KR100459528B1 - 공유결합된 입자를 포함하는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화기계 - Google Patents

공유결합된 입자를 포함하는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화기계 Download PDF

Info

Publication number
KR100459528B1
KR100459528B1 KR10-1998-0705588A KR19980705588A KR100459528B1 KR 100459528 B1 KR100459528 B1 KR 100459528B1 KR 19980705588 A KR19980705588 A KR 19980705588A KR 100459528 B1 KR100459528 B1 KR 100459528B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
abrasive particles
matrix material
polishing pad
binding molecule
covalently bonded
Prior art date
Application number
KR10-1998-0705588A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990081877A (ko
Inventor
칼 엠. 로빈슨
Original Assignee
마이크론 테크놀로지, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지, 인크. filed Critical 마이크론 테크놀로지, 인크.
Publication of KR19990081877A publication Critical patent/KR19990081877A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100459528B1 publication Critical patent/KR100459528B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S451/00—Abrading
    • Y10S451/921—Pad for lens shaping tool

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 화학적-기계적 평탄화 공정에서 사용하는 연마 패드와 이의 제조방법에 관한 것이다. 연마 패드는 기재, 분자 결합성 링크 및 기재 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 분산되어 있는 연마재 입자를 포함한다. 기재는 중합체성 매트릭스 재료로부터 제조하며, 분자 결합성 링크(link)는 중합체성 매트릭스 재료에 공유결합되어 있다. 실질적으로 모든 연마재 입자가 하나 이상의 분자 결합성 링크에 공유결합되어 있다. 분자 결합성 링크는 연마재 입자를 매트릭스 재료에 단단하게 고착시켜, 연마재 입자가 연마 패드 전체에 걸쳐 균일하게 분포하는 것을 향상시키고 연마재 입자가 연마 패드로부터 이탈하는 것을 실질적으로 방지한다.

Description

공유결합된 입자를 포함하는 연마 패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화 기계
본 발명은 반도체 웨이퍼의 화학적-기계적 평탄화 공정에 사용되는 연마 패드에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 연마 입자가 패드 본체에 매봉된(embedded) 연마 패드에 관한 것이다.
발명의 배경
초고밀도 집적회로를 제조할 때 웨이퍼의 표면 층의 물질은 화학적-기계적 평탄화(chemical-mechanical planarization; "CMP") 공정에 의하여 제거된다. 일반적인 CMP 공정에서는 웨이퍼는 제어된 화학적인 조건과, 제어된 압력, 속도, 온도 조건하에서, 슬러리의 존재하의 연마 패드에 압착된다. 슬러리 용액에는 웨이퍼 표면을 연마하는 연마 입자와 웨이퍼 표면을 산화시키고/시키거나 에칭시키는 화학약품이 포함되어 있다. 따라서, 웨이퍼와 연마 패드 사이에 상대적인 운동성이 부여되면, 웨이퍼 표면의 물질이 슬러리 속의 연마 입자(기계적 제거)와 화학약품(화학적 제거)에 의해 웨이퍼 표면으로부터 제거된다.
웨이퍼 표면 위에 광학적 또는 전자기적 회로 패턴의 초점을 정확하게 맞추는 것이 중요하기 때문에, CMP 공정에 의해 웨이퍼 위에 균일하고 평탄한 표면이 일정하고 정확하게 제공되어야 한다. 집적회로의 밀도가 증가함에 따라, 광패턴의 임계 크기의 초점을 약 0.5㎛의 허용오차 이내로 정확하게 맞추는 것이 종종 필요하다. 그러나, 웨이퍼 표면이 균일하게 평탄하지 않아서 방출원과 웨이퍼 표면 사이의 거리가 변화하는 경우, 광패턴의 초점을 상기한 작은 오차 한계까지 맞추는 것은 매우 어렵다. 사실상, 평면이 균일하지 않은 웨이퍼 위에서 다수의 장치는 결함이 있을 수 있다. 따라서, CMP 공정으로 매우 균일한 평면이 제공되어야 한다.
또한, 경쟁적인 반도체 산업에서, 완성된 웨이퍼의 생산량을 최대화하고 각각의 웨이퍼 상의 결함이나 손상된 장치의 수를 최소화하시키는 것도 바람직하다. CMP 공정의 생산량은 몇가지 인자들의 함수이며, 이 중 하나는 웨이퍼 표면의 평면의 균일성을 감소시키지 않으면서 웨이퍼를 평탄화시킬 때 웨이퍼의 두께가 감소되는 속도("연마 속도")이다. 따라서, 조절 한계 내에서 연마 속도를 최대화하는 것이 바람직하다.
슬러리 용액 속의 연마 입자의 비율을 증가시켜 CMP 공정의 연마 속도를 증가시킬 수 있다. 그러나, 콜로이드 슬러리 용액 속의 연마 입자의 비율을 증가시키면 연마 입자를 일부 바람직한 산화제 및 부식제와 혼합할 때 연마 입자가 부유하는 경향이 있는 문제가 있다. 비록 안정화제가 연마 입자의 부유를 방지할 수 있지만, 안정화제는 일반적으로 산화제 및 부식제와 불혼화성이다. 따라서, 슬러리 용액 속의 연마 입자의 비율을 제한하는 것이 바람직하다.
슬러리 속의 연마 입자의 비율을 제한하기 위한 한 가지 바람직한 해결방법은 연마 입자를 연마 패드 속에 현탁시키는 것이다. 통상적인 입자 현탁된 패드는 단량체 쇄로 제조한 매트릭스 재료 속에 연마 입자를 첨가하여 제조한다. 이온 부착성 촉매(예: 헥사메틸디살리잔)를 사용하여 연마 입자와 단량체 쇄 사이의 부착성을 증진시킬 수 있다. 연마 입자를 매트릭스 재료 속에 혼합한 후, 매트릭스 재료를 경화시켜 연마 패드를 고화시키고 연마 입자를 매트릭스 재료 전체에 걸쳐 현탁시킨다. 공정에서, 연마 패드에 현탁시킨 연마 입자에 의해 웨이퍼 표면이 연마되어, 웨이퍼로부터 물질이 기계적으로 제거된다.
입자가 현탁된 통상적인 연마 패드의 한 가지 문제점은 연마 패드의 평탄화 표면의 마모성과 이에 따른 웨이퍼의 연마 속도가 패드 표면에 걸쳐 영역에 따라 변화한다는 것이다. 매트릭스 물질이 경화되기 전에, 통상적으로 연마 입자가 고밀도 클러스터로 응집되어 연마 패드 전체에 걸쳐서 연마 입자가 균일하지 않게 분포되게 된다. 따라서, 패드 전체에 걸쳐서 연마 입자가 균일하게 분포된, 입자가 현탁된 연마 패드를 개발하는 것이 바람직할 것이다.
입자가 현탁된 통상적인 연마 패드의 또 다른 문제점은 이들에 의해 웨이퍼 표면이 긁히는 경향이 있다는 것이다. 패드로 웨이퍼를 평탄화시키면, 연마 패드의 평탄화 표면 상의 연마 입자에 인접한 매트릭스 재료가 마모되어, 결과적으로, 일부 연마 입자가 연마 패드로부터 이탈되어 슬러리 속에서 이동한다. 또한, 정전기적 용매가 매트릭스 재료와 연마 입자 사이의 이온 결합을 약화시키기 때문에, 연마 입자가 이온 부착성 촉매와 함께 연마 패드로부터 이탈한다. 현탁시킨 연마 입자의 큰 응집물이 연마 패드로부터 이탈하는 경우, 이로 인해 웨이퍼 표면이 긁히고 웨이퍼 위의 일부 장치가 심각하게 손상된다. 따라서, 연마 입자가 패드로부터 이탈하는 것을 실질적으로 방지하는 연마 패드를 개발하는 것이 바람직할 것이다.
발명의 요약
본 발명의 연마 패드는 CMP 공정으로 반도체 웨이퍼를 평탄화시키는 데 사용하며, 당해 연마 패드는 본체, 분자 결합성 링크(link) 및 본체 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 분산되어 있는 연마 입자를 포함한다. 본체는 중합체성 매트릭스 재료로부터 제조하며, 분자 결합성 링크는 매트릭스 재료에 공유결합되어 있다. 또한, 실질적으로 모든 연마 입자는 또한 하나 이상의 분자 결합성 링크에 공유결합되어 있다. 분자 결합성 링크는 연마 입자를 매트릭스 재료에 안전하게 고착시켜 패드 전체에 걸친 연마 입자의 분포 균일성을 향상시키고 연마 입자가 패드로부터 이탈하는 것을 실질적으로 방지한다.
본 발명의 입자 결합된 연마 패드를 제조방법에서, 분자 결합성 링크가 연마 입자에 공유결합되어 있다. 분자 결합성 링크가 연마 입자에 공유결합된 후, 결합된 분자 결합성 링크와 연마 입자를 금형 속에서 매트릭스 재료와 혼합한다. 혼합 단계 동안, 분자 결합성 링크의 반응성 말단 그룹이 매트릭스 재료에 결합하여, 입자를 매트릭스 재료에 단단하게 고착시킨다. 이어서, 매트릭스 재료를 중합시켜, 본체 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 현탁되어 있는 연마 입자가 결합된 연마 패드를 제조한다.
도 1은 선행 기술에 따르는, 현탁된 연마 입자를 포함하는 종래의 연마 패드의 부분적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따르는, 결합되고 현탁된 연마 입자를 포함하는 연마 패드의 부분적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 분자 결합성 링크와 연마 입자의 개략도이다.
도 4A는 본 발명에 따르는 분자 결합성 링크와 연마 입자의 화학식이다.
도 4B는 본 발명에 따르는 분자 결합성 링크와 연마 입자 사이의 반응을 나타내는 화학식이다.
도 5는 본 발명에 따르는, 결합되고 현탁된 연마 입자를 포함하는 연마 패드의 제조방법을 나타내는 플로우 챠트이다.
본 발명의 연마 패드는 패드 전체에 걸쳐서 연마 입자가 균일하게 분포되어 있으며, 연마 입자는 패드에 공유결합되어 있어 연마 입자가 패드로부터 이탈하는 것을 실질적으로 방지할 수 있다. 본 발명의 중요한 양태는 연마 패드의 매트릭스 재료와 연마 입자 둘다와 공유결합하는 분자 결합성 링크를 제공하는 것이다. 분자 결합성 링크는 다음의 유리한 작용을 수행한다: (1) 연마 입자가 매트릭스 재료가 경화되기 전에 응집되는 것을 실질적으로 방지하고, (2) 연마 입자를 매트릭스 재료에 결합시킨다. 따라서, 분자 결합성 링크는 연마 입자가 매트릭스 재료 전체에 걸쳐서 균일하게 분포하는 것을 향상시키고 연마 입자가 연마 패드로부터 이탈하는 것을 실질적으로 방지한다.
도 1은 매트릭스 재료(12)와 다수의 연마 입자(20)로부터 제조한 통상적인 연마 패드(P)가 나타나 있다. 연마 입자(20)가 매트릭스 재료(12)는 현탁되어 있는 동안, 매트릭스 재료(12)는 액체 상태이다. 매트릭스 재료(12)가 경화되기 전에, 연마 입자(20)이 응집되어 클러스터(22)를 형성하여, 매트릭스 재료(12) 전체에 걸친 연마 입자(20) 분포의 균일성을 감소시킨다. 따라서, 패드(P)의 평탄화 표면(S)을 새로운 평탄화 표면(Sc)으로 컨디셔닝(conditioning)하는 경우, 연마 입자(20)의 클러스터(22)에 대한 연마 속도가 패드 위의 다른 영역에 대한 연마 속도와 상이하다. 추가로, 매트릭스 재료(12)가 평탄화 공정 또는 컨디셔닝 공정 동안 마모됨에 따라, 평탄화 표면에 가까이 존재하는 연마 입자(20)가 패드(P)로부터 이탈하여 웨이퍼(도시되어 있지 않음)가 긁히는 경향이 있다. 따라서, 입자가 현탁된 통상적인 연마 패드에 의해 연마 속도가 불규칙하고 웨이퍼가 손상될 수 있다.
도 2에는, 본 발명에 따르는 연마 패드(10)가 나타나 있다. 연마 패드(10)는 매트릭스 재료(12)로부터 제조된 본체(11)을 포함한다. 일반적으로 매트릭스 재료(12)는 폴리우레탄 또는 나일론이다. 앞에 본체되어 있는 중합체 물질은 단순히 예시적이고, 따라서 기타 중합체성 매트릭스 재료가 본 발명의 범주에 포함된다. 분자 결합성 링크(30)는 매트릭스 재료(12) 및 연마 입자(20)에 공유결합된다. 따라서, 분자 결합성 링크(30)은 연마 입자(20)를 매트릭스 재료(12)에 결합시킨다. 연마 입자(20)는 바람직하게는 이산화규소 또는 산화알루미늄으로부터 제조하지만, 기타 종류의 연마 입자도 본 발명의 범주에 포함된다.
도 3에는, 매트릭스 재료(12) 한 가닥, 결합성 링크(30) 및 연마 입자(20) 사이의 결합을 추가로 나타낸다. 분자 결합성 링크(30)는 알킬 쇄(32), 반응성 말단 그룹(34) 및 입자 고착성 그룹(36)을 포함한다. 반응성 말단 그룹(34)은 분자 결합성 링크(30)을 매트릭스 재료(12)의 가닥에 결합시키는 분자 단편이다. 매트릭스 재료(12)가 액상 단량체인 경우, 특정 화학식의 반응성 말단 그룹(34)를 선택하여 특정 종류의 매트릭스 재료(12)와 반응성으로 결합하도록 한다. 입자 고착성 그룹(36)은 분자 결합성 링크(30)를 연마 입자(20)에 공유결합시키는 또 다른 분자 단편이다. 이와 유사하게, 특정 화학식의 입자 고착성 그룹(36)을 선택하여 연마 입자(20)를 제조하는 물질과 공유결합하도록 한다. 따라서, 분자 결합성 링크(30)에 의해 연마 입자(20)가 매트릭스 재료(12)에 단단히 부착된다.
도 4A에는, 분자 결합성 링크(30)의 특정 양태가 나타나 있다. 알킬 쇄(32)는 (CH2)n(여기서, n은 1 내지 30이다)으로부터 제조하고, 반응성 말단 그룹은 COOH로부터 제조하며, 입자 고착성 그룹은 트리클로로실란으로부터 제조한다. 도 4B에 관해서는, 트리클로로실란 분자는 연마 입자(20) 표면 위의 O-H 쇄와 반응하여 연마 입자(20)를 분자 결합성 링크(30)의 입자 고착성 그룹(36)에 공유결합시킨다. 이와 유사하게, COOH 반응성 말단 그룹(34)은 우레탄 단량체 쇄(12)와 반응하여 분자 결합성 링크(30)를 매트릭스 재료(12)에 결합시킨다. 반응 부산물은 물과 염산이다.
본 발명은 이산화규소로부터 제조한 연마 입자 또는 폴리우레탄으로부터 제조한 매트릭스 재료에 제한되지 않는다. 연마 입자와 매트릭스 재료를 제조하는 물질은 변화시켜 연마 패드에 목적하는 특성을 부여할 수 있다. 본 발명의 주요한 양태는 연마 입자와 매트릭스 재료에 공유결합하는 분자 결합성 링크를 선택하여, 매트릭스 재료, 분자 결합성 링크 및 연마 입자 사이의 결합이 정전기적 용매의 존재하에 약화되는 것을 실질적으로 방지하는 것이다. 추가로, 분자 결합성 링크(30)의 알킬 쇄(32)의 길이를 변화시켜 다양한 크기의 연마 입자(20)를 수용할 수 있다. 예를 들면, 길이가 15 내지 20Å인 알킬 쇄(탄소수가 약 12인 (CH2)12)를 직경이 1,500Å인 입자와 사용할 수 있다. 알킬 장쇄(32)는 바람직하게는 큰 연마 입자(20)와 사용하고, 알킬 단쇄(32)는 바람직하게는 작은 연마 입자(20)와 사용한다.
도 5에는, 반도체 웨이퍼의 화학적-기계적 평탄화 공정에 사용하기 위한 본 발명에 따르는 입자가 결합된 연마 패드의 제조방법을 도식적으로 나타낸다. 제1 단계(200)는 금형을 액상 단량체 상인 매트릭스 재료로 충전시키는 단계이다. 제2 단계(202)는 연마 입자를 분자 결합성 링크에 공유결합시키는 단계이다. 분자 결합성 링크의 목적하는 길이에 따라, 분자 결합성 링크를 증착 공정(길이가 짧은 경우) 또는 액상 침착 공정(길이가 긴 경우)에 의해 연마 입자에 부착시킨다. 제3 단계(204)는 결합된 연마 입자와 결합성 링크를 매트릭스 재료와 혼합하는 단계이다. 패드는 연마 입자와 분자 결합성 링크 약 10 내지 50중량%와 매트릭스 재료(12) 약 50 내지 90%로부터 제조한다. 바람직한 양태에서, 패드는 결합된 연마 입자와 분자 결합성 링크 약 15 내지 25중량%로부터 제조한다. 결합된 연마 입자와 분자 결합성 링크를 매트릭스 재료 전체에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분산시킨 후, 제4 단계에서 매트릭스 재료를 경화시킨다.
본 발명의 한 가지 이점은 슬러리 속의 산화제 또는 부식제의 제한없이 연마 패드의 연마 속도를 증가시킨다는 것이다. 패드(10) 속에 연마 입자(20)를 넣음으로써, 슬러리 용액 속에 안정화제를 첨가할 필요가 없다. 따라서, 보다 광범위한 산화제와 부식제를 슬러리 용액 속에서 사용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 이점은 연마 패드(10)가, 연마 속도가 평탄화 표면에 걸쳐서 일정하다는 것이다. 연마 입자(20)를 매트릭스 재료(12)에 결합시킴으로써, 연마 입자(20)가 도 1에 나타낸 바와 같이 큰 클러스터(22)로 응집되지 않는다. 따라서, 연마 패드(10)는 매트릭스 재료 전체에 걸쳐서 연마 입자(20)이 실질적으로 균일하게 분포되어 있다. 따라서, 연마 속도가 웨이퍼 표면에 걸쳐서 실질적으로 일정하다.
본 발명의 또 다른 이점은 연마 패드(10)에 의해 웨이퍼 표면이 많이 긁히지 않는다는 것이다. 연마 입자(20)를 매트릭스 재료(12)에 공유결합시킴으로써, 연마 입자(20)가 정전기적 용매의 존재하에 패드(10)로부터 즉시 이탈하지 않는다. 따라서, 통상적인 패드에 비해, 연마 입자(20)의 큰 클러스터(22)가 평탄화 공정 동안 패드(10)로부터 이탈하여 웨이퍼가 긁히는 경향이 감소한다.
선행 기재사항으로부터, 본 발명의 특정 양태를 설명을 목적으로 본원에 기재하였으나, 본 발명의 의도 및 범주를 벗어나지 않고 다양하게 변경할 수 있음이 인지된다. 따라서, 본 발명은 본원의 청구의 범위에 의해서만 제한된다.

Claims (30)

  1. 중합체성 매트릭스 재료로부터 제조된 본체,
    중합체성 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자 및
    본체 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 분포되어 있는 상태로 결합성 분자에 공유결합된 연마 입자
    를 포함하며,
    결합성 분자가 화학적-기계적 평탄화용 정전기적 슬러리의 존재하에 매트릭스 재료와 연마 입자 사이의 고착을 실질적으로 유지할 수 있도록 매트릭스 재료에 연마 입자를 고착시키는 것인,
    반도체 웨이퍼 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합하는 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹과 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹으로 이루어지는 연마 패드.
  3. 제1항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄으로 제조되는 연마 패드.
  4. 제1항에 있어서, 연마 입자가 이산화규소로 제조되는 연마 패드.
  5. 제1항에 있어서, 연마 입자가 산화알루미늄으로 제조되는 연마 패드.
  6. 제2항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄으로 제조되고 연마 입자가 이산화규소로 제조되는 연마 패드.
  7. 제6항에 있어서, 반응성 말단 그룹이 COOH이고, 입자 고착성 그룹이 연마 입자 위의 하이드록실화 규소 표면과 공유결합하는 트리클로로실란인 연마 패드.
  8. 금형을 매트릭스 재료로 충전시키는 단계,
    분자 결합성 링크(link)를 매트릭스 재료에 공유결합시키기 위한 반응성 말단 그룹과 분자 결합성 링크를 연마 입자에 공유결합시키기 위한 입자 고착성 그룹을 포함하는 각각의 분자 결합성 링크를 연마 입자에 공유결합시키는 단계,
    결합된 연마 입자와 분자 결합성 링크를 매트릭스 재료와 혼합함으로써, 분자 결합성 링크가 매트릭스 재료에 공유결합하여 연마 입자를 매트릭스 재료에 견고하게 고착되도록 하는 단계 및
    매트릭스 재료를 경화시켜, 본체 전체에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 현탁된 상태로 결합된 연마 입자를 포함하는 패드 본체를 형성시키는 단계
    를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 화학적-기계적 평탄화 공정에 사용하기 위한, 결합된 입자 연마 패드의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 매트릭스 재료가 중합체 물질로 제조되는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 혼합 단계가, 결합된 연마 입자와 분자 결합성 링크 10 내지 50중량%를 매트릭스 재료와 혼합함을 포함하는 방법.
  11. 가압판(platen);
    중합체성 매트릭스 재료로 제조된 본체, 중합체성 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자, 및 본체 전체에 걸쳐서 결합성 분자에 공유결합된 연마 입자를 포함하며, 결합성 분자가 화학적-기계적 평탄화 공정 동안 화학적-기계적 평탄화용 정전기적 슬러리의 존재하에 연마 입자를 중합체성 매트릭스 재료에 고착시키는 것이며, 가압판 위에 위치하는 연마 패드 및
    연마 패드 위쪽에 위치할 수 있고, 웨이퍼가 부착될 수 있는 웨이퍼 캐리어(carrier)를 포함하는 것으로서, 가압판 또는 웨이퍼 캐리어 중의 하나 이상의 웨이퍼를 연마 패드에 함입시킬 수 있도록 이동 가능하고 웨이퍼와 연마 패드 사이에 가동성을 제공할 수 있는, 반도체 웨이퍼의 화학적-기계적 평탄화용 평탄화 기계.
  12. 제11항에 있어서, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹과 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹으로 이루어지는 평탄화 기계.
  13. 제11항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄으로 제조되는 평탄화 기계.
  14. 제11항에 있어서, 연마 입자가 이산화규소로 제조되는 평탄화 기계.
  15. 제11항에 있어서, 연마 입자가 산화알루미늄으로 제조되는 평탄화 기계.
  16. 제12항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄으로 제조되고 연마 입자가 이산화규소로 제조되는 평탄화 기계.
  17. 제16항에 있어서, 반응성 말단 그룹이 COOH이고, 입자 고착성 그룹이 연마 입자 위의 하이드록실화 규소 표면과 공유결합하는 트리클로로실란인 평탄화 기계.
  18. 중합체성 매트릭스 재료로부터 제조된 본체,
    매트릭스 재료에 공유결합된 가수분해되지 않는 결합성 분자 및
    결합성 분자에 공유결합된 연마 입자
    를 포함하며,
    상기 결합성 분자가 화학적-기계적 평탄화 공정 동안 연마 입자를 매트릭스 재료에 고착시키는 것인, 연마 패드.
  19. 제18항에 있어서, 연마 입자가 증착에 의해 적용된 결합성 분자의 피복물을 포함하는 연마 패드.
  20. 제18항에 있어서, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹과 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹으로 이루어지는 연마 패드.
  21. 제18항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄이고, 연마 입자가 이산화규소이며, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합하는 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹 COOH와 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹 트리클로로실란을 포함하는 연마 패드.
  22. 중합체성 매트릭스 재료로 제조된 본체 약 50 내지 90중량%,
    화학적-기계적 평탄화 공정 동안 연마 입자를 매트릭스 재료에 고착시키는, 매트릭스 재료에 공유결합된 가수분해되지 않는 결합성 분자 및
    결합성 분자에 공유결합된 연마 입자 약 10 내지 50중량%를 포함하는 연마 패드.
  23. 제22항에 있어서, 연마 입자가, 증착에 의해 적용된 결합성 분자의 피복물을 포함하는 연마 패드.
  24. 제22항에 있어서, 연마 입자가 연마 패드의 약 15 내지 25중량%를 구성하는 연마 패드.
  25. 제22항에 있어서, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹과 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 입자 고착성 그룹으로 이루어지고 연마 입자가 연마 패드의 약 15 내지 25중량%를 구성하는 연마 패드.
  26. 제22항에 있어서, 매트릭스 재료가 폴리우레탄이고, 연마 입자가 이산화규소이며, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합하는 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹 COOH와 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹 트리클로로실란을 포함하는 연마 패드.
  27. 중합체성 매트릭스 재료로부터 제조된 본체,
    매트릭스 재료에 공유결합된 가수분해되지 않는 결합성 분자 및
    평균 입자 크기가 0.15μm 미만인, 결합성 분자에 공유결합된 연마 입자를 포함하며,
    상기 결합성 분자가 화학적-기계적 평탄화 공정 동안 화학적-기계적 평탄화용 정전기적 용액의 존재하에 연마 입자를 매트릭스 재료에 고착시키는 것인,
    연마 패드.
  28. 제27항에 있어서, 연마 입자의 평균 입자 크기가 0.1μm 미만인 연마 패드.
  29. 제27항에 있어서, 본체가 연마 패드의 약 50 내지 90중량%를 구성하고, 연마 입자가 연마 패드의 약 10 내지 50중량%를 구성하는 연마 패드.
  30. 제29항에 있어서, 각각의 결합성 분자가, 매트릭스 재료에 공유결합된 결합성 분자의 한쪽 말단에 존재하는 분자 단편인 반응성 말단 그룹과 연마 입자에 공유결합된 결합성 분자의 다른쪽 말단에 존재하는 또 다른 분자 단편인 입자 고착성 그룹으로 이루어지는 연마 패드.
KR10-1998-0705588A 1996-01-22 1997-01-21 공유결합된 입자를 포함하는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화기계 KR100459528B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/589,774 1906-01-22
US08/589,774 1996-01-22
US08/589,774 US5624303A (en) 1996-01-22 1996-01-22 Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
PCT/US1997/000861 WO1997026114A1 (en) 1996-01-22 1997-01-21 A polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990081877A KR19990081877A (ko) 1999-11-15
KR100459528B1 true KR100459528B1 (ko) 2005-06-02

Family

ID=24359467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0705588A KR100459528B1 (ko) 1996-01-22 1997-01-21 공유결합된 입자를 포함하는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화기계

Country Status (8)

Country Link
US (3) US5624303A (ko)
EP (1) EP0876242B1 (ko)
JP (2) JP4171846B2 (ko)
KR (1) KR100459528B1 (ko)
AT (1) ATE218413T1 (ko)
AU (1) AU1832897A (ko)
DE (1) DE69713057T2 (ko)
WO (1) WO1997026114A1 (ko)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5967030A (en) 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6075606A (en) 1996-02-16 2000-06-13 Doan; Trung T. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5938801A (en) * 1997-02-12 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6062958A (en) * 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US6194317B1 (en) 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US6316363B1 (en) 1999-09-02 2001-11-13 Micron Technology, Inc. Deadhesion method and mechanism for wafer processing
US6331488B1 (en) * 1997-05-23 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Planarization process for semiconductor substrates
US5919082A (en) 1997-08-22 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive polishing pad
US6780095B1 (en) 1997-12-30 2004-08-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6139402A (en) * 1997-12-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US5897426A (en) 1998-04-24 1999-04-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with multiple polishing pads
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6220934B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
US6036586A (en) * 1998-07-29 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads
JP3770752B2 (ja) 1998-08-11 2006-04-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び加工装置
US6080671A (en) * 1998-08-18 2000-06-27 Lucent Technologies Inc. Process of chemical-mechanical polishing and manufacturing an integrated circuit
US6218316B1 (en) 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6390890B1 (en) 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6413153B1 (en) 1999-04-26 2002-07-02 Beaver Creek Concepts Inc Finishing element including discrete finishing members
US6641463B1 (en) 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US6322427B1 (en) * 1999-04-30 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Conditioning fixed abrasive articles
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6419554B2 (en) 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
JP3117438B1 (ja) * 1999-06-24 2000-12-11 日本ミクロコーティング株式会社 化学的機械的テクスチャ加工方法
US6267650B1 (en) 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6364749B1 (en) 1999-09-02 2002-04-02 Micron Technology, Inc. CMP polishing pad with hydrophilic surfaces for enhanced wetting
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
JP3439402B2 (ja) * 1999-11-05 2003-08-25 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6306768B1 (en) 1999-11-17 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic substrates having apertures
US6498101B1 (en) 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
US6517414B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6290572B1 (en) 2000-03-23 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Devices and methods for in-situ control of mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6616513B1 (en) * 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6443810B1 (en) * 2000-04-11 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6612901B1 (en) 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6428386B1 (en) 2000-06-16 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6872329B2 (en) 2000-07-28 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US6520834B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6736869B1 (en) * 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6838382B1 (en) * 2000-08-28 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming a planarizing pad having a film and texture elements for planarization of microelectronic substrates
US6518172B1 (en) 2000-08-29 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Method for applying uniform pressurized film across wafer
US6609947B1 (en) * 2000-08-30 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates
US6592443B1 (en) 2000-08-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6447369B1 (en) 2000-08-30 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and alignment systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6623329B1 (en) 2000-08-31 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a microelectronic substrate relative to a planarization pad
US6652764B1 (en) 2000-08-31 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for making and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6684704B1 (en) 2002-09-12 2004-02-03 Psiloquest, Inc. Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance
US7059946B1 (en) 2000-11-29 2006-06-13 Psiloquest Inc. Compacted polishing pads for improved chemical mechanical polishing longevity
US20050266226A1 (en) * 2000-11-29 2005-12-01 Psiloquest Chemical mechanical polishing pad and method for selective metal and barrier polishing
US6846225B2 (en) * 2000-11-29 2005-01-25 Psiloquest, Inc. Selective chemical-mechanical polishing properties of a cross-linked polymer and specific applications therefor
US6706383B1 (en) 2001-11-27 2004-03-16 Psiloquest, Inc. Polishing pad support that improves polishing performance and longevity
US6596388B1 (en) 2000-11-29 2003-07-22 Psiloquest Method of introducing organic and inorganic grafted compounds throughout a thermoplastic polishing pad using a supercritical fluid and applications therefor
US6579604B2 (en) 2000-11-29 2003-06-17 Psiloquest Inc. Method of altering and preserving the surface properties of a polishing pad and specific applications therefor
KR20020055308A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 박종섭 화학적 기계적 연마용 패드 및 그 제조 방법
US6672943B2 (en) * 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6575823B1 (en) 2001-03-06 2003-06-10 Psiloquest Inc. Polishing pad and method for in situ delivery of chemical mechanical polishing slurry modifiers and applications thereof
US6764574B1 (en) 2001-03-06 2004-07-20 Psiloquest Polishing pad composition and method of use
US6632012B2 (en) 2001-03-30 2003-10-14 Wafer Solutions, Inc. Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids
US6818301B2 (en) * 2001-06-01 2004-11-16 Psiloquest Inc. Thermal management with filled polymeric polishing pads and applications therefor
KR100429691B1 (ko) * 2001-06-13 2004-05-03 동성에이앤티 주식회사 미세기공 함유 연마패드 및 그 제조방법
US6866566B2 (en) * 2001-08-24 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a contact surface of a processing pad used in processing microelectronic workpieces
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6666749B2 (en) 2001-08-30 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for enhanced processing of microelectronic workpieces
US6659846B2 (en) * 2001-09-17 2003-12-09 Agere Systems, Inc. Pad for chemical mechanical polishing
WO2003104344A1 (en) * 2002-06-05 2003-12-18 Arizona Board Of Regents Abrasive particles to clean semiconductor wafers during chemical mechanical planarization
US7341502B2 (en) * 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US6838169B2 (en) * 2002-09-11 2005-01-04 Psiloquest, Inc. Polishing pad resistant to delamination
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
DE10255652B4 (de) * 2002-11-28 2005-07-14 Infineon Technologies Ag Schleifkissen, Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren und Verfahren zum nasschemischen Schleifen einer Substratoberfläche
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US7141155B2 (en) * 2003-02-18 2006-11-28 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
US7066801B2 (en) * 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
US6910951B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-28 Dow Global Technologies, Inc. Materials and methods for chemical-mechanical planarization
US6935929B2 (en) 2003-04-28 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Polishing machines including under-pads and methods for mechanical and/or chemical-mechanical polishing of microfeature workpieces
US7030603B2 (en) * 2003-08-21 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for monitoring rotation of a conductive microfeature workpiece
JP2007505749A (ja) * 2003-09-15 2007-03-15 サイロクエスト インコーポレーテッド 化学的機械的研磨用の研磨パッド
US7086927B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7066792B2 (en) 2004-08-06 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US20060154579A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-13 Psiloquest Thermoplastic chemical mechanical polishing pad and method of manufacture
US7264539B2 (en) 2005-07-13 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for removing microfeature workpiece surface defects
US7294049B2 (en) * 2005-09-01 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
DE102007035266B4 (de) * 2007-07-27 2010-03-25 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
EP2327088B1 (en) 2008-08-28 2019-01-09 3M Innovative Properties Company Structured abrasive article, method of making the same, and use in wafer planarization
KR101701152B1 (ko) * 2009-09-02 2017-02-01 주식회사 동진쎄미켐 돌기를 갖는 나노파이버를 함유한 연마패드
US9309448B2 (en) 2010-02-24 2016-04-12 Basf Se Abrasive articles, method for their preparation and method of their use
US8657653B2 (en) 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
US8628384B2 (en) * 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
US20120302148A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
JP6309453B2 (ja) * 2011-11-29 2018-04-11 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9597769B2 (en) 2012-06-04 2017-03-21 Nexplanar Corporation Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US11292102B2 (en) 2017-12-29 2022-04-05 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive buffing articles
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994004599A1 (en) * 1992-08-19 1994-03-03 Rodel, Inc. Polymeric substrate with polymeric microelements

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US202757A (en) * 1878-04-23 Improvement in table-cutlery
US2185942A (en) * 1939-04-11 1940-01-02 Frank Charles William Table service
JPS4810368B1 (ko) * 1968-11-19 1973-04-03
DE3231144A1 (de) * 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von tiefdruckformen mit kunststoff-druckschichten
EP0186656B1 (de) * 1983-03-09 1989-09-20 HOWMEDICA INTERNATIONAL, INC. Zweigniederlassung Kiel Verriegelungsnagel
FR2580656B1 (fr) * 1985-04-23 1987-09-11 Charbonnages Ste Chimique Compositions thermoplastiques multiphases et articles obtenus
US4652274A (en) * 1985-08-07 1987-03-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive product having radiation curable binder
CA1263240A (en) * 1985-12-16 1989-11-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive suitable for use as a lapping material
JPH02139478A (ja) * 1988-08-10 1990-05-29 Kanebo Ltd セルロース系繊維品およびその製法
JPH02191768A (ja) * 1988-08-10 1990-07-27 Kanebo Ltd セルロース系繊維の糸染め製品およびその製法
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5127196A (en) * 1990-03-01 1992-07-07 Intel Corporation Apparatus for planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5197999A (en) * 1991-09-30 1993-03-30 National Semiconductor Corporation Polishing pad for planarization
US5213588A (en) * 1992-02-04 1993-05-25 The Procter & Gamble Company Abrasive wiping articles and a process for preparing such articles
JPH05293766A (ja) * 1992-04-20 1993-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体
CA2140263C (en) * 1992-08-17 2005-09-13 Michael R. Hansen Particle binders
US5290903A (en) * 1992-11-09 1994-03-01 Norton Company Composite abrasive wheels
US5250085A (en) * 1993-01-15 1993-10-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible bonded abrasive articles, methods of production and use
JP2991270B2 (ja) * 1993-04-26 1999-12-20 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法
US5433650A (en) * 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
JP3205168B2 (ja) * 1993-06-18 2001-09-04 三洋化成工業株式会社 紙おむつ用吸収剤組成物
GB9316021D0 (en) * 1993-08-03 1993-09-15 Exxon Chemical Patents Inc Additive for hydrocarbon oils
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
JPH07266219A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨装置
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置
JP2894208B2 (ja) * 1994-06-02 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
US5672095A (en) * 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994004599A1 (en) * 1992-08-19 1994-03-03 Rodel, Inc. Polymeric substrate with polymeric microelements

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006013523A (ja) 2006-01-12
US5823855A (en) 1998-10-20
US5879222A (en) 1999-03-09
JP2000503601A (ja) 2000-03-28
US5624303A (en) 1997-04-29
JP4174607B2 (ja) 2008-11-05
DE69713057T2 (de) 2003-01-23
ATE218413T1 (de) 2002-06-15
EP0876242A1 (en) 1998-11-11
DE69713057D1 (de) 2002-07-11
EP0876242B1 (en) 2002-06-05
JP4171846B2 (ja) 2008-10-29
AU1832897A (en) 1997-08-11
KR19990081877A (ko) 1999-11-15
WO1997026114A1 (en) 1997-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100459528B1 (ko) 공유결합된 입자를 포함하는 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 평탄화기계
US5938801A (en) Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6749485B1 (en) Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6454634B1 (en) Polishing pads for chemical mechanical planarization
KR100571449B1 (ko) 화학 기계적 평탄화용 연마 패드
US6488575B2 (en) Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
KR100295335B1 (ko) 점도가감소된슬러리,그로부터제조된염마재물품,및이물품의제조방법
EP1118432A2 (en) Substrate polishing pad
JP2001517558A (ja) ウエハ表面改質用にフルオロケミカル剤を含有する研磨物品
JP2010513050A (ja) ナノ微粒子充填剤を有する研磨物品並びにそれを作製及び使用する方法
KR19990063679A (ko) 반도체 웨이퍼의 노출 표면을 개질시키는 방법
JP2001522729A (ja) 研磨剤研磨システムを使用したメモリーディスクあるいは半導体デバイスの製造方法及び研磨パッド
WO2007025226A1 (en) Polishing pad and method for manufacturing polishing pads
JPH11512978A (ja) 電子装置の化学機械的平坦化のための方法および装置
TWI225813B (en) Polishing pad, process for producing the same, and method of polishing
US6561890B2 (en) Polishing pad
US8105131B2 (en) Method and apparatus for removing material from microfeature workpieces
KR20010071353A (ko) 2중 ｃｍｐ 패드 조절기
US20060046064A1 (en) Method of improving removal rate of pads
WO2011041438A2 (en) Chemical mechanical planarization pad with surface characteristics
KR100630659B1 (ko) 화학기계적 연마장치
KR20050030729A (ko) 화학적 기계적 연마 장치의 암 고정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091110

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee