JP2003100682A - 半導体ウエハ用研磨パッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨時に支持層から研磨層が浮き上がること
及び研磨パッド表面が湾曲することを防止して、安定し
た研磨を行うことができる半導体ウエハ用研磨パッドを
提供する。 【解決手段】 非架橋１，２−ポリブタジエンを加熱さ
れたニーダーにて混練し、架橋剤を添加してさらに混練
した後、金型内にて所定時間架橋反応させた後、成形
し、支持層を得る。一方、架橋１，２−ポリブタジエン
８０体積％とβ−シクロデキストリン２０体積％とを加
熱されたニーダーにて混練し、架橋剤を添加してさらに
混練した後、金型内にて所定時間架橋反応させた後、成
形し、研磨層を得る。得られた研磨層の裏面に支持層を
両面粘着テープにより接合して本発明の研磨パッドを得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ用研
磨パッドに関する。更に詳しくは、研磨時に支持層から
研磨層が浮き上がること及び研磨パッド表面が湾曲する
ことを防止して、安定した研磨を行うことができる半導
体ウエハ用研磨パッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体ウエハの研磨において
研磨層と支持層等を備える複層構造の半導体ウエハ用研
磨パッドは知られている（特公平５−５０５７６９号公
報及び特開平６−２１０２８号公報等）。このような研
磨パッドは、通常、図１に示すようにして使用される。
即ち、研磨パッド１を軸回転する定盤２に貼り付ける一
方、半導体ウエハ４は加圧ヘッド３の一端に取り付けら
れる。加圧ヘッドは、半導体ウエハを研磨パッドの表面
に押圧しながら自身が回転及び移動することにより、半
導体ウエハを研磨パッド表面に摺動させることができ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この時、加圧ヘッドの
下方に位置する研磨パッドは押圧されて圧縮されるが、
加圧ヘッドが移動した後のその位置の研磨パッドは弾性
回復し、圧縮は開放される。このような研磨において、
支持層として多孔質弾性体が用いられると、圧縮及び開
放の繰り返しにより、スラリー供給部５等から供給され
るスラリー又はスラリー中の水系媒体が研磨パッドの側
方から支持層内に侵入することがある。そして、元来多
孔質弾性体の内部に存在した空気が次第に支持層と研磨
層との界面の中心部へ寄せ集められ、支持層と研磨層と
が剥がれたり、更には、研磨パッドの表面が湾曲するこ
とがある。このような状態は高い平坦性を得ることを目
的とする半導体ウエハの研磨において好ましくない。

【０００４】本発明は、上記問題を解決するものであ
り、研磨時に支持層から研磨層が浮き上がることや、更
には研磨パッド表面が湾曲する等の不具合を生じること
なく安定して研磨を行うことができる半導体ウエハ用研
磨パッドを提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハ用
研磨パッド（以下、単に「研磨パッド」ともいう）は、
支持層と、該支持層の一面に積層される研磨層とを備
え、該支持層は非多孔質弾性体であることを特徴とす
る。

【０００６】上記「支持層」の平面形状は特に限定され
ないが、例えば、円形、多角形（四角形等）などとする
ことができる。この平面形状は後述する研磨層と同じで
あっても異なっていてもよい。また、その厚さも特に限
定されないが、例えば、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下（更
に好ましくは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下）とすることが
できる。

【０００７】この支持層を構成する材料は、特に限定さ
れず、種々のものを用いることができる。この材料とし
ては、特に所定の形状及び性状への成形が容易であり、
適度な弾性を付与できること等から有機材料を用いるこ
とが好ましい。有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、エラストマー及びゴム等を単独又は組み合わ
せて用いることができる。

【０００８】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
オレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリアクリル
系樹脂｛（メタ）アクリレート系樹脂等｝、ビニルエス
テル樹脂（アクリル樹脂を除く）、ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリアセタール樹脂等を挙げることができる。ま
た、上記熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリウレタン−ウレア樹脂及びウレア樹脂、
ケイ素樹脂等を挙げることができる。

【０００９】更に、上記エラストマーとしては、スチレ
ン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢ
Ｓ）、その水素添加ブロック共重合体（ＳＥＢＳ）等の
スチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマ
ー（ＴＰＯ）、熱可塑性ポリウレタン系エラストマー
（ＴＰＵ）、熱可塑性ポリエステル系エラストマー（Ｔ
ＰＥＥ）、ポリアミド系エラストマー（ＴＰＡＥ）、ジ
エン系エラストマー（１，２−ポリブタジエン等）など
の熱可塑性エラストマー、シリコーン樹脂系エラストマ
ー、フッ素樹脂系エラストマー等を挙げることができ
る。ゴムとしては、スチレン−ブタジエンゴム、イソプ
レンゴム、イソブチレン−イソプレンゴム、ブチルゴ
ム、アクリルゴム、アクロルニトリル−ブタジエンゴ
ム、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン
−ジエンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム等を挙げる
ことができる。

【００１０】また、これらの各材料は、酸無水物基、カ
ルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基及びアミノ
基等の少なくとも１種により変性されていてもよい。例
えば、支持層が、相溶性が低いためにマトリックス材
（連続相を構成する材料）と、この中に分散されたドメ
イン材（分散相を構成する材料）との二相から形成され
ている場合には、変性により各相間の親和性等を向上さ
せることができる。また、支持層を構成する上記の材料
は、架橋重合体であるか又は非架橋重合体であるかは特
に限定されない。

【００１１】この支持層は非多孔質体であり、非発泡体
を含む。また、通常、表面のみが多孔性であるために吸
水作用が得られないもの等も含む。この支持体の比重は
特に限定されないが、支持層を構成するものと同一の材
料に空隙が全く含まれないように高圧下で成形した緻密
体の比重に対して、ＪＩＳ Ｋ ７３１１に準じて測定
した支持層の比重が８０％以上（より好ましくは９０％
以上、更に好ましくは９５％以上）であることが好まし
い。この割合が８０％未満となると、液体が含浸できる
空隙が支持層に含まれるようになる傾向にあり好ましく
ない。

【００１２】また、支持層の硬度は研磨層の硬度よりも
高くても、また、同じでもよいが、第２発明のように、
研磨層の硬度に比べて低いことが好ましい。この支持層
の硬度は、研磨層の硬度に対して９０％以下（更には８
０％以下、特に７０％以下）であることが好ましい。更
に、この支持層の硬度はショアーＤ硬度において７０以
下（より好ましくは６０以下、更に好ましくは５０以
下）であることが好ましい。

【００１３】上記「研磨層」は、通常、その表面にスラ
リーを保持し、更には、研磨屑を一時的に滞留させるこ
とができるものである。また、その平面形状は特に限定
されないが、例えば、円形や多角形（四角形等）などと
することができる。また、その厚さも特に限定されない
が、０．１〜２０ｍｍ（更には０．５〜１０ｍｍ、特に
０．５〜５ｍｍ）とすることが好ましい。

【００１４】また、研磨層の表面には、研磨時にスラリ
ーを保持し、研磨屑を一時的に滞留させるために、微細
な穴（以下、「ポア」という）や溝が少なくとも研磨時
までに形成されることが好ましい。即ち、例えば、研磨
層には予めポア及び／又は溝が形成されていてもよく
（例えば、発泡体等）、研磨層を構成するマトリックス
材（後述する非水溶性マトリックス材を含む）中に分散
されて含有されるドメイン材（後述する水溶性粒子を含
む）が研磨時に脱離し、ポア及び／又は溝を形成されて
もよい。尚、上記溝は上記スラリーの保持、研磨屑の一
時滞留等の目的以外にも使用済みスラリーの排出性を向
上させる目的等で設けることができる。

【００１５】また、この研磨層を構成するマトリックス
材も特に限定されず、種々のものを用いることができ
る。このマトリックス材としては、特に所定の形状及び
性状への成形が容易であり、適度な弾力性を付与できる
こと等から有機材料を用いることが好ましく、この有機
材料としては前述の支持層を構成する材料として列挙し
た各種有機材料を適用することができる。但し、支持層
と研磨層は同じ有機材料から構成されてもよく、また、
異なる有機材料から構成されてもよい。

【００１６】この研磨層のマトリックス材となる前記の
各種の有機材料は、架橋重合体であるか又は非架橋重合
体であるかは特に限定されないが、研磨層の少なくとも
一部（２種以上の材料の混合物からなり、その少なくと
も１種の少なくとも一部が架橋重合体である場合、及
び、１種の材料からなり、その少なくとも一部が架橋重
合体である場合を含む）が架橋重合体であり、研磨層は
弾性回復力を有することが好ましい。

【００１７】上記のような架橋重合体としては、上記有
機材料の中でも、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リアクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエス
テル樹脂（ポリアクリル樹脂を除く）等の樹脂や、ジエ
ン系エラストマー（例えば、１，２−ポリブタジエン
等）、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、アクリルゴ
ム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブ
タジエンゴム、エチレン−プロピレンゴム、シリコーン
ゴム、フッ素ゴム、スチレン−イソプレンゴム等を架橋
反応させた重合体や、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリ
デン等を架橋させた（架橋剤、紫外線又は電子線等の照
射による）重合体等を挙げることができる。その他、ア
イオノマー等を用いることもできる。

【００１８】研磨層を構成するマトリックス材として上
記の架橋重合体を用いることにより、研磨層に弾性回復
力が付与され、研磨時に研磨面にかかるずり応力による
変位を小さく抑えることができ、研磨時及びドレッシン
グ時に研磨層を構成するマトリックス材が過度に引き延
ばされ塑性変形によりポアが埋まることを防止できる。
また、研磨層の表面が過度に毛羽立つことも防止でき
る。このため、研磨時のスラリーの保持性が良く、ドレ
ッシングによるスラリーの保持性の回復も容易であり、
更には、スクラッチの発生も防止できる。

【００１９】この研磨層は、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準
じる試験片形状に成形し、８０℃において破断させた場
合、破断後に残留する伸び（以下、単に「破断残留伸
び」という）は１００％以下にできる。即ち、破断した
後の試験片の標線間合計距離を破断前の標線間距離の２
倍以下にすることができる。この破断残留伸びは３０％
以下（更に好ましくは１０％以下、とりわけ好ましくは
５％以下、通常０％以上）であることがより好ましい。
破断残留伸びが１００％を超えて大きくなるにつれ、研
磨時及び面更新時に研磨層表面から掻き取られた又は引
き延ばされた微細片がポアを塞ぎ易くなる傾向にある。

【００２０】尚、破断残留伸びとは、ＪＩＳ Ｋ ６２
５１「加硫ゴムの引張試験方法」に準じて、試験片形状
ダンベル状３号形、引張速度５００ｍｍ／分、試験温度
８０℃で引張試験において試験片を破断させた場合に、
破断して分割された試験片の各々の標線から破断部まで
の合計距離から、試験前の標線間距離を差し引いた伸び
である。尚、試験温度については、実際の研磨において
摺動により達する温度が８０℃程度であるため、この温
度で行っている。

【００２１】また、上記研磨層を構成するマトリックス
材が非水溶性マトリックス材である場合に、ドメイン材
として水溶性粒子を分散含有させることができる。水溶
性粒子は少なくともその一部がスラリーに含有される水
系媒体との接触により研磨層外へ離脱できる粒子であ
る。これにより、研磨層の表面にポアが形成される。こ
の水溶性粒子の大きさは特に限定されないが、ＪＩＳ
Ｋ ６２２１に準じて測定した平均粒径が０．１〜１０
００μｍ（より好ましくは０．１〜５００μｍ、更に好
ましくは０．５〜２００μｍ）であることが好ましい。
この平均粒径が０．１μｍ未満であると、ポアの大きさ
が砥粒より小さくなることがあり、ポアに十分に砥粒が
保持できないことが生じる場合があり好ましくない。一
方、１０００μｍを超えると、形成されるポアの大きさ
が過大となり研磨層の機械的強度及び研磨速度が低下す
る傾向にある。

【００２２】更に、研磨層に含まれる水溶性粒子の量
は、特に限定されないが、通常、研磨層を構成する非水
溶性マトリックス材と水溶性粒子との合計を１００体積
％とした場合に、水溶性粒子は１〜７０体積％（より好
ましくは１〜５０体積％、更に好ましくは１〜４０体積
％）であることが好ましい。特に予め発泡させる等の方
法によりポアが形成されていない非水溶性マトリックス
材を用いる場合は、水溶性粒子の含有量が１体積％未満
であると十分な量のポアが形成されず、研磨速度が低下
する傾向にある。一方、７０体積％を超えると、内部に
存在する水溶性粒子が意図せずに溶解又は膨潤すること
を防止でき難くなる傾向にある。

【００２３】このような水溶性粒子としては特に限定さ
れず、種々の材料を用いることができるが、例えば、有
機系水溶性粒子及び無機系水溶性粒子を用いることがで
きる。有機系水溶性粒子としては、デキストリン、シク
ロデキストリン、マンニット、糖類（乳糖等）、セルロ
ース類（ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロ
ース等）、でんぷん、蛋白質、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレン
オキサイド、水溶性感光性樹脂、スルフォン化ポリイソ
プレン、スルフォン化ポリイソプレン共重合体等から形
成されたものを挙げることができる。更に、無機系水溶
性粒子としては、酢酸カリウム、硝酸カリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素カリウム、塩化カリウム、臭化カリウ
ム、リン酸カリウム、硝酸マグネシウム等から形成され
たものを挙げることができる。これらの水溶性粒子は、
上記各材料を単独又は２種以上を組み合わせて含有して
もよい。更に、所定の材料からなる１種の水溶性粒子で
あってもよく、異なる材料からなる２種以上の水溶性粒
子であってもよい。

【００２４】また、水溶性粒子は、研磨層の表面に露出
したもののみが水溶し、表出することなく研磨層内に存
在するものは吸湿及び膨潤しないことが好ましい。この
ため、水溶性粒子には最外部の少なくとも一部に吸湿を
抑制するエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド及びポ
リシリケート等から構成される外殻を形成してもよい。

【００２５】この水溶性粒子は、ポアを形成する機能以
外にも、研磨層の押し込み硬さを適度なものとする機能
を有する。研磨層は、研磨時に付加する圧力を大きく
し、研磨速度を向上させ、高い平坦性を得るためにショ
アーＤ硬度を研磨層の全体において３５〜１００とする
ことが好ましい。しかし、所望のショアーＤ硬度を研磨
層を構成するマトリックス材のみから得ることは困難で
あることも多く、このような場合は、水溶性粒子を含有
させることでポアを形成する以外にショアーＤ硬度を向
上させることが可能となる。このような理由から水溶性
粒子は、研磨パッド内において十分な押し込み硬さを確
保できる中実体（内部に空隙を有さない）であることが
好ましい。

【００２６】このような水溶性粒子を製造時に研磨層中
に分散させる方法は特に限定されないが、通常、非水溶
性マトリックス材となる上記のような有機材料と、水溶
性粒子及びその他の添加剤等を混練して得る。この混練
においては、非水溶性マトリックス材は加工し易いよう
に加熱されて混練されるが、この時の温度において水溶
性粒子は固体であることが好ましい。固体であることに
より、非水溶性マトリックス材との相溶性に関わらず水
溶性粒子を前記の好ましい平均粒径を呈する状態で分散
させ易くなる。従って、使用する非水溶性マトリックス
材の加工温度により、水溶性粒子の種類を選択すること
が好ましい。

【００２７】このような本発明の研磨パッドの備える研
磨層としては、第３発明のように、ショアＤ硬度が３５
以上（より好ましくは３５〜１００、更に好ましくは４
５〜９０）であり、非水溶性マトリックス材と該非水溶
性マトリックス材中に分散された水溶性粒子とを含有
し、該水溶性粒子の平均粒径は０．０１〜１０００μｍ
（より好ましくは０．１〜５００μｍ、更に好ましくは
０．５〜２００μｍ）であり、該非水溶性マトリックス
材と該水溶性粒子との合計を１００体積％とした場合
に、該水溶性粒子は１〜７０体積％（更には１〜５０体
積％、特に１〜４０体積％）であることが好ましい。

【００２８】また、第１発明〜第３発明の研磨パッドが
備える研磨層には、マトリックス材（非水溶性マトリッ
クス材を含む）及び水溶性粒子以外にも製造時に必要に
応じて、マトリックス材と水溶性粒子との親和性並びに
分散性を向上させるために添加された相溶化剤（酸無水
物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、
オキサゾリン基及びアミノ基等により変性された重合
体、ブロック共重合体及びランダム共重合体等）、種々
のノニオン系界面活性剤、及び、カップリング剤等やこ
れらの残渣が含有されていてもよい。

【００２９】更には、従来よりスラリーに含有されてい
る砥粒、酸化剤、アルカリ金属の水酸化物及び酸、ｐＨ
調節剤、界面活性剤、スクラッチ防止剤等の少なくとも
１種を含有させることができる他、充填剤、軟化剤、酸
化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤、可塑剤等
の各種の添加剤を含有させることができる。特に、充填
材としては炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、タル
ク、クレー等の剛性を向上させる材料等を用いることが
できる。

【００３０】また、支持層と研磨層との積層方法は特に
限定されない。また、この積層においては接合されてい
ても、接合されていなくてもよい。例えば、支持層の表
面と研磨層の表面とに研磨時に相互にずれを生じない程
度に十分な摩擦を有する場合等には接合することなく積
層することができる。また、接着剤や接着材（両面テー
プ等）などを用いて接合して積層することができる。

【００３１】また、本発明の研磨パッドの形状は特に限
定されず、種々のものとすることができる。例えば、円
盤状、ベルト状、ローラー状等とすることができる。更
に、本発明の研磨パッドは上記支持層及び上記研磨層以
外にも他の層（例えば、支持層の研磨面とは反対面に設
ける金属製の基体層等）を１層又は２層以上備えること
ができる。更に、本発明の研磨パッドの使用方法は特に
限定されず、通常、公知の半導体ウエハの研磨装置及び
半導体ウエハの研磨方法に用いることができる。

【００３２】尚、本明細書でいう「スラリー」とは少な
くとも砥粒を含有する水系分散体を意味するが、研磨の
際に外部から供給されるのはスラリーであってもよく、
また、砥粒等を含有しない水系媒体のみであってもよ
い。水系媒体のみが供給される場合は、例えば、研磨パ
ッド内に砥粒を含有させることにより研磨の過程で、こ
の砥粒と水系媒体とが混合されてスラリーとなる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を具体
的に説明する。 ［１］本発明の研磨パッドの製造（非多孔質弾性体から
なる支持層を有する） （１）研磨層の製造 後に架橋されて非水溶性マトリックス材となる１，２−
ポリブタジエン（ＪＳＲ株式会社製、品名「ＪＳＲ Ｒ
Ｂ８３０」）８０体積％と、水溶性粒子としてβ−シク
ロデキストリン（横浜国際バイオ研究所株式会社製、品
名「デキシーパールβ−１００」）２０体積％とを１２
０℃に加熱されたニーダーにて混練した。その後、１，
２−ポリブタジエンとβ−シクロデキストリンとの合計
を１００質量部とした場合に、ジクミルパーオキサイド
（日本油脂株式会社製、品名「パークミルＤ４０」）が
０．６質量部となるように添加してさらに混練した後、
金型内にて１７０℃で１８分間架橋反応させ、成形し、
直径６００ｍｍ、厚さ３ｍｍの研磨層を得た。

【００３４】（２）支持層の製造 一方、支持層には架橋剤は用いず、１，２−ポリブタジ
エン（ＪＳＲ株式会社製、品名「ＪＳＲ ＲＢ８３
０」）を１００体積％用い、金型内にて１３０℃で成形
し、直径６００ｍｍ、厚さ２ｍｍの支持層（非架橋体）
を得た。

【００３５】（３）積層 （１）で得られた研磨層と（２）で得られた支持層とを
両面粘着テープ（住友スリーエム株式会社製、品名「Ｓ
Ｔ−４１６Ｐ」）により接合して積層し、研磨パッドを
得た。

【００３６】［２］比較例の研磨パッドの製造（多孔質
弾性体からなる支持層を有する） 研磨層としては［１］の（１）で得られた研磨層を用い
た。一方、支持層としては、表裏面に粘着剤が塗布され
た厚さ２ｍｍの発泡ポリウレタンフォーム（リンテック
株式会社製、品名「ＴＬ−５５−２」）を、直径６００
ｍｍに裁断したものを用いた。［１］の（１）で得られ
た研磨層と［２］で得られた支持層とを接合して積層
し、比較例である研磨パッドを得た。

【００３７】［３］研磨による評価 ［１］で得られた研磨パッドと［２］で得られた研磨パ
ッドとを各々研磨装置（ラップマスターＳＴＦ社製、形
式「ＬＧＰ５１０」）の定盤に両面粘着テープ（住友ス
リーエム株式会社製、品名「ＳＴ−４１６Ｐ」）により
張り付け、スラリー（ＪＳＲ株式会社製、品名「ＣＭＳ
１１０１」）を１分間に１００ｍｌずつ供給しながら熱
酸化膜が形成されたブランケットウエハを研磨した。こ
の時のテーブル回転数は５０ｒｐｍとし、研磨圧力は３
５０ｇ／ｃｍ^２として研磨を行った。

【００３８】この結果、［２］で得られた比較例の研磨
パッドでは研磨中（研磨開始から２０分後）に支持層の
外縁から中心方向に約２０ｍｍ程の領域にスラリーの侵
入が認められた。更に、そのまま、約２時間研磨を続け
た結果、支持層の外周部が定盤から剥がれていることが
確認された。これに対して、［１］で得られた本発明の
研磨パッドでは研磨中に支持層にスラリーが侵入する現
象は全く認められなかった。従って、定盤からの支持層
の剥離や、支持層からの研磨層の浮き上がり、研磨パッ
ド表面の湾曲等も認められなかった。

【００３９】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ用研磨パッドによ
ると、研磨時に研磨層と支持層との間で剥がれを生じた
り、支持層から研磨層が浮き上がり研磨パッド表面が湾
曲する等の不具合を生じることなく安定して研磨を行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】研磨パッドの使用方法の一例を模式的に示した
説明図である。

【符号の説明】

１；研磨パッド、１１；研磨層、１２；支持層、２；定
盤、３；加圧ヘッド、４；半導体ウエハ、５；スラリー
供給部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持層と、該支持層の一面に積層される
   研磨層とを備え、該支持層は非多孔質弾性体であること
   を特徴とする半導体ウエハ用研磨パッド。
2. 【請求項２】 上記支持層の硬度は、上記研磨層の硬度
   に比べて低い請求項１記載の半導体ウエハ用研磨パッ
   ド。
3. 【請求項３】 上記研磨層はショアＤ硬度が３５以上で
   あり、非水溶性マトリックス材と該非水溶性マトリック
   ス材中に分散された水溶性粒子とを含有し、該水溶性粒
   子の平均粒径は０．０１〜１０００μｍであり、該非水
   溶性マトリックス材と該水溶性粒子との合計を１００体
   積％とした場合に、該水溶性粒子は１〜７０体積％であ
   る請求項１又は２に記載の半導体ウエハ用研磨パッド。