JPH07266219A - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

ウェーハ研磨装置

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JPH07266219A
JPH07266219A JP5633894A JP5633894A JPH07266219A JP H07266219 A JPH07266219 A JP H07266219A JP 5633894 A JP5633894 A JP 5633894A JP 5633894 A JP5633894 A JP 5633894A JP H07266219 A JPH07266219 A JP H07266219A
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JP
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wafer
layer
polishing pad
hard
polishing
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JP5633894A
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Inventor
Hiroyuki Kobayashi
弘之 小林
Hiroo Miyairi
広雄 宮入
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 段差発生および膜除去量の不均一性を低減で
きるウェーハ研磨装置を提供する。 【構成】 研磨パッド4が貼付されたプラテン2と、ウ
ェーハWの上面を保持して研磨パッド4に当接させる6
基のウェーハ保持ヘッド12と、ヘッド12を回転させ
るヘッド駆動機構10とを具備する。ヘッド12はフロ
ーティング型ヘッドであって、流体が供給されるヘッド
本体14と、下端に張られたダイヤフラム16と、その
下面に固定されたキャリア18とを具備する。研磨パッ
ド4は、ウェーハWに当接する相対的に硬質の硬質表面
層4Aと、プラテン2側に設けられた相対的に軟質の弾
性支持層4Bとを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハ研磨装置に関
し、特に研磨後のウェーハ表面の段差発生を防ぎ、厚さ
均一性を向上するための改良に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハの表面を研磨す
るウェーハ研磨装置では、円盤状のプラテン(定盤)の
上面に研磨パッドを貼付し、このプラテン上に1枚また
は複数枚のウェーハを載置し、これらウェーハを研磨パ
ッド上でキャリアにより強制回転させつつ、研磨パッド
とウェーハの間に微細なシリカ砥粒を含むスラリーを供
給することにより研磨を行っている。
【0003】上記研磨パッドとしては、例えば、ポリエ
ステル不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたベロアタ
イプパッド、ポリエステル不織布を基材として、その上
に発泡ポリウレタン層を形成したスエードタイプパッ
ド、あるいは独立発泡させたポリウレタンシートなどが
一般に使用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近では、ウ
ェーハ製造工程だけでなく、半導体素子の製造工程にお
いてもウェーハ研磨を行う頻度が増えてきている。例え
ば、ウェーハの鏡面にアルミニウム等を蒸着して回路パ
ターンを形成し、その上にBPSG,PTEOSまたは
SiO2 等の絶縁膜を積層形成した後、この絶縁膜を研
磨により平坦化して、さらにその上に素子の内部構造を
形成する技術が多用されつつある。
【0005】この場合、回路パターン上に絶縁膜を形成
するので、研磨前の絶縁膜表面には回路パターンに倣っ
た凹凸が生じている。このため、研磨パッドの材質とし
て比較的軟質なベロアタイプパッドやスエードタイプパ
ッドを使用した場合には、図9に示すように、パッド表
面の弾性変形により絶縁膜の凸部だけでなく凹部まで若
干削られることが避けられず、研磨後の絶縁層表面に回
路パターン形状を反映した微細な段差が生じる欠点があ
った。
【0006】一方、研磨パッドとして比較的硬質のポリ
ウレタンシートを使用した場合には、パッド表面の弾性
変形が少ないため、上記のような段差の発生は少ないも
のの、ウェーハ自体または研磨パッド表面に存在する周
期の大きい僅かな「うねり」により、研磨パッドとウェ
ーハとの当接圧力に局部的な偏りが生じやすく、このよ
うな当接圧力の偏差により、比較的大きな周期を有する
ウェーハ厚さの不均一性が生じる問題を有していた。
【0007】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、段差発生およびウェーハ厚さの不均一性を低減でき
るウェーハ研磨装置を提供することを課題としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るウェーハ研磨装置は、表面に研磨パッ
ドが貼付されプラテン駆動機構により回転駆動されるプ
ラテンと、研磨すべきウェーハの上面を保持して前記研
磨パッドにウェーハ下面を当接させる複数のウェーハ保
持ヘッドと、これらウェーハ保持ヘッドを前記プラテン
に対して遊星回転させることによりウェーハ下面を研磨
パッドで研磨するヘッド駆動機構とを具備し、前記ウェ
ーハ保持ヘッドはフローティング型ヘッドであって、流
体供給手段に接続される中空のヘッド本体と、このヘッ
ド本体の下端に水平に張られヘッド本体内の流体圧力に
応じて上下に変位するダイヤフラムと、このダイヤフラ
ムの下面に固定されその下面にウェーハが付着されるキ
ャリアとを具備し、さらに、前記研磨パッドは、ウェー
ハに当接する相対的に硬質の硬質表面層と、この表面層
よりも前記プラテン側に設けられた相対的に軟質の弾性
支持層とを有することを特徴としている。
【0009】
【作用】本発明に係るウェーハ研磨装置によれば、パッ
ド表面が相対的に硬い硬質表面層により構成されている
ので、ウェーハ表面に初期凹凸が存在している場合にも
凹凸に追従してパッド表面が弾性変形しにくい。したが
って、凸部と同時に凹部の内側まで削ることが少なく、
初期凹凸に起因するミクロ的な段差発生が低減できる。
【0010】一方、ウェーハ保持ヘッドは、流体圧力で
均一にウェーハを押圧して研磨パッドに当接させるフロ
ーティング型であるため、研磨パッドへのウェーハの当
接圧力を一定化する作用(圧力均一化作用と称する)が
得られるだけでなく、弾性支持層は、ウェーハに直接当
接する硬質表面層を裏側から弾性的に支持してクッショ
ン作用を発揮する。これらの作用が相乗しあうことによ
り、本発明の装置では研磨パッドあるいはウェーハにう
ねりが生じている場合にも、うねりに沿って表面硬質層
をウェーハ全面に亙って均一に当接させる効果が得ら
れ、ウェーハの研磨速度がウェーハ全面に亙って均一化
される。したがって、従来は両立しがたかった段差の低
減および厚さ均一性の向上を同時に達成できる。
【0011】
【実施例】図1は、本発明に係るウェーハ研磨装置の一
実施例を示す正面図である。始めに全体の構成を簡単に
説明すると、図中符号1は基台であり、この基台1の中
央には円盤状のプラテン2が水平に設置されている。こ
のプラテン2は基台1内に設けられたプラテン駆動機構
により軸線回りに回転されるようになっており、その上
面には全面に亙って研磨パッド4が貼付されている。
【0012】プラテン2の上方には、基台1から直立す
る複数の支柱6を介して上側取付板8が水平に固定され
ている。この上側取付板8の下面には、プラテン2と対
向する円盤状のヘッド駆動機構10が固定され、このヘ
ッド駆動機構10にはプラテン2と対向する計6基のウ
ェーハ保持ヘッド12が設けられている。これらウェー
ハ保持ヘッド12は、図2に示すようにプラテン2の中
心から同一距離に、プラテン2の中心軸回りに60゜毎
に配置され、ヘッド駆動機構10によりそれぞれ遊星回
転される。
【0013】各ウェーハ保持ヘッド12は、下端が漏斗
状に開口した中空のヘッド本体14と、このヘッド本体
14の下端部を塞ぐように固定された円板形のダイヤフ
ラム16と、このダイヤフラム16の下面に固定された
円板形のキャリア18と、キャリア18の外周を包囲す
るとともにダイヤフラム16に固定された円環状のウェ
ーハストッパ22とを具備している。そして、キャリア
18の下面に、円形のウェーハ付着シート20(インサ
ート)を介して、ウェーハWが吸着保持されるようにな
っている。
【0014】ヘッド本体14の上端は、図示しない圧縮
空気源(流体供給機構)に接続されており、ヘッド本体
14内に適宜、圧縮空気が供給できるようになってい
る。一方、ダイヤフラム16はゴム等の弾性材料で形成
され、ヘッド本体14内の圧力に比例した力でキャリア
18を下方に均一加圧するようになっている。
【0015】キャリア18は、金属等の高い剛性を有す
る材料で成形された一定厚さのものであり、弾性変形は
しない。ウェーハストッパ22は、ウェーハ研磨を行っ
ている状態で、その下端がウェーハWの下面と同一にな
るように構成されている。
【0016】ウェーハ付着シート20は、不織布等の吸
水性を有する材質で形成され、水分を吸収すると、表面
張力でウェーハを吸着する。このウェーハ付着シート2
0の具体的な材質としては各種不織布等が挙げられ、そ
の好ましい厚さは0.6〜0.8mmである。
【0017】本発明の主たる特徴点は、研磨パッド4の
構造にあり、この実施例の研磨パッド4は、ウェーハW
に当接する表面硬質層4A、および表面硬質層4Aとプ
ラテン2との間に位置する中間軟質層4Bの2層から構
成されている。なお、実際には、表面硬質層4Aと中間
軟質層4Bとの間に両者を接合するための接着層が存在
してもよいし、あるいは表面硬質層4Aと中間軟質層4
Bの間、または/および中間軟質層4Bとプラテン2と
の間に、1層あるいは2層以上の中間層が形成されてい
てもよい。
【0018】硬質表面層4Aのショア硬度は80〜10
0、より好ましくは90〜96、弾性支持層4Bのショ
ア硬度は50〜70、より好ましくは55〜65とされ
る。また、硬質表面層4Aの厚さは0.5〜1.5m
m、より好ましくは0.6〜1.2mm、弾性支持層4
Bの厚さは0.5〜1.5mm、より好ましくは1.0
〜1.3mmとされる。
【0019】表面硬質層4Aのショア硬度が80未満、
あるいは表面硬質層4Aの厚さが0.5mm未満である
と、ウェーハ研磨中に研磨パッド4の表面がウェーハ表
面の初期凹凸に倣ってウェーハ表面の凹部内まで削るた
め、研磨後に回路パターン等を反映した段差が発生しや
すくなる。一方、表面硬質層4Aのショア硬度が100
より大きいか、あるいは表面硬質層4Aの厚さが1.5
mmより大きいと、うねりがある場合に表面硬質層4A
がウェーハ表面になじまず、均等圧で当接しないおそれ
が生じる。
【0020】また、中間軟質層4Bのショア硬度あるい
は厚さが前記各範囲を外れると、中間軟質層4Bによる
適度なクッション効果が得られず、ウェーハWと表面硬
質層4Aとの当接圧力を均等化する作用が低下する。
【0021】研磨パッド4の具体的な材質を例示する
と、硬質表面層4A,弾性支持層4Bとしてはそれぞれ
発泡ポリウレタンまたは不織布が好適で、特に硬質表面
層4Aとしては発泡ポリウレタン、弾性支持層4Bとし
てはポリエステル等の不織布が好ましい。硬質表面層4
A,弾性支持層4Bを不織布で形成する場合、ポリウレ
タン樹脂等の含浸剤を含浸させてもよい。ただし本発明
では、前記ショア硬度範囲を満足すれば、前記以外の材
質で研磨パッド4を構成してもよい。
【0022】また、ウェーハ保持ヘッド12による研磨
パッド4へのウェーハWの当接圧力は2〜15psi、
特に3〜10psiに設定されていることが望ましい。
この範囲であると、上述した研磨パッド4において弾性
支持層4Bの効果を特に発揮できる。
【0023】上記構成からなるウェーハ研磨装置によれ
ば、パッド表面が相対的に硬い表面硬質層4Aにより構
成されているので、ウェーハ表面に回路パターンなどに
起因する初期凹凸が存在している場合にも、凹凸に追従
して研磨パッド4の表面が弾性変形しにくい。したがっ
て、凸部と同時に凹部の内側まで削ることが少なく、初
期凹凸に起因する段差発生が低減できる。
【0024】また、ウェーハ保持ヘッド12は流体圧力
で均一にウェーハWを押圧して研磨パッド4に当接させ
るフローティング型であるうえ、ウェーハWに直接当接
する表面硬質層4Aは、中間軟質層4Bにより裏側から
弾性的に支持されているので、フローティング型ヘッド
による当接圧力の均一化作用、および中間軟質層4Bに
よるクッション効果が相乗しあい、研磨パッド4あるい
はウェーハWにうねりが生じている場合にも、表面硬質
層4Aをうねりに沿って変形させウェーハWの全面に亙
って均一に当接させる効果が得られる。これにより、研
磨パッド4によるウェーハWの研磨速度がウェーハ全面
に亙って均一化されるから、研磨後のウェーハ厚さの不
均一性が低減でき、従来は両立しがたかった段差の低減
および厚さ均一性の向上が同時に達成できる。
【0025】なお、フローティング型ヘッドによる当接
圧力の均一化作用、あるいは中間軟質層4Bによるクッ
ション効果のいずれか一方のみでは、回路パターンによ
る段差を低減しつつ、表面硬質層4Aをうねりに沿って
変形させウェーハWの全面に亙って均一に当接させる効
果は得られず、本発明の効果を達成し得ない。
【0026】また、従来のウェーハ研磨技術では、1基
のプラテンで6枚のウェーハを同時研磨する構成とする
と、各ウェーハに対する研磨条件を均一化することが困
難であったが、この実施例においては、フローティング
型ヘッドによる当接圧力の均一化作用、および中間軟質
層4Bによるクッション効果により、段差の低減および
厚さ均一性の向上を同時に達成できるため、全てのウェ
ーハWの研磨条件を統一することが可能で、品質の揃っ
たウェーハWの量産が可能であり、そのうえ装置の小型
化も図れる。
【0027】次に、図5は本発明の他の実施例における
研磨パッド4を示す平面図である。この研磨パッド4の
表面には、全面に亙って格子状の溝30が形成されてい
る。この溝30の深さD1は、図6に示すように、表面
硬質層4Aの厚さの20〜80%、より好ましくは30
〜50%とされる。すなわち、表面硬質層4Aを貫通し
ていないことが好ましい。溝30が表面硬質層4Aを貫
通していると、表面硬質層4Aの各格子内部分の表面に
段差が生じ、研磨精度が悪化する。溝30の幅は1〜3
mm、より好ましくは1.5〜2.5mmとされ、平行
な溝30同士のピッチは5〜40mm、より好ましくは
5〜15mmとされる。
【0028】溝30は、ウェーハ研磨時に研磨パッド4
の表面に供給される研磨用スラリーがこれら溝30を伝
わって、研磨パッド4の全面に亙って均一に効率よく供
給されるようにするためのものであり、それにより、ス
ラリーの分布の均一化を促進し、かつ研磨パッド4の局
部的な昇温による熱膨張を防いで、ウェーハ厚さの均一
性を向上することに役立つ。なお、溝30の各部寸法が
前記各範囲を外れると、いずれの場合にもスラリーが効
率よくかつ均一に供給され難くなり、溝30による前記
効果が低減する。
【0029】なお、研磨パッド4に形成する溝の断面形
状は図6に示すように矩形状でもよいし、図7に示すよ
うにV字状であってもよい。
【0030】
【実験例】
(実験1)フローティング型ヘッドおよび二層型研磨パ
ッドの組み合わせ効果を実証するため、図1および図2
のように6基のフローティング型ヘッドを具備する研磨
装置を使用し、研磨パッドとして、軟質シート一枚:
比較例1、硬質シート一枚:比較例2、軟質シート
(プラテン側)+硬質シート(表面側):実験例1、
軟質シート二枚合わせ:比較例3、硬質シート二枚合
わせ:比較例4、の各場合について、ウェーハ厚さの均
一性、および段差を測定した。なお、各測定値は、6枚
のウェーハについて求めた値を平均して算出した。実験
条件は以下の通りである。
【0031】(実験条件) ウェーハWの直径:6インチ(150mm) ウェーハ研磨面:厚さ8000オングストロームの回路
パターン形成後、熱酸化膜あるいはPTEOS膜(プラ
ズマ形成膜)を形成。 プラテン2の直径:914mm 軟質シートの材質:ポリエステル不織布(含浸剤なし) 厚さ1.27mm、ショア硬さ61 硬質シートの材質:発泡ポリウレタン 厚さ1.28mm、ショア硬さ96 研磨用スラリー:シリカ粒子+アルカリ研磨液 ウェーハ当接圧力:7psi 研磨時間:5min
【0032】実験結果を表1に示す。表中、厚さ均一性
は次式によって算出した。なお、膜除去量最大値、最小
値は、同一のウェーハの面内での値を計6枚で平均化し
た値である。 均一性=((膜除去量最大値)−(膜除去量最小値))
/((膜除去量最大値)+(膜除去量最小値))×10
0 また、PTEOS膜と記載しているのはPTEOS膜を
形成したシリコンウェーハについての実験結果である。
均一性は各ウェーハについて面内多点測定した値を6枚
で平均化して算出した。また、段差はウェーハ中心部の
測定値を用いた。
【0033】
【表1】
【0034】表1から明らかなように、実験例1の装置
では、比較例1〜4のいずれの装置と比較しても研磨後
のウェーハに生じた段差が小さいうえ、軟質シート1枚
のみを使用した比較例1と比較してもほとんど均一性の
点で遜色がなく、総合的には最高の研磨精度を示した。
【0035】(実験2)前記実験例1の装置を用い、6
枚づつ2度に分けて前記同様のウェーハを前記同様の条
件で研磨し、各回の1枚毎の厚さ均一性および研磨速度
を比較した。その結果を図8に示す。この図から明らか
なように、同時に研磨したウェーハ間では研磨速度の差
がほとんどなく、厚さ均一性の差も小さかった。
【0036】(実験3)前記実験例1の装置を用い、研
磨パッドの硬度・厚さを種々変化させて、膜除去量の均
一性、および段差を測定した。なお、各測定値は、6枚
のウェーハについて求めた値を平均して算出した。研磨
前のウェーハ、研磨条件は実験1と同じである。その結
果を表2に示す。表中、「実2」は実験例2を、「比
5」は比較例5をそれぞれ示している。
【0037】
【表2】
【0038】表2から明らかなように、実験例2は比較
例5〜12に比して、総合的な研磨精度が良好であっ
た。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウェ
ーハ研磨装置によれば、パッド表面が相対的に硬い硬質
表面層により構成されているので、ウェーハ表面に初期
凹凸が存在している場合にも凹凸に追従してパッド表面
が弾性変形しにくい。したがって、凸部と同時に凹部の
内側まで削ることが少なく、初期凹凸に起因するミクロ
的な段差発生が低減できる。
【0040】一方、ウェーハ保持ヘッドは、流体圧力で
均一にウェーハを押圧して研磨パッドに当接させるフロ
ーティング型であるため、研磨パッドへのウェーハの当
接圧力を一定化する作用(圧力均一化作用と称する)が
得られるだけでなく、弾性支持層は、ウェーハに直接当
接する硬質表面層を裏側から弾性的に支持してクッショ
ン作用を発揮する。これらの作用が相乗しあうことによ
り、本発明の装置では研磨パッドあるいはウェーハにう
ねりが生じている場合にも、うねりに沿って表面硬質層
をウェーハ全面に亙って均一に当接させる効果が得ら
れ、ウェーハの研磨速度がウェーハ全面に亙って均一化
される。したがって、研磨後の膜除去量の不均一性が低
減でき、従来は両立しがたかった段差の低減および厚さ
均一性の向上を同時に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェーハ研磨装置の一実施例を示
す正面図である。
【図2】同装置のプラテン2とウェーハ保持ヘッド12
を示す平面図である。
【図3】同装置のウェーハ保持ヘッド12の縦断面図で
ある。
【図4】研磨パッド4の断面拡大図である。
【図5】研磨パッド4に溝30を形成した例を示す平面
図である。
【図6】溝30の一例の断面図である。
【図7】溝30の他の例の断面図である。
【図8】本発明の実験例の結果を示すグラフである。
【図9】従来技術の問題点を示すウェーハ表層部の断面
図である。
【符号の説明】
1 基台 2 プラテン 4 研磨パッド 4A 表面硬質層 4B 中間軟質層 6 支柱 8 上側取付板 10 ヘッド駆動機構 12 ウェーハ保持ヘッド 14 ヘッド本体 W ウェーハ 16 ダイヤフラム 18 キャリア 20 ウェーハ付着シート 22 ウェーハストッパ 30 溝

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に研磨パッドが貼付されプラテン駆動
    機構により回転駆動されるプラテンと、研磨すべきウェ
    ーハの上面を保持して前記研磨パッドにウェーハ下面を
    当接させる複数のウェーハ保持ヘッドと、これらウェー
    ハ保持ヘッドを前記プラテンに対して遊星回転させるこ
    とによりウェーハ下面を研磨パッドで研磨するヘッド駆
    動機構とを具備し、 前記ウェーハ保持ヘッドはフローティング型ヘッドであ
    って、流体供給手段に接続される中空のヘッド本体と、
    このヘッド本体の下端に水平に張られヘッド本体内の流
    体圧力に応じて上下に変位するダイヤフラムと、このダ
    イヤフラムの下面に固定されその下面にウェーハが付着
    されるキャリアとを具備し、 さらに、前記研磨パッドは、ウェーハに当接する相対的
    に硬質の硬質表面層と、この表面層よりも前記プラテン
    側に設けられた相対的に軟質の弾性支持層とを有するこ
    とを特徴とするウェーハ研磨装置。
  2. 【請求項2】前記硬質表面層のショア硬度は80〜10
    0、前記弾性支持層のショア硬度は50〜70であるこ
    とを特徴とする請求項1記載のウェーハ研磨装置。
  3. 【請求項3】前記硬質表面層の厚さは0.5〜1.5m
    mであり、前記弾性支持層の厚さは0.5〜1.5mm
    であることを特徴とする請求項1または2記載のウェー
    ハ研磨装置。
  4. 【請求項4】前記研磨パッドは、前記硬質表面層および
    前記弾性支持層の2層から構成されていることを特徴と
    する請求項1,2または3記載のウェーハ研磨装置。
  5. 【請求項5】前記硬質表面層および前記弾性支持層はそ
    れぞれ、発泡ポリウレタンまたは不織布から選択される
    材質で形成されていることを特徴とする請求項1,2,
    3または4記載のウェーハ研磨装置。
  6. 【請求項6】前記ウェーハ保持ヘッドは前記プラテンの
    中心軸回り60゜毎に計6基設けられていることを特徴
    とする請求項1,2,3,4または5記載のウェーハ研
    磨装置。
  7. 【請求項7】前記硬質表面層には、この硬質表面層の厚
    さの20〜80%の深さおよび1〜3mmの幅を有する
    溝が形成されていることを特徴とする請求項1,2,
    3,4,5または6記載のウェーハ研磨装置。
  8. 【請求項8】前記溝のピッチは5〜40mmであること
    を特徴とする請求項7記載のウェーハ研磨装置。
  9. 【請求項9】前記ウェーハ保持ヘッドによる前記研磨パ
    ッドへのウェーハ当接圧力は2〜15psiに設定され
    ていることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,
    6,7または8記載のウェーハ研磨装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000503601A (ja) * 1996-01-22 2000-03-28 マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
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