JP2613790B2 - ゼオライト系合成物質及びその製法 - Google Patents
ゼオライト系合成物質及びその製法Info
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- JP2613790B2 JP2613790B2 JP63126039A JP12603988A JP2613790B2 JP 2613790 B2 JP2613790 B2 JP 2613790B2 JP 63126039 A JP63126039 A JP 63126039A JP 12603988 A JP12603988 A JP 12603988A JP 2613790 B2 JP2613790 B2 JP 2613790B2
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms
- C07C2/02—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms by addition between unsaturated hydrocarbons
- C07C2/04—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms by addition between unsaturated hydrocarbons by oligomerisation of well-defined unsaturated hydrocarbons without ring formation
- C07C2/06—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms by addition between unsaturated hydrocarbons by oligomerisation of well-defined unsaturated hydrocarbons without ring formation of alkenes, i.e. acyclic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
- C07C2/08—Catalytic processes
- C07C2/12—Catalytic processes with crystalline alumino-silicates or with catalysts comprising molecular sieves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J29/00—Catalysts comprising molecular sieves
- B01J29/86—Borosilicates; Aluminoborosilicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/08—Compounds containing boron and nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, selenium or tellurium
- C01B35/10—Compounds containing boron and oxygen
- C01B35/1009—Compounds containing boron and oxygen having molecular-sieve properties
-
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2529/00—Catalysts comprising molecular sieves
- C07C2529/86—Borosilicates; Aluminoborosilicates
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ケイ素酸化物及びホウ素酸化物を含有する
合成結晶性多孔性物質、その製法及び使用に係る。
合成結晶性多孔性物質、その製法及び使用に係る。
ケイ素及びホウ素の酸化物を基材とする各種の合成物
質が公知である。
質が公知である。
ベルギー国特許第859,656号には、テトラプロピルア
ンモニウム陽イオンの存在下で調製されるゼオライトAM
S−1Bが開示されている。
ンモニウム陽イオンの存在下で調製されるゼオライトAM
S−1Bが開示されている。
さらに、ベルギー国特許第877,205号には、ケイ素及
びホウ素の酸化物でなり、かつ結晶性の多孔構造を有す
る4種類の合成物質が開示されている。これら物質(Bo
r−A、Bor−B、Bor−C、Bor−Dと称される)は、合
成を所望構造の形成に向って進行させる特性を有する陽
イオンの存在下で合成される。このような陽イオンは、
ボラライト(Boralite)Aについてはテトラメチルアン
モニウムであり、ボラライトBについてはテトラエチル
アンモニウム、ボラライトCについてはテトラエチルア
ンモニウム又はテトラプロピルアンモニウム又はエチレ
ンジアミンから誘導される陽イオン、及びボラライトD
についてはテトラブチルアンモニウムである。
びホウ素の酸化物でなり、かつ結晶性の多孔構造を有す
る4種類の合成物質が開示されている。これら物質(Bo
r−A、Bor−B、Bor−C、Bor−Dと称される)は、合
成を所望構造の形成に向って進行させる特性を有する陽
イオンの存在下で合成される。このような陽イオンは、
ボラライト(Boralite)Aについてはテトラメチルアン
モニウムであり、ボラライトBについてはテトラエチル
アンモニウム、ボラライトCについてはテトラエチルア
ンモニウム又はテトラプロピルアンモニウム又はエチレ
ンジアミンから誘導される陽イオン、及びボラライトD
についてはテトラブチルアンモニウムである。
ベルギー国特許第896,686号には、Bor−C構造とBor
−D構造との中間の構造を有しかつ陽イオンとしてテト
ラエチルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムの
混合物又はメチルブチルアンモニウム化合物を使用する
ことによって調製される一群のボラライトBor−Eが開
示されている。
−D構造との中間の構造を有しかつ陽イオンとしてテト
ラエチルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムの
混合物又はメチルブチルアンモニウム化合物を使用する
ことによって調製される一群のボラライトBor−Eが開
示されている。
本発明者らは、ピペリジン又はヘキサメチレンイミン
の存在下で合成され、モレキュラーシーブとして、イオ
ン交換体として、又は各種反応(たとえば、炭化水素ク
ラッキング、オレフィンのオリゴメリゼーション又は骨
格異性化がある)における触媒として使用されるケイ素
及びホウ素の酸化物を含有する新規な合成ゼオライトを
見出し、本発明に至った。
の存在下で合成され、モレキュラーシーブとして、イオ
ン交換体として、又は各種反応(たとえば、炭化水素ク
ラッキング、オレフィンのオリゴメリゼーション又は骨
格異性化がある)における触媒として使用されるケイ素
及びホウ素の酸化物を含有する新規な合成ゼオライトを
見出し、本発明に至った。
従って、本発明の目的は、ケイ素及びホウ素の酸化物
を含有するゼオライト系の合成結晶性多孔性物質におい
て、非か焼状態では実験式 mM2/nO・pR・xMI 2O3・(1−x)B2O3・yMIIO2・qH2O で表され、か焼した無水状態では実験式 mM2/nO・xMI 2O3・(1−x)B2O3・yMIIO2 で表される(これら実験式において、MはH+、▲NH+ 4▼
又は価数nの金属陽イオン、MIはAl、Cr、Fe、Ga、V又
はMnから選ばれる3価金属(結晶格子内でホウ素の一部
を交換する)、MIIはSi又はSiとGe、Ti又はZrの4価金
属との混合物(結晶格子内でケイ素の一部を交換す
る)、Rはピペリジン又はヘキサメチレンイミン、mは
0.1ないし1.5の数、xは0ないし0.9、好ましくは0又
は0.5より小の数、yは2より大、好ましくは5ないし3
00の数、pは0より大、3以下の数、qは0より大、5
未満の数である)と共に、孔容積0.3cm3/gより大、好ま
しくは0.35cm3/g以上を有することを特徴とするゼオラ
イト系合成物質を提供することにある。
を含有するゼオライト系の合成結晶性多孔性物質におい
て、非か焼状態では実験式 mM2/nO・pR・xMI 2O3・(1−x)B2O3・yMIIO2・qH2O で表され、か焼した無水状態では実験式 mM2/nO・xMI 2O3・(1−x)B2O3・yMIIO2 で表される(これら実験式において、MはH+、▲NH+ 4▼
又は価数nの金属陽イオン、MIはAl、Cr、Fe、Ga、V又
はMnから選ばれる3価金属(結晶格子内でホウ素の一部
を交換する)、MIIはSi又はSiとGe、Ti又はZrの4価金
属との混合物(結晶格子内でケイ素の一部を交換す
る)、Rはピペリジン又はヘキサメチレンイミン、mは
0.1ないし1.5の数、xは0ないし0.9、好ましくは0又
は0.5より小の数、yは2より大、好ましくは5ないし3
00の数、pは0より大、3以下の数、qは0より大、5
未満の数である)と共に、孔容積0.3cm3/gより大、好ま
しくは0.35cm3/g以上を有することを特徴とするゼオラ
イト系合成物質を提供することにある。
1つの陽イオン形から異なる陽イオン形への変換は、
当分野で公知の交換法に従って行なわれる。
当分野で公知の交換法に従って行なわれる。
本発明による合成物質は、X線分析において、結晶性
であることを示す。係る分析は、CuKα線を使用し、電
子計数システムを具備する粉末回折計によって行なわれ
る。強度を算定するため、ピークの高さを測定し、最も
強いピークの高さに対する相対割合(%)を算定する。
であることを示す。係る分析は、CuKα線を使用し、電
子計数システムを具備する粉末回折計によって行なわれ
る。強度を算定するため、ピークの高さを測定し、最も
強いピークの高さに対する相対割合(%)を算定する。
120℃で乾燥した生成物についての主な反射は下記の
d値によって特徴づけられる(dは面間隔である)。d(Å) 100 I/Io d(Å) 100 I/Io 27.1±0.4 70−95 4.45±0.05 25−35 13.5±0.4 80−100 3.98±0.05 25−35 12.3±0.2 100 3.53±0.05 15−30 11.1±0.2 40−50 3.39±0.05 45−55 9.2±0.1 30−40 3.30±0.05 25−35 9.0±0.1 30−40 550℃でか焼した生成物についての主な反射は下記の
d値によって特徴づけられる。d(Å) 100 I/Io d(Å) 100 I/Io 12.3±0.2 100 4.36±0.05 10−20 11.05±0.2 65−75 4.08±0.05 15−25 8.80±0.1 55−70 4.03±0.05 15−25 6.82±0.05 10−20 3.88±0.05 30−40 6.22±0.05 20−35 3.72±0.05 15−25 6.15±0.05 20−35 3.40±0.05 35−50 5.52±0.05 10−20 非か焼生成物のIRスペクトルを第1図に、か焼生成物
のIRスペクトルを第2図に示す(横軸に波数をcm-1とし
て、縦軸に透過率を%としてプロットしている)。
d値によって特徴づけられる(dは面間隔である)。d(Å) 100 I/Io d(Å) 100 I/Io 27.1±0.4 70−95 4.45±0.05 25−35 13.5±0.4 80−100 3.98±0.05 25−35 12.3±0.2 100 3.53±0.05 15−30 11.1±0.2 40−50 3.39±0.05 45−55 9.2±0.1 30−40 3.30±0.05 25−35 9.0±0.1 30−40 550℃でか焼した生成物についての主な反射は下記の
d値によって特徴づけられる。d(Å) 100 I/Io d(Å) 100 I/Io 12.3±0.2 100 4.36±0.05 10−20 11.05±0.2 65−75 4.08±0.05 15−25 8.80±0.1 55−70 4.03±0.05 15−25 6.82±0.05 10−20 3.88±0.05 30−40 6.22±0.05 20−35 3.72±0.05 15−25 6.15±0.05 20−35 3.40±0.05 35−50 5.52±0.05 10−20 非か焼生成物のIRスペクトルを第1図に、か焼生成物
のIRスペクトルを第2図に示す(横軸に波数をcm-1とし
て、縦軸に透過率を%としてプロットしている)。
本発明の第2の目的は、上記合成の結晶性多孔性物質
を得るための調製法にある。
を得るための調製法にある。
係る製法は、水熱条件下、ケイ素誘導体、ホウ素誘導
体、ピペリジン又はヘキサメチレンイミンから選ばれる
含窒素有機塩基、及び存在する場合Al、Cr、Fe、Ga、V
又はMnから選ばれる3価金属の誘導体及び/又はGe、Ti
又はZrから選ばれる4価金属の誘導体及び/又はナトリ
ウム塩又は水酸化ナトリウム(他のアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属の塩及び/又は水酸化物が添加されても
よい)を、反応体のSiO2/B2O3のモル比0.5ないし10、M
I 2O3/SiO2のモル比0ないし0.05(ここで、MIは上記3
価金属のうちの1つである)、MIIO2/SiO2のモル比1
ないし10(ここで、MIIは上記4価金属である)及びM/S
iO2のモル比0ないし0.8(Mはアルカリ及び/又はアル
カリ土類陽イオンである)、温度130ないし250℃、pH8
ないし13、期間1ないし30日間の条件下で反応させるこ
とを特徴とする。
体、ピペリジン又はヘキサメチレンイミンから選ばれる
含窒素有機塩基、及び存在する場合Al、Cr、Fe、Ga、V
又はMnから選ばれる3価金属の誘導体及び/又はGe、Ti
又はZrから選ばれる4価金属の誘導体及び/又はナトリ
ウム塩又は水酸化ナトリウム(他のアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属の塩及び/又は水酸化物が添加されても
よい)を、反応体のSiO2/B2O3のモル比0.5ないし10、M
I 2O3/SiO2のモル比0ないし0.05(ここで、MIは上記3
価金属のうちの1つである)、MIIO2/SiO2のモル比1
ないし10(ここで、MIIは上記4価金属である)及びM/S
iO2のモル比0ないし0.8(Mはアルカリ及び/又はアル
カリ土類陽イオンである)、温度130ないし250℃、pH8
ないし13、期間1ないし30日間の条件下で反応させるこ
とを特徴とする。
反応体のH2O/SiO2のモル比は好ましくは5ないし50
である。
である。
ケイ素誘導体は、シリカゲル、シリカゾル、エーロゾ
ル、コロイド状シリカ、ケイ酸ナトリウム又はアルキル
シリケートから選ばれる。
ル、コロイド状シリカ、ケイ酸ナトリウム又はアルキル
シリケートから選ばれる。
ホウ素誘導体は、トリアルキルボレート、ホウ酸アル
カリ塩、ホウ酸アンモニウム及びホウ酸から選ばれる。
カリ塩、ホウ酸アンモニウム及びホウ酸から選ばれる。
3価金属及び/又は4価金属の誘導体は対応する塩か
ら選ばれる。
ら選ばれる。
本発明をさらに説明するためにいくつかの実施例を例
示するが、これら実施例は本発明を限定するものではな
い。
示するが、これら実施例は本発明を限定するものではな
い。
後述の実施例における合成は、下記の様式に従って行
ったものである。
ったものである。
撹拌機を具備するパイレックスガラス容器に必要量の
脱塩水を充填する。この水に、まず必要に応じて水酸化
ナトリウム及びついでアミンを撹拌しながら溶解させ
る。
脱塩水を充填する。この水に、まず必要に応じて水酸化
ナトリウム及びついでアミンを撹拌しながら溶解させ
る。
撹拌しながらアルカリ性溶液を30−50℃に加熱し、こ
れにホウ酸を添加する。酸が完全に溶解するまで温度を
50ないし80℃に維持する。このようにして得られた一般
に透明な溶液に、シリカ源を添加が1−2時間で完了す
る速度で添加する。ついで、混合物を70℃でさらに1時
間撹拌し、その後、室温に冷却する。pHを記録した後、
常時撹拌しながらオートクレーブを所望温度に維持でき
るようオーブン内に配置した振とうバスケット上に固着
したステンレス鋼オートクレーブに混合物を充填する。
れにホウ酸を添加する。酸が完全に溶解するまで温度を
50ないし80℃に維持する。このようにして得られた一般
に透明な溶液に、シリカ源を添加が1−2時間で完了す
る速度で添加する。ついで、混合物を70℃でさらに1時
間撹拌し、その後、室温に冷却する。pHを記録した後、
常時撹拌しながらオートクレーブを所望温度に維持でき
るようオーブン内に配置した振とうバスケット上に固着
したステンレス鋼オートクレーブに混合物を充填する。
オートクレーブを自然発生圧力下、150−210℃に1な
いし7日間維持し、その後、冷却し、排出する。
いし7日間維持し、その後、冷却し、排出する。
得られた生成物を脱塩水で洗浄し、デカンテーション
し、ついでフィルター上で過して、固状物を分離す
る。
し、ついでフィルター上で過して、固状物を分離す
る。
固状物を120℃で1時間乾燥し、ついで空気中、550℃
で5時間か焼する。
で5時間か焼する。
酸性形への変換は次のようにして行う。すなわち、ゼ
オライト10gを1%酢酸アンモニウム溶液100gに懸濁さ
せ、懸濁液を50−70℃に加熱し、1時間撹拌し、過
し、固状物をフィルター上で、脱塩水によって完全に洗
浄する。この洗浄操作を3回繰返して行い、終了後、固
状物を120℃で1時間乾燥し、空気中、550℃で5時間か
焼する。
オライト10gを1%酢酸アンモニウム溶液100gに懸濁さ
せ、懸濁液を50−70℃に加熱し、1時間撹拌し、過
し、固状物をフィルター上で、脱塩水によって完全に洗
浄する。この洗浄操作を3回繰返して行い、終了後、固
状物を120℃で1時間乾燥し、空気中、550℃で5時間か
焼する。
実施例1−9 上述の様式に従って、本発明による9種類の合成物質
の調製を行った。
の調製を行った。
反応混合物の組成、操作条件及び得られた生成物の特
性を第1表に示す。
性を第1表に示す。
第3図及び第2表に、120℃で乾燥した生成物(実施
例1に対応)のX線回折スペクトルを示す。第4図及び
第3表に、550℃でか焼した同じ生成物のX線回折スペ
クトルを示す。実施例2ないし9の生成物は実施例1の
ものと同じX線回折スペクトルによって特徴づけられ
る。
例1に対応)のX線回折スペクトルを示す。第4図及び
第3表に、550℃でか焼した同じ生成物のX線回折スペ
クトルを示す。実施例2ないし9の生成物は実施例1の
ものと同じX線回折スペクトルによって特徴づけられ
る。
実施例10−15 上述と同じ様式に従って、他の生成物を調製した。
ただし、これらの生成物は本発明のものと同じ特性を
有していない。
有していない。
第1表から、下記の点が理解される。
−ホウ素が全て存在しない場合には、完全に異なるゼオ
ライト(たとえばZSM−39)が得られる(実施例10)。
ライト(たとえばZSM−39)が得られる(実施例10)。
−含窒素有機塩基としてヘプタメチレンイミン(実施例
11)又は1−メチル−ピベリジン(実施例12)を使用す
る場合には、無定形の生成物が得られる。
11)又は1−メチル−ピベリジン(実施例12)を使用す
る場合には、無定形の生成物が得られる。
−反応体のSiO2/B2O3のモル比が10である場合(実施例
13)又はそれより大である場合(実施例14)には、非ゼ
オライト系の結晶性生成物が得られる。
13)又はそれより大である場合(実施例14)には、非ゼ
オライト系の結晶性生成物が得られる。
−成分をカリウムの存在下で反応させる場合(実施例1
5)には、異った生成物が得られる。
5)には、異った生成物が得られる。
次に、上述の物質のいくつかの使用例について例示す
る。
る。
実施例16 実施例1に従って調製し、当分野で公知の方法に従っ
て酸性形に変換させた物質4gを1/10N CsCl溶液120gに懸
濁させ、室温で約10分間撹拌し、その後、pHを測定し
た。新たな1/10N CsCl溶液120gに、測定したものと同じ
pHとなるまでHCl溶液(1/10N及び1/100N)を添加した。
て酸性形に変換させた物質4gを1/10N CsCl溶液120gに懸
濁させ、室温で約10分間撹拌し、その後、pHを測定し
た。新たな1/10N CsCl溶液120gに、測定したものと同じ
pHとなるまでHCl溶液(1/10N及び1/100N)を添加した。
滴加したHCl溶液の容量はCsの交換能1.5×10-1meq/g
に相当するものであった。
に相当するものであった。
実施例17 実施例5の如く調製し、圧縮によって粉砕して粒径20
ないし40メッシュを有する粒状としたH+形ゼオライト0.
8gを石英管に入れ、空気流中、550℃で約15分間放置し
た。その後、空気をHeに交換し、温度を450℃に低下さ
せた。ついで、n−ヘキサン及び3−メチルペンタンの
等モル混合物を、空間速度(LHSV)1で供給した。反応
器を出る生成物をガスクロマトグラフィーによってオン
ラインで分析した。
ないし40メッシュを有する粒状としたH+形ゼオライト0.
8gを石英管に入れ、空気流中、550℃で約15分間放置し
た。その後、空気をHeに交換し、温度を450℃に低下さ
せた。ついで、n−ヘキサン及び3−メチルペンタンの
等モル混合物を、空間速度(LHSV)1で供給した。反応
器を出る生成物をガスクロマトグラフィーによってオン
ラインで分析した。
変化率は30%であり、比 は1であった。このような比は一般に制限指数(Constr
aint Index)と称されている。
aint Index)と称されている。
実施例18 実施例5に開示の如く調製した酸性形のゼオライト粉
末7gと共に、オクテン−1 100ccをオートクレーブに充
填した。
末7gと共に、オクテン−1 100ccをオートクレーブに充
填した。
激しく撹拌しながら、懸濁液を195℃に5時間加熱し
た。冷却し、触媒を去した後、混合物をガスクロマト
グラフィーによって分析し、クロマトグラフィー上のピ
ークを質量スペクトルによって同定した。オクテン−1
の二量体、三量体及び四量体が次の割合で存在してい
た。
た。冷却し、触媒を去した後、混合物をガスクロマト
グラフィーによって分析し、クロマトグラフィー上のピ
ークを質量スペクトルによって同定した。オクテン−1
の二量体、三量体及び四量体が次の割合で存在してい
た。
オクテン−1 4%;二量体C16H32 50%; 三量体C24H48 32%;四量体C32H64 16%。
第1図及び第2図は本発明による合成物質のIRスペクト
ルチャート、第3図及び第4図は本発明による合成物質
のX線回折スペクトルチャートである。
ルチャート、第3図及び第4図は本発明による合成物質
のX線回折スペクトルチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 9/14 6958−4H C07C 9/14 11/02 6958−4H 11/02 (72)発明者 ジゥセッペ・ベルッシ イタリー国ピアチェンザ市 ビア・アル ベルト・スコット 44 (72)発明者 ジョバンニ・ペレーゴ イタリー国ミラノ市ピアッツァーレ・サ ン・ディ・サンタローザ 4 (72)発明者 マリオ・ガブリエーレ・クレリーチ イタリー国サンドナトミラネーゼ市ビ ア・エウローパ 34 (72)発明者 アルド・ジゥスチ イタリー国ルッカ市ビア・ディメアッシ ーノ 10 (56)参考文献 特開 昭59−162123(JP,A)
Claims (8)
- 【請求項1】ケイ素及びホウ素の酸化物を含有するゼオ
ライト系の合成結晶性多孔物質において、非か焼状態で
は実験式 mM2/nO・pR・B2O3・yMIIO2・qH2O で表され、か焼した無水状態では実験式 mM2/nO・B2O3・yMIIO2 で表される(これら実験式において、MはH+、NH4 +又は
価数nの金属陽イオン、MIIはSi又はSiとGe、Ti又はZr
の4価金属との混合物、Rはピペリジン又はヘキサメチ
レンイミン、mは0.1ないし1.5の数、yは2より大の
数、pは0より大、3以下の数、qは0より大、5未満
の数である)と共に、孔容積0.3cm3/gより大を有するこ
とを特徴とする、ゼオライト系合成物質。 - 【請求項2】前記B2O3の一部に代えてxMI 2O3(式中、MI
はAl、Cr、Fe、Ga、V及びMnの中から選ばれる3価金属
であり、xは0.9以下の数である)を含有してなること
を特徴とする、請求項1記載のゼオライト系合成物質。 - 【請求項3】孔容積が0.35cm3/g以上であることを特徴
とする、請求項1又は2記載のゼオライト系合成物質。 - 【請求項4】前記実験式中、mが0.5ないし1.2の数であ
り、yが10ないし100の数であり、pが1ないし3の数
であり、qが1ないし4の数であり、MI 2O3が存在する
場合、xが0.2以下の数であることを特徴とする、請求
項1又は2記載のゼオライト系合成物質。 - 【請求項5】請求項1又は2記載のゼオライト系合成物
質の製法において、水熱条件下、ケイ素誘導体、ホウ素
誘導体、ピペリジン又はヘキサメチレンイミンから選ば
れる含窒素有機塩基、及び存在する場合Al、Cr、Fe、G
a、V又はMnから選ばれる3価金属の誘導体及び/又はG
e、Ti又はZrから選ばれる4価金属の誘導体及び/又は
ナトリウム塩又は水酸化ナトリウム(他のアルカリ金属
又はアルカリ土類金属の塩及び/又は水酸化物が添加さ
れてもよい)を、反応体のSi02/B2O3のモル比0.5ない
し10、MI 2O3が存在する場合MI 2O3/SiO2のモル比0.02以
下、MIIO2/SiO2のモル比1ないし3及びNa/SiO2のモル
比0ないし0.5、温度130ないし250℃、pH8ないし13、期
間1ないし30日間の条件下で反応させることを特徴とす
る、ゼオライト系合成物質の製法。 - 【請求項6】反応体のH2O/SiO2のモル比が5ないし50
であることを特徴とする、請求項5記載のゼオライト系
合成物質の製法。 - 【請求項7】前記ケイ素誘導体が、シリカゲル、シリカ
ゾル、エーロゾル、コロイド状シリカ、ケイ酸ナトリウ
ム又はアルキルシリケートから選ばれるものであること
を特徴とする、請求項5記載のゼオライト系合成物質の
製法。 - 【請求項8】前記ホウ素誘導体が、トリアルキルボレー
ト、ホウ酸アルカリ及びホウ酸アンモニウム、ホウ酸か
ら選ばれるものであることを特徴とする、請求項5記載
のゼオライト系合成物質の製法。
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