JP2000503601A - 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 - Google Patents

共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法

Info

Publication number
JP2000503601A
JP2000503601A JP9526256A JP52625697A JP2000503601A JP 2000503601 A JP2000503601 A JP 2000503601A JP 9526256 A JP9526256 A JP 9526256A JP 52625697 A JP52625697 A JP 52625697A JP 2000503601 A JP2000503601 A JP 2000503601A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
abrasive particles
matrix material
particle
binding molecule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9526256A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4171846B2 (ja
Inventor
エム. ロビンソン,カール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of JP2000503601A publication Critical patent/JP2000503601A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4171846B2 publication Critical patent/JP4171846B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245Pads with fixed abrasives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/34Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S451/00Abrading
    • Y10S451/921Pad for lens shaping tool

Abstract

(57)【要約】 本発明は、半導体ウエハの化学的−機械的平坦化に使用するための研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法である。研磨パッドは、本体、分子結合リンク、および本体全体に実質的に均一に分散した研磨粒子を有する。本体はポリマー性マトリクス材料から作製され、分子結合リンクはマトリクス材料に共有結合される。実質的に全ての研磨粒子は、少なくとも1つの分子結合リンクに共有結合される。分子結合リンクは、研磨粒子をマトリクス材料に確実に固定し、パッド全体への研磨粒子の分布の均一性を増強し、実質的に研磨粒子がパッドから脱離するのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法技術分野 本発明は、半導体ウエハの化学的−機械的平坦化において使用される研磨パッ ド、より詳細には、パッドの本体に包埋した研磨粒子を有する研磨パッドに関す る。発明の背景 化学的−機械的平坦化(「CMP」)プロセスは、超高密度集積回路の製造にお いて、ウエハの表層から材料を除去する。典型的なCMPプロセスにおいて、ウエ ハは、スラリーの存在下、制御された化学的条件、圧力条件、速度条件、および 温度条件のもとで研磨パッドを圧する。スラリー溶液は、ウエハ表面をすり減ら す研磨粒子、およびウエハ表面を酸化および/またはエッチングする化学薬品を 有する。従って、相対運動がウエハとパッドとの間に与えられる場合、材料は、 研磨粒子(機械的除去)およびスラリー 中の化学薬品(化学的除去)によって 、ウエハ表面から除去される。 CMPプロセスは、均一かつ平坦な表面をウエハ上に一貫して、かつ正確に生成 しなけれならない。なぜなら、ウエハ表面上に光学的または電磁気学的集積回路 のパターンを正確に集中させることが重要であるからである。集積回路の密度が 増加するにつれて、約0.5μmの許容範囲内にフォトパターンの厳密な寸法を正確 に集中させることがしばしば必要となる。しかし、このような小さい許容範囲に フォトパターンを集中させることは、放射源とウエハ表面との間の距離が変動す る場合、ウエハ表面は均一な平面ではないので、非常に困難である。実際に、い くつかのデバイスは、非均一の平坦な表面を有するウエハ上に欠陥があり得る。 従って、CMPプロセスは、高度に均一で平坦な表面を作製しなければならない。 競合的な半導体産業において、完成したウエハのスループット(throughput) を最大限にし、そして各ウエハ上の欠陥デバイスまたは損傷したデバイスの数を 最小限にすることがまた、所望されている。CMPプロセスのスループットは、い くつかの要因の作用であり、要因の1つは、ウエハ表面の平坦性の均一性を犠牲 にせずに、ウエハが平坦化されるにつれてウエハの厚さが減少する速度(「研磨 速度」)である。従って、制御された限定の範囲内で研磨速度を最大限にするこ とが所望されている。 CMPプロセスの研磨速度は、スラリー溶液中の研磨粒子の割合を増加させるこ とにより、増加され得る。なお、コロイド状スラリー溶液中の研磨粒子の割合を 増加させることに関する問題の1つは、研磨粒子は、それらがいくつかの所望の 酸化用化学薬品およびエッチング用化学薬品と混合される場合に、フロック化す る(flocculate)傾向があることである。安定化用化学薬品は、研磨粒子のフロ ック化(flocculation)を防止し得るが、一般に、安定化用化学薬品は、酸化用 化学薬品およびエッチング用化学薬品とは適合し得ない。従って、スラリー溶液 中の研磨粒子の割合を限定することが所望されている。 スラリー中の研磨粒子の割合を限定するための所望の解決法の1つは、パッド 中に研磨粒子を懸濁することである。従来の懸濁粒子パッド(suspended partic le pad)は、研磨粒子を、モノマー鎖から作製されたマトリクス材料に混合する ことにより作製される。イオン性接着触媒(例えば、ヘキサメチルジサリザン( hexamethyldisalizane))が、粒子とモノマー鎖との間の接着を増強するために 使用され得る。研磨粒子がマトリクス材料に混合された後に、マトリクス材料が 硬化されてパッドは固くなり、そしてマトリクス材料の全体に研磨粒子が懸濁さ れる。操作において、パッド中に懸濁した研磨粒子は、ウエハ表面を研磨して、 ウエハから材料を機械的に除去する。 従来の懸濁粒子研磨パッドに関する問題1つのは、パッドの平坦化表面の研磨 性、従って、ウエハの研磨速度が、パッド表面にわたって1つの領域から別の領 域まで変動することである。マトリクス材料が硬化される前に、研磨粒子は、通 常、集塊して高密度クラスタ(cluster)となり、パッド全体に研磨粒子の非均 一な分布をもたらす。従って、パッド全体に研磨粒子が均一に分布した懸濁粒子 研磨パッドの開発が所望される。 従来の懸濁粒子研磨パッドに関する別の問題は、それらがウエハ表面をスクラ ッチする(scratch)傾向があることである。パッドがウエハを平坦化する際に 、研磨パッドの平坦化表面上で研磨粒子と隣接するマトリクス材料は、すり減る ;結果として、研磨粒子のいくつかは、パッドから脱離してスラリー中に移動す る。粒子はまた、イオン性接着触媒と共にパッドから脱離する。なぜなら、静電 溶媒(electrostatic solvent)は、マトリクス材料と粒子との間のイオン結合 を弱めるからである。懸濁した粒子の大きな集塊が、パッドから脱離する場合、 それは、ウエハ表面をスクラッチし得、ウエハ上のいくつかのデバイスに重大な 損傷を与える。従って、研磨粒子がパッドから脱離することを実質的に防止する パッドの開発が所望されている。発明の要旨 本発明の研磨パッドは、CMPプロセスによって半導体ウエハを平坦化するため に使用される;研磨パッドは、本体、分子結合リンク、および本体全体に実質的 に均一に分散した研磨粒子を有する。本体は、ポリマー性マトリクス材料から作 製され、そして分子結合リンクは、マトリクス材料に共有結合する。実質的に全 ての研磨粒子はまた、少なくとも1つの分子結合リンクに共有結合する。分子結 合リンクは、研磨粒子をマトリクス材料に確実に固定して、パッド全体の研磨粒 子の分布の均一性を増強し、そして研磨粒子がパッドから脱離することを実質的 に防止する。 本発明の結合粒子研磨パッドの製造方法において、分子結合リンクは、研磨粒 子に共有結合する。分子結合リンクが研磨粒子に共有結合された後に、結合した 分子結合リンクおよび研磨粒子は、鋳型中でマトリクス材料と共に混合される。 混合程の間、分子結合リンクの反応性末端基は、マトリクス材料に結合し、研磨 粒子をマトリクス材料に確実に固定する。次いで、マトリクス材料は重合され、 本体全体に実質的に均一に懸濁される結合した研磨粒子を有するパッド本体を形 成する。図面の簡単な説明 図1は、先行技術による懸濁した研磨粒子を有する従来の研磨パッドの部分断 面図である。 図2は、本発明による結合して懸濁した粒子を有する研磨パッドの部分略断面 図である。 図3は、本発明による分子結合リンクおよび研磨粒子の略図である。 図4Aは、本発明による分子結合リンクおよび研磨粒子の化学的模式図である 。 図4Bは、本発明による分子結合リンクと研磨粒子との反応の化学的模式図で ある。 図5は、本発明による結合して懸濁した粒子を有する研磨パッドの製造方法を 示すフロー図である。発明の詳細な説明 本発明の研磨パッドは、パッド全体に研磨粒子の均一な分布を有し、そして研 磨粒子はパッドに共有結合し、研磨粒子がパッドから脱離することを実質的に防 止する。本発明の重要な局面は、研磨パッドのマトリクス材料および研磨粒子の 両方に共有結合する分子結合リンクを提供することである。分子結合リンクは、 以下の有利な作用を行う:(1)研磨粒子がマトリクス材料が硬化される前に集 塊することを実質的に防止する;そして(2)マトリクス材料に研磨粒子を確保 する。従って、分子結合リンクは、マトリクス材料全体の研磨粒子の分布の均一 性を増強し、そして研磨粒子が研磨パッドから脱離することを実質的に防止する 。 図1は、マトリクス材料12および多くの研磨粒子20から形成された従来の研磨 パッドPを示す。研磨粒子20は、マトリクス材料12が液体状態である間にマトリ クス材料12中に懸濁される。マトリクス材料12が硬化する前に、研磨粒子20は、 マトリクス材料12全体の研磨粒子20の分布の均一性を低減させるクラスタ22へと 集塊し得る。従って、パッドPの平坦化表面Sが、新規な平坦化表面Scに条件付け られる(condltion)場合、研磨粒子20のクラスタ22上の研磨速度は、パッド上 の他の領域のものとは異なる。さらに、マトリクス材料12が平坦化または条件付 けの間にすり減るにつれて、平坦化表面の付近の研磨粒子20は、パッドPから脱 離し、そしてウエハをスクラッチする傾向がある(図示せず)。従って、従来の 懸濁粒子研磨パッドは、一定しない研磨速度を提供し得、そしてウエハを損傷を し得る。 図2は、本発明による研磨パッド10を示す。研磨パッド10は、マトリクス材料 12から作製された本体11を有する。マトリクス材料12は、一般にポリウレタンま たはナイロンである。上記に挙げたポリマー材料は、単なる例示であり、従って 、他のポリマー性マトリクス材料は本発明の範囲内である。分子結合リンク30は 、マトリクス材料12および研磨粒子20に共有結合する。従って、分子結合リンク 30は、研磨粒子20をマトリクス材料12に確保する。研磨粒子20は、好ましくは、 二酸化ケイ素または酸化アルミニウムから作製されるが、他のタイプの研磨粒子 は本発明の範囲内である。 図3は、マトリクス材料12のストランド(strand)と、結合リンク30と、研磨 粒子20との間の結合をさらに示す。分子結合リンク30は、アルキル鎖32、反応性 末端基34、および粒子固定基36を有する。反応性末端基34は、結合リンク30をマ トリクス材料12のストランドに結合させる分子セグメントである。反応性末端基 34の特定の構造が選択され、マトリクス材料12が液体のモノマー相である場合に 、マトリクス材料12の特定のタイプと反応して結合する。粒子固定基36は、結合 リンク30を研磨粒子20に共有結合させる別の分子セグメントである。粒子固定基 36の特定の構造が同様に選択され、研磨粒子20が作製される材料と共有結合する 。従って、分子結合リンク30は、確実に研磨粒子20をマトリクス材料12に結合さ せる。 図4Aは、分子結合リンク30の特定の実施態様を示す。アルキル鎖32は、(CH2 )n(ここで、n=1〜30)からなり、反応性末端基は、COOHからなり、そし て粒子固定基は、トリクロロシランからなる。図4Bを参照すると、トリクロロ シラン分子は、粒子20の表面上のO−H鎖と反応し、研磨粒子20を分子結合リン ク30の粒子固定基36に共有結合させる。同様に、COOHの反応性末端基34は、 ウレタンモノマー鎖12と反応し、結合リンク30をマトリクス材料12に結合させる 。反応の副生成物は、水および塩酸である。 本発明は、二酸化ケイ素から作製される研磨粒子またはポリウレタンから作製 されるマトリクス材料に限定されない。研磨粒子およびマトリクス材料が作製さ れる材料は変動し得、所望の特徴をパッドに与え得る。本発明の中心の局面は、 研磨粒子およびマトリクス材料と共有結合して、マトリクス材料と、分子結合リ ンクと、研磨粒子との間の結合が静電溶媒の存在下で弱まることを実質的に防止 する、分子結合リンクを選択することである。さらに、分子結合リンク30のアル キル鎖32の長さは変動し得、異なる大きさの研磨粒子20に適応し得る。例えば、 15〜20Åの長さのアルキル鎖(約12個の炭素原子(CH2)12)は、1,500Åの直径の 粒子で使用され得る。より長いアルキル鎖32は、好ましくはより大きい研磨粒子 20で使用され、そしてより短いアルキル鎖32は、好ましくはより小さい研磨粒子 20で使用される。 図5は、本発明による半導体ウエハの化学的−機械的平坦化における使用のた めの結合粒子研磨パッドの製造方法を図示する。方法の最初の工程200は、液体 モノマー相のマトリクス材料で鋳型を満たすことである。第2の工程202は、研 磨粒子を分子結合リンクに共有結合させることである。分子結合リンクの所望の 長さに依存して、分子結合リンクは、蒸気蒸着(短めの長さ)か、または液体沈 着(長めの長さ)のいずれかにより、研磨粒子上へと堆積される。第3の工程20 4は、結合した分子結合リンクおよび研磨粒子をマトリクス材料と混合すること である。パッドは、約10重量%〜約50重量%の研磨粒子および結合リンクと、約 50重量%〜約90重量%のマトリクス材料12とからなる。好ましい実施態様におい て、パッドは、約15重量%〜約25重量%の結合した研磨粒子および結合リンクか らなる。結合した研磨粒子および分子結合リンクがマトリクス材料全体に実質的 に均一に分散された(dlsbursed)後に、第4の工程206は、マトリクス材料を硬 化することである。 本発明の利点の1つは、本発明の研磨パッドが、スラリー中の酸化用化学薬品 またはエッチング用化学薬品を限定することなく、高い研磨速度をもたらすこと である。研磨粒子20をパッド10に入れることにより、安定化剤は、スラリー溶液 中に必要とされない。従って、広範囲のエッチング用化学薬品および酸化用化学 薬品がスラリー溶液中で使用され得る。 本発明の別の利点は、研磨パッド10は、その平坦化表面をわたって均一な研磨 速度を有することである。研磨粒子20をマトリクス材料12に結合させることによ って、研磨粒子20は、図1に示すように、大きなクラスタ22へと集塊しない。従 って、研磨パッド10は、マトリクス材料全体に実質的に均一な研磨粒子20の分布 を有する。従って、研磨速度は、ウエハ表面にわたって実質的に均一である。 本発明のさらに別の利点は、研磨パッド10は、ウエハ表面上に大きなスクラッ チを生成しないことである。研磨粒子20をマトリクス材料12に共有結合させるこ とによって、研磨粒子20は、静電溶媒の存在下でパッド10から容易に脱離しない 。従って、従来のパッドと比較して、研磨粒子20の大きなクラスタ22は、パッド 10から脱離し、そして平坦化の間にウエハをスクラッチする可能性は低い。 上記から、本発明の特定の実施態様は、例示の目的のために本明細書中に記載 しているが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、種々の改変がなされ 得ることが理解される。従って、本発明は、添付した請求の範囲により限定され る以外は、限定されない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S Z,UG),UA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD ,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,BA ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,H U,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD, MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,P T,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK,TJ ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.半導体ウエハ研磨パッドであって: ポリマー性マトリクス材料から作製される本体; 該マトリクス材料に共有結合した結合分子;および 該本体全体に実質的に均一な分布で該結合分子に共有結合した研磨粒子を有し 、静電的化学的−機械的平坦化スラリーの存在下で、該研磨粒子と該マトリクス 材料との間の固定を実質的に保持し得る様式で、該結合分子が該研磨粒子を該マ トリクス材料に固定する、研磨パッド。 2.請求項1に記載の研磨パッドであって、各結合分子が反応性末端基と粒子固 定基とからなり、該反応性末端基が前記マトリクス材料に共有結合する該結合分 子の1つの端部での分子セグメントであり、該粒子固定基が研磨粒子に共有結合 する該結合分子の別の端部での別の分子セグメントである、研磨パッド。 3.請求項1に記載の研磨パッドであって、前記マトリクス材料がポリウレタン から作製される、研磨パッド。 4.請求項1に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が二酸化ケイ素から作 製される、研磨パッド。 5.請求項1に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が酸化アルミニウムか ら作製される、研磨パッド。 6.請求項2に記載の研磨パッドであって、前記マトリクス材料がポリウレタン から作製され、前記研磨粒子が二酸化ケイ素から作製される、研磨パッド。 7.請求項6に記載の研磨パッドであって、前記反応性末端基がCOOHであり 、前記粒子固定基がトリクロロシランであり、該トリクロロシランが該研磨粒子 上 のヒドロキシル化ケイ素表面と共有結合する、研磨パッド。 8.半導体ウエハの化学的−機械的平坦化に使用するための結合粒子研磨パッド の製造方法であって: 鋳型をマトリクス材料で充填する工程; 分子結合リンクを研磨粒子に共有結合する工程であって、各分子結合リンクが 、該分子結合リンクを該マトリクス材料に共有結合するための反応性末端基およ び該分子結合リンクを研磨粒子に共有結合するための粒子固定基を有する、工程 ; 該結合した研磨粒子および分子結合リンクを該マトリクス材料と混合する工程 であって、該分子結合リンクが該マトリクス材料に共有結合し、該研磨粒子を該 マトリクス材料に確実に固定する、工程;および 該マトリクス材料を硬化させ、研磨粒子が結合したパッド本体を形成する工程 であって、該研磨粒子が該本体全体に実質的に均一に懸濁している、工程 を包含する、製造方法。 9.請求項8に記載の方法であって、前記マトリクス材料がポリマー性材料から 作製される、方法。 10.請求項8に記載の方法であって、前記混合工程が10重量%〜50重量%の結 合した研磨粒子および分子結合リンクを前記マトリクス材料と混合することを含 む、方法。 11.半導体ウエハの化学的−機械的平坦化用の平坦化機械であって: 押板; 該押板上に配置された研磨パッドであって、ポリマー性マトリクス材料から作 製される本体、該マトリクス材料に共有結合した結合分子、および該本体全体に 該結合分子に共有結合した研磨粒子を有し、該結合分子が、静電的化学的−機械 的平坦化スラリーの存在下で、化学的−機械的平坦化の間に該研磨粒子を該マト リクス材料に固定する、研磨パッド;および 該研磨パッド上に配置可能なウエハキャリアであって、該ウエハが該ウエハキ ャリアに取り付け可能であり、ここで該押板または該ウエハキャリアの少なくと も1つが、該ウエハを該研磨パッドに係合するようにかつ該ウエハと研磨パッド との間に運動を与えるように移動可能である、ウエハキャリア を備える平坦化機械。 12.請求項11に記載の平坦化機械であって、各結合分子が反応性末端基と粒 子固定基とからなり、該反応性末端基が前記マトリクス材料に共有結合する該結 合分子の1つの端部での分子セグメントであり、該粒子固定基が研磨粒子に共有 結合する該結合分子の別の端部での別の分子セグメントである、平坦化機械。 13.請求項11に記載の平坦化機械であって、前記マトリクス材料がポリウレ タンから作製される、平坦化機械。 14.請求項11に記載の平坦化機械であって、前記研磨粒子が二酸化ケイ素か ら作製される、平坦化機械。 15.請求項11に記載の平坦化機械であって、前記研磨粒子が酸化アルミニウ ムから作製される、平坦化機械。 16.請求項12に記載の平坦化機械であって、前記マトリクス材料がポリウレ タンから作製され、前記研磨粒子が二酸化ケイ素から作製される、平坦化機械。 17.請求項16に記載の平坦化機械であって、前記反応性末端基がCOOHで あり、前記粒子固定基がトリクロロシランであり、該トリクロロシランが該研磨 粒子上のヒドロキシル化ケイ素表面と共有結合する、平坦化機械。 18.研磨パッドであって: ポリマー性マトリクス材料から作製される本体; 該マトリクス材料に共有結合した非加水分解結合分子;および 該結合分子に共有結合した研磨粒子を有し、該結合分子が化学的−機械的平坦 化の間に該研磨粒子を該マトリクス材料に固定する、研磨パッド。 19.請求項18に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が蒸気蒸着により 付与された結合分子のコートを有する、研磨パッド。 20.請求項18に記載の研磨パッドであって、各結合分子が反応性末端基と粒 子固定基とからなり、該反応性末端基が前記マトリクス材料に共有結合する該結 合分子の1つの端部での分子セグメントであり、該粒子固定基が研磨粒子に共有 結合する該結合分子の別の端部での別の分子セグメントである、研磨パッド。 21.請求項18に記載の研磨パッドであって、前記マトリクス材料がポリウレ タンであり、前記研磨粒子が二酸化ケイ素であり、各結合分子がCOOHである 反応性末端基とトリクロロシランである粒子固定基とを有し、該反応性末端基が 該マトリクス材料に共有結合する該結合分子の1つの端部での分子セグメントで あり、該粒子固定基が該結合分子の別の端部での別の分子セグメントである、研 磨パッド。 22.研磨パッドであって: ポリマー性マトリクス材料から作製される本体であって、該本体が該研磨パッ ドの約50重量%〜約90重量%である、本体; 該マトリクス材料に共有結合した非加水分解結合分子;および 該結合分子に共有結合した研磨粒子を有し、該結合分子が化学的−機械的平坦 化の間に該研磨粒子を該マトリクス材料に固定し、該研磨粒子が該研磨パッドの 約10重量%〜約50重量%である、研磨パッド。 23.請求項22に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が蒸気蒸着により 付与された結合分子のコートを有する、研磨パッド。 24.請求項22に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が該研磨パッドの 約15重量%〜約25重量%である、研磨パッド。 25.請求項22に記載の研磨パッドであって、各結合分子が反応性末端基と粒 子固定基とからなり、該反応性末端基が前記マトリクス材料に共有結合する該結 合分子の1つの端部での分子セグメントであり、該粒子固定基が研磨粒子に共有 結合する該結合分子の別の端部での別の分子セグメントであり、該研磨粒子が該 研磨パッドの約15重量%〜約25重量%である、研磨パッド。 26.請求項22に記載の研磨パッドであって、前記マトリクス材料がポリウレ タンであり、前記研磨粒子が二酸化ケイ素であり、各結合分子がCOOHである 反応性末端基とトリクロロシランである粒子固定基とからなり、該反応性末端基 が該マトリクス材料に共有結合する該結合分子の1つの端部での分子セグメント であり、該粒子固定基が研磨粒子に共有結合する該結合分子の別の端部での別の 分子セグメントである、研磨パッド。 27.研磨パッドであって: ポリマー性マトリクス材料から作製される本体; 該マトリクス材料に共有結合した非加水分解結合分子;および 0.15μm未満の平均粒子サイズを有する研磨粒子であって、該結合分子に共有 結合した、研磨粒子を有し、該結合分子が、静電的化学的−機械的平坦化溶液の 存在下で、化学的−機械的平坦化の間に該研磨粒子を該マトリクス材料に固定す る、研磨パッド。 28.請求項27に記載の研磨パッドであって、前記研磨粒子が0.1μm未満の平 均粒子サイズを有する、研磨パッド。 29.請求項27に記載の研磨パッドであって、前記本体が該研磨パッドの約50 重量%〜約90重量%であり、前記研磨粒子が該研磨パッドの約10重量%〜約50重 量%である、研磨パッド。 30.請求項29に記載の研磨パッドであって、各結合分子が反応性末端基と粒 子固定基とからなり、該反応性末端基が前記マトリクス材料に共有結合する該結 合分子の1つの端部での分子セグメントであり、該粒子固定基が研磨粒子に共結 結合する該結合分子の別の端部での別の分子セグメントである、研磨パッド。
JP52625697A 1996-01-22 1997-01-21 共有給合された粒子を有する研磨パッドおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP4171846B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/589,774 US5624303A (en) 1996-01-22 1996-01-22 Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
PCT/US1997/000861 WO1997026114A1 (en) 1996-01-22 1997-01-21 A polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US08/589,774 1998-07-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005195615A Division JP4174607B2 (ja) 1996-01-22 2005-07-04 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000503601A true JP2000503601A (ja) 2000-03-28
JP4171846B2 JP4171846B2 (ja) 2008-10-29

Family

ID=24359467

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52625697A Expired - Fee Related JP4171846B2 (ja) 1996-01-22 1997-01-21 共有給合された粒子を有する研磨パッドおよびその製造方法
JP2005195615A Expired - Fee Related JP4174607B2 (ja) 1996-01-22 2005-07-04 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005195615A Expired - Fee Related JP4174607B2 (ja) 1996-01-22 2005-07-04 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (3) US5624303A (ja)
EP (1) EP0876242B1 (ja)
JP (2) JP4171846B2 (ja)
KR (1) KR100459528B1 (ja)
AT (1) ATE218413T1 (ja)
AU (1) AU1832897A (ja)
DE (1) DE69713057T2 (ja)
WO (1) WO1997026114A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520547A (ja) * 2010-02-24 2013-06-06 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 研磨物品、その製造方法及びその使用方法

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6075606A (en) 1996-02-16 2000-06-13 Doan; Trung T. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5938801A (en) * 1997-02-12 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6062958A (en) * 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US6194317B1 (en) 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US6316363B1 (en) 1999-09-02 2001-11-13 Micron Technology, Inc. Deadhesion method and mechanism for wafer processing
US6331488B1 (en) * 1997-05-23 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Planarization process for semiconductor substrates
US5919082A (en) * 1997-08-22 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive polishing pad
US6780095B1 (en) 1997-12-30 2004-08-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6139402A (en) * 1997-12-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US5897426A (en) 1998-04-24 1999-04-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with multiple polishing pads
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6220934B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
US6036586A (en) 1998-07-29 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads
JP3770752B2 (ja) 1998-08-11 2006-04-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び加工装置
US6080671A (en) * 1998-08-18 2000-06-27 Lucent Technologies Inc. Process of chemical-mechanical polishing and manufacturing an integrated circuit
US6218316B1 (en) 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6390890B1 (en) 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6413153B1 (en) 1999-04-26 2002-07-02 Beaver Creek Concepts Inc Finishing element including discrete finishing members
US6641463B1 (en) 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US6322427B1 (en) * 1999-04-30 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Conditioning fixed abrasive articles
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6419554B2 (en) 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
JP3117438B1 (ja) * 1999-06-24 2000-12-11 日本ミクロコーティング株式会社 化学的機械的テクスチャ加工方法
US6267650B1 (en) 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
US6364749B1 (en) 1999-09-02 2002-04-02 Micron Technology, Inc. CMP polishing pad with hydrophilic surfaces for enhanced wetting
JP3439402B2 (ja) * 1999-11-05 2003-08-25 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6306768B1 (en) 1999-11-17 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic substrates having apertures
US6498101B1 (en) 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
US6517414B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6290572B1 (en) 2000-03-23 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Devices and methods for in-situ control of mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6443810B1 (en) * 2000-04-11 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6612901B1 (en) 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6428386B1 (en) 2000-06-16 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6872329B2 (en) 2000-07-28 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US6520834B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6736869B1 (en) * 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6838382B1 (en) * 2000-08-28 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming a planarizing pad having a film and texture elements for planarization of microelectronic substrates
US6518172B1 (en) 2000-08-29 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Method for applying uniform pressurized film across wafer
US6447369B1 (en) 2000-08-30 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and alignment systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6592443B1 (en) 2000-08-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6609947B1 (en) 2000-08-30 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates
US6652764B1 (en) 2000-08-31 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for making and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6623329B1 (en) 2000-08-31 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a microelectronic substrate relative to a planarization pad
US6579604B2 (en) 2000-11-29 2003-06-17 Psiloquest Inc. Method of altering and preserving the surface properties of a polishing pad and specific applications therefor
US6596388B1 (en) 2000-11-29 2003-07-22 Psiloquest Method of introducing organic and inorganic grafted compounds throughout a thermoplastic polishing pad using a supercritical fluid and applications therefor
US6706383B1 (en) 2001-11-27 2004-03-16 Psiloquest, Inc. Polishing pad support that improves polishing performance and longevity
US7059946B1 (en) 2000-11-29 2006-06-13 Psiloquest Inc. Compacted polishing pads for improved chemical mechanical polishing longevity
US6846225B2 (en) * 2000-11-29 2005-01-25 Psiloquest, Inc. Selective chemical-mechanical polishing properties of a cross-linked polymer and specific applications therefor
US6684704B1 (en) 2002-09-12 2004-02-03 Psiloquest, Inc. Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance
US20050266226A1 (en) * 2000-11-29 2005-12-01 Psiloquest Chemical mechanical polishing pad and method for selective metal and barrier polishing
KR20020055308A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 박종섭 화학적 기계적 연마용 패드 및 그 제조 방법
US6672943B2 (en) * 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6764574B1 (en) 2001-03-06 2004-07-20 Psiloquest Polishing pad composition and method of use
US6575823B1 (en) 2001-03-06 2003-06-10 Psiloquest Inc. Polishing pad and method for in situ delivery of chemical mechanical polishing slurry modifiers and applications thereof
US6632012B2 (en) 2001-03-30 2003-10-14 Wafer Solutions, Inc. Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids
US6818301B2 (en) * 2001-06-01 2004-11-16 Psiloquest Inc. Thermal management with filled polymeric polishing pads and applications therefor
KR100429691B1 (ko) * 2001-06-13 2004-05-03 동성에이앤티 주식회사 미세기공 함유 연마패드 및 그 제조방법
US6866566B2 (en) * 2001-08-24 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a contact surface of a processing pad used in processing microelectronic workpieces
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6666749B2 (en) 2001-08-30 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for enhanced processing of microelectronic workpieces
US6659846B2 (en) * 2001-09-17 2003-12-09 Agere Systems, Inc. Pad for chemical mechanical polishing
WO2003104344A1 (en) * 2002-06-05 2003-12-18 Arizona Board Of Regents Abrasive particles to clean semiconductor wafers during chemical mechanical planarization
US7341502B2 (en) * 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US6838169B2 (en) * 2002-09-11 2005-01-04 Psiloquest, Inc. Polishing pad resistant to delamination
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
DE10255652B4 (de) * 2002-11-28 2005-07-14 Infineon Technologies Ag Schleifkissen, Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren und Verfahren zum nasschemischen Schleifen einer Substratoberfläche
US6884152B2 (en) 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US7141155B2 (en) * 2003-02-18 2006-11-28 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
US7066801B2 (en) * 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
US6910951B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-28 Dow Global Technologies, Inc. Materials and methods for chemical-mechanical planarization
US6935929B2 (en) 2003-04-28 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Polishing machines including under-pads and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US7030603B2 (en) * 2003-08-21 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for monitoring rotation of a conductive microfeature workpiece
TW200525017A (en) * 2003-09-15 2005-08-01 Psiloquest Inc A polishing pad for chemical mechanical polishing
US7086927B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7066792B2 (en) * 2004-08-06 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US20060154579A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Psiloquest Thermoplastic chemical mechanical polishing pad and method of manufacture
US7264539B2 (en) * 2005-07-13 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for removing microfeature workpiece surface defects
US7294049B2 (en) * 2005-09-01 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
DE102007035266B4 (de) * 2007-07-27 2010-03-25 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
CN102138203B (zh) 2008-08-28 2015-02-04 3M创新有限公司 结构化磨料制品、其制备方法、及其在晶片平面化中的用途
KR101701152B1 (ko) * 2009-09-02 2017-02-01 주식회사 동진쎄미켐 돌기를 갖는 나노파이버를 함유한 연마패드
US8628384B2 (en) * 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
US8657653B2 (en) 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
US20120302148A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US9067298B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
JP6309453B2 (ja) * 2011-11-29 2018-04-11 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
SG11201703114QA (en) 2014-10-17 2017-06-29 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7204756B2 (ja) 2017-12-29 2023-01-16 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド 研磨バフ物品
WO2020050932A1 (en) 2018-09-04 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Formulations for advanced polishing pads
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6234781A (ja) * 1985-08-07 1987-02-14 ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− 被覆研磨材
JPH02139478A (ja) * 1988-08-10 1990-05-29 Kanebo Ltd セルロース系繊維品およびその製法
JPH02191768A (ja) * 1988-08-10 1990-07-27 Kanebo Ltd セルロース系繊維の糸染め製品およびその製法
JPH05293766A (ja) * 1992-04-20 1993-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体
JPH06199982A (ja) * 1992-11-09 1994-07-19 Norton Co 研削砥石用ポリウレタン系バインダー
JPH06308312A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Canon Inc カラーフィルターの製造方法
JPH0788171A (ja) * 1993-06-18 1995-04-04 Sanyo Chem Ind Ltd 紙おむつ用吸収剤組成物
JPH07266219A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨装置
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置
JPH08500271A (ja) * 1992-08-17 1996-01-16 ウェヤーハウザー・カンパニー 粒子バインダー

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US202757A (en) * 1878-04-23 Improvement in table-cutlery
US2185942A (en) * 1939-04-11 1940-01-02 Frank Charles William Table service
JPS4810368B1 (ja) * 1968-11-19 1973-04-03
DE3231144A1 (de) * 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von tiefdruckformen mit kunststoff-druckschichten
DE3479783D1 (en) * 1983-03-09 1989-10-26 Howmedica Int Inc Anchorage nail
FR2580656B1 (fr) * 1985-04-23 1987-09-11 Charbonnages Ste Chimique Compositions thermoplastiques multiphases et articles obtenus
CA1263240A (en) * 1985-12-16 1989-11-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive suitable for use as a lapping material
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5127196A (en) * 1990-03-01 1992-07-07 Intel Corporation Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5197999A (en) * 1991-09-30 1993-03-30 National Semiconductor Corporation Polishing pad for planarization
US5213588A (en) * 1992-02-04 1993-05-25 The Procter & Gamble Company Abrasive wiping articles and a process for preparing such articles
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5250085A (en) * 1993-01-15 1993-10-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible bonded abrasive articles, methods of production and use
US5433650A (en) * 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
GB9316021D0 (en) * 1993-08-03 1993-09-15 Exxon Chemical Patents Inc Additive for hydrocarbon oils
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
JP2894208B2 (ja) * 1994-06-02 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
US5672095A (en) * 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6234781A (ja) * 1985-08-07 1987-02-14 ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− 被覆研磨材
JPH02139478A (ja) * 1988-08-10 1990-05-29 Kanebo Ltd セルロース系繊維品およびその製法
JPH02191768A (ja) * 1988-08-10 1990-07-27 Kanebo Ltd セルロース系繊維の糸染め製品およびその製法
JPH05293766A (ja) * 1992-04-20 1993-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体
JPH08500271A (ja) * 1992-08-17 1996-01-16 ウェヤーハウザー・カンパニー 粒子バインダー
JPH08500270A (ja) * 1992-08-17 1996-01-16 ウェヤーハウザー・カンパニー 繊維に対する粒子結合
JPH06199982A (ja) * 1992-11-09 1994-07-19 Norton Co 研削砥石用ポリウレタン系バインダー
JPH06308312A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Canon Inc カラーフィルターの製造方法
JPH0788171A (ja) * 1993-06-18 1995-04-04 Sanyo Chem Ind Ltd 紙おむつ用吸収剤組成物
JPH07266219A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨装置
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520547A (ja) * 2010-02-24 2013-06-06 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 研磨物品、その製造方法及びその使用方法
US9309448B2 (en) 2010-02-24 2016-04-12 Basf Se Abrasive articles, method for their preparation and method of their use

Also Published As

Publication number Publication date
JP4171846B2 (ja) 2008-10-29
JP2006013523A (ja) 2006-01-12
EP0876242B1 (en) 2002-06-05
WO1997026114A1 (en) 1997-07-24
US5823855A (en) 1998-10-20
DE69713057T2 (de) 2003-01-23
KR19990081877A (ko) 1999-11-15
ATE218413T1 (de) 2002-06-15
EP0876242A1 (en) 1998-11-11
US5879222A (en) 1999-03-09
DE69713057D1 (de) 2002-07-11
US5624303A (en) 1997-04-29
KR100459528B1 (ko) 2005-06-02
AU1832897A (en) 1997-08-11
JP4174607B2 (ja) 2008-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000503601A (ja) 共有結合粒子を有する研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法
US5938801A (en) Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6488570B1 (en) Method relating to a polishing system having a multi-phase polishing layer
US6548407B1 (en) Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
KR100295335B1 (ko) 점도가감소된슬러리,그로부터제조된염마재물품,및이물품의제조방법
JP2001517558A (ja) ウエハ表面改質用にフルオロケミカル剤を含有する研磨物品
JPH11512874A (ja) 半導体ウェーハの露出面を改質する方法
US20020018848A1 (en) Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
JP2002526594A (ja) 低誘電率材料のための酸化性研磨スラリー
JP2001522729A (ja) 研磨剤研磨システムを使用したメモリーディスクあるいは半導体デバイスの製造方法及び研磨パッド
WO2007025226A1 (en) Polishing pad and method for manufacturing polishing pads
US6464740B1 (en) Reactive aqueous metal oxide sols as polishing slurries for low dielectric constant materials
KR20090091302A (ko) 나노미립자 충전재를 갖는 연마 용품 및 그 제조 및 사용 방법
US6659846B2 (en) Pad for chemical mechanical polishing
JPH11512978A (ja) 電子装置の化学機械的平坦化のための方法および装置
US6039631A (en) Polishing method, abrasive material, and polishing apparatus
CN113442056A (zh) 一种抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法
US6723143B2 (en) Reactive aqueous metal oxide sols as polishing slurries for low dielectric constant materials
US6702866B2 (en) Homogeneous fixed abrasive polishing pad
KR100789068B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조방법
JP2004074330A (ja) 固定砥粒研磨工具およびその製造方法
TWI777176B (zh) 封裝基板的平面化方法
JP4024622B2 (ja) 研磨剤用キャリア粒子組成物および研磨剤
JP4167440B2 (ja) 研磨剤およびキャリア粒子
JP4688397B2 (ja) キャリア粒子の取扱い方法および研磨剤

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050104

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050404

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060502

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070115

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070628

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080122

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080422

A72 Notification of change in name of applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721

Effective date: 20080422

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080422

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080513

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080708

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080729

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees