TW201627658A - 拋光層分析器及方法 - Google Patents

拋光層分析器及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201627658A
TW201627658A TW105101595A TW105101595A TW201627658A TW 201627658 A TW201627658 A TW 201627658A TW 105101595 A TW105101595 A TW 105101595A TW 105101595 A TW105101595 A TW 105101595A TW 201627658 A TW201627658 A TW 201627658A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polymeric
sheet
chucks
image data
sheets
Prior art date
Application number
TW105101595A
Other languages
English (en)
Inventor
張淵琮
蔡汶諺
法蘭西斯 Ｖ 亞科拉
安德魯 汪克
馬克 蓋茲
威廉 Ａ 海斯成
詹姆士 大衛 泰特
蔣浩天
瑞婷 曾
Original Assignee
陶氏全球科技責任有限公司
羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 陶氏全球科技責任有限公司, 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 filed Critical 陶氏全球科技責任有限公司
Publication of TW201627658A publication Critical patent/TW201627658A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method

Abstract

提供一種拋光層分析器，其中所述分析器經組態以偵測聚合薄片中的宏觀不均勻性且將所述聚合薄片分類成可接受或待檢。

Description

拋光層分析器及方法
本發明通常係關於製造化學機械拋光墊之領域。具體而言，本發明係針對一種拋光層分析器及相關方法。
在積體電路及其他電子裝置之製造中，多個導電、半導電及介電材料層沈積在半導體晶圓之表面上或由其去除。薄的導電、半導電及介電材料層可以利用多種沈積技術沈積。現代處理中之常見沈積技術包含亦稱為濺鍍之物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)、電漿增強之化學氣相沈積(PECVD)及電化學鍍敷(ECP)。
因為材料層依序沈積及去除，所以晶圓之最上表面變得非平坦的。因為後續半導體處理(例如，金屬化)需要晶圓具有平坦表面，所以晶圓需要平面化。平面化適用於去除非所期望的表面形狀及表面缺陷，諸如粗糙表面、聚結材料、晶格損壞、刮痕及被污染之層或材料。
化學機械平面化或化學機械拋光(CMP)為一種用以平面化基板(諸如半導體晶圓)之常見技術。在習知CMP中，晶圓安裝在載具組件上並且與CMP設備中之拋光墊接觸安置。載具組件向晶圓提供可控壓力，將其抵靠拋光墊按壓。利用外部驅動力使墊相對於晶圓移動(例如旋轉)。與此同 時，在晶圓與拋光墊之間提供化學組合物(「漿料」)或其他拋光溶液。因此，藉由對墊表面及漿料進行化學及機械作用對晶圓表面拋光並且使其成平面。
在美國專利第5,578,362號中，Reinhardt等人揭示本領域中已知之例示性拋光墊。Reinhardt之拋光墊包括整體中分散有微球之聚合基質。一般而言，摻合微球並且與液體聚合材料混合並且轉移至模具用於固化。接著將模製物品切片形成拋光層。令人遺憾的是，以此方式形成之拋光層可呈現非所需缺陷，當併入至拋光墊中時，所述缺陷可引起用其拋光之基板之缺陷。
Park等人在美國專利第7,027,640號中揭示一種用於解決與化學機械拋光墊之拋光層中之可能缺陷有關的問題之確證方法。Park等人揭示一種用於偵測或檢查用於執行晶圓化學機械拋光之墊上之缺陷的設備，其包括：墊驅動裝置，其用於將墊裝載在其上且移動墊；相機，其面向墊安裝以將墊之影像轉換成電信號且輸出經轉換電信號；數位影像資料採集裝置，其用於將從相機傳輸之電信號轉換成數位信號；以及影像資料處理單元，其用於處理影像資料且偵測墊上之缺陷，其中所述影像資料處理單元基於任一點上之影像資料計算光之一個或多個定量特徵值，所述資料獲自所述影像資料獲取裝置，並且將墊上之以下位置判斷為缺陷，其中藉由組合一個或多個所獲取之定量特徵值獲得的層級值與從墊之正常表面獲得的層級值之間的差異大於預定值。
然而，Park等人描述之設備及方法設計成使用反射光檢查準備好拋光組態中之完成的化學機械拋光墊。具體 而言，使用反射光檢查化學機械拋光墊及併入至此類墊中之拋光層具有顯著缺點。使用反射光鑑別併入之拋光層中之表面下缺陷的能力有限，所述缺陷不接近於拋光層之表面。儘管如此，因為使用化學機械拋光墊，拋光層之表面逐漸磨損。因此，遠離指定化學機械拋光墊之拋光層之表面的缺陷在墊使用壽命期間開始變得逐漸更接近拋光表面。另外，準備好拋光組態中之化學機械拋光墊習知地包含改良拋光層之拋光表面以促進拋光基板(例如凹槽、穿孔)，其使用Park等人所述之灰度階改善複雜自動缺陷偵測。
因此，仍需要使用具有強化拋光層缺陷鑑別功能之自動檢查裝置及方法製造具有拋光層之低缺陷化學機械拋光墊的改良方法。
本發明提供一種拋光層分析器，其用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片，所述拋光層分析器包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b) 經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的聚合薄片；其中所述聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；其中所述暗匣具有儲存所述複數個夾盤之容量；且，其中所述暗匣經設計以裝載、儲存及分配所述複數個夾盤以便於複數個聚合薄片之分析。
本發明提供一種拋光層分析器，其用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片，所述拋光層分析器包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的聚合薄片；其中所述聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊 表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；定序器；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置，其耦接至所述光偵測器；以及影像資料處理單元，其耦接至所述數位影像資料採集裝置；其中所述暗匣具有儲存所述複數個夾盤之容量；其中所述暗匣經設計以裝載、儲存及分配所述複數個夾盤以便於複數個聚合薄片之分析；其中所述定序器經組態以一次一個地從所述暗匣獲取所述複數個夾盤並且將其輸送至插入在所述光源與所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經組態以將所述透射光之強度轉換成電信號；其中耦接至所述光偵測器之所述數位影像資料採集裝置經組態以將來自所述光偵測器之所述電信號轉換成數位信號；其中耦接至所述數位影像資料採集裝置之所述影像資料處理單元經組態以處理來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中之拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
本發明提供一種用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法，其包括：提供複數個聚合薄片，其中所述複數個聚合薄片中之每一聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其 中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面為實質上平行的；提供拋光層分析器，其包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的來自所述複數個聚合薄片之單一聚合薄片；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置；以及影像資料處理單元；使所述複數個聚合薄片與所述複數個夾盤配對以提供複數個薄片化夾盤；其中所述複數個薄片化夾盤中之每一薄片化夾盤包括利用所述固持區域固持至其上之相關聚合薄片，使得所述相關聚合薄片之所述衝擊表面抵著所述頂部表面平坦固持；在所述光源與所述光偵測器之間一次一個地傳送所述複數個薄片化夾盤；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通 過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述透射光具有至少一種可偵測特性；其中所述至少一種可偵測特性包含所述透射光之強度；其中所述透射光之所述強度利用所述光偵測器轉換成電信號；其中來自所述光偵測器之所述電信號利用所述數位影像資料採集裝置轉換成數位信號；以及其中來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號利用所述影像資料處理單元處理，其中所述影像資料處理單元經組態以偵測宏觀不均勻性並且將聚合薄片分類成可接受或待檢；以及其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
14‧‧‧透射表面
15‧‧‧外周長
17‧‧‧衝擊表面
20‧‧‧聚合薄片
28‧‧‧透射表面的平面
30‧‧‧衝擊表面的平面
110‧‧‧化學機械拋光墊
112‧‧‧中心軸
114‧‧‧拋光表面
117‧‧‧底表面
120‧‧‧拋光層
120‧‧‧拋光層
123‧‧‧黏著劑
125‧‧‧子墊
126‧‧‧頂部表面
127‧‧‧底部表面
150‧‧‧子墊
170‧‧‧壓敏性壓板研磨劑層
175‧‧‧離型襯墊
200‧‧‧夾盤
220‧‧‧中央透明部分
225‧‧‧頂部表面
230‧‧‧底部表面
235‧‧‧外圍邊緣
240‧‧‧固持區域
245‧‧‧接觸表面
247‧‧‧突出部分
250‧‧‧同心凹槽
253‧‧‧基底
255‧‧‧側壁
260‧‧‧真空孔口
265‧‧‧開口
203-203‧‧‧線
A‧‧‧中心軸
B-B‧‧‧線
C-C‧‧‧線
D‧‧‧直徑
P‧‧‧凹槽間距
r‧‧‧半徑
TB‧‧‧子墊的厚度
TB-平均‧‧‧平均基層厚度/平均子墊厚度
TS‧‧‧聚合薄片的厚度
TS-平均‧‧‧平均聚合薄片厚度
TT‧‧‧化學機械拋光墊的厚度
TT-平均‧‧‧平均總厚度
W‧‧‧凹槽寬度
γ‧‧‧角度
圖1為聚合薄片之透視圖之描述。
圖2為聚合薄片之透視圖之描述。
圖3為抵著夾盤之頂部表面平坦固持的聚合薄片之透視圖之描述。
圖4為沿著圖3中之線203-203截取之夾盤之俯視平面圖之描述。
圖5為沿著圖4中之線B-B截取之截面圖。
圖6為沿著圖4之線C-C截取之截面圖。
圖7為併入聚合薄片作為拋光層的化學機械拋光墊之橫截面剖視圖之描述。
本發明之方法提供成品(準備好使用)化學機械拋光墊的顯著品質提高。本發明之方法大大提高使用由聚合 物微元件複合物形成之聚合薄片之化學機械拋光墊製造之品質控制方面，所述複合物包括聚合物及分散於聚合物中之複數種微元件，其藉由首先檢查聚合薄片以鑑別可接受薄片與複數種聚合薄片並且映射待檢薄片之透射表面以幫助聚焦目測含有宏觀不均勻性之待檢薄片之部分來進行。以此方式，大大減輕了操作人員疲勞(即操作人員不需要耗費長久小時盯著聚合薄片來定位宏觀不均勻性)。因此，使能夠提高操作人員焦點來引入最大價值(即評估聚合薄片中之具體不均勻性來判斷適用性)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「聚(胺基甲酸酯)」涵蓋(a)由(i)異氰酸酯與(ii)多元醇(包含二醇)之反應形成之聚胺基甲酸酯；以及(b)由(i)異氰酸酯與(ii)多元醇(包含二醇)與(iii)水、胺或水與胺的組合之反應形成之聚(胺基甲酸酯)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之關於具有透射表面(14)及衝擊表面(17)的聚合薄片(20)之術語「平均聚合薄片厚度，T S-平均 」意謂在垂直於透射表面(14)的平面(28)的方向中測量的從聚合薄片(20)的透射表面(14)至聚合薄片(20)的衝擊表面(17)的厚度T S 之平均值。(參見圖1-2)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之關於具有與作為拋光層(120)併入並且具有拋光表面(114)的聚合薄片界接的子墊(125)的化學機械拋光墊(110)之術語「平均基層厚度，T B-平均 」意謂在垂直於拋光表面(114)的方向中測量的從子墊(125)的底部表面(127)至子墊(125) 的頂部表面(126)的子墊(125)的厚度T B 之平均值。(參見圖7)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之關於具有作為拋光層(120)併入並且具有拋光表面(114)的聚合薄片的化學機械拋光墊(110)之術語「平均總厚度，T T-平均 」意謂在垂直於拋光表面(114)的方向中測量的從拋光表面(114)至子墊(125)的底部表面(127)的化學機械拋光墊(110)的厚度T T 之平均值。(參見圖7)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於聚合薄片(20)所用之術語「實質上圓形截面」意謂投射至聚合薄片(20)的透射表面(14)的平面(28)上的從中心軸A至聚合薄片(20)的外周長(15)的聚合薄片(20)的最長半徑r比投射至聚合薄片(20)的透射表面(14)的平面(28)上的從中心軸A至聚合薄片(20)的外周長(15)的聚合薄片(20)的最短半徑r長20%。(參見圖1及2)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於聚合薄片(20)所用之術語「實質上平行」意謂與聚合薄片(20)的衝擊表面(17)的平面(30)垂直的中心軸A(以及與其平行的任何線)將與透射表面(14)的平面(28)以角度γ交叉；其中角度γ在89與91°之間。(參見圖1及2)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「實質上平滑」意謂表面平整至±0.001mm。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「實質上平面」意謂所提及表面平面至±0.001mm。
如本文中及所附申請專利範圍中關於抵著夾盤 的中央透明部分之頂部表面固持之聚合薄片所用之術語「實質上平坦」意謂聚合薄片的透射表面平坦至±1mm。
如本文中及所附申請專利範圍中關於夾盤(200)的中央透明部分(220)所用之術語「實質上圓形」意謂圓度0.6的外圍邊緣(235)。(參見圖3-6)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於夾盤(200)的中央透明部分(220)所用之術語「基本上圓形」意謂外圍邊緣(235)的圓度0.9。(參見圖3-6)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於夾盤(200)的固持區域(240)的構造的材料所用之術語「剛性材料」意謂在本文中其預定用途的條件下構造不變形的材料。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「宏觀不均勻性」意謂聚合薄片的透射表面上的局部區域被聚合薄片的透射表面上的相鄰區域包圍，其中通過所述局部區域傳播的所偵測的光強度比通過相鄰區域傳播的所偵測的光強度高或低0.1%光偵測器的可偵測強度範圍的量；以及其中所述局部區域涵蓋的透射表面的一部分足夠大以在透射表面的平面中封閉直徑為15.875mm的圓形。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「密度缺陷」係指微元件濃度相對於聚合薄片的周圍區域顯著降低的聚合薄片中的宏觀不均勻性。密度缺陷相較於聚合薄片的周圍區域展現顯著較高的透明度(即較高的透射光的偵測強度)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「氣孔」係指納入空氣導致與聚合薄片的周圍區域相比透明度顯 著較高(即透射光的偵測強度較高)的聚合薄片中的宏觀不均勻性。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「納入缺陷」係指具有外來污染物導致與聚合薄片的周圍區域相比透明度顯著較低(即透射光的偵測強度較低)的聚合薄片中的宏觀不均勻性。
較佳地，本發明之拋光層分析器包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分(較佳地，其中所述中央透明部分為正圓柱形透明部分)(220)，其具有頂部表面(225)、底部表面(230)及外圍邊緣(235)；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；(較佳地，其中所述外圍邊緣實質上為圓形；更佳地，其中所述外圍邊緣基本上為圓形)；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域(240)，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域(240)包括接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽(250)連通以便於向所述複數個同心凹槽(250)施加真空；其中所述接觸表面(245)與所述中央透明部分(220)的所述頂部表面(225)實質上平面；其中所述複數個同心凹槽(250)具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P(較佳地，其中W<½P；更佳地，其中W<P；最佳地，其中W<¼P)；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分(220)的所述頂部表面(225)實質上平坦的聚合薄片；其中所述聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所 述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；其中所述暗匣具有儲存所述複數個夾盤之容量；且，其中所述暗匣經設計以裝載、儲存及分配所述複數個夾盤以便於複數個聚合薄片之分析。(參見圖3-6)。
較佳地，所述暗匣經設計以固持、儲存及分配複數個夾盤。更佳地，所述暗匣經設計以固持、儲存及分配複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤與聚合薄片相關，使得所述聚合薄片抵著其中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦固持。較佳地，所述暗匣具有固持至少10個具有相關聚合薄片之夾盤(更佳地，至少15個具有相關聚合薄片之夾盤；更佳地，至少20個具有相關聚合薄片之夾盤；最佳地，至少30個具有相關聚合薄片之夾盤)的設計容量。暗匣設計容量使得操作人員能夠將複數個具有相關聚合薄片之夾盤裝載至自動檢查系統中。一旦將所述複數個具有相關聚合薄片之夾盤裝載至暗匣中，操作人員即能夠接著執行其他任務，同時自動檢查系統處理相關聚合薄片且將其分類成可接受或待檢。
較佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其圍繞所述中央透明部分(220)的所述外圍邊緣(235)；其中所述固持區域(240)具有接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中每一同心凹槽(250)具有一對側壁(255)及基底(253)。更佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其圍繞中央透明部分(220)的外圍邊 緣(235)；其中所述固持區域(240)具有接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中每一同心凹槽(250)具有一對側壁(255)及基底(253)；其中每一側壁(255)實質上垂直於所述接觸表面(245)。
較佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其圍繞中央透明部分(220)的外圍邊緣(235)；其中所述固持區域(240)具有接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽(250)連通以便於向所述複數個同心凹槽(250)施加真空；且其中每一同心凹槽(250)具有至少一個與其連通的真空孔口(260)以便當聚合薄片(20)抵著所述固持區域(240)安置時在其中抽真空。(參看圖3)。更佳地，每一同心凹槽(250)具有4至20個真空孔口(260)。最佳地，每一同心凹槽(250)具有4至20個沿著每一同心凹槽(250)的基底(253)均勻分佈的真空孔口(260)。較佳地，每一真空孔口(260)在同心凹槽(250)的基底(253)中具有開口(265)。較佳地，同心凹槽(250)的基底(253)中之每一開口(265)具有直徑為D的圓形橫截面；其中0.75*W D W(較佳地，其中0.9*W D W；更佳地，其中0.95*W D W；最佳地，其中D=W)。
較佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)；其中所述固持區域(240)由剛性材料構築。較佳地，固持區域(240)由選自由以下各者組成之群的材料構築：金屬；石材(例如花崗石及大理石)；陶瓷材料；及硬質塑膠(例如脂族聚醯胺，諸如耐綸(Nylon)6-6)。更佳地，固持區域(240) 由選自由金屬合金組成之群的材料構築。更佳地，固持區域(240)由金屬合金構築，其中所述金屬合金選自由以下各者組成之群：鋁合金、碳合金(例如工具鋼)、鐵合金、鎳合金(例如不鏽鋼(諸如304不鏽鋼、316不鏽鋼)；Hastelloys®1(諸如Hastelloy-C))及鈦合金。最佳地，固持區域(240)由金屬合金構築，其中所述金屬合金為不鏽鋼(例如304不鏽鋼、316不鏽鋼)。
較佳地，每一夾盤(200)具有中央透明部分(220)，其中所述中央透明部分(220)對於光源發射的光束之透射率90%。更佳地，每一夾盤(200)具有中央透明部分(220)，其中所述中央透明部分(220)對於波長為440至490nm的光之透射率90%。
較佳地，每一夾盤(200)具有由選自玻璃、石英及塑膠的材料製成的中央透明部分(220)。更佳地，每一夾盤(200)具有由選自玻璃及石英的材料製成的中央透明部分(220)。最佳地，每一夾盤(200)具有由玻璃製成的中央透明部分(220)。
較佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其中所述固持區域(240)為環形區。
較佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其中所述固持區域(240)進一步包括從中央透明部分(220)之外圍邊緣(235)沿著底部表面(230)之一部分延伸的突出部分(247)。更佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其中所述固持區域(240)進一步包括從中央透明部分(220) 的外圍邊緣(235)沿著底部表面(230)的一部分延伸的突出部分(247)，且其中所述中央透明部分(220)用黏著劑固定至固持區域(240)的突出部分(247)上。(參見圖5-6)。
1 Hastelloy為Haynes International,Inc.的註冊商標且涵蓋多種耐腐蝕含鎳金屬合金。
所述複數個夾盤中之每一夾盤(200)經組態以固持抵著所述中央透明部分(220)的所述頂部表面(225)實質上平坦的聚合薄片(20)；其中所述聚合薄片(20)(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面(14)、衝擊表面(17)及介於所述透射表面(14)與所述衝擊表面(17)之間的厚度T S ；其中所述透射表面(14)與所述衝擊表面(17)實質上平行。較佳地，每一聚合薄片(20)的平均厚度T S-平均 為500至5,000μm(較佳地，750至4,000μm；更佳地，1,000至3,000μm；最佳地，1,200至2,100μm)。較佳地，每一聚合薄片(20)的平均半徑r 平均 為20至100cm(更佳地，25至65cm；最佳地，40至60cm)。(參見圖1-3)。
較佳地，每一聚合薄片(20)包括聚合物微元件複合物；其中所述聚合物微元件複合物包括：聚合物及複數種微元件；且其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中。較佳地，所述聚合物微元件複合物包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件以圖案形式分散於所述聚合物中。更佳地，所述聚合物微元件複合物包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件以選自由均勻圖案及梯度圖案組成之群的圖案形式分散於所述聚合物中。最佳地，所述聚合物微元件複合物包括：聚合物及複數種微元件，其中 所述複數種微元件均勻地分散於所述聚合物中。較佳地，所述聚合物微元件複合物使用液體預聚物製備，其中所述複數種微元件分散於所述液體預聚物中；以及其中所述液體預聚物接著固化以形成聚合物。
較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物聚合以形成選自以下各者的材料：聚(胺基甲酸酯)、聚碸、聚醚碸、耐綸、聚醚、聚酯、聚苯乙烯、丙烯酸聚合物、聚脲、聚醯胺、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚乙烯亞胺、聚丙烯腈、聚氧化乙烯、聚烯烴、聚丙烯酸(烷基)酯、聚甲基丙烯酸(烷基)酯、聚醯胺、聚醚醯亞胺、聚酮、環氧樹脂、矽酮、由乙烯丙烯二烯單體形成的聚合物、蛋白質、多醣、聚乙酸酯以及前述中之至少兩個的組合。較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物聚合以形成包括聚(胺基甲酸酯)的材料。更佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物聚合以形成包括聚胺基甲酸酯的材料。最佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物聚合(固化)以形成聚胺基甲酸酯。
較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物包括含有聚異氰酸酯的材料。更佳地，用於製備聚合物微元件複合物的液體預聚物包括聚異氰酸酯(例如二異氰酸酯)與含羥基物質的反應產物。
較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的聚異氰酸酯選自雙4,4'-環己基-異氰酸亞甲酯；二異氰酸環己酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二異氰酸六亞甲酯；丙烯-1,2-二異氰酸酯；四亞甲基-1,4-二異氰酸酯；1,6-六亞甲基-二異氰酸酯； 十二烷-1,12-二異氰酸酯；環丁烷-1,3-二異氰酸酯；環己烷-1,3-二異氰酸酯；環己烷-1,4-二異氰酸酯；1-異氰酸酯基-3,3,5-三甲基-5-異氰酸酯基甲基環己烷；二異氰酸環己烯酯甲酯、二異氰酸六亞甲酯的三異氰酸酯；二異氰酸2,4,4-三甲基-1,6-己烷酯的三異氰酸酯；二異氰酸六亞甲酯的脲二酮；二異氰酸乙烯酯；二異氰酸2,2,4-三甲基六亞甲酯；二異氰酸2,4,4-三-甲基六亞甲酯；二異氰酸二環己基甲烷酯；以及其組合。最佳地，用於製備聚合物微元件複合物的聚異氰酸酯為脂族的且具有少於14%未反應的異氰酸酯基。
較佳地，本發明所用的含羥基物質為多元醇。例示性多元醇包含例如聚醚多元醇、羥基封端的聚丁二烯(包含部分及完全氫化衍生物)、聚酯多元醇、聚己內酯多元醇、聚碳酸酯多元醇以及其混合物。
較佳多元醇包含聚醚多元醇。聚醚多元醇的實例包含聚四亞甲基醚乙二醇(「PTMEG」)、聚乙烯丙二醇、聚氧基丙二醇以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵以及經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。較佳地，本發明之多元醇包含PTMEG。適合聚酯多元醇包含(但不限於)聚己二酸乙二醇酯二醇；聚己二酸丁二酯二醇；聚己二酸乙二酯丙二酯二醇；鄰苯二甲酸-1,6-己二醇酯；聚(己二酸六亞甲酯)二醇；以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵，或經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。適合的聚己內酯多元醇包含(但不限於)1,6-己二醇起始的聚己內酯；二乙二醇起始的聚己內酯；三羥甲基丙烷起始的聚己內酯；新戊二醇起始的聚己內酯；1,4-丁二醇起始的聚己內酯；PTMEG起始的 聚己內酯；以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵，或經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。適合的聚碳酸酯包含(但不限於)聚鄰苯二甲酸酯碳酸酯及聚(碳酸六亞甲酯)二醇。
較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的所述複數種微元件選自氣泡、空心聚合材料(即微球)、液體填充的空心聚合材料、水溶性材料(例如環糊精)及不溶性相材料(例如礦物油)。較佳地，用於製備聚合物微元件複合物的所述複數種微元件為微球，諸如聚乙烯醇、果膠、聚乙烯吡咯啶酮、羥乙基纖維素、甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥丙基纖維素、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙二醇、聚羥基醚丙烯酸酯、澱粉、順丁烯二酸共聚物、聚氧化乙烯、聚胺基甲酸酯、環糊精以及其組合(例如來自Sundsvall,Sweden的Akzo Nobel的ExpancelTM)。微球可經化學改質以藉由例如支化、阻斷及交聯來改變溶解度、溶脹及其他特性。較佳地，微球的平均直徑小於150μm，並且更佳的平均直徑小於50μm。最佳地，微球的平均直徑小於15μm。注意，微球的平均直徑可改變且為不同大小或可使用不同微球48的混合物。微球的最佳材料為丙烯腈及偏二氯乙烯(例如獲自Akzo Nobel的Expancel®)的共聚物。
用於製備本發明之聚合物微元件複合物的液體預聚物視情況進一步包括固化劑。較佳固化劑包含二胺。適合聚二胺包含一級胺及二級胺。較佳聚二胺包含(但不限於)二乙基甲苯二胺(「DETDA」)；3,5-二甲基硫基-2,4-甲苯二胺及其異構體；3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺及其異構體(例如3,5- 二乙基甲苯-2,6-二胺)；4,4'-雙-(第二丁胺基)-二苯基甲烷；1,4-雙-(第二丁胺基)-苯；4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯胺)；4,4'-亞甲基-雙-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(「MCDEA」)；聚四亞甲氧醚-二-對胺基苯甲酸酯；N,N'-二烷基二胺基二苯基甲烷；對，對'-亞甲基二苯胺(「MDA」)、間苯二胺(「MPDA」)；亞甲基-雙2-氯苯胺(「MBOCA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯胺)(「MOCA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2,6-二乙基苯胺)(「MDEA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2,3-二氯苯胺)(「MDCA」)；4,4'-二胺基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷；2,2',3,3'-四氯二胺基二苯基甲烷；丙二醇二-對胺基苯甲酸酯；以及其混合物。較佳地，二胺固化劑選自3,5-二甲基硫基-2,4-甲苯二胺及其異構體。
固化劑亦可以包含二醇、三醇、四醇以及羥基封端的固化劑。適合的二醇、三醇及四醇基團包含乙二醇；二乙二醇；聚乙二醇；丙二醇；聚丙二醇；較低分子量聚四亞甲基醚乙二醇；1,3-雙(2-羥基乙氧基)苯；1,3-雙-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]苯；1,3-雙-{2-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙氧基}苯；1,4-丁二醇；1,5-戊二醇；1,6-己二醇；間苯二酚-二-(β-羥基乙基)醚；氫醌-二-(β-羥基乙基)醚；以及其混合物。較佳的羥基封端的固化劑包含1,3-雙(2-羥基乙氧基)苯；1,3-雙-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]苯；1,3-雙-{2-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙氧基}苯；1,4-丁二醇；以及其混合物。羥基封端的固化劑及二胺固化劑可包含一種或多種飽和、不飽和、芳族及環狀基團。另外，羥基封端的固化劑及二胺固化劑可包含一種或多種鹵素基團。
較佳地，本發明之拋光層分析器進一步包括：定 序器；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置，其耦接至所述光偵測器；以及影像資料處理單元，其耦接至所述數位影像資料採集裝置；其中所述定序器經組態以一次一個地從所述暗匣獲取所述複數個夾盤並且將其輸送至插入在所述光源與所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經組態以將所述透射光之強度轉換成電信號；其中耦接至所述光偵測器之所述數位影像資料採集裝置經組態以將來自所述光偵測器之所述電信號轉換成數位信號；其中耦接至所述數位影像資料採集裝置之所述影像資料處理單元經組態以處理來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中之拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
較佳地，所述定序器經組態以裝載且獲取來自所述暗匣之夾盤。較佳地，所述定序器經組態以一次一個地裝載且獲取來自所述暗匣之夾盤。較佳地，所述定序器進一步經組態以將具有相關聚合薄片之夾盤一次一個地輸送至插入在光源與光偵測器之間的位置；且將具有相關聚合薄片之夾盤一次一個地傳回至所述暗匣中。較佳地，所述定序器包含至少一個線性馬達。更佳地，所述定序器包含至少一個線性標度解析度1μm的線性馬達。
較佳地，所述光源發射光束。較佳地，由光源發射的光束展現出包含選自可見區、紫外區及紅外區中之至少一者的波長的發射光譜。較佳地，所述光源選自寬帶來源(例如白光源)及窄帶來源(例如窄帶藍光源)。更佳地，所述光源為窄帶藍光源。更佳地，所述光源為發射光束的窄帶藍光源，其中所述光束展現出具有460至490nm(較佳地，460至480nm；更佳地，460至470；最佳地，463至467nm)的峰值波長及50nm(較佳地，40nm；更佳地，35nm；最佳地，30nm)的半高全寬強度FWHM的發射光譜。本領域中一般技術者能夠選擇適當光源來提供發射光譜在所期望的區域的光束。較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括光源，其中光源為發光二極體。
較佳地，光偵測器能夠轉換來自光束之透射光的至少一種可偵測特性，所述透射光傳播通過所述厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。更佳地，光偵測器能夠轉換來自光束的所述透射光之強度，所述透射光傳播通過厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。最佳地，光偵測器能夠轉換來自光束的所述透射光之強度及波長光譜，所述透射光傳播通過厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。較佳地，光偵測器為將入射在其上的所述透射光的至少一種可偵測特性轉換成電信號的光電轉換裝置。較佳地，光偵測器為電荷耦合裝置(CCD)陣列。較佳地，所用電荷耦合裝置(CCD)選自單色及彩色CCD。更佳地，光偵測器包括至少5個(最佳地至少8個)光電轉換裝置的陣列。最佳地，光偵測器包括至少8個電荷耦合裝置(CCD)影像傳感器的陣列，其解析 度20μm(較佳地16μm)並且視野100mm(較佳地120mm)。
較佳地，數位影像資料採集裝置將數位信號轉換成光偵測器的電信號輸出。在本領域中眾所周知適於與本發明一起使用的數位影像資料採集裝置。
包括聚合物微元件複合物的聚合薄片的不均勻組成性質使得假設標準薄片不實用。換言之，此類聚合薄片中存在多種無害生產偽影使得與標準值的簡單灰度比較對用於檢查作為拋光層併入化學機械拋光墊中的聚合薄片的自動系統無效。
適於與本發明一起使用的一般目的及特殊目的影像資料處理單元在本領域中為眾所周知的。較佳地，用於本發明之自動檢查系統中的影像資料處理單元包括耦接至非易失性資料存儲單元的中央處理單元。
較佳地，中央處理單元進一步耦接至一種或多種用戶輸入界面控制器(例如鼠標、鍵盤)及至少一個輸出顯示器。
較佳地，影像資料處理單元經組態以偵測聚合薄片中的宏觀不均勻性並且將聚合薄片分類成可接受或待檢。較佳地，利用影像資料處理單元基於品質控制準則選單將聚合薄片分類成可接受或待檢。製造聚合薄片期間可能出現多種缺陷，包含例如密度缺陷、氣孔缺陷及納入缺陷。應注意，這些缺陷中之任一個或組合視透射表面的受影響部分的大小而定可構成聚合薄片中的宏觀不均勻性。應注意，多種缺陷類型將不同地呈現給光偵測器。對於密度缺陷及氣孔，有缺 陷區域將比聚合薄片的周圍區域更透明。對於納入缺陷，有缺陷的區域將比聚合薄片的周圍區域不透明。此類缺陷是否可接受將取決於許多條件，包含例如併入聚合薄片的化學機械拋光墊將執行拋光任務的基板。某些基板比其他基板更精密，並且因此需要更緊密控制針對其拋光製造的打算用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的均勻性。
較佳地，在本發明之拋光層分析器中，影像資料處理單元較佳進一步經組態以在非易失性存儲器中製造及存儲至少一個待檢薄片的圖譜，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片並且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，在本發明之拋光層分析器中，影像資料處理單元較佳進一步經組態以在非易失性存儲器中製造及存儲至少一個待檢薄片的圖譜，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片並且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置；並且其中分析器進一步包括顯示器；其中選定薄片的影像呈現於顯示器上。顯示器上呈現的選定薄片的影像可為選定薄片的整個透射表面的影像。較佳地，選定薄片的影像為至少一個偵測到的宏觀不均勻性的放大的部分影像。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分影像包含全部宏觀不均勻性及選定薄片的透射表面的周圍區域。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分影像可經放大以提高所呈現影像的細節以便於目測選定薄片。
較佳地，本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法包括：提供複數個聚合薄片，其中所述複數個聚合薄片中之每一聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面為實質上平行的；提供拋光層分析器，其包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的來自所述複數個聚合薄片之單一聚合薄片；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置；以及影像資料處理單元；使所述複數個聚合薄片與所述複數個夾盤配對以提供複數個薄片化夾盤；其中所述複數個薄片化夾盤中之每一薄片化夾盤包括利用所述固持區域固持至其上之相關聚合薄片，使得所述相關聚合薄片之所述衝擊表面抵著所述頂部表面實質上平坦固 持；在所述光源與所述光偵測器之間一次一個地傳送所述複數個薄片化夾盤；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述透射光具有至少一種可偵測特性；其中所述至少一種可偵測特性包含所述透射光之強度；其中所述透射光之所述強度利用所述光偵測器轉換成電信號；其中來自所述光偵測器之所述電信號利用所述數位影像資料採集裝置轉換成數位信號；以及其中來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號利用所述影像資料處理單元處理，其中所述影像資料處理單元經組態以偵測宏觀不均勻性並且將聚合薄片分類成可接受或待檢；以及其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，所述拋光層分析器包括經設計以固持、儲存及分配複數個薄片化夾盤的暗匣。較佳地，所述暗匣經設計以固持、儲存及分配複數個薄片化夾盤，其中每一薄片化夾盤包括利用所述固持區域固持至其上的結合的聚合薄片，使得所述結合的聚合薄片的衝擊表面抵著所述頂部表面實質上平坦固持。較佳地，所述暗匣具有用於固持至少10個薄片化夾盤(更佳地，至少15個薄片化夾盤；更佳地，至少20個薄片化夾盤；最佳地，至少30個薄片化夾盤)的設計容量。暗匣設計容量使得操作人員能夠向拋光層分析器裝載複數個薄片化夾盤。一旦將所述複數個薄 片化夾盤裝載至所述暗匣中，操作人員即能夠接著執行其他任務，同時所述拋光層分析器將與所述複數個夾盤配對的所述複數個聚合薄片分類成可接受或待檢。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，所述複數個夾盤中之每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其圍繞所述中央透明部分(220)的所述外圍邊緣(235)；其中所述固持區域(240)具有接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中每一同心凹槽(250)具有一對側壁(255)及基底(253)。更佳地，每一夾盤(200)具有固持區域(240)，其圍繞中央透明部分(220)的外圍邊緣(235)；其中所述固持區域(240)具有接觸表面(245)、複數個同心凹槽(250)及複數個真空孔口(260)；其中每一同心凹槽(250)具有一對側壁(255)及基底(253)；其中每一側壁(255)實質上垂直於所述接觸表面(245)。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，所述拋光層分析器進一步包括定序器；其中所述定序器經組態以裝載且獲取來自所述暗匣的薄片化夾盤。較佳地，所述定序器經組態以一次一個地裝載且獲取來自所述暗匣的薄片化夾盤。較佳地，定序器進一步經組態以一次一個地將薄片化夾盤輸送至插入在光源與光偵測器之間的位置；且將所述薄片化夾盤一次一個地傳回至所述暗匣中。較佳地，所述定序器包含至少一個線性馬達。更佳地，所述定序器包含至少一個線性標度解析度1μm的線性馬達。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，所述拋光層分析器進一步包括：定序器，其中所述定序器經組態以一次一個地從所述暗匣獲取薄片化夾盤並且將其輸送至插入在所述光源與所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述薄片化夾盤的所述中央透明部分且衝擊在結合的聚合薄片之所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經組態以將所述透射光之強度轉換成電信號；其中耦接至所述光偵測器之所述數位影像資料採集裝置經組態以將來自所述光偵測器之所述電信號轉換成數位信號；其中耦接至所述數位影像資料採集裝置之所述影像資料處理單元經組態以處理來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中之拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，所述光源發射光束。較佳地，由光源發射的光束展現出包含選自可見區、紫外區及紅外區中之至少一者的波長的發射光譜。較佳地，所述光源選自寬帶來源(例如白光源)及窄帶來源(例如窄帶藍光源)。更佳地，所述光源為窄帶藍光源。更佳地，所述光源為發射光束的窄帶藍光源，其中所述光束展現出具有460至490nm(較佳地，460至480nm；更佳地，460至470；最佳地， 463至467nm)的峰值波長及50nm(較佳地，40nm；更佳地，35nm；最佳地，30nm)的半高全寬強度FWHM的發射光譜。本領域中一般技術者能夠選擇適當光源來提供發射光譜在所期望的區域的光束。較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括光源，其中光源為發光二極體。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，光偵測器能夠轉換來自光束之透射光的至少一種可偵測特性，所述透射光傳播通過所述厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。更佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，光偵測器能夠轉換來自光束的所述透射光之強度，所述透射光傳播通過厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。最佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，光偵測器能夠轉換來自光束的所述透射光之強度及波長光譜，所述透射光傳播通過厚度T S 並且從聚合薄片的透射表面傳出。較佳地，光偵測器為將入射在其上的所述透射光的至少一種可偵測特性轉換成電信號的光電轉換裝置。較佳地，光偵測器為電荷耦合裝置(CCD)陣列。較佳地，所用電荷耦合裝置(CCD)選自單色及彩色CCD。更佳地，光偵測器包括至少5個(最佳地至少8個)光電轉換裝置的陣列。最佳地，光偵測器包括至少8個電荷耦合裝置(CCD)影像傳感器的陣列，其解析度20μm(較佳地16μm)並且視野100mm(較佳地120mm)。
數位影像資料採集裝置將數位信號轉換成光偵測器的電信號輸出。在本領域中眾所周知適於與本發明一起 使用的數位影像資料採集裝置。
包括聚合物微元件複合物的聚合薄片的不均勻組成性質使得假設標準薄片不實用。換言之，此類聚合薄片中存在多種無害生產偽影使得與標準值的簡單灰度比較對用於檢查作為拋光層併入化學機械拋光墊中的聚合薄片的自動系統無效。
適於與本發明一起使用的一般目的及特殊目的影像資料處理單元在本領域中為眾所周知的。較佳地，用於本發明方法的自動檢查系統中的影像資料處理單元包括耦接至非易失性資料存儲單元的中央處理單元。
較佳地，中央處理單元進一步耦接至一種或多種用戶輸入界面控制器(例如鼠標、鍵盤)及至少一個輸出顯示器。
較佳地，影像資料處理單元經組態以偵測聚合薄片中的宏觀不均勻性並且將聚合薄片分類成可接受或待檢。較佳地，利用影像資料處理單元基於品質控制準則選單將聚合薄片分類成可接受或待檢。製造聚合薄片期間可能出現多種缺陷，包含例如密度缺陷、氣孔缺陷及納入缺陷。應注意，這些缺陷中的任一個或組合視透射表面的受影響部分的大小而定可構成聚合薄片中的宏觀不均勻性。應注意，多種缺陷類型將不同地呈現給光偵測器。對於密度缺陷及氣孔，有缺陷區域將比聚合薄片的周圍區域更透明。對於納入缺陷，有缺陷的區域將比聚合薄片的周圍區域不透明。此類缺陷是否可接受將取決於許多條件，包含例如併入聚合薄片的化學機械拋光墊將執行拋光任務的基板。某些基板比其他基板更精 密，並且因此需要更緊密控制針對其拋光製造的打算用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的均勻性。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，其中所述待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片並且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；所述影像資料處理單元較佳地進一步經組態以在非易失性存儲器中製造及存儲至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，其中所述待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片並且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；所述方法進一步包括：從所述待檢薄片的群體選出選定薄片；其中所述影像資料處理單元較佳地進一步經組態以在非易失性存儲器中製造及存儲至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，在本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法中，其中所述待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片並且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；所述方法進一步包括：從所述待檢薄片的群體選出選定薄片；其中所述影像資料處理單元較佳地進一步經組態以在非易失性存儲器中製造及存儲至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置；且其中所述拋光層分析器進一步包括：顯 示器；其中所述選定薄片的影像呈現在所述顯示器上。顯示器上呈現的選定薄片的影像可為選定薄片的整個透射表面的影像。較佳地，選定薄片的影像為至少一個偵測到的宏觀不均勻性的放大的部分影像。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分影像包含全部宏觀不均勻性及選定薄片的透射表面的周圍區域。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分影像可經放大以提高所呈現影像的細節以便於目測選定薄片。較佳地，本發明之方法進一步包括：對選定薄片進行目測，其中利用顯示器上呈現的選定薄片的影像促進目測；以及(i)基於目測將選定薄片重新分類成可接受，其中選定薄片接著添加至可接受薄片的群體；或(ii)基於目測將選定薄片分類成有缺陷的，其中選定薄片接著添加至有缺陷薄片的群體。
較佳地，本發明之用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法進一步包括：處理至少一個可接受薄片以形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中所述拋光層(120)經調適用於拋光基板；其中所述處理包括：藉由以下各者中之至少一者形成拋光表面(114)：(a)在可接受薄片中機械加工至少一個凹槽以形成拋光凹槽圖案，及(b)形成至少經由可接受薄片的厚度T s 延伸的穿孔。更佳地，所述方法進一步包括：處理至少一個可接受薄片以形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中所述拋光層(120)經調適用於拋光基板；其中所述處理包括藉由在可接受薄片中機械加工至少一個拋光凹槽形成拋光凹槽圖案來形成拋光表面(114)。最佳地，所述方法進一步包括：處理至少一個可接受薄片以形成化學機械拋光墊(110)的拋光層 (120)；其中所述拋光層(120)經調適用於拋光基板；其中所述處理包括藉由在可接受薄片中機械加工至少一個拋光凹槽形成拋光凹槽圖案來形成拋光表面(114)；其中所述拋光凹槽圖案經調適用於拋光所述基板。(參見圖7)。
較佳地，本發明之方法提供較佳調適成繞中心軸(112)旋轉的化學機械拋光墊(110)。(參見圖7)。較佳地，至少一個拋光凹槽被安排成形成拋光表面(114)，使得在拋光期間在墊(110)圍繞中心軸(112)旋轉時，至少一個拋光凹槽掃過所述基板。較佳地，至少一個拋光凹槽選自彎曲拋光凹槽、線性拋光凹槽及其組合。較佳地，至少一個拋光凹槽的深度10密耳(較佳地，10至150密耳)。較佳地，至少一個拋光凹槽形成拋光凹槽圖案，所述拋光凹槽圖案包括具有以下組合的至少兩個拋光凹槽：選自10密耳、15密耳及15至150密耳的深度；選自10密耳及10至100密耳的寬度；及選自30密耳、50密耳、50至200密耳、70至200密耳及90至200密耳的間距。
較佳地，作為拋光層(120)併入至化學機械拋光墊(110)中的聚合薄片含有併入其中的<1ppm的研磨粒子。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片，其進一步包括：提供具有頂部表面(126)及底部表面(127)的子墊(125)；提供黏著劑(123)(較佳地，其中黏著劑選自壓敏黏著劑、熱熔黏著劑及接觸黏著劑中之至少一個；更佳地，其中黏著劑選自壓敏黏著劑及熱熔黏著劑；最佳地，其中黏著劑為熱熔黏著劑)；以及使用黏著劑(123)將子墊(125)的頂部表面(126)層壓至拋光層(120)的底 表面(117)。(參見圖7)。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供施加於子墊(125)的底部表面(127)的壓敏性壓板研磨劑層(170)。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供施加於子墊(125)的底部表面(127)的壓敏性壓板研磨劑層(170)；以及提供施加於壓敏性壓板研磨劑層(170)上的離型襯墊(175)，其中壓敏性壓板研磨劑層(170)插入子墊(125)的底部表面(127)與離型襯墊(175)之間。(參見圖7)。
某些拋光應用所期望的為將子墊(125)併入至本發明之化學機械拋光墊(110)中。本領域中熟習此項技術者將知道選擇適當構造材料及用於預期拋光方法的子墊(125)的子墊厚度T B 。較佳地，子墊(150)具有15密耳(更佳30至100密耳；最佳30至75密耳)的平均子墊厚度T B-平均 。
較佳地，黏著劑(123)選自由以下各者組成之群：壓敏黏著劑、反應性熱熔黏著劑、接觸黏著劑以及其組合。更佳地，黏著劑(123)選自由以下各者組成之群：壓敏黏著劑及反應性熱熔黏著劑。最佳地，黏著劑(123)為反應性熱熔黏著劑。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供至少 一個額外層(未示出)，其與拋光層(120)及壓敏性壓板研磨劑層(170)界接並且插入其之間。至少一個額外層(未示出)可使用額外層黏著劑(未示出)併入至化學機械拋光墊(110)中。額外層黏著劑可選自壓敏黏著劑、熱熔黏著劑、接觸黏著劑以及其組合。較佳地，額外層黏著劑為熱熔黏著劑或壓敏黏著劑。更佳地，額外層黏著劑為熱熔黏著劑。
較佳地，本發明之方法提供化學機械拋光墊(110)，其經特定設計以幫助拋光選自磁性基板、光學基板及半導體基板中之至少一個的基板。較佳地，聚合薄片調適成用於拋光選自以下中之至少一個的基板：磁性基板、光學基板及半導體基板(更佳半導體基板；最佳半導體晶圓)。
14‧‧‧透射表面
15‧‧‧外周長
20‧‧‧聚合薄片
28‧‧‧透射表面的平面
200‧‧‧夾盤
203-203‧‧‧線
A‧‧‧中心軸
r‧‧‧半徑
γ‧‧‧角度

Claims (10)

  1. 一種拋光層分析器，其用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片，所述拋光層分析器包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的聚合薄片；其中所述聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；其中所述暗匣具有儲存所述複數個夾盤之容量；且，其中所述暗匣經設計以裝載、儲存及分配所述複數個夾盤 以便於複數個聚合薄片之分析。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的拋光層分析器，其進一步包括：定序器；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置，其耦接至所述光偵測器；以及影像資料處理單元，其耦接至所述數位影像資料採集裝置；其中所述定序器經組態以一次一個地從所述暗匣獲取所述複數個夾盤並且將其輸送至插入在所述光源與所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經組態以將所述透射光之強度轉換成電信號；其中耦接至所述光偵測器之所述數位影像資料採集裝置經組態以將來自所述光偵測器之所述電信號轉換成數位信號；其中耦接至所述數位影像資料採集裝置之所述影像資料處理單元經組態以處理來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中之拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的拋光層分析器，其中所述定序器進一步經組態以將所述複數個夾盤傳回所述暗匣。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的拋光層分析器，其中所述複數個夾盤包含至少10個夾盤。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的拋光層分析器，其進一步包括：便於目測所述複數個聚合薄片的顯示器。
  6. 一種用於分析適用作化學機械拋光墊中之拋光層之聚合薄片的方法，其包括：提供複數個聚合薄片，其中所述複數個聚合薄片中之每一聚合薄片(i)包括：聚合物微元件複合物，其包括：聚合物及複數種微元件，其中所述複數種微元件分散於所述聚合物中；且(ii)具有透射表面、衝擊表面及介於所述透射表面與所述衝擊表面之間的厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面為實質上平行的；提供拋光層分析器，其包括：暗匣；及複數個夾盤，其中所述複數個夾盤中之每一夾盤：(a)包括：中央透明部分，其具有頂部表面、底部表面及外圍邊緣；其中所述頂部表面與所述底部表面實質上平行；且其中所述頂部表面為實質上平滑的；及 固持區域，其圍繞所述中央透明部分之所述外圍邊緣；其中所述固持區域包括接觸表面、複數個同心凹槽及複數個真空孔口；其中所述複數個真空孔口與所述複數個同心凹槽連通以便於向所述複數個同心凹槽施加真空；其中所述接觸表面與所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平面；其中所述複數個同心凹槽具有凹槽寬度W及凹槽間距P；且其中W<P；且(b)經組態以固持抵著所述中央透明部分之所述頂部表面實質上平坦的來自所述複數個聚合薄片之單一聚合薄片；光源，其中所述光源發射光束；光偵測器；數位影像資料採集裝置；以及影像資料處理單元；使所述複數個聚合薄片與所述複數個夾盤配對以提供複數個薄片化夾盤；其中所述複數個薄片化夾盤中之每一薄片化夾盤包括利用所述固持區域固持至其上之相關聚合薄片，使得所述相關聚合薄片之所述衝擊表面抵著所述頂部表面實質上平坦固持；在所述光源與所述光偵測器之間一次一個地傳送所述複數個薄片化夾盤；其中所述光源發射之所述光束經定向以穿過所述中央透明部分且衝擊在所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述中央透明部分及所述厚度T S 並且從所述透射表面傳出；其中所述透射光具有至少一種可偵測特性； 其中所述至少一種可偵測特性包含所述透射光之強度；其中所述透射光之所述強度利用所述光偵測器轉換成電信號；其中來自所述光偵測器之所述電信號利用所述數位影像資料採集裝置轉換成數位信號；以及其中來自所述數位影像資料採集裝置之所述數位信號利用所述影像資料處理單元處理，其中所述影像資料處理單元經組態以偵測宏觀不均勻性並且將聚合薄片分類成可接受或待檢；以及其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的方法，其進一步包括：從所述待檢薄片的群體選出選定薄片。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中所述拋光層分析器進一步包括：顯示器；其中所述選定薄片的影像呈現在所述顯示器上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的方法，其進一步包括：對所述選定薄片進行目測，其中所述目測利用在所述顯示器上呈現所述選定薄片之所述影像來促進；以及(i)基於所述目測將所述選定薄片重新分類成可接受，其中所述選定薄片接著添加至所述可接受薄片的群體；或 (ii)基於所述目測將所述選定薄片分類成有缺陷的，其中所述選定薄片接著添加至有缺陷薄片的群體。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的方法，其進一步包括：藉由在可接受薄片中機械加工至少一個凹槽形成凹槽圖案來形成拋光表面；其中所述凹槽圖案調適成用於拋光基板；以及將所述可接受薄片併入至化學機械拋光墊中作為所述拋光層。
TW105101595A 2015-01-30 2016-01-19 拋光層分析器及方法 TW201627658A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562110059P 2015-01-30 2015-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201627658A true TW201627658A (zh) 2016-08-01

Family

ID=56410082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105101595A TW201627658A (zh) 2015-01-30 2016-01-19 拋光層分析器及方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2016173357A (zh)
KR (1) KR20160094294A (zh)
CN (1) CN105842255B (zh)
DE (1) DE102016000936A1 (zh)
FR (1) FR3032274A1 (zh)
TW (1) TW201627658A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020158833A1 (ja) 2019-01-31 2020-08-06 セルメディシン株式会社 無機塩類タンパク複合医療機器
CN111141632B (zh) * 2020-01-19 2023-11-17 沈阳大学 一种快速检测堆焊层耐磨性的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
SG70017A1 (en) * 1996-07-12 2000-01-25 Applied Materials Inc Holding a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system
US6285035B1 (en) * 1998-07-08 2001-09-04 Lsi Logic Corporation Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method
KR100436861B1 (ko) * 2001-08-27 2004-06-30 나노메트릭스코리아 주식회사 화학적 기계적 연마장치에 사용하는 연마 패드의 결함검사 방법 및 장치
US6676493B1 (en) * 2001-12-26 2004-01-13 Lam Research Corporation Integrated planarization and clean wafer processing system
CN1328778C (zh) * 2004-04-07 2007-07-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光垫与抛光盘之间的气泡检测方法
TW200709892A (en) * 2005-08-18 2007-03-16 Rohm & Haas Elect Mat Transparent polishing pad
US8697217B2 (en) * 2010-01-15 2014-04-15 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Creep-resistant polishing pad window
US9108290B2 (en) * 2013-03-07 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016173357A (ja) 2016-09-29
FR3032274A1 (fr) 2016-08-05
DE102016000936A1 (de) 2016-08-04
CN105842255B (zh) 2018-07-27
CN105842255A (zh) 2016-08-10
KR20160094294A (ko) 2016-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW400567B (en) The polishing device and its polishing method for the substrate
JP4761846B2 (ja) 圧力逃がし通路を有する研磨パッド
FR3019076B1 (fr) Feutre de polissage mecano-chimique avec couche de polissage et fenetre
TWI527836B (zh) 具有光安定之聚合性終點偵測窗之化學機械研磨墊及以該墊研磨之方法
US9102034B2 (en) Method of chemical mechanical polishing a substrate
JP2005175464A (ja) 光透過性が高い窓を有する研磨パッド
US20090253353A1 (en) Polishing pad
FR3009988A1 (fr) Tampon de polissage chimique mecanique
US10272541B2 (en) Polishing layer analyzer and method
US10569383B2 (en) Flanged optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them
TW201627658A (zh) 拋光層分析器及方法
US9737971B2 (en) Chemical mechanical polishing pad, polishing layer analyzer and method
US20070037487A1 (en) Polishing pad having a sealed pressure relief channel
TW201623381A (zh) 製造化學機械拋光墊的方法
US9770808B2 (en) Method of manufacturing chemical mechanical polishing pads
TW202007763A (zh) 用於化學機械研磨之裝置及方法
TW201629467A (zh) 化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法
JP2022056818A (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法