TW201629467A - 化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法 - Google Patents

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法蘭西斯 Ｖ 亞科拉
安德魯 汪克
馬克 蓋茲
張淵琮
蔡汶諺
威廉 Ａ 海斯成
詹姆士 大衛 泰特
蔣浩天
瑞婷 曾
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Abstract

提供一種化學機械拋光墊、拋光層分析器，其中所述分析器經配置以偵測聚合薄片的宏觀不均勻性且將所述聚合薄片分類成可接受或待檢。

Description

化學機械拋光墊、拋光層分析器及方法
本發明大體上係關於製造化學機械拋光墊的領域。具體而言，本發明係關於一種化學機械拋光墊、拋光層分析器及相關方法。
在集成電路及其他電子裝置的製造中，多個導電、半導電及介電材料層沈積在半導體晶圓的表面上或自其移除。導電、半導電及介電材料薄層可以藉由複數種沈積技術沈積。現代處理中的常見沈積技術包含亦稱為濺鍍之物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)、電漿增強之化學氣相沈積(PECVD)以及電化學鍍敷(ECP)。
因為材料層依序沈積及移除，所以晶圓的最上表面變得不平坦。因為後續半導體處理(例如金屬化)需要晶圓具有平坦表面，所以晶圓需要平面化。平面化適用於移除非所要表面形狀及表面缺陷，諸如粗糙表面、聚結材料、晶格損壞、刮痕及經污染的層或材料。
化學機械平面化或化學機械拋光(CMP)為一種用以使基板(諸如半導體晶圓)平面化之常見技術。在常規CMP中，晶圓安裝在載具組件上且與CMP設備中之拋光墊接觸安置。載具組件向晶圓提供可控壓力，將其抵靠拋光墊按壓。藉由外部驅動力使墊相對於晶圓移動(例如旋轉)。與此同時，在晶圓與拋光墊之間提供化學組合物(「漿料」)或其他拋光溶液。因此，藉由對墊表面及漿料進行化學及機械作用對晶圓表面拋光且使其成平面。
在美國專利第5,578,362號中，萊因哈特(Reinhardt)等人披露此項技術中已知的例示性拋光墊。萊因哈特的拋光墊包括整體中分散有微球之聚合基質。一般而言，摻合微球且與液體聚合材料混合且轉移至模具用於固化。接著將模製物品切片形成拋光層。令人遺憾的是，以此方式形成之拋光層可呈現非所需缺陷，當併入至拋光墊中時，所述缺陷可引起用其拋光之基板的缺陷。
帕克(Park)等人在美國專利第7,027,640號中披露一種用於解決與化學機械拋光墊之拋光層中的可能缺陷有關的問題的確證方法。帕克等人披露一種用於偵測或檢查用於執行晶圓化學機械拋光之墊上的缺陷的設備，其包括：相機，用於將墊裝載於其上且移動墊之墊驅動裝置；面向墊安裝以將墊之圖像轉化成電信號且輸出所轉化之電信號；數位圖像資料採集裝置，用於將自相機傳播的電信號轉化成數位信號；以及圖像資料處理單元，用於處理圖像資料且偵測墊上的缺陷，其中所述圖像資料處理單元基於任一點上之圖 像資料計算光的一個或多個定量特徵值，所述資料獲自所述圖像資料獲取裝置，且將墊上的以下位置判斷為缺陷，其中藉由組合一個或多個所獲取之定量特徵值獲得的層級值與自墊的正常表面獲得之層級值之間的差異大於預定值。
然而，帕克等人描述之設備及方法設計成使用反射光檢查準備好拋光配置中的完成的化學機械拋光墊。具體而言，使用反射光檢查化學機械拋光墊及併入至此類墊中之拋光層具有顯著缺點。使用反射光鑑別併入之拋光層中的表面下缺陷的能力有限，所述缺陷不接近於拋光層的表面。儘管如此，因為使用化學機械拋光墊，拋光層的表面逐漸磨損。因此，遠離指定化學機械拋光墊之拋光層的表面的缺陷在墊使用壽命期間開始變得逐漸更接近拋光表面。另外，準備好拋光配置中的化學機械拋光墊常規地包含改良拋光層之拋光表面以促進拋光基板(例如凹槽、穿孔)，其使用帕克等人所述的灰度階改善複雜自動缺陷偵測。
因此，仍需要使用具有強化拋光層缺陷鑑別功能之自動檢查方法製造具有拋光層的低缺陷化學機械拋光墊的改良方法。
本發明提供一種化學機械拋光墊、拋光層分析器，其包括：用於固持複數個聚合薄片的暗匣，其中各聚合薄片(i)包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素分散於所述聚合 物中；以及(ii)在透射表面與衝擊表面之間具有厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；定序器；光源，其中所述光源發射之光束具有展示460至490nm發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm的發光光譜；光偵測器；耦接至所述光偵測器之數位圖像資料採集裝置；以及耦接至所述數位圖像資料採集裝置的圖像資料處理單元；其中所述定序器經配置以使用一次一個聚合薄片的方式自所述暗匣獲取所述複數個聚合薄片且將其輸送至插入於所述光源及所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射之所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束之透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經配置以將所述透射光之強度轉化成電信號；其中耦接至所述光偵測器的所述數位圖像資料採集裝置經配置以將來自所述光偵測器的所述電信號轉化成數位信號；其中耦接至所述數位圖像資料採集裝置的所述圖像資料處理單元經配置以處理來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中的拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
本發明提供一種用於分析聚合薄片用作化學機械拋光墊中的拋光層之適用性的方法，其包括：提供複數個聚合薄片，其中各聚合薄片(i)包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微 量元素分散於所述聚合物中；以及(ii)在透射表面與衝擊表面之間具有厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；提供自動檢查系統，其包括：光源，其中所述光源發射之光束具有展示460至490nm發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm的發光光譜；光偵測器；數位圖像資料採集裝置；以及圖像資料處理單元；在所述光源及所述光偵測器之間一次一個地輸送所述複數個聚合薄片；其中自所述光源發射之所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述透射光具有至少一種可偵測特性；其中所述至少一種可偵測特性包含所述透射光的強度；其中所述透射光的所述強度藉由所述光偵測器轉化成電信號；其中來自所述光偵測器的所述電信號藉由所述數位圖像資料採集裝置轉化成數位信號；以及其中來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號藉由所述圖像資料處理單元處理，其中所述圖像資料處理單元經配置以偵測宏觀不均勻性且將聚合薄片分類成可接受或待檢；以及其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
14‧‧‧透射表面
15‧‧‧聚合薄片的外周長
17‧‧‧衝擊表面
20‧‧‧聚合薄片
28‧‧‧透射表面的平面
30‧‧‧衝擊表面的平面
110‧‧‧化學機械拋光墊
112‧‧‧中心軸
114‧‧‧拋光表面
117‧‧‧底表面
120‧‧‧拋光層
123‧‧‧黏著劑
125‧‧‧子墊
126‧‧‧頂部表面
127‧‧‧底部表面
170‧‧‧壓敏性壓板研磨劑層
175‧‧‧離型襯墊
圖1為聚合薄片之透視圖的描述。
圖2為聚合薄片之透視圖的描述。
圖3為併入聚合薄片作為拋光層的化學機械拋光墊之橫截面剖視圖的描述。
本發明之方法提供成品(準備好使用)化學機械拋光墊的顯著品質提高。本發明之方法大大提高使用由聚合物微量元素複合物形成的聚合薄片的化學機械拋光墊製造之品質控制態樣，所述複合物包括聚合物及分散於聚合物中的複數種微量元素，其藉由首先檢查聚合薄片以鑑別可接受薄片與複數個聚合薄片且繪製待檢薄片的透射表面以幫助集中目測含有宏觀不均勻性的待檢薄片的部分來進行。以此方式，大大減輕了操作人員疲勞(即運營商不需要對可接受聚合薄片耗費無數小時來定位宏觀不均勻性)。因此，使能夠提高操作人員焦點來引入最大價值(即評估聚合薄片中的具體不均勻性來判斷適用性)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「聚(胺基甲酸酯)」涵蓋(a)由(i)異氰酸酯及(ii)多元醇(包含二醇)反應形成的聚胺基甲酸酯；以及(b)由(i)異氰酸酯與(ii)多元醇(包含二醇)及(iii)水、胺或水及胺的組合反應形成的聚(胺基甲酸酯)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用的關於具有透射表面(14)及衝擊表面(17)的聚合薄片(20)之術語「平均聚合薄片厚度，T S-平均」意謂在垂直於透射表面(14)之平面(28)的方向中量測的自聚合薄片(20)的透射表面 (14)至衝擊表面(17)的聚合薄片(20)的厚度T S 的平均值。(參看圖3)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用的關於具有與作為拋光層(120)併入且具有拋光表面(114)的聚合薄片界接之子墊(125)的化學機械拋光墊(110)的術語「平均基層厚度，T B-平均」意謂在垂直於拋光表面(114)的方向中量測的自子墊(125)的底部表面(127)至子墊(125)的頂部表面(126)的子墊(125)的厚度T B 的平均值。(參看圖3)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用的關於具有作為拋光層(120)併入且具有拋光表面(114)的聚合薄片的化學機械拋光墊(110)之術語「平均總厚度，T T-平均」意謂在垂直於拋光表面(114)的方向中量測的自拋光表面(114)至子墊(125)的底部表面(127)的化學機械拋光墊(110)的厚度T T 的平均值。(參看圖3)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於聚合薄片(20)所用之術語「實質上圓形截面」意謂投射至聚合薄片(20)的透射表面(14)的平面(28)上的自中心軸A至聚合薄片(20)的外周長(15)的聚合薄片(20)的最長半徑r比投射至聚合薄片(20)的透射表面(14)的平面(28)上的自中心軸A至聚合薄片(20)的外周長(15)的聚合薄片(20)的最短半徑r長20%。(參看圖1及2)。
如本文中及所附申請專利範圍中關於聚合薄片(20)所用之術語「實質上平行」意謂與聚合薄片(20)的 衝擊表面(17)的平面(30)垂直的中心軸A(以及與其平行的任何線)將與透射表面(14)的平面(28)以角度γ交叉；其中角度γ為89至91°之間。(參看圖1及2)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「宏觀不均勻性」意謂聚合薄片的透射表面上的局部區域被聚合薄片的透射表面上的相鄰區域包圍，其中通過所述局部區域傳播的所偵測的光強度比通過相鄰區域傳播的所偵測的光強度高或低0.1%光偵測器的可偵測強度範圍的的量；以及其中所述局部區域涵蓋的透射表面的一部分足夠大以在透射表面的平面中封閉直徑為15.875mm的空心圓。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「密度缺陷」係指微量元素濃度相對於聚合薄片的周圍區域顯著降低的聚合薄片中的宏觀不均勻性。密度缺陷相較於聚合薄片的周圍區域展現顯著較高的透明度(即較高的透射光的偵測強度)。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「氣孔」係指納入空氣導致與聚合薄片的周圍區域相比透明度顯著較高(即透射光的偵測強度較高)的聚合薄片中的宏觀不均勻性。
如本文中及所附申請專利範圍中所用之術語「納入缺陷」係指具有外來污染物導致與聚合薄片的周圍區域相比透明度顯著較低(即透射光的偵測強度較低)的聚合薄片中的宏觀不均勻性。
較佳地，本發明之化學機械拋光墊、拋光層分析 器包括：用於固持複數個聚合薄片的暗匣，其中各聚合薄片(i)包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素分散於所述聚合物中；以及(ii)在透射表面與衝擊表面之間具有厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；定序器；光源，其中所述光源發射的光束具有展示460至490nm(較佳460至480nm；更佳460至470nm；最佳463至467nm)發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm(較佳40nm；更佳35nm；最佳30nm)的發光光譜；光偵測器；耦接至所述光偵測器的數位圖像資料採集裝置；以及耦接至所述數位圖像資料採集裝置的圖像資料處理單元；其中所述定序器經配置以使用一次一個聚合薄片的方式自所述暗匣獲取所述複數個聚合薄片且將其輸送至插入在所述光源及所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射的所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經配置以將所述透射光的強度轉化成電信號；其中耦接至所述光偵測器的所述數位圖像資料採集裝置經配置以將來自所述光偵測器的所述電信號轉化成數位信號；其中耦接至所述數位圖像資料採集裝置的所述圖像資料處理單元經配置以處理來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中的拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的 群體。
較佳地，聚合物薄片包括聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素分散於所述聚合物中。較佳地，聚合物微量元素複合物包括聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素以圖案形式分散於所述聚合物中。更佳地，聚合物微量元素複合物包括聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素以選自由均勻圖案及梯度圖案組成的群的圖案形式分散於所述聚合物中。最佳地，聚合物微量元素複合物包括聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素均勻地分散於所述聚合物中。較佳地，聚合物微量元素複合物使用液體預聚物製備，其中所述複數種微量元素分散於所述液體預聚物中；以及其中所述液體預聚物固化產生聚合物。
較佳地，液體預聚物聚合(即固化)形成選自以下的材料聚(胺基甲酸酯)、聚碸、聚醚碸、耐綸(nylon)、聚醚、聚酯、聚苯乙烯、丙烯酸系聚合物、聚脲、聚醯胺、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚乙烯亞胺、聚丙烯腈、聚氧化乙烯、聚烯烴、聚丙烯酸(烷基)酯、聚甲基丙烯酸(烷基)酯、聚醯胺、聚醚醯亞胺、聚酮、環氧樹脂、矽酮、由乙烯丙烯二烯單體形成的聚合物、蛋白質、多醣、聚乙酸酯以及前述中的至少兩個的組合。較佳地，液體預聚物聚合形成包括聚(胺基甲酸酯)的材料。更佳地，液體預聚物聚合形成包括聚胺基甲酸酯的材料。最佳地，液體預聚物聚合(固化)形成聚胺基甲酸酯。
較佳地，液體預聚物包括含有聚異氰酸酯的材料。更佳地，液體預聚物包括聚異氰酸酯(例如二異氰酸酯)與含有羥基的材料的反應產物。
較佳地，聚異氰酸酯選自雙4,4'-環己基-異氰酸亞甲酯；二異氰酸環己酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二異氰酸六亞甲酯；丙烯-1,2-二異氰酸酯；四亞甲基-1,4-二異氰酸酯；1,6-六亞甲基-二異氰酸酯；十二烷-1,12-二異氰酸酯；環丁烷-1,3-二異氰酸酯；環己烷-1,3-二異氰酸酯；環己烷-1,4-二異氰酸酯；1-異氰酸酯基-3,3,5-三甲基-5-異氰酸酯基甲基環己烷；二異氰酸環己烯酯甲酯、二異氰酸六亞甲酯的三異氰酸酯；二異氰酸2,4,4-三甲基-1,6-己烷酯的三異氰酸酯；二異氰酸六亞甲酯的脲二酮；二異氰酸乙烯酯；二異氰酸2,2,4-三甲基六亞甲酯；二異氰酸2,4,4-三-甲基六亞甲酯；二異氰酸二環己基甲烷酯；以及其組合。最佳地，聚異氰酸酯為脂族且具有少於14%未反應的異氰酸酯基。
較佳地，本發明所用的含有羥基的材料為多元醇。例示性多元醇包含例如聚醚多元醇、羥基封端的聚丁二烯(包含部分及完全氫化衍生物)、聚酯多元醇、聚己內酯多元醇、聚碳酸酯多元醇以及其混合物。
較佳多元醇包含聚醚多元醇。聚醚多元醇的實例包含聚四亞甲基醚乙二醇(「PTMEG」)、聚乙烯丙二醇、聚氧基丙二醇以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵以及經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。較佳地，本發明之多元醇包含PTMEG。適合聚酯多元醇包含(但不限於)聚己 二酸乙二醇酯二醇；聚己二酸丁二酯二醇；聚己二酸乙二酯丙二酯二醇；鄰苯二甲酸-1,6-己二醇酯；聚(己二酸六亞甲酯)二醇；以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵，或經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。適合聚己內酯多元醇包含(但不限於)1,6-己二醇起始的聚己內酯；二乙二醇起始的聚己內酯；三羥甲基丙烷起始的聚己內酯；新戊二醇起始的聚己內酯；1,4-丁二醇起始的聚己內酯；PTMEG起始的聚己內酯；以及其混合物。烴鏈可具有飽和或不飽和鍵，或經取代或未經取代的芳族基團及環狀基團。適合聚碳酸酯包含(但不限於)聚鄰苯二甲酸酯碳酸酯及聚(碳酸六亞甲酯)二醇。
較佳地，所述複數種微量元素選自夾帶氣泡、空心聚合材料(即微球)、液體填充的空心聚合材料、水溶性材料(例如環糊精)及不溶性相材料(例如礦物油)。較佳地，所述複數種微量元素為微球，諸如聚乙烯醇、果膠、聚乙烯吡咯啶酮、羥乙基纖維素、甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥基丙基纖維素、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙二醇、聚羥基醚丙烯酸酯、澱粉、順丁烯二酸共聚物、聚氧化乙烯、聚胺基甲酸酯、環糊精以及其組合(例如來自瑞典(Sweden)松茲瓦爾(Sundsvall)的阿克蘇諾貝爾公司(Akzo Nobel)的ExpancelTM)。微球可經化學改質以藉由例如支化、阻斷及交聯來改變溶解度、溶脹及其他特性。較佳地，微球的平均直徑小於150μm，且更佳的平均直徑小於50μm。最佳地，微球48的平均直徑小於15μm。注意，微球的 平均直徑可為變化且不同的尺寸或可使用不同微球48的混合物。微球的最佳材料為丙烯腈及偏二氯乙烯(例如獲自阿克蘇諾貝爾公司的Expancel®)的共聚物。
用於本發明之方法的液體預聚物視情況進一步包括固化劑。較佳固化劑包含二胺。適合聚二胺包含一級胺及二級胺。較佳聚二胺包含(但不限於)二乙基甲苯二胺(「DETDA」)；3,5-二甲基硫基-2,4-甲苯二胺及其異構體；3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺及其異構體(例如3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺)；4,4'-雙-(仲丁胺基)-二苯基甲烷；1,4-雙-(仲丁胺基)-苯；4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯胺)；4,4'-亞甲基-雙-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(「MCDEA」)；聚四亞甲氧醚-二-對胺基苯甲酸酯；N,N'-二烷基二胺基二苯基甲烷；p,p'-亞甲基二苯胺(「MDA」)、間苯二胺(「MPDA」)；亞甲基-雙2-氯苯胺(「MBOCA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯胺)(「MOCA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2,6-二乙基苯胺)(「MDEA」)；4,4'-亞甲基-雙-(2,3-二氯苯胺)(「MDCA」)；4,4'-二胺基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷；2,2',3,3'-四氯二胺基二苯基甲烷；丙二醇二-對胺基苯甲酸酯；以及其混合物。較佳地，二胺固化劑選自3,5-二甲基硫基-2,4-甲苯二胺及其異構體。
固化劑亦可以包含二醇、三醇、四醇以及羥基封端的固化劑。適合二醇、三醇及四醇基團包含乙二醇；二乙二醇；聚乙二醇；丙二醇；聚丙二醇；較低分子量聚四亞甲基醚乙二醇；1,3-雙(2-羥基乙氧基)苯；1,3-雙-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]苯；1,3-雙-{2-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙氧基} 苯；1,4-丁二醇；1,5-戊二醇；1,6-己二醇；間苯二酚-二-(β-羥基乙基)醚；氫醌-二-(β-羥基乙基)醚；以及其混合物。較佳羥基封端的固化劑包含1,3-雙(2-羥基乙氧基)苯；1,3-雙-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]苯；1,3-雙-{2-[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙氧基}苯；1,4-丁二醇；以及其混合物。羥基封端的固化劑及二胺固化劑可包含一種或多種飽和、不飽和、芳族及環狀基團。另外，羥基封端的固化劑及二胺固化劑可包含一種或多種鹵素基團。
較佳地，在本發明之方法中，聚合薄片的平均厚度T S-平均為500至5,000μm(較佳地750至4,000μm；更佳1,000至3,000μm；最佳1,200至2,100μm)。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括經設計以固持、儲存及分配聚合薄片的暗匣。較佳地，暗匣具有用於固持至少10個聚合薄片(更佳至少15個聚合薄片；更佳至少20個聚合薄片；最佳至少30個聚合薄片)的設計容量。暗匣設計容量使操作人員能夠向自動檢查系統裝載許多聚合薄片。向暗匣裝載複數個聚合薄片之後，操作人員能夠接著執行其他任務同時自動檢查系統工藝且將複數個聚合薄片分類成可接受或待檢。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括定序器，其配置成一次一個地自暗匣獲取聚合薄片且將聚合薄片一次一個地輸送至插入光源及光偵測器之間的位置；以及使聚合薄片一次一個地返回至暗匣中。較佳地，所述機制包含至少一個線性馬達。更佳地，所述機制包含至少一個線 性標度分辨率1μm的線性馬達。
較佳地，光源為發射光束的窄帶藍光源。更佳地，光源為窄帶藍光源，其中其發射的光束展示460至490nm(較佳地460至480nm；更佳460至470；最佳463至467nm)峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm(較佳地40nm；更佳35nm；最佳30nm)的發射光譜。一般技術者能夠選擇適當光源來提供發射光譜在所要區域的光束。較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括光源，其中光源為發光二極體。
較佳地，自動檢查系統包括能夠轉化來自光束的透射光的至少一種可偵測特性，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。更佳地，光偵測器能夠轉化來自光束的所傳播光的強度，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。最佳地，光偵測器能夠轉化來自光束的所傳播光的強度及波長光譜，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。較佳地，光偵測器為將入射的透射光的至少一種可偵測特性轉化成電信號的光電轉化裝置。較佳地，光偵測器為電荷耦合裝置(CCD)陣列。較佳地，所用電荷耦合裝置(CCD)選自單色及彩色CCD。更佳地，光偵測器包括至少5個(最佳地至少8個)光電轉化裝置的陣列。最佳地，光偵測器包括至少8個電荷耦合裝置(CCD)圖像傳感器的陣列，其分辨率20μm(較佳地16μm)且視野100mm(較佳地120mm)。
數位圖像資料採集裝置將數位信號轉化成光偵測器的電信號輸出。在此項技術中熟知適於與本發明一起使 用的數位圖像資料採集裝置。
包括聚合物微量元素複合物的聚合薄片的不均勻組成性質使得假設標準薄片不實用。亦即，此類聚合薄片中存在複數種無害生產偽訊使得與標準值的簡單灰度比較對用於檢查作為拋光層併入化學機械拋光墊中的聚合薄片的自動系統無效。
適於與本發明一起使用的一般目的及特殊目的圖像資料處理單元在此項技術中是熟知的。較佳地，用於本發明之自動檢查系統中的圖像資料處理單元包括耦接至非易失性資料儲存單元的中央處理單元。
較佳地，中央處理單元進一步耦接至一種或多種用戶輸入界面控制器(例如滑鼠、鍵盤)及至少一個輸出顯示器。
較佳地，圖像資料處理單元經配置以偵測聚合薄片中的宏觀不均勻性且將聚合薄片分類成可接受或待檢。較佳地，藉由圖像資料處理單元基於品質控制準則選單將聚合薄片分類成可接受或待檢。製造聚合薄片期間可能出現複數種缺陷，包含例如密度缺陷、氣孔缺陷及納入缺陷。應注意此等缺陷中的任一個或組合視透射表面的受影響部分的大小而定可構成聚合薄片中的宏觀不均勻性。應注意，複數種缺陷類型將不同地呈現給光偵測器。對於密度缺陷及氣孔，有缺陷區域將比聚合薄片的周圍區域更透明。對於納入缺陷，有缺陷的區域將比聚合薄片的周圍區域不透明。此類缺陷是否可接受將取決於許多條件，包含例如併入聚合薄片的化學 機械拋光墊將執行拋光任務的基板。某些基板比其他基板更精密，且因此需要更緊密控制針對其拋光製造的打算用作化學機械拋光墊中的拋光層的聚合薄片的均勻性。
較佳地，在本發明之分析器中，圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，在本發明之分析器中，圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置；且其中分析器進一步包括顯示器；其中選定薄片的圖像呈現於顯示器上。顯示器上呈現的選定薄片的圖像可為選定薄片的整個透射表面的圖像。較佳地，選定薄片的圖像為至少一個偵測到的宏觀不均勻性的放大的部分圖像。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像包含全部宏觀不均勻性及選定薄片的透射表面的周圍區域。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像可經放大以提高所呈現圖像的細節以便於目測選定薄片。
較佳地，分析聚合薄片用作本發明之化學機械拋光墊中的拋光層的適用性的方法包括：提供複數個聚合薄片，其中各聚合薄片(i)在透射表面與衝擊表面之間具有厚 度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；以及包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中複數種微量元素分散於聚合物中；提供自動檢查系統，其包括：光源，其中所述光源發射的光束具有展示460至490nm(較佳地460至480nm；更佳460至470nm；最佳463至467nm)發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm(較佳地40nm；更佳35nm；最佳30nm)的發光光譜；光偵測器；數位圖像資料採集裝置；以及圖像資料處理單元；在光源及光偵測器之間一次一個地輸送複數個聚合薄片；其中所述光源發射的所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中透射光具有至少一種可偵測特性；其中至少一種可偵測特性包含透射光的強度；其中所述透射光的強度藉由光偵測器轉化成電信號；其中來自所述光偵測器的所述電信號藉由數位圖像資料採集裝置轉化成數位信號；且其中來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號藉由所述圖像資料處理單元處理，其中所述圖像資料處理單元經配置以偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受或待檢；且其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統進一步包括經設計以固持、儲存及分配聚合薄片的暗匣。較佳地，暗匣具有用於固持至少10個聚合薄片(更佳至少15個聚合 薄片；更佳至少20個聚合薄片；最佳至少30個聚合薄片)的設計容量。暗匣設計容量使操作人員能夠向自動檢查系統裝載許多聚合薄片。向暗匣裝載複數個聚合薄片之後，操作人員能夠接著執行其他任務同時自動檢查系統工藝且將複數個聚合薄片分類成可接受或待檢。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括定序器，其配置成一次一個地自暗匣獲取聚合薄片且將聚合薄片一次一個地輸送至插入光源及光偵測器之間的位置；以及使聚合薄片一次一個地返回至暗匣中。較佳地，所述機制包含至少一個線性馬達。更佳地，所述機制包含至少一個線性標度分辨率1μm的線性馬達。
較佳地，在本發明之方法中，定序器經配置以使用一次一個聚合薄片的方式自所述暗匣獲取所述複數個聚合薄片且將其輸送至插入在所述光源及所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射的所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經配置以將所述透射光的強度轉化成電信號；其中耦接至所述光偵測器的所述數位圖像資料採集裝置經配置以將來自所述光偵測器的所述電信號轉化成數位信號；其中耦接至所述數位圖像資料採集裝置的所述圖像資料處理單元經配置以處理來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中的拋光層或分類成待檢；其 中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括光源，其中光源為發射光束的窄帶藍光源。更佳地，光源為窄帶藍光源，其中其發射的光束展示460至490nm(較佳地460至480nm；更佳460至470；最佳463至467nm)峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm(較佳地40nm；更佳35nm；最佳30nm)的發射光譜。一般技術者能夠選擇適當光源來提供發射光譜在所要區域的光束。較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括光源，其中光源為發光二極體。
較佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括能夠轉化來自光束的透射光的至少一種可偵測特性的光偵測器，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。更佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括能夠轉化來自光束的透射光的強度的光偵測器，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。最佳地，在本發明之方法中，自動檢查系統包括能夠轉化來自光束的透射光的強度及波長光譜的光偵測器，所述透射光傳播通過厚度T S 且自聚合薄片的透射表面傳出。較佳地，光偵測器為將入射的所傳播的光的至少一種可偵測特性轉化成電信號的光電轉化裝置。較佳地，光偵測器為電荷耦合裝置(CCD)陣列。較佳地，所用電荷耦合裝置(CCD)選自單色及彩色CCD。更佳地，光偵測器包括至少5個(最佳地至少8個)光電轉化裝置的陣列。最佳地，光偵測器包括至少8個電荷耦合裝置 (CCD)圖像傳感器的陣列，其分辨率20μm(較佳地16μm)且視野100mm(較佳地120mm)。
數位圖像資料採集裝置將數位信號轉化成光偵測器的電信號輸出。在此項技術中熟知適於與本發明一起使用的數位圖像資料採集裝置。
包括聚合物微量元素複合物的聚合薄片的不均勻組成性質使得假設標準薄片不實用。亦即，此類聚合薄片中存在複數種無害生產偽訊使得與標準值的簡單灰度比較對用於檢查作為拋光層併入化學機械拋光墊中的聚合薄片的自動系統無效。
適於與本發明一起使用的一般目的及特殊目的圖像資料處理單元在此項技術中是熟知的。較佳地，用於本發明方法的自動檢查系統中的圖像資料處理單元包括耦接至非易失性資料存儲單元的中央處理單元。
較佳地，中央處理單元進一步耦接至一種或多種用戶輸入界面控制器(例如滑鼠、鍵盤)及至少一個輸出顯示器。
較佳地，圖像資料處理單元經配置以偵測聚合薄片中的宏觀不均勻性且將聚合薄片分類成可接受或待檢。較佳地，藉由圖像資料處理單元基於品質控制準則選單將聚合薄片分類成可接受或待檢。製造聚合薄片期間可能出現複數種缺陷，包含例如密度缺陷、氣孔缺陷及納入缺陷。應注意此等缺陷中的任一個或組合視透射表面的受影響部分的大小而定可構成聚合薄片中的宏觀不均勻性。應注意，複數種缺 陷類型將不同地呈現給光偵測器。對於密度缺陷及氣孔，有缺陷區域將比聚合薄片的周圍區域更透明。對於納入缺陷，有缺陷的區域將比聚合薄片的周圍區域不透明。此類缺陷是否可接受將取決於許多條件，包含例如併入聚合薄片的化學機械拋光墊將執行拋光任務的基板。某些基板比其他基板更精密，且因此需要更緊密控制針對其拋光製造的打算用作化學機械拋光墊中的拋光層的聚合薄片的均勻性。
較佳地，在本發明之方法中，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一種偵測到的宏觀不均勻性；圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，本發明之方法進一步包括：自待檢薄片的群體選擇選定薄片；其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，本發明之方法進一步包括：自待檢薄片的群體選擇選定薄片；其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；其中圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置；以及其中自動 檢查系統進一步包括：顯示器；其中選定薄片的圖像呈現於所述顯示器上。顯示器上呈現的選定薄片的圖像可為選定薄片的整個透射表面的圖像。較佳地，選定薄片的圖像為至少一個偵測到的宏觀不均勻性的放大的部分圖像。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像包含全部宏觀不均勻性及選定薄片的透射表面的周圍區域。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像可經放大以提高所呈現圖像的細節以便於目測選定薄片。較佳地，本發明之方法進一步包括：對選定薄片進行目測，其中藉由顯示器上呈現的選定薄片的圖像促進目測；以及(i)基於目測將選定薄片重新分類成可接受，其中選定薄片接著添加至可接受薄片的群體；或(ii)基於目測將選定薄片分類成有缺陷的，其中選定薄片接著添加至有缺陷薄片的群體。
較佳地，本發明之方法進一步包括：處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其包括：藉由(a)在可接受薄片中機械處理至少一個凹槽形成凹槽圖案且(b)形成至少部分通過可接受薄片的厚度T s 的通道延伸的穿孔中的至少一個形成拋光表面(114)。更佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其包括藉由在可接受薄片中機械處理至少一個凹槽形成凹槽圖案來形成拋光表面(114)。最佳地，在本發明之方法中，處理至少一種可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層 (120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其包括藉由在可接受薄片中機械處理至少一個凹槽形成凹槽圖案來形成拋光表面(114)；其中凹槽圖案調適成用於拋光基板。(參看圖3)。
較佳地，本發明之方法提供較佳調適成繞中心軸(112)旋轉的化學機械拋光墊(110)。(參看圖3)。較佳地，至少一個凹槽經配置以形成拋光表面(114)，使得在拋光期間墊(110)繞中心軸(112)旋轉時，至少一個凹槽掃過基板。較佳地，至少一個凹槽選自曲面凹槽、線性凹槽以及其組合。較佳地，至少一個凹槽呈現10mil(較佳地10至150mil)的深度。較佳地，至少一個凹槽形成包括至少兩個凹槽的凹槽圖案，其具有選自10mil、15mil以及15至150mil的深度組合；選自10mil及10至100mil的寬度；以及選自30mil、50mil、50至200mil、70至200mil以及90至200mil的間距。
較佳地，作為拋光層(120)併入至化學機械拋光墊(110)中的聚合薄片含有併入其中的<1ppm的研磨粒子。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片，其進一步包括：提供具有頂部表面(126)及底部表面(127)的子墊(125)；提供黏著劑(123)(較佳地，其中黏著劑選自壓敏黏著劑、熱熔膠及接觸黏著劑中的至少一個；更佳地，其中黏著劑選自壓敏黏著劑及熱熔膠；最佳地，其中黏著劑為熱熔膠)；以及使用黏著劑(123)將子墊(125)的頂部表面(126)層壓至拋光層(120)的底表面(117)。(參 看圖3)。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供施加於子墊(125)的底部表面(127)的壓敏性壓板研磨劑層(170)。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供施加於子墊(125)的底部表面(127)的壓敏性壓板研磨劑層(170)；以及提供施加於壓敏性壓板研磨劑層(170)上的離型襯墊(175)，其中壓敏性壓板研磨劑層(170)插入子墊(125)的底部表面(127)與離型襯墊(175)之間。(參看圖3)。
某些拋光應用需要將子墊(125)併入至本發明之化學機械拋光墊(110)中。一般技術者將知道選擇適當構造材料及用於預期拋光方法的子墊(125)的子墊厚度T B 。較佳地，子墊(150)具有15mil(更佳30至100mil；最佳30至75mil)的平均子墊厚度TB -平均。
較佳地，黏著劑(123)選自由以下各者組成的群：壓敏黏著劑、熱熔膠、接觸黏著劑以及其組合。更佳地，黏著劑(123)選自由以下各者組成的群：壓敏黏著劑及熱熔膠。最佳地，黏著劑(123)為反應性熱熔膠。
較佳地，在本發明之方法中，處理至少一個可接受薄片形成化學機械拋光墊(110)的拋光層(120)；其中拋光層(120)調適成用於拋光基板，其進一步包括：提供至少 一個額外層(未示出)，其與拋光層(120)及壓敏性壓板研磨劑層(170)界接且插入其之間。至少一個額外層(未示出)可使用額外層黏著劑(未示出)併入至化學機械拋光墊(110)中。額外層黏著劑可選自壓敏黏著劑、熱熔膠黏著劑、接觸黏著劑以及其組合。較佳地，額外層黏著劑為熱熔膠或壓敏黏著劑。更佳地，額外層黏著劑為熱熔膠。
較佳地，本發明之方法提供化學機械拋光墊(110)，其經特定設計以幫助拋光選自磁性基板、光學基板及半導體基板中的至少一個的基板。較佳地，聚合薄片調適成用於拋光選自以下中的至少一個的基板：磁性基板、光學基板及半導體基板(更佳半導體基板；最佳半導體晶圓)。
在本發明之方法中，其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一種偵測到的宏觀不均勻性；圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，本發明之方法進一步包括：自待檢薄片的群體選擇選定薄片；其中待檢薄片的群體包含至少一個待檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置。
較佳地，本發明之方法進一步包括：自待檢薄片的群體選擇選定薄片；其中待檢薄片的群體包含至少一個待 檢薄片且其中至少一個待檢薄片含有至少一個偵測到的宏觀不均勻性；圖像資料處理單元較佳進一步經配置以在非易失性記憶體中製造及儲存至少一個待檢薄片的圖譜，其中定位至少一個偵測到的宏觀不均勻性的位置；以及其中自動檢查系統進一步包括：顯示器；其中選定薄片的圖像呈現於所述顯示器上。顯示器上呈現的選定薄片的圖像可為選定薄片的整個透射表面的圖像。較佳地，選定薄片的圖像為至少一個偵測到的宏觀不均勻性的放大的部分圖像。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像包含全部宏觀不均勻性及選定薄片的透射表面的周圍區域。較佳地，顯示器上呈現的選定薄片的部分圖像可經放大以提高所呈現圖像的細節以便於目測選定薄片。較佳地，本發明之方法進一步包括：對選定薄片進行目測，其中藉由顯示器上呈現的選定薄片的圖像促進目測；以及(i)基於目測將選定薄片重新分類成可接受，其中選定薄片接著添加至可接受薄片的群體；或(ii)基於目測將選定薄片分類成有缺陷的，其中選定薄片接著添加至有缺陷薄片的群體。
14‧‧‧透射表面
15‧‧‧聚合薄片的外周長
17‧‧‧衝擊表面
28‧‧‧透射表面的平面
30‧‧‧衝擊表面的平面

Claims (9)

  1. 一種化學機械拋光墊、拋光層分析器，其包括：用於固持複數個聚合薄片的暗匣，其中各聚合薄片(i)包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素分散於所述聚合物中；以及(ii)在透射表面與衝擊表面之間具有厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行；定序器；光源，其中所述光源發射的光束具有展示460至490nm發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm的發光光譜；光偵測器；耦接至所述光偵測器的數位圖像資料採集裝置；以及耦接至所述數位圖像資料採集裝置的圖像資料處理單元；其中所述定序器經配置以使用一次一個聚合薄片的方式自所述暗匣獲取所述複數個聚合薄片且將其輸送至插入在所述光源及所述光偵測器之間的位置；其中所述光源發射的所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述光偵測器經配置以將所述透射光的強度轉化成電信號；其中耦接至所述光偵測器的所述數位圖像資料採集裝置經配置以將來自所述光偵測器的所述電信號轉化成數位信號；其中耦接至所述數位圖像資料採集裝置的所述圖像資料處理單元經配置以處理來自所述數位圖像資料 採集裝置的所述數位信號來偵測宏觀不均勻性以及將聚合薄片分類成可接受用作化學機械拋光墊中的拋光層或分類成待檢；其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化學機械拋光墊、拋光層分析器，其中所述定序器進一步經配置以將所述複數個聚合薄片傳回至所述暗匣。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的化學機械拋光墊、拋光層分析器，其中所述暗匣具有固持至少10個聚合薄片的設計容量。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的化學機械拋光墊、拋光層分析器，其進一步包括：便於目測所述複數個聚合薄片的顯示器。
  5. 一種用於分析聚合薄片用作化學機械拋光墊中的拋光層的適用性的方法，其包括：提供複數個聚合薄片，其中各聚合薄片(i)包括：聚合物微量元素複合物，其包括：聚合物及複數種微量元素，其中所述複數種微量元素分散於所述聚合物中；以及(ii)在透射表面與衝擊表面之間具有厚度T S ；其中所述透射表面及所述衝擊表面實質上平行； 提供自動檢查系統，其包括：光源，其中所述光源發射的光束具有展示460至490nm發射峰值波長及半幅全寬FWHM 50nm的發光光譜；光偵測器；數位圖像資料採集裝置；以及圖像資料處理單元；在所述光源及所述光偵測器之間一次一個地輸送所述複數個聚合薄片；其中自所述光源發射的所述光束經定向以衝擊至所述衝擊表面上；以及其中所述光偵測器經定向以偵測來自所述光束的透射光，所述透射光傳播通過所述厚度T S 且自所述透射表面傳出；其中所述透射光具有至少一種可偵測特性；其中所述至少一種可偵測特性包含所述透射光的強度；其中所述透射光的所述強度藉由所述光偵測器轉化成電信號；其中來自所述光偵測器的所述電信號藉由所述數位圖像資料採集裝置轉化成數位信號；以及其中來自所述數位圖像資料採集裝置的所述數位信號藉由所述圖像資料處理單元處理，其中所述圖像資料處理單元經配置以偵測宏觀不均勻性且將聚合薄片分類成可接受或待檢；以及其中所述複數個聚合薄片分成可接受薄片的群體及待檢薄片的群體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其進一步包括：自所述待檢薄片的群體選出選定薄片。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的方法，其中所述自動檢查系統進一步包括：顯示器；其中所述選定薄片的圖像呈現在所述顯示器上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其進一步包括：對所述選定薄片進行目測，其中所述目測藉由在所述顯示器上呈現所述選定薄片的所述圖像來促進；以及(i)基於所述目測將所述選定薄片重新分類成可接受，其中所述選定薄片接著添加至所述可接受薄片的群體；或(ii)基於所述目測將所述選定薄片分類成有缺陷的，其中所述選定薄片接著添加至有缺陷薄片的群體。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其進一步包括：藉由在可接受薄片中機械處理至少一個凹槽形成凹槽圖案來形成拋光表面；其中所述凹槽圖案調適成用於拋光基板；以及將所述可接受薄片併入至所述化學機械拋光墊中作為所述拋光層。
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