JP2000212793A - 電解めっきの前処理方法 - Google Patents
電解めっきの前処理方法Info
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Abstract
を効率的に、しかも強固にめっき可能とする。 【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを添加し、得
られた高分子成形品にレーザを照射する。
Description
理方法に関するものである。
解めっきを施す場合、工程数が非常に多く(15工
程)、生産性、コスト面等で問題がある。
電解めっき膜を形成できる方法が望まれている。
ると、このレーザ照射領域が導電化することが判明して
いる。したがって、このレーザ照射により導電パターン
を形成できれば、工程数が2となり、前記問題の解決が
期待できる。
ーザ照射による方法では、次のような問題点があり採用
されるに至っていないのが現状である。
した場合、照射領域(特定箇所)の周囲が導電化し、パ
ターン制御性が得られないという不具合を有する。この
ため、低フルーエンスで行う必要があるが、それでは導
電性が不十分となり、電解めっき膜の形成が困難とな
る。したがって、レーザの照射回数を増大させる必要が
生じ、作業性が悪化する。具体的に、レーザを、0.0
4J/cm2/1パルスの低フルーエンスで照射した場
合、十分な導電性を得るための照射回数は1000パル
ス以上である。
場合、照射領域の表面粗さが小さくなり、形成しためっ
きが剥離しやすい。
しかも強固にめっき可能とする電解めっきの前処理方法
を提供することを課題とする。
射により成形品の表面が導電化する原因が、アブレーシ
ョンにより発生する除去飛散物(以下、デブリーと記載
する。)が主要因であることを突き止めた。そして、前
記デブリーは、成形品に無機フィラーを含有させること
により飛散しにくくできることを見出した。
として、電解めっきの前処理方法を、高分子材料に無機
フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザを照
射するようにしたものである。
が、高フルーエンス照射時の導電性の高いデブリーの照
射領域以外への飛散を防止する。したがって、レーザ照
射領域に所望の導電パターンを形成することができ、こ
の導電パターンに電解めっき膜を形成することが可能と
なる。
前処理方法の実施形態を説明する。
材料に無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品に
レーザを照射するだけでよい。
マ(LCP:Liquid Crystal Polymer)、ポリエーテル
スルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネ
ート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン
(ABS)、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホ
ン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹
脂等が使用可能である。
ー、セラミックス粒子等が挙げられ、その高分子材料に
対する添加量は10〜50重量%とすると、より一層デ
ブリーの飛散を抑制することが可能となり、パターン分
解能を向上させることができる。
ザ(波長λ=193〜351nm)、YAG第2高調波
(波長λ=532nm)、YAG第3高調波(波長λ=
355nm)、Arイオンレーザ(λ=457.9〜5
14.5nm)等の波長が600nm以下のものであれ
ば使用できる。
総計を10〜500J/cm2とすると、レーザ照射領域
の導電性を電解めっき膜の形成に適した状態とすること
が可能となる。
ンス(単位パルスの単位面積当たりのエネルギー:J/
cm2/1パルス)及び照射回数が、レーザ照射領域で
電解めっきに適した導電性となるように設定するのがよ
い。具体的には、レーザのフルーエンス及び照射回数
が、図1に示すグラフの領域A内のいずれかの値となる
ように設定すればよい。また、無機フィラーを添加する
と、無機フィラーは高分子材料に比べて加工されにくい
ために残留し、レーザ照射領域にさらに大きな凹凸を形
成することができるので、電解めっき膜を形成した場
合、より一層その密着性を高めることが可能となる。
高分子材料に無機フィラーを添加しているので、成形品
のレーザ照射領域のみを導電化することができる。した
がって、電解めっきを行うと、レーザ照射領域のみに電
解めっき膜を形成することが可能である。なお、前処理
段階で化学物質を一切使用せず、無電解めっき時には硫
酸銅溶液を使用するだけであるため、環境上も好まし
い。
を、実施例によりさらに詳細に説明する。
添加しないLCPを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、KrF
エキシマレーザ(波長λ=248nm)を、フルーエン
ス0.04J/cm2/1パルス、照射回数200パル
ス、発振周波数20Hzにより、大気中で照射した。続
いて、前記成形品を、硫酸銅浴中に1時間浸漬して電解
めっきを施した。この場合、レーザ照射領域には電解め
っき膜は得られなかった。これは、フルーエンスが小さ
いため、前記照射回数では十分な導電パターンを形成す
ることができなかったためと考えられる。
添加しないLCPを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、KrF
エキシマレーザを、フルーエンス0.04J/cm2/
1パルス、照射回数1000パルス、発振周波数20H
zにより、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、
硫酸銅浴中に1時間浸漬して電解めっきを施した。この
場合、レーザ照射領域には電解めっき膜を形成すること
ができたが、前述のように、フルーエンスを小さく抑え
て照射回数を多くする必要があり、導電パターンの形成
に長時間を要するので、実用的ではない。
用し、これに、無機フィラーとして、直径φ10μmの
ガラスフィラーを40重量%添加した。そして、この材
料を射出成形し、得られた成形品の表面に、KrFエキ
シマレーザを、フルーエンス0.2J/cm2/1パル
ス、照射回数200パルス、発振周波数20Hzによ
り、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、硫酸銅
浴中に1時間浸漬した。これにより、レーザ照射領域
に、短時間で電解めっき膜を形成することができた。
に係る電解めっきの前処理方法によれば、高分子材料に
無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザ
を照射するようにしたので、発生する導電性を有するデ
ブリーの飛散範囲をレーザ照射領域のみに制限すること
が可能となる。したがって、レーザ照射領域のみを導電
化して電解めっき膜を形成することができ、品質の安定
させて生産性を高めることが可能である。
域の状態を示すグラフである。
Claims (8)
- 【請求項1】 高分子材料に無機フィラーを添加し、得
られた高分子成形品にレーザを照射することを特徴とす
る電解めっきの前処理方法。 - 【請求項2】 前記レーザの波長は、600nm以下で
あることを特徴とする請求項1に記載の電解めっきの前
処理方法。 - 【請求項3】 前記レーザのフルーエンスは、0.1〜
0.5J/cm2/1パルスであることを特徴とする請
求項1又は2に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項4】 前記レーザによる投入エネルギーの総計
が10〜500J/cm2であることを特徴とする請求項
1ないし3のいずれか1項に記載の電解めっきの前処理
方法。 - 【請求項5】 前記レーザを、フルーエンス及び照射回
数が、レーザ照射領域で電解めっきに適した導電性とな
るように照射することを特徴とする請求項1ないし4の
いずれか1項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項6】 前記無機フィラーはガラスフィラー又は
セラミック粒子であることを特徴とする請求項1ないし
5のいずれか1項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項7】 前記無機フィラーは10〜50重量%添
加することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1
項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項8】 前記高分子材料は、LCP、ポリエーテ
ルスルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ABS、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、
これらの複合樹脂であることを特徴とする請求項1ない
し7のいずれか1項に記載の電解めっきの前処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01171699A JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP01171699A JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000212793A true JP2000212793A (ja) | 2000-08-02 |
JP3498134B2 JP3498134B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=11785778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01171699A Expired - Lifetime JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3498134B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
US7586047B2 (en) * | 2004-01-14 | 2009-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing patterned porous molded product or nonwoven fabric, and electric circuit component |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP01171699A patent/JP3498134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226777A (ja) * | 2001-03-02 | 2001-08-21 | Omron Corp | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
WO2002070780A1 (fr) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Omron Corporation | Procede servant a plaquer un materiau de moulage polymere, element constituant un circuit et procede servant a fabriquer cet element |
EP1371754A1 (en) * | 2001-03-02 | 2003-12-17 | Omron Corporation | Method for plating polymer molding material, circuit forming component and method for producing circuit forming component |
EP1371754A4 (en) * | 2001-03-02 | 2007-07-11 | Omron Tateisi Electronics Co | METHOD FOR PLATING POLYMER MOLDING, CIRCUIT-FORMING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE CIRCUIT-FORMING COMPONENT |
US7288287B2 (en) | 2001-03-02 | 2007-10-30 | Omron Corporation | Circuit formation part and manufacturing method for this circuit formation part |
US7586047B2 (en) * | 2004-01-14 | 2009-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing patterned porous molded product or nonwoven fabric, and electric circuit component |
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JP3498134B2 (ja) | 2004-02-16 |
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