が挙げられる。
このような前処理方法により、 絶縁層 2 1のレーザ照射領域にのみ貴金属を析 出させ、 その後に無電解メツキを行うことで、 この領域のみに無電解メ ツキ層 2 3を形成する。
また、 電解メツキの場合は、 上記したように絶縁層 2 1のレーザ照射領域のみ を導電化した後に、 電解メ ツキを行うことで、 この領域のみに電解メツキ層 2 3 'を形成する。
したがって、 上記した高分子成形材のメツキ形成方法によれば、 樹脂塗布用基 材 2 0に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて 絶縁層 2 1を形成することで、 レーザ表面処理による無電解メ ツキまたは電解メ ツキが可能になり、 この無電解メ ツキまたは電解メツキを回路 （導電パターン） にすることで基板を構成することができる。
次に、 本発明に係る回路形成部品としての多層基板とその製造方法を説明する。 多層基板は、 樹脂塗布用基材 2 0上に、 無機フィラーを充填した高分子材料を 溶剤で希釈塗布して乾燥させて形成された絶縁層 2 1と、 この絶縁層 2 1にレ一 ザ処理により形成された回路形成部 （図示せず） 及びビアホール 2 5と、 回路形 成部及びビアホール 2 5にメツキを施して形成された回路 2 3 - 1 ( 2 3 ' - 1 ) とを備えたものである。
そして、 メツキは、 上記した本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法で述 ベた無電解メ ツキまたは電解メツキである。
すなわち、 樹脂塗布用基材 2 0に、 1 0〜5 0重量％の無機フィ ラーを充填し た高分子材料 （例えば、 ポリイミ ド等） を溶剤 （例えば、 キシレン等） で希釈塗 布して乾燥させて絶縁層 2 1を形成した後、 この絶縁層 2 1の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照射部 2 2に正の電位を生じさせた 後、 樹脂塗布用基材 2 0を貴金属水溶液 （例えば、 陰イオン性の P d化合物また は P dコロイ ドを含む水溶液） に浸漬して、 レーザ照射部 2 2に無電解メツキの 触媒 （例えば P d ) のみを析出させた後、 樹脂塗布用基材 2 0を無電解メツキ液 に浸漬して行う無電解メツキであり、 また、 樹脂塗布用基材 2 0に、 1 0〜 5 0 重量％の無機フィ ラーを充填した高分子材料 （例えば、 ポリイ ミ ド等） を溶剤 (例えば、 キシレン等） で希釈塗布して乾燥させて絶縁層 2 1を形成した後、 こ の絶縁層 2 1の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照 射部 2 2を導電化した後に行う電解メ ツキである。
そして、 多層基板の製造は、 高分子成形材上に、 無機フィラーを充填した高分 子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 絶 縁層形成工程で形成された絶縁層にレーザ処理により回路形成部とビアホールと を形成する回路形成部形成工程と、 回路形成部形成工程で形成された回路形成部 及びビアホールにメツキ層を形成して回路を形成する回路形成工程とを、 この順 序に複数回繰り返すことにより行われる。
図 2の （1 ) では、 上記したように樹脂塗布用基材 2 0に高分子材料 （1 0〜 5 0 %の無機フィラーを充填した高分子材料） が塗布され且つ乾燥されて形成さ れた絶縁層 2 1の表面に無電解メツキ層 2 3を形成し、 また、 上記したように高 分子成形材のレーザ照射領域のみを導電化した後に、 電解メツキを行うことで、 この領域のみに電解メ ツキ層からなる回路 2 3 'を形成した状態を示す。
次に、 図 2の （2 ) に示すように絶縁層 2 1の表面に再び 1 0〜 5 0 %の無機 フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第 1の絶縁 層 2 4— 1を形成する。
次に、 第 1の絶縁層 2 4 - 1の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザを照射し、 このレーザ照射部に正の電位を生じさせると共に、 レーザで第 1の絶縁層 2 4— 1にビアホール 2 5を形成し、 このビアホール 2 5の周面部に正の電位を生じさ せる。 その後、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液に浸漬し、 図 2の （3 ) に示すようにレーザ照射部 （回路形成部） 及びビアホール 2 5に P dを核として第 1の無電解メ ツキ層からなる回路 2 3— 1と、 無電解メツキ層か らなる回路 2 3と第 1の無電解メツキ層からなる回路 2 3 - 1とを連ねるランド 2 6とを形成する。 また、 電解メツキの場合には、 上記したように高分子成形材 のレーザ照射部 （回路形成部） 及びビアホール 2 5の周面部を導電化した後に、 電解メツキを行うことで、 第 1の電解メツキ層からなる回路 2 3 '— 1と、 電解 メツキ層からなる回路 2 3 ' と第 1の無電解メツキ層からなる回路 2 3 '— 1と を連ねるランド 2 6 ' とを形成する。
次に、 図 2の （4 ) に示すように、 上記したように回路 2 3 - 1 ( 2 3 ' - 1 ) とラン ド 2 6を形成した第 1の絶縁層 2 4 - 1に再び 1 0〜5 0 %の無機フィ ラ —を充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第 2の絶縁層 2 4 一 2を形成する。
次に、 この第 2の絶縁層 2 4— 2の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザを照 射し、 このレーザ照射部に正の電位を生じさせると共に、 レーザで第 2の絶縁層 2 4— 2にビアホール 2 5を形成し、 このビアホール 2 5の周面部に正の電位を 生じさせる。
その後、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液に浸漬し、 レーザ照射部 （回路形成部） 及びビアホール 2 5に P dを核として第 2の無電解 メ ッキ層からなる回路 2 3— 2と、 第 1の無電解メッキ層からなる回路 2 3 - 1 と第 2の無電解メ ツキ層からなる回路 2 3 - 2とを連ねるランド 2 6とを形成す る。 また、 電解メ ツキの場合には、 上記したように高分子成形材 2 1のレーザ照 射部 （回路形成部） 及びビアホール 2 5の周面部を導電化した後に、 電解メツキ を行うことで、 第 2の電解メ ツキ層からなる回路 2 3 '一 2と、 第 1の電解メ ッ キ層からなる回路 2 3 ' - 1と第 2の無電解メ ツキ層からなる回路 2 3 '— 2と を連ねるランド 2 6 ' とを形成する。
以下、 この工程を繰り返すことにより多層 （図 2の （4 ) では 3層） の無電解 メ ツキ層からなる回路 2 3— 1、 2 3— 2、 2 3— 3又は電解メツキ層からなる 回路 2 3 '— 1、 2 3 '— 2、 2 3 '— 3を形成して多層基板を製造する。 したがって、 任意回路形状を有し且つ 3層を超える多層の回路を得ることがで き、 小型軽量化、 高密度化、 EMC特性に優れた多層基板を得ることができる。 また、 この多層基板の製造方法によれば、 任意回路形状を有し、 しかも 3層を 超える立体的な多層基板を低い製造コス卜で、 且つ容易に製造することができる。 次に、 本発明に係る回路形成部品として図 3に示す部品について説明する。 この回路形成部品は、 高分子成形品 30が凹陥部 39を有し、 凹陥部 39の表 面上に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶 縁層 34—1を形成し、 この絶縁層 34 - 1にレーザ処理により回路形成部とビ ァホール 35とを形成し、 回路形成部及びビアホール 35にメツキを施して回路 36 - 1 (36 ' - 1) を形成し、 この手順を複数回繰り返すことにより、 凹陥 部 39に多層の回路を形成し、 多層の回路から高分子成形品の外側にかけてラン ド 33 (33 ' ) を形成したものである。
そして、 メツキは、 上記した本発明に係る高分子成形材のメツキ形成方法で 述べた無電解メツキまたは電解メツキである。
すなわち、 高分子成形品 30の凹陥部 39の表面に、 10〜50重量％の無機 フィラーを充填した高分子材料 （例えば、 ポリイミ ド等） を溶剤 （例えば、 キシ レン等） で希釈塗布して乾燥させて絶縁層 34— 1を形成した後、 この絶縁層 3 4- 1の表面に波長が 600 nm以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照射部に 正の電位を生じさせた後、 貴金属水溶液 （例えば、 陰イオン性の P d化合物また は P dコロイ ドを含む水溶液） に浸漬して、 レーザ照射部に無電解メツキの触媒 (例えば P d) のみを析出させた後、 無電解メ ツキ液に浸漬して行う無電解メッ キであり、 また、 凹陥部 39の表面に、 10 ~ 50重量％の無機フイラ一を充填 した高分子材料 （例えば、 ポリイミ ド等） を溶剤 （例えば、 キシレン等） で希釈 塗布して乾燥させて絶縁層 34- 1を形成した後、 この絶縁層 34 -1の表面に 波長が 600 nm以下のレーザ Rを照射し、 当該レーザ照射部を導電化した後に 行う電解メッキである。
この場合、 高分子成形品 30の高分子材料には、 液晶ポリマ （L CP ： L i Q u i d C r y s t a 1 P o l ym e r) 、 ポリエーテルスルホン、 ポリプチ レンテレフタレー ト、 ポリカーボネー ト、 ポリフエ二レンエーテル、 ポリフエ二 レンォキサイ ド、 ポリァセタール、 ポリェチレンテレフタレート、 ポリアミ ド、 アク リロニト リル， ブタジエン， スチレン （A B S ) 、 ポリフエ二レンサルファ イ ド、 ポリエーテルイ ミ ド、 ポリエーテルエーテルケ トン、 ポリスルホン、 ポリ イミ ド、 エポキシ樹脂、 又は、 これらの複合樹脂等が使用可能である。
そして、 回路形成部品は次のように製造される。
すなわち、 まず、 高分子成形品 3 0の凹陥部 3 9の内周面部 3 0 a及び底面部 3 0 cに、 無電解メツキ層からなる回路 3 6 (又は電解メツキ層からなる回路 3 6 ' ) を形成する。
すなわち、 高分子成形品 3 0の凹陥部 3 9の内周面部 3 0 a及び底面部 3 0 c に波長が 6 0 0 n m以下のレーザを照射し、 この照射部に正の電位を生じさせた 後、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液に浸潰し、 照射部 に P dを核として無電解メツキ層からなる回路 3 6を形成する。
また、 電解メツキの場合は、 上記したように高分子成形品 3 0の凹陥部 3 9の 内周面部 3 0 a及び底面部 3 0 cの表面にレーザを照射して導電化した後に電解 メ ツキを行うことで、 この領域に電解メツキ層からなる回路 3 6 'を形成する。 次に、 高分子成形品 3 0の凹陥部 3 9の底部の表面に、 1 0〜5 0 %の無機フ ィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第 1の絶縁層 3 4 - 1を形成する。
次に、 この絶縁層 3 4— 1の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザを照射し、 このレーザ照射部に正の電位を生じさせると共に、 レーザで第 1の絶縁層 3 4— 1にビアホール 3 5を形成し、 このビアホール 3 5の周面部に正の電位を生じさ せる。
その後、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液に浸潰し、 レーザ照射部及びビアホール 3 5に P dを核として第 1の無電解メツキ層からな る回路 3 6— 1と、 無電解メ ツキ層からなる回路 3 6と第 1の無電解メツキ層か らなる回路 3 6— 1とを連ねるランド 3 7とを形成する。 また、 電解メツキの場 合には、 上記したようにレーザ照射部及びビアホール 3 5の周面部を導電化した 後に、 電解メツキを行うことで、 第 1の電解メツキ層からなる回路 3 6 '— 1と、 電解メツキ層からなる回路 3 6 ' と第 1の電解メ ツキ層からなる回路 3 6 ' - 1 とを連ねるランド 3 7 ' とを形成する。
次に、 上記したように回路 3 6 - 1 (又は回路 3 6 ' - 1 ) とランド 3 7 (又 はランド 3 7 ' ) を形成した絶縁層 3 4— 1に、 再び 1 0〜5 0 %の無機フィラ —を充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し乾燥させることで第 2の絶縁層 3 4 一 2を形成する。
次に、 この第 2の絶縁層 3 4— 2の表面に波長が 6 0 0 n m以下のレーザを照 射し、 このレーザ照射部に正の電位を生じさせると共に、 レーザで第 2の絶縁層 3 4一 2にビアホール 3 5を形成し、 このビアホール 3 5の周面部に正の電位を 生じさせる。
その後、 陰イオン性の P d化合物または P dコロイ ドを含む水溶液に浸潰し、 レーザ照射部及びビアホール 3 5に P dを核として第 2の無電解メツキ層からな る回路 3 6— 2と、 第 1の無電解メ ツキ層からなる回路 3 4 - 1と第 2の無電解 メツキ層からなる回路 3 6 - 2とを連ねるランド 3 7とを形成する。 また、 電解 メッキの場合には、 上記したようにレーザ照射部及びビアホール 3 5の周面部を 導電化した後に、 電解メツキを行うことで、 第 2の電解メ ツキ層からなる回路 3 6 '— 2と、 第 1の電解メツキ層からなる回路 3 6 ' - 1と第 2の電解メ ツキ層 からなる回路 3 6 '— 2とを連ねるランド 3 7 ' とを形成する。
以下、 この工程を繰り返すことにより、 高分子成形品 3 0の凹陥部 3 9に多層 の無電解メツキ層からなる回路 3 6— 1、 3 6— 2、 3 6— 3又は電解メ ツキ層 からなる回路 3 6 '— 1、 3 6一一 2、 3 6 '― 3を形成して多層の回路構成部 3 8を製造する。
次に、 高分子成形品 3 0の上面部 3 0 e、 外周部 3 0 b及び底面部の外側部分 3 0 dに無電解メ ツキ層からなるランド 3 3 (又は、 電解メツキ層からなるラン ド 3 3 ' ) を形成して、 このラン ド 3 3 ( 3 3 ' ) を回路 3 6 ( 3 6 ' ) を介し て多層の回路構成部 3 8に接続する。
このように、 高分子成形材である高分子成形品 3 0の表面上に、 無機フィラー を充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層 3 4— 1を形成し、 絶縁層 3 4 - 1にレ一ザ処理により回路形成部とビアホール 3 5とを形成し、 回 路形成部及びビアホール 3 5にメツキを施して回路 3 6— 1 ( 3 6 '— 1 ) を形 成し、 この手順を複数回繰り返すことにより、 高分子成形品 3 0の表面上に多層 の回路構成部 3 8を形成したことにより、 任意回路形状を有し且つ 3層を超える 多層で立体的な回路構成部 3 8を得ることができ、 小型軽量化、 高密度化、 E M C特性に優れた回路形成部品を得ることができる。
また、 回路形成部品の製造方法によれば、 高分子成形品 3 0に、 無機フィラー を充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層 3 4 - 1を形成す ることで、 レーザ表面処理による無電解メツキ又は電解メツキからなる回路 3 6 - 1 ( 3 6 ' - 1 ) を形成することが可能になり、 任意回路形状を有する回路形 成部品を製造することができる。
また、 図 4に示す回路形成部品にあっては、 高分子成形品 （高分子材料に無機 フィラーを充填し射出成形することで得られた成形品） 4 0に 2つの凹陥部 4 1、 4 2が形成してあり、 これらの凹陥部 4 1、 4 2の内部に多層の回路構成部 4 3、 4 4を形成するようにしたものである。 そして、 多層の回路構成部 4 3、 4 4は、 上記した多層の回路構成部 3 8と同構成であり、 その製造 （形成） 方法に同じで あな
そして、 高分子成形品 4 0の上面部 4 0 aには、 凹陥部 4 1、 4 2に形成した 多層の回路構成部 4 3、 4 4に接続されるランド 4 5が形成してある。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明に係る高分子成形材のメッキ形成方法によれば、 樹脂塗布用基材に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾 燥させて絶縁層を形成することで、 レーザ表面処理による無電解メ ツキ又は電解 メ ツキが可能になり、 この無電解メツキ又は電解メツキを回路パターンにするこ とで多層基板又は回路形成部品を構成することができる。
また、 本発明に係る回路形成部品によれば、 任意回路形状を有し且つ 3層を超 える多層の回路構成を得ることができ、 小型軽量化、 高密度化、 E M C特性に優 れた多層基板を得ることができる。
また、 本発明に係る回路形成部品の製造方法によれば、 任意回路形状を有し、 しかも 3層を超える立体的な多層の回路を有する回路形成部品を低い製造コス ト で、 且つ容易に製造することができる

Claims

請求の範囲
1 . 樹脂塗布用基材に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し て乾燥させて絶縁層を形成した後、 前記絶縁層の表面にレーザを照射し、 当該レ 一ザ照射部に正の電位を生じさせた後、 前記レーザ照射部に無電解メツキの触媒 を析出させ、 その後、 前記樹脂塗布用基材を無電解メツキ液に浸漬し、 前記レー ザ照射部に無電解メ ツキ層を形成するようにしたことを特徴とする高分子成形材 のメ ッキ形成方法。
2 . 樹脂塗布用基材に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布し て乾燥させて絶縁層を形成した後、 前記絶縁層の表面にレーザを照射し、 当該レ 一ザ照射部を導電化した後に、 電解メ ツキを行うことで、 前記レ一ザ照射部に電 解メ ツキ層を形成するようにしたことを特徴とする高分子成形材のメツキ形成方 法。
3 . 前記無機フイラ一は 0 0 . 1〜1 0 /z mの粒子状ガラス又は粒状セラミ ック スであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜5 0重量％であり、 前記レー ザは波長が 6 0 0 n m以下のレーザであり、 前記レーザの全投入エネルギが 1 0 〜5 0 0 J / c m 2 である請求項 1又は請求項 2に記載の高分子成形材のメツキ 形成方法。
4 . 前記高分子材料に、 ポリイ ミ ドまたはエポキシ樹脂を用いるようにした請 求項 1乃至請求項 3に記載の高分子成形材のメ ツキ形成方法。
5 . 樹脂塗布用基材上に、 無機フイラ—を充填した高分子材料を溶剤で希釈塗 布して乾燥させて形成された絶縁層と、
前記絶縁層にレーザ処理により形成された回路形成部及びビアホールと、 前記回路形成部及び前記ビアホールにメツキを施して形成された回路とを備え たことを特徴とする回路形成部品。
6 . 高分子成形品が凹陥部を有し、 前記凹陥部の表面上に、 無機フィラーを充填 した高分子材料を溶剤で希釈塗布して乾燥させて絶縁層を形成し、 前記絶縁層に レーザ処理により回路形成部とビアホールとを形成し、 前記回路形成部及び前記 ビアホールにメツキを施して回路を形成し、 この手順を複数回繰り返すことによ り、 前記凹陥部に多層の回路を形成したことを特徴とする回路形成部品。
7 . 前記メツキが、 前記絶縁層に前記レーザを照射し、 前記レーザ照射部に正の 表面電位を生じさせた後、 前記レーザ照射部に無電解メ ツキの触媒を析出させ、 その後、 無電解メ ツキ液に浸潰して行われる無電解メ ツキである請求項 5又は請 求項 6に記載の回路形成部品。
8 . 前記メツキが、 前記絶縁層に前記レーザを照射し、 前記レーザ照射部に導電 性を付与した後、 電解メツキ液に浸潰して行われる電解メ ツキである請求項 5又 は請求項 6に記載の回路形成部品。
9 . 前記無機フイラ一は 0 0 . 1〜1 0 の粒子状ガラス又は粒状セラミ ック スであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜5 0重量％であり、 前記レー ザは波長が 6 0 0 n m以下のレーザであり、 前記レーザの全投入エネルギが 1 0 〜5 0 0 J / c m2 である請求項 5乃至請求項 8に記載の回路形成部品。
1 0 . 前記高分子成形品の高分子材料は、 液晶ポリマ、 ポリエーテルスルホン、 ポリプチレンテレフタレ一 ト、 ポリカーボネー ト、 ポリフエ二レンエーテル、 ポ リフヱ二レンオキサイ ド、 ポリアセタール、 ポリエチレンテレフタレー ト、 ポリ アミ ド、 アク リロニト リル · ブタジエン · スチレン （ A B S ) ポリフエ二レン サルファイ ド、 ポリエーテルイ ミ ド、 ポリエ一テルエ一テルケ トン、 ポリスルホ ン、 ポリイミ ド、 エポキシ樹脂、 またはこれらの複合樹脂である請求項 6乃至請 求項 9に記載の回路形成部品。
1 1 . 高分子成形材上に、 無機フィラーを充填した高分子材料を溶剤で希釈塗布 して乾燥させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層形成工程で形成された前記絶縁層にレーザ処理により回路形成部と ビアホールとを形成する回路形成部形成工程と、
前記回路形成部形成工程で形成された前記回路形成部及び前記ビアホールにメ ツキを施して回路を形成する回路形成工程とを備え、
前記絶縁層形成工程と前記回路形成部形成工程と前記回路形成工程とを、 この 順序に複数回繰り返すことにより回路形成部品を製造するようにしたことを特徴 とする回路形成部品の製造方法。
1 2 . 前記回路形成部品が多層基板である回路形成部品の製造方法。
1 3. 前記メツキが、 前記絶縁層に前記レーザを照射し、 前記レーザ照射部に正 の表面電位を生じさせた後、 前記レーザ照射部に無電解メツキの触媒を析出させ、 その後、 無電解メ ツキ液に浸漬して行われる無電解メ ツキである請求項 1 1又は 請求項 12に記載の回路形成部品の製造方法。
14. 前記メツキが、 前記絶縁層に前記レーザを照射し、 前記レーザ照射部に 導電性を付与した後、 電解メツキ液に浸漬して行われる電解メツキである請求項 1 1又は請求項 1 2に記載の回路形成部品の製造方法。
1 5. 前記無機フイラ一は 0. 1〜10 の粒子状ガラス又は粒状セラミ ツ クスであり、 その高分子材料に対する添加量は 1 0〜50重量％であり、 前記レ 一ザは波長が 60 0 nm以下のレーザであり、 前記レーザの全投入エネルギが 1 0〜500 J/c m2 である請求項 1 1乃至請求項 14に記載の回路形成部品の 製造方法。
16. 前記高分子成形品の高分子材料は、 液晶ポリマ、 ポリエーテルスルホン、 ポリプチレンテレフタレー ト、 ポリカーボネー ト、 ポリフエ二レンエーテル、 ポ リフヱ二レンオキサイ ド、 ポリアセタール、 ポリエチレンテレフタレー ト、 ポリ アミ ド、 アタ リロニト リノレ · ブタジエン · スチレン （ A B S ) 、 ポリフエ二レン サルファイ ド、 ポリエーテルイ ミ ド、 ポリエーテルエーテルケトン、 ポリスルホ ン、 ポリイミ ド、 エポキシ樹脂、 またはこれらの複合樹脂である請求項 1 1乃至 請求項 1 5に記載の回路形成部品の製造方法。
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