JP3013105B2 - 高分子微小エレメントを含む高分子基材 - Google Patents
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- Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
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- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
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Description
材(polymeric substrate)、特に半導体デバイス(dev
ice)のような材料を研磨する際に用いる製品に関す
る。
びその他の作業に用いられる従来の高分子基材又は研磨
パッドは、基質材料の選択に影響する様々な作業条件に
さらされる。例えば、研磨されている加工品の性質、研
磨速度ならびに圧力における変動、研磨作業の間に生ず
る温度上昇、および作業に用いる研磨スラリーの性質が
基材の選択に影響を与える。
および最終パッド製品の切断と成形の不正確な制御に起
因する、品質のばらつきを有する。従って、研磨されて
いる加工品に与えられる表面品質、原料除去率および平
坦化率のような研磨特性がパッドバッチ間で特に大きく
変動する。
均一な物理的性質を有する多重積層(multilayer lamin
ations)又は複層基材(stratified substrates)から
形成されている。半導体デバイスを研磨するため広く用
いられる典型的な複層パッドの例は、ポリテックス ス
ープリーム(politex Supreme)パッドで、デラウェア
州ニューアークのロデール社(Rodel Incorporated)か
ら市販されている。典型的なポリテックス スープリー
ム パッドはポリエステルフェルトから成る1mmから2mm
厚の堅固であるが弾力性のある多孔質底部層とポリウレ
タン結合材を含む数層から構成されている。約0.05mmか
ら0.3mm厚の海綿状で弾力性のある微小多孔質ウレタン
層が底部層の上に積層されている。頂部層は垂直方向
の、傾斜の付いた細孔を有し、細孔の傾斜がパッドの頂
部に向かって狭くなっている垂直ウレタン構造(vertic
al urethane structures)から構成されている。頂部層
は極めて柔らかく、多孔質で弾力性がある。典型的な研
磨作業では、このような複層パッドの頂部層が急速に磨
耗する。頂部層が磨耗して後続の層が露出するにつれ、
パッドの研磨特性が変化して不均一な研磨率をもたら
し、加工品表面における均質でない研磨特性を生ずる。
表面を有する。パッドの「ミクロサイズの溝(microtex
ture)」は製造後にできるパッドに本質的な微小で大量
の溝である。従来のパッドの静的形態又はミクロサイズ
の大量の溝に影響する要因の中には波形、穴、皺、隆
起、裂け目、凹み、突起及び間隙のような作業面の性質
又は溝、ならびに個別の模様(features)又は加工構造
(artifacts)のサイズ、形状、および分布、頻度又は
間隔がある。典型的な研磨パッドにおいては、パッドの
ミクロサイズの溝が殆どランダムで、製造工程に固有な
要素の結果である。製造工程における多数の変動要素の
故に、細孔サイズ、形状および分布のような変動要素を
制御する試みは数えるほどしか行われていない。パッド
の溝に影響する可能性がある他の特性には、一寸挙げる
だけでも硬さ、弾力性、厚さ、浸透性および抵抗力があ
る。
は、パッド上にレーザの使用又はパッド材料中に空気や
ガスを混入することで得られる中間サイズの溝の付いた
加工構造がある。
ち、大型サイズの溝が付いた加工構造は、パッドの作業
面に例えば浮き彫り、薄膜削り、孔あけまたは機械加
工、およびそれらのすべてを施すことで作れる。従来の
研磨パッドでは、個別のマクロサイズの溝加工構造又は
模様の間隔あるいはサイズ、ないしその双方は一般的に
5mm以上である。これら加工構造の間隔およびサイズは
極めて規則的であり、反復的である。
ン、酸化アルミニウム、炭化バリウム、ガラス粉末と繊
維、挂藻土、べんがら(rouge)、炭化カルシウム、ダ
イヤモンド、および炭素のような種々の固形粒子を含む
場合がある。典型的に、このような粒子の機械的混合と
配分がこれまで十分に調整されていなかった。
よび他の作業用の基材を得ることが望ましい。基材の表
面がそれ自体で再生し、表面が加工品の接触するにつれ
て大きく変化しない高分子基材を得ることも望ましい。
マイクロ規模で一連の硬度変化を有し、研磨作業の間に
滓(廃液、研磨粉等)を除去する助けとするためミニ又
はマクロ規模で溝が付けられる研磨基材も利点があると
思われる。
と共に使用される加工品の表面を変える製品である。本
製品は複数の高分子微小エレメント(それ自体は実質的
に加工品の表面を研磨しないもの、以下同じ)が含浸さ
れた高分子マトリックス(polymeric matrix)から成
る。各高分子微小エレメントは大気圧より大きい圧力の
ガスを含む空隙スペースを有する。本製品は作業面およ
び作業面に隣接する副表面を有する。本製品が作業環境
(working environment)に接する時、製品の作業面に
おける高分子微小エレメントは開口し副表面に埋め込ま
れた高分子微小エレメントよりも硬さが減じる。
加工品の表面を変える製品である。本製品は複数の高分
子微小エレメントが含浸された高分子マトリックスから
成る。各高分子微小エレメントは大気圧より大きい圧力
のガスを含む空隙スペースを有する。本製品は凹凸化
(texturized)した作業面およびこの作業面に隣接する
副表面を有する。本製品が作業環境に接する時、製品の
作業面における高分子微小エレメントは開口し、副表面
に埋め込まれた高分子微小エレメントよりも硬さが減じ
る。
に下記の好ましい実施例の詳細な説明がより良く理解さ
れると思われる。本発明を説明する目的で、ここに好ま
しい実施例が図示されているが、本発明は開示されてい
る特定の方法および手段に限定されないことは明らかで
ある。
って、製品作業面における微小エレメントが作業環境に
接した時に膨張した状態を示す。
間距離の関数としての平坦化率のグラフ。
更態様の概略線図。
図。
変更態様の概略線図。
図。
ニサイズの溝付きパッドの変更態様。
しての比重を示す棒グラフ。
メントのシェルの一部をポメルゲート(pommelgate)し
て突き刺すデバイスの概略線図である。
様のエレメントを示しているが、図1−3、5−9およ
び11に10、110、210、310および410の記号が付された、
本発明に関する製品の実施例が示されている。
ことが好ましく、図5および7で最も良く示されてい
る。当業者は、このパッド12は、必要に応じて例えばほ
ぼ方形、長方形あるいは任意の適切な形状とすることが
できるとわかるであろう。
ス、シリコンデバイス、クリスタル、ガラス、セラミッ
ク、高分子可塑材料、金属、石又は他の表面に所望の表
面仕上げを施すために使用される研磨作業の基材として
用いることができる。本発明の製品10等から成る研磨パ
ッド12は、当業者に周知で、市販で容易に入手できる潤
滑油、冷却剤および種々の研磨スラリーと共に用いるこ
とができる。このようなスラリーの典型的な成分には、
水やオイルのような液体媒体、酸化アルミニウム、炭化
シリコン、二酸化シリコン、酸化セリウムおよびガーネ
ットのような研磨剤、塩基、酸、塩、界面活性剤、また
は、加工品の性質による他の薬剤、あるいはこれらの組
み合わせが含まれる。
化、研磨又は成形のような研磨作業により加工品(図示
せず)の表面(同じく図示せず)を変えるのに有用であ
る。研磨される加工品は好ましくは、例えば水晶、シリ
コン、ガラス、電子および光学基板ならびに高密度多層
電子デバイスのような裂けやすい物質から成るものとす
る。加工品は、ポリシリコン、熱酸化膜、および金属材
料の多重層から成る半導体デバイス(図示せず)であ
り、各層は、その上にそれに続く層が付着される前に平
坦化される。
くは研磨および平坦化作業で典型的に用いられる水性流
体スラリーを通さない高分子マトリックス14から成る。
高分子マトリックス14はウレタン、メラミン、ポリエス
テル、ポリスルフォン、ポリビニールアセテート、弗化
炭化水素等、ならびにこれらの類似物、混合物、共重合
体とグラフトから形成できる。当業者は研磨作業の間に
おける研削磨耗に対して十分な靭性と剛性を備える他の
任意の高分子も、本発明の精神と範囲に合致する形で使
用可能であることを理解するものと思われる。現在のと
ころ好ましい形として、高分子マトリックス14はウレタ
ン重合体から成る。ウレタン重合体は好ましくはコネチ
カット州ミドルベリーのユニローヤル ケミカル社(Un
iroyal Chemical Co.)から市販で入手できるアジプレ
ン(Adiprene)種の生成物のようなポリエーテル系ウレ
タンプレポリマー(polyether−based liquid urethan
e)から形成される。好ましいウレタンプレポリマー(l
iquid urethane)は重量比で約9から9.3%のイソシア
ネート基(free isocyanate)を含有する。他のイソシ
アネートを帯びる生成物およびプリポリマーも本発明の
精神と範囲に合致する形で使用可能である。
アミン、トリアミン又はウレタン/尿素橋かけ網目中に
存在するヒドロキシル/アミンのような多官能ヒドロキ
シル化合物又は混合官能性化合物と反応して尿素化学結
合および硬化/橋かけ重合体網目の形成を可能にするも
のであるものとする。現在のところ好ましいものとし
て、ウレタンプレポリマーは、ミシガン州アドリアンの
アンダーソン デベロップメント社(Anderson Develop
ment Co.)から生成物「Curene 442」として市販で入
手できる、4,4′−メチレン−ビス〔2−クロロアニリ
ン(chloroaniline)〕(「MOCA」)と反応している。
14には複数の高分子微小エレメント16が含浸されてい
る。好ましくは、少なくとも一部の高分子微小エレメン
トが全体的に柔軟であるものとする。適切な高分子微小
エレメントには無機塩、砂糖と水溶性ガムおよび樹脂が
含まれる。このような高分子微小エレメントの例には、
ポリビニールアルコール、ペクチン、ポリビニールピロ
リドン(Polyvinyl pyrrolidone)、ハイドロキシエチ
ルセルローズ(hydroxyethylcellulose)、メチルセル
ローズ、ハイドロプロピルメチルセルローズ(hydropro
pylmethylcellulose)、カーボキシメチルセルローズ
(carboxymethylcelulose)、ハイドロキシプロピルセ
ルローズ(hydroxypropylcellulose)、ポリアクリル酸
(polydcrylic acids)、ポリアクリルアミド(polyacr
yl amides)、ポリエチレングリコール(polyethylene
glycols)、ポリハイドロキシエーテルアクリライト(p
olyhydroxyetheracrylites)、澱粉、マレイン酸共重合
体(maleic acid copolymers)、ポリエチレンオキシド
(polyethylene oxide)、ポリウレタン(polyurethane
s)、およびそれらの組み合わせが含まれる。微小エレ
メント16は化学的に例えば分岐、ブロッキング、および
橋かけにより可溶性、膨張力および他の特性を変えるよ
うに変性できる。
ト16の各々は約150μm以下の平均直径を有し、さらに
好ましくは、約10μmの平均直径を有するものとする。
当業者は、微小エレメントの平均直径は変わる可能性が
あること、および同じ又は異なるサイズの微小エレメン
ト16或いは異なる微小エレメント16の混合物を必要に応
じて高分子マトリックス14に含浸できることを理解でき
よう。
ト16の各々は約1μmから約100μmの間隔を置くもの
とする。好ましくは、高分子微小エレメント16は実質的
に高分子マトリックス14の全体にわたって高剪断混合に
より均等に配分されるものとする。その結果生じた複合
混合物が反応ウレタン重合体の粘度が微小エレメントの
高分子混合物との十分な調合を可能にするには大きくな
り過ぎる前に従来のモールドに移される。当業者は、種
々の熱硬化性プラスチック及び硬化剤により異なる温度
で低粘度領域(window)が変化する可能性があることを
理解できよう。この結果生じた混合物はモールド中で約
15分にわたってゲル化される。ゲル化時間は温度、並び
に高分子マトリックス及び微小エレメントの選択のよう
な要因に基づき変化することがある。混合物は次いで約
200〜225゜Fで約4−6時間にわたって硬化され、室温
(約70゜F)まで冷却される。硬化温度は要因の中で特
に高分子マトリックスおよび用いられる微小エレメント
のタイプによって変化し得る。
断、薄切り等の作業で所望の厚さにされ、次いで整形さ
れて研磨パッド12を形成する。当業者は、成形された混
合物が切断、薄切りその他の作業で本発明に従い必要に
応じて任意の厚さ又は形状に加工され得ることを理解で
きよう。
分子微小エレメント16の形状が図1で示されるように、
全体的に球状となることがある。好ましくは、このよう
な微小球体は中空で、各球体が約0.1μmの厚さを持つ
シェルを有するものとする。
ント16はその中に空隙スペース22を有する。少なくとも
いくつかの高分子微小エレメント16は、好ましくは、図
3で最も良く示されるように、その中に複数の空隙スペ
ース22を有する。各空隙スペース22が全体的に大気圧よ
り高い圧力のガスを含み、高分子マトリクッス14の作業
面18および副表面24の双方で、微小エレメント16′、16
それぞれの構造的保全の維持を助けるようにしている。
に、浸透可能又は孔明け可能のシェル20を有することが
でき、それにより微小エレメント16′内の空隙スペース
22が作業環境に対して開口する。
施例において、作業面18に位置する少なくとも一部の高
分子微小エレメント16′が作業環境(図示せず)又は研
磨スラリーと接触すると軟化する。例えば、メチルセル
ローズのような水溶性セルローズエーテルは水性研磨ス
ラリーの水分と接触するや否や溶解する。
において、作業面18に位置する少なくとも一部の高分子
微小エレメント16′が作業環境と接触すると直ちに膨張
する。例えば、長連鎖セルローズエーテルは水性研磨ス
ラリーの水分と接触するや否や膨張する。
面18およびそれに隣接する副表面24を有する。好ましく
は、作業面18は約5μmから約60μmの厚さとする。製
品10の厚さは作業面18の主要平面(図示せず)に対して
総体的に垂直な方向で好ましくは約300μmと約400μm
の間にあるものとする。
品10の作業面18における高分子微小エレメント16′が開
口して副表面24に埋め込まれた高分子微小エレメント16
よりも硬さが減じることにある。さらに、硬さが減じた
高分子微小エレメント16′は硬さが減じた微小エレメン
トを取り巻く高分子マトリックス14の一部分15に対する
支持力が減り、それにより高分子マトリックスのその周
囲部分15の有効硬度を減ずる。従って、作業面18が全体
的に副表面24より柔らかい状態で、少なくとも2つのレ
ベルの硬度が製品10で作られる。
接触によるような形で製品の作業面18が磨耗するにつ
れ、作業面18に直接隣接する副表面24が新しい作業面と
なり、2つの硬度レベルが継続的に再生され、このこと
が加工品のより均一で一貫した研磨およびパッド12のよ
り均一な磨滅を可能にすることにある。
を付けない例を参照して以下に説明される。
ーヤル アジプレンL−325(Uniroyal Adiprene L−32
5)ポリエーテル系ウレタンプレポリマーを768gの「Cur
ene 442」(4,4′−メチレン−ビス〔2−クロロアニ
リン〕「MOCA」)と混合することで調整された。この温
度で、ウレタン/多官能アミン混合物は約2.5分のポッ
トライフ(pot life))(「低粘度領域」)を有する。
含む空隙スペースを有するエクスパンセル 551DE(Exp
ancel 551 DE)中空高分子微小球体69gが、高分子混合
物とロデール社(Rodel Inc.)の高速剪断調合および混
合装置を用いて微小球体を高分子混合物中に全体的に均
一に配分するため3450rpmで調合され、混合物が低粘度
領域の間に従来のモールドに移され、ゲル化のため15分
間放置された。
n Corporation)から市販で入手できるような、硬化オ
ーブン内に置かれた。混合物はオーブンで約200゜Fにお
いて約5時間にわたり硬化された。硬化後にオーブンへ
の電力が遮断され、成形された製品10の温度が約70゜F
(室温)になるまで混合物がオーブンで約4−6時間に
わたって放冷された。成形製品は次いで研磨パッドを形
成するために切断された。その結果生じた研磨パッド12
の微小球体間の平均距離は約75μmと約300μmの間に
あると思われる。
プを有する典型的な半導体デバイスを平坦化するためパ
ッドが用いられた時、平坦化率(μm-1)はエクスパン
セル(Expancel)微小球体が埋め込まれた20ミル厚のウ
レタンパッド(四角の記号で示す)について、微小球体
を持たない同様のウレタンパッド(丸の記号で示す)の
4倍大きい。換言すれば、図4は本発明に従う微小エレ
メントが埋め込まれたウレタンパッドを用いると、微小
エレメントを持たないウレタンパッドの4倍早くデバイ
スが平坦化されることを示す。
球体の流量が増加するにつれて減少する。一般的に、パ
ッドの比重が約0.75から約0.8であることが好ましい
が、これはエクスパンセル(Expancel)微小球体の流量
毎分約53gに相当する。
品10の作業面18はさらに凹面および/又は凸面部分又は
加工構造28を備えるミニ又はマクロサイズのパターン又
は溝26を設けることができる。溝26は作業面18の少なく
とも一部分に作業面18を機械加工、浮彫り、ターニン
グ、研磨、模写およびレーザ加工のような機械的溝付け
法により形成できる。当業者は、溝26が例えばエッチン
グのような種々の他の機械的又は化学的方法により形成
できることを理解できよう。
上の表面を露出して研磨の間における滓の除去を容易に
することができる。これに加えて、作業面18の溝付けは
微小エレメント16′が作業環境に対して露出する数を増
やすことで研磨作用を強化する。溝26は必要に応じて様
々のパターン、輪郭、溝、渦巻き、半径、ドット、又は
他の任意の形状で形成できる。パッド12の作業面18を溝
付けすることは、微小規模で一連の硬度変化を付けるこ
とになる。例えば、加工構造28は、より硬い副表面24に
加えて硬いコアと柔らかい外表面を持つ円錐又は穂先を
形成するように成形できる。
距離で間隔をあけ、約1mmと約10mmとの間の深さを有す
る。一般的に、加工構造28が第1の寸法(first dimens
ion)で高分子微小エレメント16の平均直径の約1000倍
よりも小さい長さを有することが好ましい。加工構造28
が高分子微小エレメント16の平均直径の約2000倍よりも
小さい深さを有することも好ましい。
00μmと5mmの間の幅を有する加工構造を28を含むミニ
サイズの溝を備えることができる。図5と6で示される
ミニサイズの溝は偏心円パターンであるものの、当業者
はミニサイズの溝が上述したものを含む渦巻きその他の
パターンとなり得ることを理解できよう。
各々が約5mmより大きい幅を有する加工構造28を含むマ
クロサイズの溝を備えることができる。図7と8で示さ
れるように、ミニサイズの溝は全体的に方形の格子であ
るものの、当業者はミニサイズの溝が必要に応じて上述
したものを含む任意のパターンで形成できることを理解
できよう。
ーニング、研磨、模写およびレーザ加工のような典型的
機械加工法および当業者に周知の様々な他の方法により
形成できる。
方形格子パターンそれぞれを、旋盤又はフライス盤の回
転板に真空装着された作業面18の上に重ね合わせること
により、図5から8の示す作業面18が切削された。組合
せ切削工具(ganged cutting tools)あるいはぎざぎざ
歯(serrated teeths)が定間隔に付けられた特注切削
コーム(combs)を有する従来のフライス盤が、作業面1
8を所望のパターンに加工するのに用いられた。
ズの溝が研磨パッドに付けられて1.397mm(0.055″)の
ピッチを有する溝を形成し、それぞれの溝は0.356mm
(0.014″)の深さを有する。溝の形状は図6に示され
るように、パッドの内径に向かって60度の傾斜を持つの
こ歯ねじ形状(buttress thread)である。
は、水平フライス盤上で加工されて、幅0.813(0.03
2″)および深さ0.635mm(0.025″)の溝を持つ複数の
方形を作り、この溝によって6.35mm(0.025″)の加工
構造28が定められる。
レーザの使用により生じた、約1000μmと5mmの間にあ
る幅を有する加工構造28を含むミニサイズの溝を備える
こともできる。好ましくは、ミクロサイズの溝は作業面
18上の砕片パターンの形状で作られるものとする。ここ
で定義する「砕片パターン(fractal Pattern)」と
は、加工構造が相互に異らう反復加工構造を有する反復
パターンを意味する。砕片パターンは、コッホ アイラ
ンド アンド レイク(Koch Island & Lake)砕片パ
ターンのゴスパーアイランド(Gosper Island)変形
(「Gosper pattern」)(図9に示される)のような確
定的又は非確定的数学的式(mathematical formulas)
により作ることができる。適切な砕片モデルには円形、
球形およびスイスチーズ トレマス(tremas)がふくま
れるものの、当業者は必要に応じて本発明に従い他の適
切な砕片パターンが使用できることを理解できよう。好
ましくは、砕片パターンは雑然とした(chaotic)又は
ランダムな形とする。
溝は100ワットの連続波出力を有する典型的な炭酸ガス
レーザを用いて研磨パッド12に加工された。電力定格、
出力およびビーム焦点は約0.458mm(0.018″)の深さと
約0.127mm(0.005″)以下の幅を持つ溝を切削するよう
に選択された。ミニサイズの溝は上述したコッホアイラ
ンド アンド レイク(Koch Island & Lake)砕片パ
ターンのゴスパー アイランド(Gosper Island)変形
であった。砕片パターン像はレーザビームの動きを制御
してパッド12の作業面18に砕片パターンを形成する従来
のコンピューターの数値制御装置へ電子的に読み込ま
れ、プログラムされた。気体痕の蓄積を防ぐために、接
着遮蔽物(adhesive mask)がパッド上に置かれた。こ
の接着遮蔽物は同時に、溝の縁に溶着する付随マイナー
(attendant minor)も減少させた。
成するために、隔離「メサ(mesa)」パターンを作業面
18に浮き彫りすることができる。例えば、従来の30トン
プレス機を用いて約25トンの圧力を加え、パッド12の作
業面18にミニサイズの溝を浮き彫りすることが出来る。
浮き彫り硬化を強化するため、熱を加えることができ
る。
の表面を平坦化する方法が一般的に以下で説明される。
クス14を備える製品10又は110を設ける初期段階を具備
する。高分子マトリックス14は複数の高分子微小エレメ
ント16が含浸されている。高分子マトリックス14を設
け、マトリックス14に微小エレメント16を含浸する段階
の詳細は上述されており、そのこれ以上の論議は不必要
であると考えられ、際限がないと思われる。好ましく
は、製品10又は110の作用面18は溝付けされ、加工構造2
8を形成して拡大された作業面を設け、作業面が全体的
に平坦であれば通常は露出されない微小エレメントを作
業環境に対して露出するものとする。
分を、製品10又は110の作業面18における高分子微小エ
レメント16′が隣接する副表面24に位置する高分子微小
エレメント16よりも硬さが減じるように作業環境に接触
させる段階をさらに具備する。例えば作業面18の近傍に
位置する少なくとも一部の高分子微小エレメント16のシ
ェル20の一部分がその一部分を薄切り、研削、切断およ
び孔明けのうち少なくとも一つの方法により、或いは化
学的にシェル20の一部分を変化又は軟化することにより
開口され、作業面18の高分子微小エレメント16′の一部
分を副表面24に位置する微小エレメント16より硬さが減
ずるようにする。どのようにして作業面18における高分
子エレメント16′の硬さが減らせ得るかに関する詳細は
上述されており、そのこれ以上の議論は不必要であると
考えられ、際限がないと思われる。
図示せず)を製品の作業面18の少なくとも一部分に、半
導体デバイスの表面が十分に平坦化されるように接触さ
れる段階をさらに具備する。製品10又は研磨パッド12は
当業者に周知のような従来の研磨機に取り付けられる。
好ましくは、作業面18は平坦化される半導体デバイスの
表面に全体的に平行に向けられ、例えば、必要に応じて
半導体デバイスの表面を平坦化又は研削するように直線
又は円形の摺動接触で動かされるものとする。
接触で研削されるにつれ、副表面24の一部分が露出さ
れ、副表面24の微小エレメント16が研削されるか又は科
学的な変化を受けるか、或いは軟化されて前に研削され
た作業面に類似する物理的特性を有する新しい作業面18
を形成する。従って、半導体デバイスの表面と接触する
作業面18が実質的に連続して再生され、半導体デバイス
の表面に終始一貫した平坦化又は研磨作用を及ぼす。
に以下で説明される。
る製品410又はパッド12を設け、マトリックス14に複数
の高分子微小エレメント16を含浸する初期段階を具備す
る。製品10を形成する段階の詳細は上述されており、そ
のこれ以上の論議は不必要であると考えられ、際限がな
いと思われる。
高分子微小エレメント16のシェル20の少なくとも一部分
が、開口した微小エレメント16′が副表面24の微小エレ
メント16より硬さが減ずるように開口する段階をさらに
具備する。高分子微小エレメントを開口する段階は微小
エレメント16のシェル20各々の一部分を薄切り、研削、
切断および孔明けのうち少なくとも一つを備えることが
できる。図11で最も良く示されるように、作業面18にお
ける縮小エレメント16′のシェル20はその一部分が図11
で断面で示されている組み合わせ(combined)ポメルゲ
ーション(pommelgation)および孔明け装置30により孔
明けできる。装置30は作業面18と微小エレメント16に孔
明けするに十分な剛性を有する任意の材料、例えばステ
ンレススチール、アルミニウムその他の金属から形成す
ることができる。装置30は作業面18の近傍に位置する高
分子エレメント16のシェル20の少なくとも一部分に孔を
明ける複数の鋭い工具又は針32を備える。
し過ぎることを防ぐ、少なくとも一つの、好ましくは複
数のパッド34を備える。好ましくは、針32は作業面18に
約60μmの深さで孔を明けるものとするが、当業者は装
置30の孔明け深さが必要に応じて60μmから増減する任
意の深さをとり得ることが理解できよう。例えば、60μ
mより大きな深さに達する作業面18に孔を明けるため、
長い針32を用いることができる。
ント16が開口され、又はパッド12が孔明けされ得ること
が理解できよう。
分子微小エレメント16のシェル20の少なくと一部分が、
作業面18における部分的に変化した高分子微小エレメン
ト16が副表面24に埋め込まれた高分子微小エレメント16
より硬さが減ずるように作業環境により化学的に変化又
は軟化される。例えば、高分子微小エレメント16は水を
含む作業環境に接触した時に少なくとも一部分が溶解す
るメチルセルローズ又は水酸化プロピルメチルセルロー
ズを備える水溶性セルローズエーテルから形成できる。
工品の表面を変化する製品、およびこのような製品の作
業面の一部分に位置する高分子微小エレンメントの有効
剛性を減少し、このような製品の作業面を再生し、さら
に半導体デバイスの表面をこのような製品を利用して平
坦化する方法に使用できることが理解できる。本製品は
基板その他の加工品をより迅速かつ均一に研磨又は平坦
化するため使用できる。
施例に他な改変を加え得ることは当業者により認識され
よう。従って、本発明が開示された特定実施例に限定さ
れず、添付の特許請求の範囲により定義される本発明の
精神と範囲内にあるすべての変更を含有する意図のある
ことが理解される筈である。
Claims (23)
- 【請求項1】研磨スラリーと共に使用される加工品の表
面を変える製品で、前記製品が複数の高分子微小エレメ
ント(それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しないも
の)が含浸された高分子マトリックスから成り、各高分
子微小エレメントが大気圧より大きい圧力のガスを含む
空隙スペースを有し、前記製品が作業面および前記作業
面に隣接する副表面を有するものであって、前記製品が
作業環境に接する時、前記製品の前記作業面における高
分子微小エレメントが開口し、副表面に埋め込まれた高
分子微小エレメントよりも固さが減じるもの。 - 【請求項2】クレームに従う製品において、少なくとも
一部の前記高分子微小エレメントが全体的に柔軟性を有
するもの。 - 【請求項3】クレーム1に従う製品において、前記高分
子微小エレメントが前記高分子マトリックスの全体にわ
たって実質的に均一に配分されているもの。 - 【請求項4】クレーム1に従う製品において、前記高分
子マトリックスがウレタンポリマーから成るもの。 - 【請求項5】クレーム1に従う製品において、前記作業
面に位置する少なくとも一部の前記高分子微小エレメン
トが前記作業環境との接触につれて軟化するもの。 - 【請求項6】クレーム1に従う製品において、前記作業
面に位置する少なくとも一部の前記高分子微小エレメン
トが前記作業環境との接触につれて膨張するもの。 - 【請求項7】クレーム1に従う製品において、少なくと
もいくつかの前記高分子微小エレメントが複数の空隙ス
ペースを有するもの。 - 【請求項8】クレーム1に従う製品において、前記高分
子微小エレメントの各々が約150μm以下の平均直径を
有するもの。 - 【請求項9】クレーム8に従う製品において、前記高分
子微小エレメントの各々の前記平均直径が約10μmであ
るもの。 - 【請求項10】クレーム1に従う製品において、前記高
分子微小エレメントが約1μmから約100μmにわたる
間隔を置いているもの。 - 【請求項11】クレーム1に従う製品において、少なく
とも一部の前記高分子微小エレメントが全体的に球状を
有するもの。 - 【請求項12】クレーム1に従う製品において、少なく
ともいくつかの前記高分子微小エレメントが中空の微小
球体であり、各微小球体が約0.1μmの厚さのシェルを
有するもの。 - 【請求項13】クレーム1に従う製品において、少なく
とも一部の前記高分子微小エレメントが浸透性を持つシ
ェルを有し、それにより前記空隙スペースが前記作業環
境に対して開口されるもの。 - 【請求項14】クレーム1に従う製品において、前記高
分子微小エレメントがポリビニールアルコール、ペクチ
ン、ポリビニールピロリドン(polyvinyl pyrrolidon
e)、ハイドロキシエチルセルローズ(hydroxyethylcel
lulose)、メチルセルローズ、ハイドロプロピルメチル
セルローズ(hydropropylmethylcellulose)、カーボキ
シメチルセルローズ(carboxymethylcellulose)、ハイ
ドロキシプロピルセルローズ(hydroxypropylcellulos
e)、ポリアクリル酸(polyacrylicacids)、ポリアク
リルアミド(polyacrylamides)、ポリエチレングリコ
ール(polyethylene glycols)、ポリハイドロキシエー
テルアクリライト(polyhydroxyetheracrylites)、澱
粉、マレイン酸共重合体(maleic acid copolymers)、
ポリエチレンオキシド(polyethylene oxide)、および
ポリウレタン(polyurethanes)で構成されるグループ
から選択された少なくとも一つの材料から成るもの。 - 【請求項15】クレーム1に従う製品において、前記作
業面の厚さが約5μmから約60μmにわたるもの。 - 【請求項16】クレーム1に従う製品において、前記製
品の厚さが前記作業面の主要平面に対して全体的に垂直
の方向で約300μmと約400μmの間にあるもの。 - 【請求項17】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が約1000μm未満の幅を持つ加工構造を備えるミク
ロサイズの溝をさらに備えるもの。 - 【請求項18】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が約1000μmと約5mmの間の幅を持つ加工構造を備
えるミニサイズの溝をさらに備えるもの。 - 【請求項19】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が約5mmより大きい幅を持つ加工構造を備えるマク
ロサイズの溝をさらに備えるもの。 - 【請求項20】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が複数の加工構造を備える溝で、前記加工構造の各
々が約0.1mmから約10mmの間の間隔を置き、約1mmと約10
mmの間の深さを有するものをさらに備えるもの。 - 【請求項21】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が前記高分子微小エレメントの平均直径の約1000倍
未満の長さを第1の寸法で有する加工構造を持つ溝をさ
らに備えるもの。 - 【請求項22】クレーム1に従う製品において、前記作
業面が前記高分子微小エレメントの平均直径の約2000倍
未満の深さを有する加工構造を備える溝をさらに備える
もの。 - 【請求項23】研磨スラリーと共に使用される、複数の
高分子微小エレメント(それ自体は実質的に加工品の表
面を研磨しないもの)が含浸された高分子マトリックス
から成る加工品の表面を変える製品で、各高分子微小エ
レメントが大気圧より大きい圧力のガスを含む空隙スペ
ースを有し、前記製品が溝の付いた作業面で、加工構造
と前記作業面に隣接する副表面を備えるものを有するも
のであって、前記製品が作業環境に接する時、前記製品
の前記作業面における高分子微小エレメントが開口し、
前記副表面に埋め込まれた高分子微小エレメントよりも
硬さが減じるもの。
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WO (1) | WO1994004599A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7378454B2 (en) | 2001-04-09 | 2008-05-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polyurethane composition and polishing pad |
US7455799B2 (en) | 2001-02-01 | 2008-11-25 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method of producing polishing pad-use polyurethane foam and polyurethane foam |
JP2009248191A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
US8094456B2 (en) | 2006-01-10 | 2012-01-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8148441B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-04-03 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and manufacturing method thereof |
US8304467B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8303372B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8309466B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-11-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8865785B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8993648B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-03-31 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
KR101826335B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2018-02-06 | 김경태 | 소방용 대피장치 |
Families Citing this family (345)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US6069080A (en) * | 1992-08-19 | 2000-05-30 | Rodel Holdings, Inc. | Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like |
JP2894209B2 (ja) * | 1994-06-03 | 1999-05-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ研磨用パッド及び研磨方法 |
EP0692318B1 (en) * | 1994-06-28 | 2001-09-12 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for cleaning workpiece |
US6509084B2 (en) | 1994-07-28 | 2003-01-21 | Custom Plastics Molding, Inc. | Thermoplastic products having antislip surfaces |
US5533923A (en) * | 1995-04-10 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity |
US6099954A (en) | 1995-04-24 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing material and method of polishing a surface |
JP3708167B2 (ja) * | 1995-05-17 | 2005-10-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨布及び該研磨布を備えたポリッシング装置 |
US5605760A (en) * | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
US5840629A (en) * | 1995-12-14 | 1998-11-24 | Sematech, Inc. | Copper chemical mechanical polishing slurry utilizing a chromate oxidant |
US5624303A (en) * | 1996-01-22 | 1997-04-29 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles |
TW349896B (en) * | 1996-05-02 | 1999-01-11 | Applied Materials Inc | Apparatus and chemical mechanical polishing system for polishing a substrate |
US5713968A (en) * | 1996-05-16 | 1998-02-03 | Speedfam Corporation | Abrasive foam grinding composition |
US5893754A (en) * | 1996-05-21 | 1999-04-13 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of stop-on-feature semiconductor wafers |
US5769691A (en) * | 1996-06-14 | 1998-06-23 | Speedfam Corp | Methods and apparatus for the chemical mechanical planarization of electronic devices |
US5866031A (en) * | 1996-06-19 | 1999-02-02 | Sematech, Inc. | Slurry formulation for chemical mechanical polishing of metals |
US5692950A (en) * | 1996-08-08 | 1997-12-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive construction for semiconductor wafer modification |
US5846398A (en) * | 1996-08-23 | 1998-12-08 | Sematech, Inc. | CMP slurry measurement and control technique |
US5972792A (en) * | 1996-10-18 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad |
KR100210840B1 (ko) * | 1996-12-24 | 1999-07-15 | 구본준 | 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치 |
JP4163756B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2008-10-08 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ホトリソグラフィーによって形成された表面パターンを有するポリマー研磨パッド及びこれに関する方法 |
US5938801A (en) * | 1997-02-12 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles |
US6328642B1 (en) | 1997-02-14 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing |
WO1998045087A1 (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-15 | Rodel Holdings, Inc. | Improved polishing pads and methods relating thereto |
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
DE69809265T2 (de) * | 1997-04-18 | 2003-03-27 | Cabot Microelectronics Corp | Polierkissen fur einen halbleitersubstrat |
WO1998049723A1 (en) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer |
US8092707B2 (en) | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
WO1998050201A1 (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-12 | Rodel Holdings, Inc. | Mosaic polishing pads and methods relating thereto |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6273806B1 (en) | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US6111634A (en) * | 1997-05-28 | 2000-08-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing |
US6108091A (en) * | 1997-05-28 | 2000-08-22 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing |
US6146248A (en) * | 1997-05-28 | 2000-11-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher |
US5885312A (en) * | 1997-06-17 | 1999-03-23 | Speedfam Corporation | Grinding composition using abrasive particles on bubbles |
US6224465B1 (en) | 1997-06-26 | 2001-05-01 | Stuart L. Meyer | Methods and apparatus for chemical mechanical planarization using a microreplicated surface |
US6736714B2 (en) | 1997-07-30 | 2004-05-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Polishing silicon wafers |
KR100499601B1 (ko) * | 1997-08-06 | 2005-07-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 개선된 연마용 패드 및 연마 방법 |
US6121143A (en) * | 1997-09-19 | 2000-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification |
US6093651A (en) * | 1997-12-23 | 2000-07-25 | Intel Corporation | Polish pad with non-uniform groove depth to improve wafer polish rate uniformity |
US6139402A (en) | 1997-12-30 | 2000-10-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6780095B1 (en) | 1997-12-30 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6159087A (en) * | 1998-02-11 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | End effector for pad conditioning |
US6068539A (en) | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
US6337280B1 (en) * | 1998-05-11 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing cloth and method of manufacturing semiconductor device using the same |
US7718102B2 (en) * | 1998-06-02 | 2010-05-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Froth and method of producing froth |
US6585574B1 (en) | 1998-06-02 | 2003-07-01 | Brian Lombardo | Polishing pad with reduced moisture absorption |
US6514301B1 (en) | 1998-06-02 | 2003-02-04 | Peripheral Products Inc. | Foam semiconductor polishing belts and pads |
US6117000A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
US6220934B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates |
US6203407B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
US6390890B1 (en) | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
US6206756B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
US6276996B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
US6217422B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Light energy cleaning of polishing pads |
EP1161322A4 (en) * | 1999-01-21 | 2003-09-24 | Rodel Inc | IMPROVED POLISHING CUSHIONS AND RELATED METHODS |
US6413153B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-07-02 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing element including discrete finishing members |
US6641463B1 (en) | 1999-02-06 | 2003-11-04 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing components and elements |
US6283836B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-09-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Non-abrasive conditioning for polishing pads |
US6238592B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication |
US6217426B1 (en) | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
US20040072518A1 (en) * | 1999-04-02 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing |
US6656018B1 (en) * | 1999-04-13 | 2003-12-02 | Freudenberg Nonwovens Limited Partnership | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles |
JP2000344902A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物 |
TWI228522B (en) | 1999-06-04 | 2005-03-01 | Fuji Spinning Co Ltd | Urethane molded products for polishing pad and method for making same |
US6234875B1 (en) | 1999-06-09 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Method of modifying a surface |
US7516536B2 (en) * | 1999-07-08 | 2009-04-14 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Method of producing polishing pad |
US6869343B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-03-22 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Turning tool for grooving polishing pad, apparatus and method of producing polishing pad using the tool, and polishing pad produced by using the tool |
EP1075898A3 (en) * | 1999-08-13 | 2003-11-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Dresser and dressing apparatus |
US6290883B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-09-18 | Lucent Technologies Inc. | Method for making porous CMP article |
US6406363B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Unsupported chemical mechanical polishing belt |
US6299516B1 (en) | 1999-09-28 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing article |
US20020068516A1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-06-06 | Applied Materials, Inc | Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device |
WO2001043920A1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Rodel Holdings, Inc. | Method of manufacturing a polymer or polymer composite polishing pad |
WO2001045899A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Toray Industries, Inc. | Tampon a polir, procede et appareil de polissage |
US6607428B2 (en) | 2000-01-18 | 2003-08-19 | Applied Materials, Inc. | Material for use in carrier and polishing pads |
US6533645B2 (en) | 2000-01-18 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing article |
US6623341B2 (en) | 2000-01-18 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus |
DE10004578C1 (de) * | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante |
US6537144B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
US20030213703A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate polishing |
US6962524B2 (en) | 2000-02-17 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6848970B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Process control in electrochemically assisted planarization |
US20040182721A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-23 | Applied Materials, Inc. | Process control in electro-chemical mechanical polishing |
US7066800B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-06-27 | Applied Materials Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6979248B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-12-27 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US7678245B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for electrochemical mechanical processing |
US6991526B2 (en) * | 2002-09-16 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Control of removal profile in electrochemically assisted CMP |
US7670468B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing |
KR100789663B1 (ko) * | 2000-03-15 | 2007-12-31 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 연마층에 투명 윈도우 부분을 갖는 연마 패드 |
US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
US6561891B2 (en) | 2000-05-23 | 2003-05-13 | Rodel Holdings, Inc. | Eliminating air pockets under a polished pad |
US6749485B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-06-15 | Rodel Holdings, Inc. | Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6736709B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6454634B1 (en) | 2000-05-27 | 2002-09-24 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
JP3925041B2 (ja) | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
US6712681B1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Polishing pads with polymer filled fibrous web, and methods for fabricating and using same |
US6964604B2 (en) * | 2000-06-23 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Fiber embedded polishing pad |
US6500056B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Lam Research Corporation | Linear reciprocating disposable belt polishing method and apparatus |
US6495464B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-17 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool |
JP2002018367A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-22 | Inoac Corp | 真空チャンバー用拭き取り材およびその製造方法 |
EP1294536B1 (en) | 2000-06-30 | 2005-04-20 | Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc. | Base-pad for a polishing pad |
JP2004506337A (ja) | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 金属基板の化学機械平坦化 |
US6652764B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for making and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
US6477926B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US6551176B1 (en) | 2000-10-05 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning disk |
JP2004511108A (ja) | 2000-10-06 | 2004-04-08 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 充填材入り透光性領域を含む研磨パッド |
JP2002190460A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Toshiba Corp | 研磨布、研磨装置および半導体装置の製造方法 |
US6722950B1 (en) | 2000-11-07 | 2004-04-20 | Planar Labs Corporation | Method and apparatus for electrodialytic chemical mechanical polishing and deposition |
US6905526B1 (en) | 2000-11-07 | 2005-06-14 | Planar Labs Corporation | Fabrication of an ion exchange polish pad |
US6773337B1 (en) | 2000-11-07 | 2004-08-10 | Planar Labs Corporation | Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad |
US7059946B1 (en) | 2000-11-29 | 2006-06-13 | Psiloquest Inc. | Compacted polishing pads for improved chemical mechanical polishing longevity |
US6706383B1 (en) | 2001-11-27 | 2004-03-16 | Psiloquest, Inc. | Polishing pad support that improves polishing performance and longevity |
US20050266226A1 (en) * | 2000-11-29 | 2005-12-01 | Psiloquest | Chemical mechanical polishing pad and method for selective metal and barrier polishing |
US6684704B1 (en) | 2002-09-12 | 2004-02-03 | Psiloquest, Inc. | Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance |
EP1211024A3 (en) | 2000-11-30 | 2004-01-02 | JSR Corporation | Polishing method |
CN1224499C (zh) | 2000-12-01 | 2005-10-26 | 东洋橡膠工业株式会社 | 研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层 |
US6896776B2 (en) | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
JP2002192456A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
JP2002192457A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨材組成物及び研磨シート |
US20040143273A1 (en) * | 2000-12-29 | 2004-07-22 | Winitsky Kathleen M. | Microdermabrasive exfoliator |
US6609961B2 (en) | 2001-01-09 | 2003-08-26 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization belt assembly and method of assembly |
KR100497205B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2005-06-23 | 에스케이씨 주식회사 | 마이크로홀이 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
US6828373B2 (en) * | 2001-03-07 | 2004-12-07 | Advanced Ceramics Research, Inc. | Water soluble tooling materials for composite structures |
US6863774B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-03-08 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same |
US20030024169A1 (en) * | 2001-03-28 | 2003-02-06 | Kendall Philip E. | Abrasive articles with water soluble particles |
DE60228784D1 (de) | 2001-04-25 | 2008-10-23 | Jsr Corp | Lichtduchlässiges Polierkissen für eine Halbleiterschleife |
US6837779B2 (en) * | 2001-05-07 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polisher with grooved belt |
US6635211B2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Reinforced polishing pad for linear chemical mechanical polishing and method for forming |
GB0115814D0 (en) * | 2001-06-28 | 2001-08-22 | Arjo Wiggins Fine Papers Ltd | Production of holographic images |
JP2004537175A (ja) * | 2001-08-02 | 2004-12-09 | エスケーシー カンパニー,リミテッド | レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法 |
US6530829B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | CMP pad having isolated pockets of continuous porosity and a method for using such pad |
WO2003030232A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Disque de serrage et d'usinage de pieces, dispositif d'usinage de pieces et procede d'usinage |
JP2003103455A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法 |
US7070480B2 (en) * | 2001-10-11 | 2006-07-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for polishing substrates |
US6685540B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising particles with a solid core and polymeric shell |
US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US6702866B2 (en) | 2002-01-10 | 2004-03-09 | Speedfam-Ipec Corporation | Homogeneous fixed abrasive polishing pad |
US6837983B2 (en) * | 2002-01-22 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes |
US7037184B2 (en) * | 2003-01-22 | 2006-05-02 | Raytech Innovation Solutions, Llc | Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same |
US6852020B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-02-08 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same |
KR100838673B1 (ko) | 2002-05-07 | 2008-06-16 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드용 폴리우레탄 발포체의 제조 방법, 폴리우레탄 발포체, 및 연마 패드용 폴리우레탄 발포체의 제조 장치 |
US6783562B2 (en) | 2002-05-22 | 2004-08-31 | Reemay, Inc. | Nonwoven abrasive composite |
US20040021243A1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-05 | Wen-Chang Shih | Method for manufacturing auxiliary gas-adding polyurethae/polyurethane-urea polishing pad |
US20050061674A1 (en) | 2002-09-16 | 2005-03-24 | Yan Wang | Endpoint compensation in electroprocessing |
US7112270B2 (en) * | 2002-09-16 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Algorithm for real-time process control of electro-polishing |
KR100495404B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2005-06-14 | 한국포리올 주식회사 | 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법 |
US7579071B2 (en) * | 2002-09-17 | 2009-08-25 | Korea Polyol Co., Ltd. | Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same |
US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
JP4039214B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-01-30 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
US6641632B1 (en) * | 2002-11-18 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Polishing compositions and use thereof |
WO2004054779A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-07-01 | Sumitomo Bakelite Company Limited | 研磨用独立発泡体の製造方法、研磨用発泡シート、研磨用積層体と研磨方法、研磨用積層体の製造方法、および溝付き研磨パッド |
JP3910921B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 研磨布および半導体装置の製造方法 |
DE602004008880T2 (de) | 2003-02-18 | 2008-06-26 | Parker-Hannifin Corp., Cleveland | Polierartikel für elektro-chemisches-mechanisches polieren |
US7842169B2 (en) * | 2003-03-04 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for local polishing control |
US20040224622A1 (en) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Jsr Corporation | Polishing pad and production method thereof |
US20040209066A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
JP4292025B2 (ja) | 2003-05-23 | 2009-07-08 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
JP2004358584A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨布及び研磨加工方法 |
US6998166B2 (en) * | 2003-06-17 | 2006-02-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with oriented pore structure |
US7086932B2 (en) | 2004-05-11 | 2006-08-08 | Freudenberg Nonwovens | Polishing pad |
US8316866B2 (en) * | 2003-06-27 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
US20050032464A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Swisher Robert G. | Polishing pad having edge surface treatment |
US7160178B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-01-09 | 3M Innovative Properties Company | In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article |
US20050042976A1 (en) * | 2003-08-22 | 2005-02-24 | International Business Machines Corporation | Low friction planarizing/polishing pads and use thereof |
US20050055885A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Psiloquest | Polishing pad for chemical mechanical polishing |
US7186651B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
US7442116B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-10-28 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing pad |
US7335239B2 (en) * | 2003-11-17 | 2008-02-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical planarization pad |
US7186164B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Processing pad assembly with zone control |
US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US20050171224A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Kulp Mary J. | Polyurethane polishing pad |
US6951509B1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-10-04 | 3M Innovative Properties Company | Undulated pad conditioner and method of using same |
US7195544B2 (en) * | 2004-03-23 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with component-filled pores |
US6986705B2 (en) * | 2004-04-05 | 2006-01-17 | Rimpad Tech Ltd. | Polishing pad and method of making same |
TWI293266B (en) * | 2004-05-05 | 2008-02-11 | Iv Technologies Co Ltd | A single-layer polishing pad and a method of producing the same |
TWI254354B (en) * | 2004-06-29 | 2006-05-01 | Iv Technologies Co Ltd | An inlaid polishing pad and a method of producing the same |
US20060046064A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Dwaine Halberg | Method of improving removal rate of pads |
US7252582B2 (en) * | 2004-08-25 | 2007-08-07 | Jh Rhodes Company, Inc. | Optimized grooving structure for a CMP polishing pad |
WO2006026343A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | J.H. Rhodes, Inc. | Polishing pad and methods of improving pad removal rates and planarization |
US20060046627A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Peter Renteln | Method of improving planarization of urethane polishing pads, and urethane polishing pad produced by the same |
US20060099891A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-11 | Peter Renteln | Method of chemical mechanical polishing, and a pad provided therefore |
CN101010169A (zh) * | 2004-08-30 | 2007-08-01 | 昭和电工株式会社 | 磁盘基底以及磁盘的制造方法 |
DE602005007125D1 (de) | 2004-09-17 | 2008-07-10 | Jsr Corp | Chemisch-mechanisches Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren |
US7275856B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-10-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Apparatus for forming a polishing pad having a reduced striations |
US7396497B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-07-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a polishing pad having reduced striations |
JP4475404B2 (ja) | 2004-10-14 | 2010-06-09 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
US20060089095A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089094A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089093A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060108701A1 (en) * | 2004-11-23 | 2006-05-25 | Saikin Allan H | Method for forming a striation reduced chemical mechanical polishing pad |
US7275928B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-10-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Apparatus for forming a striation reduced chemical mechanical polishing pad |
US7182677B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution |
US7655565B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Electroprocessing profile control |
US8398463B2 (en) * | 2005-03-07 | 2013-03-19 | Rajeev Bajaj | Pad conditioner and method |
KR20060099398A (ko) * | 2005-03-08 | 2006-09-19 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 수계 연마 패드 및 제조 방법 |
TWI261878B (en) * | 2005-04-20 | 2006-09-11 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Method for analyzing effective polishing frequency and times for chemical mechanical planarization polishing wafer with different polishing pad profile |
US20070010175A1 (en) | 2005-07-07 | 2007-01-11 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad and method of producing same |
KR100709392B1 (ko) | 2005-07-20 | 2007-04-20 | 에스케이씨 주식회사 | 액상의 비닐계 모노머가 상호침투 가교된 형태를 갖는폴리우레탄 연마 패드 |
US7494519B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-02-24 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive agglomerate polishing method |
US7169031B1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Self-contained conditioning abrasive article |
WO2007016498A2 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Raytech Composites, Inc. | Nonwoven polishing pads for chemical mechanical polishing |
TWI378844B (en) * | 2005-08-18 | 2012-12-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Polishing pad and method of manufacture |
TW200720017A (en) * | 2005-09-19 | 2007-06-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Water-based polishing pads having improved adhesion properties and methods of manufacture |
US7226345B1 (en) | 2005-12-09 | 2007-06-05 | The Regents Of The University Of California | CMP pad with designed surface features |
US20070141312A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | James David B | Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture |
KR20070070094A (ko) | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법 |
US20090053983A1 (en) | 2006-01-25 | 2009-02-26 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing pad and method for manufacturing same |
US20080057844A1 (en) * | 2006-02-01 | 2008-03-06 | Fred Miekka | Discontinuous Abrasive Surfaces Having Controlled Wear Properties |
US20080020678A1 (en) * | 2006-02-01 | 2008-01-24 | Sierra Madre Marketing Group | Discontinuous Abrasive Particle Releasing Surfaces |
CN101379598B (zh) | 2006-02-03 | 2010-06-23 | Jsr株式会社 | 化学机械研磨垫 |
EP2001811A4 (en) * | 2006-03-30 | 2011-07-06 | Rhodia | MODIFIED SURFACES AND METHOD FOR MODIFYING A SURFACE |
US8192257B2 (en) * | 2006-04-06 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of constant groove depth pads |
US7445847B2 (en) * | 2006-05-25 | 2008-11-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US7169030B1 (en) | 2006-05-25 | 2007-01-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US7422982B2 (en) * | 2006-07-07 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control |
KR100804275B1 (ko) * | 2006-07-24 | 2008-02-18 | 에스케이씨 주식회사 | 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 cmp연마패드 및 그 제조방법 |
US20080063856A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Duong Chau H | Water-based polishing pads having improved contact area |
US7371160B1 (en) | 2006-12-21 | 2008-05-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. | Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad |
US7438636B2 (en) * | 2006-12-21 | 2008-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US7569268B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-08-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US7458885B1 (en) * | 2007-08-15 | 2008-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
US7517277B2 (en) | 2007-08-16 | 2009-04-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing |
US7828634B2 (en) | 2007-08-16 | 2010-11-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interconnected-multi-element-lattice polishing pad |
US7530887B2 (en) | 2007-08-16 | 2009-05-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with controlled wetting |
US20090062414A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | David Picheng Huang | System and method for producing damping polyurethane CMP pads |
JP2009117815A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
US8052507B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-11-08 | Praxair Technology, Inc. | Damping polyurethane CMP pads with microfillers |
WO2009088945A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-16 | Innopad, Inc. | Chemical-mechanical planarization pad |
US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
JP5485978B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2014-05-07 | イノパッド,インコーポレイテッド | 空隙形成が制御された研磨パッド |
US8684794B2 (en) * | 2008-04-11 | 2014-04-01 | Fns Tech Co., Ltd. | Chemical mechanical planarization pad with void network |
WO2009134775A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Semiquest, Inc. | Polishing pad composition and method of manufacture and use |
US20090266002A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad and method of use |
TWI409137B (zh) * | 2008-06-19 | 2013-09-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | 研磨墊及其微型結構形成方法 |
JP5130138B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-01-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッドおよびその製造方法 |
US8247327B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates |
US20100035529A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Mary Jo Kulp | Chemical mechanical polishing pad |
TWM352127U (en) * | 2008-08-29 | 2009-03-01 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad |
TWM352126U (en) * | 2008-10-23 | 2009-03-01 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad |
US8585790B2 (en) * | 2009-04-23 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Treatment of polishing pad window |
US7947098B2 (en) | 2009-04-27 | 2011-05-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for manufacturing chemical mechanical polishing pad polishing layers having reduced gas inclusion defects |
JP5725300B2 (ja) | 2009-06-18 | 2015-05-27 | Jsr株式会社 | 研磨層形成用組成物、ならびに化学機械研磨用パッドおよびそれを用いた化学機械研磨方法 |
US8697239B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-functional polishing pad |
KR101044279B1 (ko) * | 2009-07-30 | 2011-06-28 | 서강대학교산학협력단 | Cmp 연마패드와 그의 제조방법 |
KR101044281B1 (ko) * | 2009-07-30 | 2011-06-28 | 서강대학교산학협력단 | 기공이 형성된 cmp 연마패드와 그의 제조방법 |
KR20120112476A (ko) | 2009-12-22 | 2012-10-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 이를 이용한 화학 기계 연마 방법 |
CN102686362A (zh) * | 2009-12-30 | 2012-09-19 | 3M创新有限公司 | 包括分相共混聚合物的抛光垫及其制备和使用方法 |
JP5484145B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-05-07 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US8758659B2 (en) * | 2010-09-29 | 2014-06-24 | Fns Tech Co., Ltd. | Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad |
DE102010042040A1 (de) | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe |
US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-22 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
US8257152B2 (en) * | 2010-11-12 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Silicate composite polishing pad |
US8357446B2 (en) | 2010-11-12 | 2013-01-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Hollow polymeric-silicate composite |
US8202334B2 (en) * | 2010-11-12 | 2012-06-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming silicate polishing pad |
EP2678736B1 (en) * | 2011-02-25 | 2015-01-21 | 3M Innovative Properties Company | Variable index light extraction layer for use in a front-lit reflective display device |
US8444727B2 (en) | 2011-08-16 | 2013-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
US20130168132A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Sumsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
US8709114B2 (en) * | 2012-03-22 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
US8986585B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-03-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window |
US9067299B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad |
US8888877B2 (en) | 2012-05-11 | 2014-11-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Forming alkaline-earth metal oxide polishing pad |
US8894732B2 (en) | 2012-05-11 | 2014-11-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Hollow polymeric-alkaline earth metal oxide composite |
US9073172B2 (en) | 2012-05-11 | 2015-07-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Alkaline-earth metal oxide-polymeric polishing pad |
KR101417274B1 (ko) | 2012-05-23 | 2014-07-09 | 삼성전자주식회사 | 연마패드 및 그 제조방법 |
US9034063B2 (en) * | 2012-09-27 | 2015-05-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing grooved chemical mechanical polishing layers |
US9144880B2 (en) * | 2012-11-01 | 2015-09-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad |
KR101740748B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2017-06-08 | 주식회사 리온에스엠아이 | 분산된 기공 구조를 갖는 cmp패드 및 그 제조방법 |
KR101744694B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2017-06-09 | 주식회사 리온에스엠아이 | 혼합 기공 구조를 갖는 cmp패드 |
KR102178213B1 (ko) | 2013-03-12 | 2020-11-12 | 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 | 연마 패드 및 연마 방법 |
US9238295B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad |
US9238296B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer |
US9233451B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack |
CN105453232B (zh) * | 2013-08-10 | 2019-04-05 | 应用材料公司 | 具有促进受控的调节的材料组成的cmp垫 |
US9421666B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein |
US9993907B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-06-12 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having printed window |
US9463550B2 (en) * | 2014-02-19 | 2016-10-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
US9463553B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-10-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
JP2015185815A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 研磨パッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 |
US9216489B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
US20150306731A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US10105812B2 (en) * | 2014-07-17 | 2018-10-23 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad configuration and polishing pad support |
TWI692385B (zh) * | 2014-07-17 | 2020-05-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 化學機械硏磨所用的方法、系統與硏磨墊 |
US9731398B2 (en) | 2014-08-22 | 2017-08-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Polyurethane polishing pad |
JP6483991B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2019-03-13 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨材料の製造方法 |
JP6480696B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2019-03-13 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド、研磨パッド用シート及び研磨材料の製造方法 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
KR102630261B1 (ko) | 2014-10-17 | 2024-01-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US9481070B2 (en) | 2014-12-19 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-stability polyurethane polishing pad |
US9452507B2 (en) | 2014-12-19 | 2016-09-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled-viscosity CMP casting method |
US9586304B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-03-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled-expansion CMP PAD casting method |
TW201623381A (zh) | 2014-12-29 | 2016-07-01 | 陶氏全球科技責任有限公司 | 製造化學機械拋光墊的方法 |
TW201629467A (zh) | 2014-12-29 | 2016-08-16 | 陶氏全球科技責任有限公司 | 化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法 |
KR101804119B1 (ko) | 2014-12-31 | 2017-12-04 | 엠.씨.케이(주) | 고분자 수지로 성형된 연마제품에 미세기공을 형성하는 방법 및 그 방법에 따라 제조된 연마제품 |
TW201627658A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-08-01 | 陶氏全球科技責任有限公司 | 拋光層分析器及方法 |
KR101600393B1 (ko) * | 2015-05-20 | 2016-03-07 | 에프엔에스테크 주식회사 | 연마 패드 및 이의 제조 방법 |
US9484212B1 (en) | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
JP6940495B2 (ja) | 2015-10-30 | 2021-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 所望のゼータ電位を有する研磨用物品を形成するための装置及び方法 |
US10189143B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
CN108698206B (zh) | 2016-01-19 | 2021-04-02 | 应用材料公司 | 多孔化学机械抛光垫 |
CN108701610B (zh) | 2016-03-09 | 2023-06-02 | 应用材料公司 | 增材制造中制造形状的校正 |
US10875146B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-12-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Debris-removal groove for CMP polishing pad |
US10589399B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Textured small pad for chemical mechanical polishing |
WO2017175894A1 (ko) | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 연마패드 제조 방법 |
US20180079153A1 (en) | 2016-09-20 | 2018-03-22 | Applied Materials, Inc. | Control of dispensing operations for additive manufacturing of a polishing pad |
JP7061965B2 (ja) | 2016-11-22 | 2022-05-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN110087867B (zh) * | 2016-12-19 | 2021-07-09 | 3M创新有限公司 | 具有等离子体粒子表面涂层的柔性基底及其制备方法 |
TWM573509U (zh) * | 2017-01-20 | 2019-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於cmp 應用的薄的塑膠拋光用具及支撐元件 |
US20180281076A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Gelling reduction tool for grooving chemical mechanical planarization polishing pads |
US10596763B2 (en) | 2017-04-21 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing with array of energy sources |
US11524390B2 (en) * | 2017-05-01 | 2022-12-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Methods of making chemical mechanical polishing layers having improved uniformity |
US11084143B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-10 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using modified edge |
US10967482B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold |
US10777418B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-09-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I | Biased pulse CMP groove pattern |
US10857648B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Trapezoidal CMP groove pattern |
US10857647B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | High-rate CMP polishing method |
US10861702B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Controlled residence CMP polishing method |
US10586708B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-03-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Uniform CMP polishing method |
US10518387B2 (en) * | 2017-07-18 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Grinding element, grinding wheel and manufacturing method of semiconductor package using the same |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US11072050B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
US11826876B2 (en) | 2018-05-07 | 2023-11-28 | Applied Materials, Inc. | Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads |
CN112654655A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-13 | 应用材料公司 | 先进抛光垫配方 |
US11851570B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Anionic polishing pads formed by printing processes |
US11524385B2 (en) * | 2019-06-07 | 2022-12-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP polishing pad with lobed protruding structures |
CA3153509A1 (en) | 2019-09-05 | 2021-03-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Coated abrasives having an improved supersize coating |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
US20230226660A1 (en) * | 2020-07-16 | 2023-07-20 | Korea Institute Of Industrial Technology | Polishing pad, polishing device including same, and manufacturing method thereof |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
US20230015668A1 (en) * | 2021-07-01 | 2023-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cmp polishing pad |
CN114952609A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-08-30 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种新旧抛光液含比可控的cmp抛光垫、抛光方法及其应用 |
US20230390970A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making low specific gravity polishing pads |
US20230390889A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cmp pad having polishing layer of low specific gravity |
US20230390888A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cmp pad having ultra expanded polymer microspheres |
US20240009798A1 (en) | 2022-07-11 | 2024-01-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical Mechanical Planarization Pad Having Polishing Layer with Multi-lobed Embedded Features |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3928949A (en) | 1973-09-26 | 1975-12-30 | Norddeutsche Schleifmittel Ind | Hollow body grinding materials |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1986849A (en) * | 1931-02-26 | 1935-01-08 | Pohl Theodor | Abrading material and process for preparing the same |
FR736216A (fr) * | 1931-08-08 | 1932-11-19 | Rhodiaseta | Procédé pour l'encollage des fils et fibres en acétate ou autres dérivés organiques de la cellulose |
US2701191A (en) | 1949-02-02 | 1955-02-01 | American Optical Corp | Polishing pads |
US2806772A (en) * | 1954-09-15 | 1957-09-17 | Electro Refractories & Abrasiv | Abrasive bodies |
US3100721A (en) | 1961-02-21 | 1963-08-13 | Du Pont | Process for producing microporous films and coatings |
US3067482A (en) | 1958-07-03 | 1962-12-11 | Du Pont | Sheet material and process of making same |
BE636018A (ja) | 1962-08-13 | 1900-01-01 | ||
US3377151A (en) * | 1964-03-26 | 1968-04-09 | Gen Foods Corp | Method for making a cleansing aid |
DE1694070B2 (de) | 1966-08-17 | 1973-08-02 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung unbrennbarer schaumstoffe |
US3857123A (en) * | 1970-10-21 | 1974-12-31 | Monsanto Co | Apparatus for waxless polishing of thin wafers |
US4421526A (en) * | 1972-11-13 | 1983-12-20 | Sherwood Research And Development Partnership | Polyurethane foam cleaning pads and a process for their manufacture |
USRE29808E (en) | 1973-09-26 | 1978-10-24 | Norddeutsche Schleifmittel-Indutrie Christiansen & Co. | Hollow body grinding materials |
US3959935A (en) | 1975-03-18 | 1976-06-01 | Interoptic Laboratories, Inc. | Abrasive pad for grinding lenses |
US4147766A (en) * | 1976-06-09 | 1979-04-03 | Armour Pharmaceutical Company | Macrospherical particles of anti-perspirants |
ZA77384B (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-30 | Colgate Palmolive Co | Improvements in and relating to soap or detergent cakes,tablets or the like |
US4111667A (en) * | 1977-04-15 | 1978-09-05 | Norton Company | Woven polyester backed flexible coated abrasive having microballoons in backsize |
GB1575867A (en) * | 1978-02-23 | 1980-10-01 | Brueckner Trockentechnik Kg | Article for preparation of critical surfaces |
DE2809274A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren |
JPS5551705A (en) | 1978-10-03 | 1980-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of nitridosulfate |
US4358295A (en) * | 1980-03-27 | 1982-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method |
SE439599B (sv) | 1981-01-14 | 1985-06-24 | Kema Nord Ab | Sett att torka och expandera i vetska dispergerade, termoplastiska mikrosferer innehallande, flyktiga, flytande jesmedel |
US4430155A (en) * | 1981-01-21 | 1984-02-07 | Armour Pharmaceutical Company | Production of macrospherical particles |
JPS58192757A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-10 | Nippon Tokushu Kento Kk | ポリビニルアセタ−ル系樹脂砥石の製造方法 |
US4459779A (en) * | 1982-09-16 | 1984-07-17 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive grinding media |
JPS5953290A (ja) | 1982-09-21 | 1984-03-27 | 株式会社シマノ | 自転車用ペダル |
US4512113A (en) * | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
JPS59129668A (ja) | 1983-01-13 | 1984-07-26 | Noritake Co Ltd | レジノイド砥石の製造方法 |
JPS59196328A (ja) | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Achilles Corp | 発泡成形用ゴム組成物 |
US4550003A (en) | 1983-12-13 | 1985-10-29 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Vinylidene chloride type resin expandable particles, foam particles, in-mold foam molding by use thereof and process for producing them |
US4576612A (en) | 1984-06-01 | 1986-03-18 | Ferro Corporation | Fixed ophthalmic lens polishing pad |
US4581287A (en) * | 1984-06-18 | 1986-04-08 | Creative Products Resource Associates, Ltd. | Composite reticulated foam-textile cleaning pad |
US4543106A (en) * | 1984-06-25 | 1985-09-24 | Carborundum Abrasives Company | Coated abrasive product containing hollow microspheres beneath the abrasive grain |
US4728552A (en) * | 1984-07-06 | 1988-03-01 | Rodel, Inc. | Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same |
JPS61214976A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリシヤ |
JPS6299072A (ja) | 1985-10-22 | 1987-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエ−ハの加工方法 |
US4927432A (en) * | 1986-03-25 | 1990-05-22 | Rodel, Inc. | Pad material for grinding, lapping and polishing |
JPS6333781A (ja) | 1986-07-29 | 1988-02-13 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置 |
US4799939A (en) * | 1987-02-26 | 1989-01-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Erodable agglomerates and abrasive products containing the same |
JPS6471661A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-16 | Showa Denko Kk | Mirror polishing method for semiconductor wafer |
JPH01193166A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-03 | Showa Denko Kk | 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド |
JP2640352B2 (ja) * | 1988-02-09 | 1997-08-13 | 東京磁気印刷株式会社 | 研磨材、研磨具及び研磨方法 |
JPH01210259A (ja) | 1988-02-16 | 1989-08-23 | Toshiba Corp | 研磨装置 |
EP0348757B1 (en) * | 1988-06-28 | 1995-01-04 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method for polishing a silicon wafer |
JPH0236066A (ja) | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Hitachi Ltd | 研磨布および研磨装置 |
US5000761A (en) | 1988-10-26 | 1991-03-19 | Ferro Corporation | Gel producing pad and improved method for surfacing and polishing lenses |
JPH02232173A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-14 | Rodeele Nitta Kk | 研磨パッド |
JP2832024B2 (ja) | 1989-03-18 | 1998-12-02 | キヤノン株式会社 | 符号伝送方法 |
US5156843A (en) | 1989-03-20 | 1992-10-20 | Advanced Polymer Systems, Inc. | Fabric impregnated with functional substances for controlled release |
US5177908A (en) * | 1990-01-22 | 1993-01-12 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad |
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
US5104421B1 (en) * | 1990-03-23 | 1993-11-16 | Fujimi Abrasives Co.,Ltd. | Polishing method of goods and abrasive pad therefor |
US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
US5078753A (en) | 1990-10-09 | 1992-01-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coated abrasive containing erodable agglomerates |
JPH05146969A (ja) | 1991-06-24 | 1993-06-15 | Intel Corp | 半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置 |
US5197999A (en) * | 1991-09-30 | 1993-03-30 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad for planarization |
US5527215A (en) * | 1992-01-10 | 1996-06-18 | Schlegel Corporation | Foam buffing pad having a finishing surface with a splash reducing configuration |
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
US5269821A (en) | 1992-02-20 | 1993-12-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coatable mixtures including erodable filler agglomerates, methods of preparing same, abrasive articles incorporating cured versions of same, and methods of making said articles |
US5264010A (en) | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
US5534106A (en) * | 1994-07-26 | 1996-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing semiconductor wafers |
US5795218A (en) * | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
JP3925041B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
JP3826702B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2006-09-27 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
DE60228784D1 (de) * | 2001-04-25 | 2008-10-23 | Jsr Corp | Lichtduchlässiges Polierkissen für eine Halbleiterschleife |
JP2003100682A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Jsr Corp | 半導体ウエハ用研磨パッド |
JP2003133270A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Jsr Corp | 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド |
TWI250572B (en) * | 2002-06-03 | 2006-03-01 | Jsr Corp | Polishing pad and multi-layer polishing pad |
KR100584050B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2006-05-29 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 연마 패드용 조성물 및 이를 사용한 연마 패드 |
JP4039214B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-01-30 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
-
1993
- 1993-05-28 MY MYPI93001012A patent/MY114512A/en unknown
- 1993-06-15 CN CN93107339A patent/CN1059219C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-21 TW TW82104869A patent/TW264493B/zh not_active IP Right Cessation
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- 1993-08-02 EP EP97120317A patent/EP0829328B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-12 US US08/274,134 patent/US5578362A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-20 US US08/954,979 patent/US5900164A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-04 US US09/366,581 patent/US6439989B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-12 US US10/292,770 patent/US6899611B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-19 US US10/850,083 patent/US6903021B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-27 US US11/139,060 patent/US20050221741A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-05-19 JP JP2008130985A patent/JP2008238399A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3928949A (en) | 1973-09-26 | 1975-12-30 | Norddeutsche Schleifmittel Ind | Hollow body grinding materials |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7455799B2 (en) | 2001-02-01 | 2008-11-25 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method of producing polishing pad-use polyurethane foam and polyurethane foam |
US7378454B2 (en) | 2001-04-09 | 2008-05-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polyurethane composition and polishing pad |
US8148441B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-04-03 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and manufacturing method thereof |
US8779020B2 (en) | 2005-05-17 | 2014-07-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8304467B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8530535B2 (en) | 2005-05-17 | 2013-09-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8309466B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-11-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8094456B2 (en) | 2006-01-10 | 2012-01-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8993648B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-03-31 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US9358661B2 (en) | 2006-08-28 | 2016-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad |
US8303372B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8865785B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP2009248191A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
KR101826335B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2018-02-06 | 김경태 | 소방용 대피장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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