JP5216078B2 - 多層プリント配線板、及び、多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層プリント配線板、及び、多層プリント配線板の製造方法に関する。

多層プリント配線板としては、コアと呼ばれる樹脂基板の上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積層された多層プリント配線板が提案されている。そして、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間は、ビア導体により接続されている。
このような多層プリント配線板は、例えば、下記の方法により製造することができる。

即ち、樹脂基板の両面に銅箔が貼り付けられた銅張積層板を出発材料とし、まず、樹脂基板上に下層の導体回路を形成する。次に、下層の導体回路が形成された樹脂基板上に層間樹脂絶縁層を形成し、さらに、樹脂基板上の下層の導体回路が露出するように、層間樹脂絶縁層に開口部を形成する。

その後、層間樹脂絶縁層上及び開口部内の露出面に無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行うことにより、層間樹脂絶縁層上に上層の導体回路を形成する。樹脂基板上の下層の導体回路と層間樹脂絶縁層上の上層の導体回路は、ビア導体により接続される。
さらに、層間樹脂絶縁層及び上層の導体回路の形成を繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のため半田バンプを形成することにより、多層プリント配線板を製造することができる（例えば、特許文献１参照）。

２００５−３４７３９１号公報

上述したような方法で製造された多層プリント配線板では、下層の導体回路と上層の導体回路との接続が、無電解めっき膜とこの無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるビア導体を介して行われる。
それ故、下層の導体回路とビア導体を構成している電解めっき膜との間には、ビア導体を構成している無電解めっき膜が存在することとなる。
そして、下層の導体回路は、電解めっき膜や金属箔で構成されていることが多い。そのため、下層の導体回路と上層の導体回路間とをビア導体を介して接続した部分には、異なる種類の金属膜が形成されていることとなる。具体的には、例えば、電解めっき膜上に無電解めっき膜が形成されたり、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成されたりしている。
このような異なる種類の金属膜は、たとえそれらが同一の金属からなるものであっても、それぞれの結晶状態が異なりやすい。
そして、層間樹脂絶縁層に形成される開口部の径が小さくなってくると、ヒートサイクル試験後に下層の導体回路とビア導体を構成する無電解めっき膜との間やビア導体を構成する無電解めっき膜とその上に形成されている電解めっき膜との間で剥離が発生する場合があった。

本発明者らは鋭意検討を行った結果、導体回路の露出面上にビア導体を構成する電解めっき膜を直接接続することにより上記課題を解決することができることを見出し、本発明の多層プリント配線板及びその製造方法を完成した。

即ち、請求項１に記載の多層プリント配線板は、
第１の層間樹脂絶縁層と、
上記第１の層間樹脂絶縁層上に形成されている第１の導体回路と、
上記第１の層間樹脂絶縁層と上記第１の導体回路との上に形成されていて、上記第１の導体回路に到達する開口部を有する第２の層間樹脂絶縁層と、
上記第２の層間樹脂絶縁層上に形成されている第２の導体回路と、
上記開口部内に形成されていて、上記第１の導体回路と上記第２の導体回路とを接続するビア導体とからなる多層プリント配線板であって、
上記ビア導体は、上記開口部の内壁面に形成されている無電解めっき膜と、上記無電解めっき膜上及び上記開口部によって露出される上記第１の導体回路の露出面上に形成されている電解めっき膜とからなり、
上記第２の導体回路は、上記無電解めっき膜と上記無電解めっき膜上の上記電解めっき膜とからなることを特徴とする。

請求項１に記載の発明では、第１の導体回路が、無電解めっき膜を介さずにビア導体と接続されているため、両者の間の電気抵抗が小さく、電気特性に優れる。
また、従来の多層プリント配線板のように、ビア導体が導体回路の露出面上の無電解めっき膜と、その上の電解めっき膜とから構成されている場合に比べて、請求項１に記載の発明では、導体回路とビア導体との間での剥離が発生しにくく、導体回路とビア導体との接続信頼性に優れる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、
上記電解めっき膜が銅である。
請求項２に記載の発明では、上記電解めっき膜が、電気抵抗の低い銅であるため、電気特性に優れる。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、
上記無電解めっき膜がニッケルである。
請求項３に記載の発明では、上記電解めっき膜が銅からなり、上記無電解めっき膜がニッケルからなるため、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）の小さい微細な導体回路を形成することができる。この理由については後述する。

請求項４に記載の多層プリント配線板の製造方法は、
第１の層間樹脂絶縁層を形成する工程と、
上記第１の層間樹脂絶縁層上に第１の導体回路を形成する工程と、
上記第１の層間樹脂絶縁層と上記第１の導体回路との上に、第２の層間樹脂絶縁層を形成する工程と、
上記第２の層間樹脂絶縁層に、上記第１の導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
上記第２の層間樹脂絶縁層上に第２の導体回路を形成する工程と、
上記開口部に、上記第１の導体回路と上記第２の導体回路とを接続するビア導体を形成する工程とからなる多層プリント配線板の製造方法であって、
上記第２の導体回路は、無電解めっき膜と上記無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなり、
上記ビア導体は、上記開口部の内壁面に形成されている上記無電解めっき膜と、上記無電解めっき膜上及び上記開口部によって、露出される上記第１の導体回路の露出面上に形成されている電解めっき膜とからなることを特徴とする。

請求項４に記載の発明によれば、第１の導体回路の露出面上に直接電解めっき膜を形成しているため、請求項４に記載の発明により製造された多層プリント配線板では、第１の導体回路とビア導体とが、無電解めっき膜を介さずに接続されていることとなり、両者の間の電気抵抗が小さく、電気特性に優れる。
また、請求項４に記載の発明により製造された多層プリント配線板では、従来の多層プリント配線板のように、ビア導体が、導体回路の露出面上の無電解めっき膜とその上の電解めっき膜とからなっている場合に比べて、導体回路とビア導体との間での剥離が発生しにくく、導体回路とビア導体との接続信頼性に優れる。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、
上記第２の導体回路を形成する工程と上記ビア導体を形成する工程とを同時に行う。
請求項５に記載の発明によれば、第２の導体回路とビア導体とを効率よく形成することができる。また、両者を同時に形成することにより、両者の接続不良が発生しにくくなる。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、
上記第２の導体回路を形成する工程、及び、上記ビア導体を形成する工程が、
上記第２の層間樹脂絶縁層の表面及び上記開口部の内壁面に上記無電解めっき膜を形成する工程と、
上記無電解めっき膜上及び上記第１の導体回路の露出面上に上記電解めっき膜を形成する工程とを有する。

請求項６に記載の発明では、第１の導体回路上にビア導体を構成する電解めっき膜を直接形成できる。

請求項７に記載の発明は、請求項４〜６のいずれかに記載の発明において、
上記第１の導体回路の露出面上に形成する電解めっき膜を、上記第１の導体回路をシード層として形成する。
請求項７に記載の発明では、第１の導体回路をシード層として電解めっき膜を形成しているため、上記第１の導体回路の露出面上に確実に電解めっき膜を形成することができる。

請求項８に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、
上記第２の導体回路を形成する工程、及び、上記ビア導体を形成する工程が、
上記無電解めっき膜を形成した後、上記無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する工程と、
上記めっきレジスト非形成部の無電解めっき膜上及び上記第１の導体回路の露出面上に電解めっき膜を形成する工程と、
上記めっきレジストを剥離する工程と、
上記めっきレジストを剥離することで露出した無電解めっき膜を除去する工程とを有する。

請求項８に記載の発明によれば、微細な導体回路形成とビア接続信頼性が高いプリント配線板を製造できる。

請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、
上記無電解めっき膜の除去を、エッチング液を用いたエッチングにより行う。
請求項９に記載の発明によれば、不要な無電解めっき膜を確実に除去することができる。

請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、
上記電解めっき膜が、上記エッチング液により実質的にエッチングされない。
請求項１０に記載の発明では、上記電解めっき膜が、上記エッチング液により実質的にエッチングされないため、微細な導体回路を形成するのに特に適している。

請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、
上記無電解めっき膜はニッケルからなり、上記電解めっき膜は銅からなる。
請求項１１に記載の発明では、電解めっき膜を実質的にエッチングせず、無電解めっき膜を選択的にエッチングすることが容易である。

以下、本発明の実施形態を説明する。
（第一実施形態）
ここでは、第一実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法を説明する。

図１Ａは、第一実施形態に係る多層プリント配線板を模式的に示す断面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示した多層プリント配線板の領域ａを示す部分拡大断面図である。
図１に示す第一実施形態の多層プリント配線板１０では、絶縁性基板１１の両面に導体回路１４と層間樹脂絶縁層１２とが形成され、絶縁性基板１１を挟んだ導体回路１４間は、スルーホール導体１９により電気的に接続されている。ここで、導体回路１４の上面は、電解銅めっき膜で構成されている。
層間樹脂絶縁層１２を挟んだ導体回路１４間は、ビア導体１７を介して電気的に接続されている。
また、スルーホール導体１９の内部には樹脂充填材２０が充填されている。そして、充填充填材２０を覆う導体回路１１４が形成されている。
最外層には、ソルダーレジスト層２４が形成されており、最外層の導体回路１４上には、半田パッド２６を介して半田バンプ２７が形成されている。

また、図１Ｂに示すように、層間樹脂絶縁層１２上の導体回路（第１の導体回路）１４は、無電解銅めっき膜２２と無電解銅めっき膜２２上の電解銅めっき膜２３とからなり、その上部にビア導体１７が形成されている。ここで、ビア導体１７は、層間樹脂絶縁層１２に形成された開口部１６の内壁面と接する部分が無電解銅めっき膜２２からなり、その他の部分が電解銅めっき膜２３からなる。
従って、導体回路１４の上面（開口部１６によって露出されている露出面）１４ａには、ビア導体１７の電解銅めっき膜が形成されている。つまり、導体回路１４上に直接ビア導体１７の電解めっき膜が形成されている。従って、導体回路１４の電解銅めっき膜２３と、ビア導体１７の電解銅めっき膜とが直接接続されていることとなる。
従って、導体回路１４とビア導体１７とは電解銅めっき膜２３同士で接続されていることとなる。
このように、導体回路１４（第１の導体回路）上には、ビア導体１７の一部を構成している無電解銅めっき膜２２を介することなく、電解銅めっき膜２３が形成されている。そのため、第１の導体回路とビア導体間の電気抵抗が小さくなり、電気特性に優れる。
また、導体回路１４（第１の導体回路）の露出面１４ａ（層間樹脂絶縁層に形成されている開口部によって露出された面）上にビア導体１７を構成する電解銅めっき膜２３が形成されるので、導体回路１４（第１の導体回路）とビア導体１７との間での剥離が発生しにくい。そのため、導体回路とビア導体との接続信頼性が向上する。
また、導体回路１４とビア導体１７とが電解銅めっき膜２３同士で接続されているため、両者の接続強度も優れることとなる。ここで、銅は電気抵抗が低いので、電解めっき膜は銅が好ましい。

次に、第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を工程順に説明する。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板等の心材としてガラス繊維を有する基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等の樹脂基板、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板、シリコン基板等が挙げられる。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解銅めっき処理を施し、続いて電解銅めっき処理を施す等により銅からなるベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。
このような電解銅めっき膜を形成することにより、上記絶縁性基板上に形成する導体回路の上面が電解銅めっき膜で構成されることとなる。そのため、後工程の電解銅めっき処理を経てビア導体を形成した際に、導体回路とビア導体とが電解銅めっき膜同士で接続されることとなり、両者の間の電気特性が優れたものとなる。
上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホール導体を形成してもよい。また、導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面をエッチング処理等により粗化面としてもよい。

（２）次に、導体回路を形成した絶縁性基板上に、層間樹脂絶縁層を形成するとともに、この層間樹脂絶縁層に、上記絶縁性基板上の導体回路（第１の導体回路）に到達する開口部を形成する。
上記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコータ、カーテンコータ等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成する。その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理により上記開口部を形成することにより、上記開口部を有する層間樹脂絶縁層を形成する。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成すればよい。

（３）次に、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に無電解銅めっき膜を形成する。
この際、上記開口部によって露出された上記絶縁性基板上の導体回路の露出面上には無電解銅めっき膜を形成しない。
具体的には、まず、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）にはパラジウム触媒が付着し、上記導体回路の露出面上にはパラジウム触媒が付着しない状態に上記パラジウム触媒を付与する。その後、銅に対して自己触媒性を有しない無電解銅めっき処理を行うことより、所定の部分にのみ無電解銅めっき膜を形成する。

上記パラジウム触媒を上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に選択的に付着させる方法としては、例えば、下記の方法を用いることができる。
（ａ）まず、上記導体回路（銅）の露出面及び上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）にパラジウム錯体を付着させる。
（ｂ）次に、塩化銅エッチング液により、導体回路（銅）の露出部の表面をエッチングにより溶解する。これにより、導体回路の露出面上からパラジウム錯体が除去される。上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）のパラジウム錯体は付着したままである。
（ｃ）その後、パラジウムの還元剤液に浸漬して、パラジウム錯体を金属パラジウムへ還元する。

また、下記の方法にて選択的にパラジウム触媒を付着させても良い。
即ち、（ａ）まず、銅からなる上記導体回路の露出面に、Ｈ_２Ｏ_２水溶液やＮａＣｌＯ_３水溶液等の酸化剤を用いて、酸化銅（ＣｕＯ）被膜を形成する。
（ｂ）次に、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）、及び、上記導体回路の露出面上にパラジウム触媒を付着する。
（ｃ）その後、希硫酸等の酸を用いて、上記酸化銅被膜を溶解除去する。ここでは、酸化銅被膜の溶解除去にともなって、上記酸化銅被膜に付着したパラジウム触媒も同時に除去されることとなる。
以上に説明した処理を行うことにより、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に選択的にパラジウム触媒を付着させることができる。

また、これらの方法で、選択的にパラジウム触媒を付着させた後には、銅に対して自己触媒性を有しない還元剤（例えば次亜リン酸）を含む無電解めっき液に、パラジウム触媒を形成した基板を浸漬する。
これにより、層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に無電解めっき膜が形成され、開口部によって露出された導体回路の露出面上には無電解めっき膜は形成されない。

上記無電解銅めっき膜の厚さは、０．１〜０．３μｍが望ましい。
また、上記無電解銅めっき膜の形成前に、層間樹脂絶縁層の表面を粗化面としておいてもよい。

（４）次に、上記無電解銅めっき膜上にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、導体回路及びビア導体を形成しない部分に形成する。
上記めっきレジストを形成する方法は特に限定されず、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。

（５）次に、上記無電解銅めっき膜上のめっきレジスト非形成部及び上記導体回路の露出面上に電解銅めっき膜を形成する。上述した（３）の工程により、第１の導体回路の露出面上には、無電解銅めっき膜が形成されていない。そのため、（５）の工程を行うことで、第１の導体回路とビア導体は無電解銅めっき膜を介することなく接続されることとなる。つまり、第１の導体回路を構成する電解めっき膜上にビア導体を構成する電解めっき膜が直接形成されることとなる。
ここで、上記電解銅めっき膜の形成は、従来公知の方法により行えばよい。
また、上記電解銅めっき層の厚さは５〜２０μｍが望ましい。
なお、この工程では、上記無電解銅めっき膜及び上記導体回路の露出面が、電解めっきにおけるシード層として機能することとなる。このように、第１の導体回路をシード層として電解めっき膜を形成しているので、第１の導体回路の露出面上に確実に電解めっき膜を形成することができる。

（６）その後、上記層間樹脂絶縁層上のめっきレジストを剥離する。
上記めっきレジストの剥離は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよい。

（７）次に、上記めっきレジストを剥離することより露出した無電解銅めっき膜を除去する。このような製造方法によれば、微細な導体回路形成とビア接続信頼性が高いプリント配線板を製造できる。
ここで、上記無電解銅めっき膜の除去は、例えば、エッチング液を用いて行えばよい。エッチング液を用いたエッチングであれば、不要な無電解銅めっき膜（電解めっき膜間に存在する無電解銅めっき膜）を確実に除去することができる。

このような（３）〜（７）の工程を行うことにより、層間樹脂絶縁層上に導体回路（第２の導体回路）を形成するとともに、同時にこの導体回路と絶縁性基板上の導体回路とを接続するビア導体を形成することができる。そのため、導体回路（第２の導体回路）とビア導体とを効率よく形成できる。また、第２の導体回路とビア導体との接続不良が発生しにくくなる。そして、絶縁性基板上の導体回路とビア導体との接続が電解銅めっき膜同士の接続となる。
なお、上記（１）〜（７）の工程では、絶縁性基板が請求項１や請求項４に記載する第１の層間樹脂絶縁層に該当する。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。

（８）さらに、必要に応じて、上記（２）〜（７）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層と導体回路とをさらに形成するとともに、同時にビア導体を形成してもよい。
なお、この（８）の工程を行う場合、上記（２）の工程で形成した層間樹脂絶縁層が請求項１や請求項４に記載する第１の層間樹脂絶縁層に該当し、上記（８）の工程で形成する層間樹脂絶縁層が、請求項１や請求項４に記載する第２の層間樹脂絶縁層に該当する。

（９）最後に、ソルダーレジスト層と半田バンプとの形成を行い、多層プリント配線板を完成する。
具体的には、最上層の導体回路を含む層間樹脂絶縁層上に、ロールコータ法等によりソルダーレジスト組成物を塗布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。その後、ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。

以下、第一実施形態に係る多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法の作用効果について列挙する。
本実施形態に係る多層プリント配線板では、導体回路とその導体回路に接続しているビア導体との接続部分が、電解銅めっき膜からなるため、両者の間で結晶格子の連続性が高くなる。その結果、導体回路とビア導体との間の接続強度が高くなるので、上記多層プリント配線板では、接続信頼性、特に、温度サイクル試験後の接続信頼性に優れる。

本実施形態に係る多層プリント配線板では、導体回路（第１の導体回路）とビア導体とが、無電解銅めっき膜を介することなく、電解銅めっき膜同士で接続されることとなるため、両者の間での電気抵抗は低くなる。従って、本実施形態に係る多層プリント配線板は電気特性に優れることとなる。

以下に実施例を掲げて、第一実施形態について、さらに詳しく説明するが、本発明の実施形態はこれら実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１）

Ａ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒子径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ_２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。

Ｂ．多層プリント配線板の製造
（１）図２Ａに示すような、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性基板１１の両面に１８μｍの銅箔１８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした。
次に、図２Ｂに示すように、この銅張積層板をドリル削孔し、スルーホール導体用の貫通孔２９を形成した。

次に、図２Ｃに示すように、銅箔１８上と貫通孔２９の内壁表面とに無電解銅めっき処理と電解銅めっき処理とを施し、無電解銅めっき膜と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜とからなるスルーホール導体１９を含む導体層を形成した。

（２）次に、スルーホール導体１９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ_２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ_３ＰＯ_４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール導体１９の表面を粗化面（図示せず）とした。

（３）次に、図２Ｄに示すように、スルーホール導体１９の内部に、上記Ａに記載した樹脂充填材を下記の方法で充填した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール導体１９内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。続いて、基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、電解銅めっき膜上に樹脂充填材２０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層２０を形成した。

（４）次に、図２Ｅに示すように、電解銅めっき膜上と樹脂充填材２０上とに無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなる導体層２１を形成した。続いて、図２Ｆに示すように、サブトラクティブ法で絶縁性基板１１上に導体回路１４を形成した。この時、同時に樹脂充填材２０を覆う導体回路１１４も形成した。

（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレーで吹き付けて、導体回路１４（樹脂充填材２０を覆う導体回路１１４を含む）の表面をエッチングすることにより、導体回路１４の全表面を粗化面（図示せず）とした。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、及び、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

（６）次に、図２Ｇに示すように、絶縁性基板１１と導体回路１４との上に、層間樹脂絶縁層形成用フィルム（味の素社製、ＡＢＦ）を用いて層間樹脂絶縁層１２を形成した。
すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で積層し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。

（７）次に、図３Ａに示すように、層間樹脂絶縁層１２にＣＯ_２ガスレーザにて、直径８０μｍの開口部１６を形成した。
この結果、開口部１６によって、導体回路１４の上面の一部（露出面１４ａ）が露出された。

（８）次に、開口部１６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、開口部１６の内壁面を含む層間樹脂絶縁層１２の表面を粗化面（図示せず）とした。

（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。

（１０）次に、層間樹脂絶縁層１２の表面（開口部１６の内壁面含む）に、パラジウム触媒（図示せず）を付与した。具体的には、上記基板を、アルカリ脱脂（ＨＣＦ−４５、アトテック社製）、湯洗い、水洗、酸性脱脂（ＨＣＦ−４５、アトテック社製）、湯洗、水洗、１０ＶＯＬ％硫酸処理、水洗、プレディップ（プリディップネオガント、アトテック社製）、錯体付着（アクチベーターネオガント８３４コンク、アトテック社製）、水洗の順で処理して、全面にパラジウム錯体を付着させた。その後、塩化銅エッチング液（塩化銅、塩酸）中に浸漬し開口部１６によって露出された導体回路の露出面１４ａのパラジウム錯体を除去した。その後、活性化処理（リデューサーネオガントＷＡ）により、層間樹脂絶縁層１２の表面（開口部１６の内壁面含む）に付着しているＰｄ錯体をパラジウム金属とした。

（１１）次に、図３Ｂに示すように、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解銅めっき水溶液（ＭＦ−３９０、日本マクダーミッド社製）中に、上記パラジウム触媒を付着させた基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層１２の表面（開口部１６の内壁面を含む）に厚さ０．１〜０．３μｍの無電解銅めっき膜２２を形成した。
なお、ここで、導体回路の露出面１４ａ上には、無電解銅めっき膜は形成されなかった。これは、露出面１４ａにはパラジウム触媒が存在しない上に、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解銅めっき液は銅に対して触媒活性を有しないからである。
〔無電解銅めっき条件〕
７５℃の液温度で４分

（１２）次に、図３Ｃに示すように、無電解銅めっき膜２２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト１３を設けた。

（１３）次に、図３Ｄに示すように、めっきレジスト１３を形成した基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト１３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜２３を形成した。
〔電解銅めっき液〕
硫酸 １５０ｇ／Ｌ
硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ
塩素イオン ８ｍｇ／Ｌ
添加剤 ４ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−１）
０．５ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−２）
１ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−３）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ^２
時間 ９０分
温度 ２３℃

（１４）次に、めっきレジスト１３を剥離除去した。続いて、隣接する電解銅めっき膜の間の無電解銅めっき膜２２を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去した。これにより、無電解銅めっき膜２２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜２３とからなる厚さ１８μｍの導体回路１４及び主に電解銅めっき膜２３からなるビア導体１７が形成された（図４Ａ参照）。
以上に説明したように、実施例１では、導体回路の露出面上に無電解銅めっき膜を形成していないので、ビア導体１７は、図１Ｂに示したような構造となった。つまり、露出面１４ａが第１導体回路の電解銅めっき膜からなり、この電解銅めっき膜上にビア導体１７の電解銅めっき膜が形成されている。そして、層間樹脂絶縁層１２の開口部の内壁面上には無電解銅めっき膜が形成されており、その無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が形成されている。
なお、実施例において、導体回路１４のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の最小値は、１０μｍ／１０μｍに設定した。

（１５）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路１４及びビア導体１７の表面を粗化面（図示せず）とした。次いで、上記（６）〜（８）の工程と同様にして開口部１６を有し、その表面を粗化面（図示せず）とした層間樹脂絶縁層１２を形成した（図４Ｂ参照）。

（１６）次に、上記（９）〜（１４）工程で用いた方法と同様の方法を用いて、導体回路１４とビア導体１７とを形成した（図４Ｃ〜図５Ａ参照）。

（１７）次に、図５Ｂに示すように、最外層の層間樹脂絶縁層１２及び導体回路１４上に、市販のソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、市販のソルダーレジスト組成物の層２４′を形成した。

（１８）次に、図５Ｃに示すように、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層２４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、半田バンプ形成用開口２８を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層２４′を硬化させ、半田バンプ形成用開口２８を有するソルダーレジスト層２４（２０μｍ厚）を形成した。

（１９）次に、ソルダーレジスト層２４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口２８に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０^−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド２６とした。

（２０）次に、ソルダーレジスト層２４に形成した半田バンプ形成用開口２８に半田ペーストを印刷し、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ２７を形成し、多層プリント配線板１０を完成した（図５Ｄ参照）。

（第二実施形態）
第二実施形態の多層プリント配線板は、第一実施形態の多層プリント配線板と比較して下記の点で異なる。
即ち、第一実施形態に係る多層プリント配線板では、導体回路及びビア導体を構成している無電解めっき膜が、無電解銅めっき膜であるのに対し、第二実施形態に係る多層プリント配線板では、無電解めっき膜が、無電解ニッケルめっき膜である点で異なる。つまり、導体回路が無電解ニッケルめっき膜と無電解ニッケルめっき膜上の電解銅めっき膜とからなり、ビア導体を構成する層間樹脂絶縁層の開口部の内壁面に形成されている無電解めっき膜が無電解ニッケルめっき膜である。即ち、第二実施形態の多層プリント配線板は、第一実施形態の多層プリント配線板において、無電解銅めっき膜に代えて無電解ニッケル膜を備えたものである。
第二実施形態に係る多層プリント配線板の導体回路及びビア導体が備える上記の構成は、微細な導体回路を形成するのに適している。
これは、多層プリント配線板の製造工程において、独立な導体回路やビア導体を形成するとき、不要な無電解ニッケルめっき膜を除去するのに、ニッケルはエッチングするが、銅は実質的にエッチングしない選択的エッチング液を使用することができるからである。
そうすれば、電解銅めっき膜はエッチングにより除去されないため、予め、電解銅めっき膜の形状を微細にしておくことが可能となる。つまり、微細な導体回路を形成するのに適している。

次に、第二実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を工程順に説明する。
（１）第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（１）及び（２）の工程と同様にして、導体回路を形成した絶縁性基板上に、層間樹脂絶縁層を形成するとともに、この層間樹脂絶縁層に、上記絶縁性基板上の導体回路に到達する開口部を形成する。

（２）次に、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に無電解ニッケルめっき膜を形成する。
ここで、上記開口部によって露出される上記絶縁性基板上の導体回路の露出面上には無電解ニッケルめっき膜を形成しない。
具体的には、まず、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）にはパラジウム触媒（パラジウム金属）が付着し、上記導体回路の露出面上にはパラジウム触媒が付着しない状態に上記パラジウム触媒を付与する。その後、無電解ニッケルめっき処理を行うことより、所定の部分にのみ無電解ニッケルめっき膜を形成する。

上記パラジウム触媒を上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に選択的に付着させる方法としては、第一実施形態と同様の方法を用いることができる。
上記無電解ニッケルめっき膜の厚さは、０．１〜２．０μｍが望ましい。
また、上記無電解ニッケルめっき膜の形成前に、層間樹脂絶縁層の表面を粗化面としておいてもよい。

（３）次に、第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（４）及び（５）の工程と同様の方法を用いて、上記無電解ニッケルめっき膜上にめっきレジストを形成し、さらに、上記無電解ニッケルめっき膜上のめっきレジスト非形成部及び上記導体回路の露出面上に電解銅めっき層を形成する。
その後、第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（６）の工程と同様の方法を用いて、めっきレジストを剥離する。

（４）次に、上記めっきレジストを剥離することより露出した無電解ニッケルめっき膜を除去する。
ここで、無電解ニッケルめっき膜の除去は、ニッケルを選択的にエッチングすることができるエッチング液を用いて行うことが望ましい。
このようなエッチング液を用いてエッチングを行うことにより、めっきレジストを剥離することより露出した不要な無電解ニッケルめっき膜のみを選択的にエッチングすることが可能となる。
また、このようなエッチング液に対しては、電解銅めっき膜は実質的にエッチングされないため、予め、電解銅めっき膜を導体回路の設計値よりも大きく形成しておく必要がない。その結果、微細な導体回路であっても好適に形成することができる。
上記ニッケルを選択的にエッチングすることができるエッチング液としては、例えば、メック社製、メックリムーバー ＮＨ−１８６５等が挙げられる。

このような（２）〜（４）の工程を行うことにより、層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成するとともに、同時にこの導体回路と絶縁性基板上の導体回路とを接続するビア導体を形成することができる。そして、絶縁性基板上の導体回路とビア導体との接続が電解銅めっき膜同士の接続となる。
なお、上記（１）〜（４）の工程では、絶縁性基板が請求項１や請求項４に記載する第１の層間樹脂絶縁層に該当する。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。

（５）さらに、必要に応じて、第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（２）の工程、及び、上記（２）〜（４）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層と導体回路とを形成するとともに、同時にビア導体を形成してもよい。
なお、この（５）の工程を行う場合、形成する層間樹脂絶縁層が、請求項１や請求項４に記載する第２の層間樹脂絶縁層に該当する。

（６）最後に、第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（９）の工程と同様の方法を用いて、ソルダーレジスト層と半田バンプとの形成を行い、多層プリント配線板を完成する。

第二実施形態に係る多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法は、第一実施形態と同様な作用効果を有する。
また、第二実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法では、電解めっき膜間の無電解ニッケルめっき膜の除去は、ニッケルを選択的にエッチングすることができるエッチング液を用いて行うことができるため、微細な導体回路を好適に形成することができる。

以下に実施例を掲げて、第二実施形態について、さらに詳しく説明するが、本発明の実施形態はこれら実施例のみに限定されるものではない。
（実施例２）
実施例１のＢ．多層プリント配線板の製造の（１２）の工程で、無電解銅めっき膜に代えて、下記の方法で無電解ニッケルめっき膜を形成し、さらに、実施例１のＢ．多層プリント配線板の製造の（１５）の工程で、硫酸と過酸化水素との混合液に代えて、ニッケルを選択的にエッチングすることができるエッチング液（メック社製、ＮＰ１８６５）を使用した以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。

上記無電解ニッケルめっき膜の形成は、９０℃のニッケルホウ素浴（上村工業社製、ＫＬＰ ＶＥＲ１）中に、４分間パラジウム触媒を付着させた基板を浸漬することにより行い、１μｍの無電解ニッケルめっき膜を形成した。
また、導体回路１４のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の最小値は、８μｍ／８μｍに設定した。

（その他の実施形態）
既に説明した実施形態では、上記層間樹脂絶縁層の表面（開口部１６の内壁面含む）に形成する無電解めっき膜として、無電解銅めっき膜又は無電解ニッケルめっき膜が採用されている。
しかし、本発明の実施形態において、上記無電解めっき膜は、銅又はニッケルからなるめっき膜に限定されず、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、スズや、これらの合金からなる無電解めっき膜等であればよい。
ただし、上記無電解めっき膜は、無電解銅めっき膜や無電解ニッケル膜が好ましい。
特に、無電解めっき膜が無電解ニッケルめっき膜であって、電解めっき膜が電解銅めっき膜の場合には、既に説明したように、ニッケルを選択的にエッチングするエッチング液を選択することで、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）の小さい微細な導体回路を特に好適に製造することができる。

また、これらの無電解めっき膜を形成した場合には、第二実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法のように、上記無電解めっき膜の不要な部分（めっきレジストを剥離することにより露出する部分）をエッチングする際に、無電解めっき膜を選択的にエッチングするエッチング液を用いることが望ましい。
上記無電解パラジウムめっき膜を選択的にエッチングするエッチング液としては、例えば、メルテックス社製、メルストリップ ＰＤ−３１１０等が挙げられ、上記無電解スズめっき膜を選択的にエッチングするエッチング液としては、例えば、メック社製、メックリムーバーＳ−１８１８Ａ／Ｓ−１８１８Ｂ等が挙げられる。

上記層間樹脂絶縁層を熱硬化性樹脂を用いて形成する場合、上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記層間樹脂絶縁層を感光性樹脂を用いて形成する場合、上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。

また、上記層間樹脂絶縁層の開口部をレーザ処理により形成する場合、上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。
なお、開口部を形成した後には、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。

第一実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（８）の工程や、第二実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の（５）の工程のように、導体回路と層間樹脂絶縁層とをさらに形成する場合、その繰り返し回数は特に限定されず、２回以上であってもよい。
また、第一及び第二実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法では、絶縁性基板の両側の層間樹脂絶縁層の総数は同数であるが、絶縁性基板の両側で総数が異なっていてもよい。

図１Ａは、第一実施形態に係る多層プリント配線板を模式的に示す断面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示した多層プリント配線板の領域ａを示す部分拡大断面図である。 図２Ａ〜図２Ｇは、第一実施形態の多層プリント配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す断面図である。 図３Ａ〜図３Ｄは、第一実施形態の多層プリント配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す断面図である。 図４Ａ〜図４Ｄは、第一実施形態の多層プリント配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す断面図である。 図５Ａ〜図５Ｄは、第一実施形態の多層プリント配線板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１０ 多層プリント配線板
１１ 絶縁性基板
１２ 層間樹脂絶縁層
１３ めっきレジスト
１４ 導体回路
１６ 開口部
１７ ビア導体
１８ 銅箔
１９ スルーホール
２０ 樹脂充填材層
２２ 無電解銅めっき膜
２３ 電解銅めっき膜
２４ ソルダーレジスト層
２６ 半田パッド
２７ 半田バンプ
２８ 半田バンプ形成用開口

Claims (11)

1. 第１の層間樹脂絶縁層と、
   前記第１の層間樹脂絶縁層上に形成されている第１の導体回路と、
   前記第１の層間樹脂絶縁層と前記第１の導体回路との上に形成されていて、前記第１の導体回路に到達する開口部を有する第２の層間樹脂絶縁層と、
   前記第２の層間樹脂絶縁層上に形成されている第２の導体回路と、
   前記開口部内に形成されていて、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを接続するビア導体とからなる多層プリント配線板であって、
   前記ビア導体は、前記開口部の内壁面に形成されている無電解めっき膜と、前記無電解めっき膜上及び前記開口部によって露出される前記第１の導体回路の露出面上に形成されている電解めっき膜とからなり、
   前記第２の導体回路は、前記無電解めっき膜と前記無電解めっき膜上の前記電解めっき膜とからなる
   ことを特徴とする多層プリント配線板。
2. 前記電解めっき膜は銅である請求項１に記載の多層プリント配線板。
3. 前記無電解めっき膜はニッケルである請求項２に記載の多層プリント配線板。
4. 第１の層間樹脂絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の層間樹脂絶縁層上に第１の導体回路を形成する工程と、
   前記第１の層間樹脂絶縁層と前記第１の導体回路との上に、第２の層間樹脂絶縁層を形成する工程と、
   前記第２の層間樹脂絶縁層に、前記第１の導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
   前記第２の層間樹脂絶縁層上に第２の導体回路を形成する工程と、
   前記開口部に、前記第１の導体回路と前記第２の導体回路とを接続するビア導体を形成する工程とからなる多層プリント配線板の製造方法であって、
   前記第２の導体回路は、無電解めっき膜と前記無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなり、
   前記ビア導体は、前記開口部の内壁面に形成されている前記無電解めっき膜と、前記無電解めっき膜上及び前記開口部によって露出される前記第１の導体回路の露出面上に形成されている電解めっき膜とからなる
   ことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
5. 前記第２の導体回路を形成する工程と前記ビア導体を形成する工程とを同時に行う請求項４に記載の多層プリント配線板の製造方法。
6. 前記第２の導体回路を形成する工程、及び、前記ビア導体を形成する工程は、
   前記第２の層間樹脂絶縁層の表面及び前記開口部の内壁面に前記無電解めっき膜を形成する工程と、
   前記無電解めっき膜上及び前記第１の導体回路の露出面上に前記電解めっき膜を形成する工程と
   を有する請求項５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
7. 前記第１の導体回路の露出面上に形成する電解めっき膜は、前記第１の導体回路をシード層として形成する請求項４〜６のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
8. 前記第２の導体回路を形成する工程、及び、前記ビア導体を形成する工程は、
   前記無電解めっき膜を形成した後、前記無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する工程と、
   前記めっきレジスト非形成部の無電解めっき膜上及び前記第１の導体回路の露出面上に電解めっき膜を形成する工程と、
   前記めっきレジストを剥離する工程と、
   前記めっきレジストを剥離することで露出した無電解めっき膜を除去する工程とを有する請求項５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
9. 前記無電解めっき膜の除去は、エッチング液を用いたエッチングにより行う請求項８に記載の多層プリント配線板の製造方法。
10. 前記電解めっき膜は、前記エッチング液により実質的にエッチングされない請求項９に記載の多層プリント配線板の製造方法。
11. 前記無電解めっき膜はニッケルからなり、前記電解めっき膜は銅からなる請求項１０に記載の多層プリント配線板の製造方法。

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