CN104477936B - 纳米级mcm-56分子筛制备方法 - Google Patents

纳米级mcm-56分子筛制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种纳米级MCM‑56分子筛制备方法,主要解决现有技术中晶化时间较长、硅铝比范围较窄的问题。本发明通过采用一种纳米级MCM‑56分子筛制备方法,将硅源、铝源、模板剂和水按比例混合,然后向混合物中加入该混合物干基重量的0.01~1%的MCM‑56分子筛活性晶种,在120~155℃条件下晶化0.1~94小时后,晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到纳米级MCM‑56分子筛,所述纳米级MCM‑56分子筛晶粒形貌为直径为1~900nm,厚度为5~100nm的片状晶体的技术方案较好地解决了上述问题,可用于纳米级MCM‑56分子筛制备中。

Description

纳米级MCM-56分子筛制备方法
技术领域
本发明涉及一种纳米级MCM-56分子筛制备方法。
背景技术
MCM-56分子筛为MWW结构分子筛家族中的一员,由于MCM-56分子筛具有大的表面空穴,因而在大分子的催化反应中表现出高的反应活性。专利US5,362,697,US5827491和US1124973/US051952公开了MCM-56分子筛合成方法。该方法的缺点是合成产物MCM-56分子筛的晶相难以控制,容易出现转晶生成MCM-49分子筛。专利CN101164885A报道了一种公斤级纳米MCM-56分子筛的合成方法,该方法采用六亚甲基亚胺为模板剂,低碱度高浓度合成纳米级MCM-56分子筛。专利CN1500724A报道了一种MCM-56合成方法,该方法以碱金属氢氧化物为碱源,通过结晶母液循环利用方法MCM-56,从其专利实施例看,其所用模板剂为六亚甲基亚胺。专利CN1500725A报道了一种MCM-56合成方法,该方法以碱金属氢氧化物为碱源,通过先陈化再晶化的方式来制备MCM-56分子,从其专利实施例看,其所用模板剂为六亚甲基亚胺。
综上可见,目前MCM-56分子筛的制备专利和文献均须采用六亚甲基亚胺作为模板剂,除专利CN101164885A外,均采用碱金属氢氧化物为碱源合成MCM-56。采用哌啶为模板剂,低钠条件下合成纳米级MCM-56分子筛至今未见报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术晶化时间较长、硅铝比范围较窄的问题,提供一种新的纳米级MCM-56分子筛制备方法。该方法用于纳米级MCM-56分子筛制备中,具有晶化时间较短、硅铝比范围较宽的优点。
为解决上述问题,本发明采用的技术方案如下:一种纳米级MCM-56分子筛制备方法,将硅源、铝源、模板剂和水按摩尔比计:SiO2/Al2O3为15~29,Na2O/SiO2为0.01~0.1,模板剂/SiO2为0.07~1.5,H2O/SiO2为9~30的比例混合,然后向混合物中加入该混合物干基重量的0.01~1%的MCM-56分子筛活性晶种,在120~155℃条件下晶化0.1~94小时后,晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到纳米级MCM-56分子筛,所述纳米级MCM-56分子筛晶粒形貌为直径为1~900nm,厚度为5~100nm的片状晶体;其中,所述硅源为硅溶胶、水玻璃中的至少一种,铝源为铝酸钠、氢氧化铝、拟薄水铝石、活性氧化铝中的至少一种,模板剂为哌啶。
上述技术方案中,优选地,所述硅源、铝源、模板剂和水按摩尔比计为:SiO2/Al2O3为18~29,Na2O/SiO2为0.01~0.8,模板剂/SiO2为0.07~1.0,H2O/SiO2为10~30。
上述技术方案中,优选地,所述在130~155℃条件下晶化0.5~90小时后,晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到纳米级MCM-56分子筛。
上述技术方案中,优选地,所述纳米级MCM-56分子筛晶粒形貌为直径为10~800nm,厚度为10~80nm的片状晶体。
上述技术方案中,优选地,所述混合物中的碱性环境是由硅源或铝源所提供,无需另加碱源。
本发明涉及一种纳米级MCM-56分子筛的合成方法,所制备的分子筛为直径为1~900nm,厚度为5~100nm的片状晶体。本发明采用哌啶为模板剂,以MCM-56分子筛为晶种,通过控制合成物料中的碱度和水量,低钠条件下晶化合成纳米级MCM-56分子筛,通过添加活性晶种,使物料晶化时间缩短至10~90小时,减少MCM-56分子筛晶化周期。本工艺合成硅铝比范围宽,晶化时间短,生产稳定,取得了较好的技术效果。
下面通过实施例对本发明作进一步的阐述,但不仅限于本实施例。
具体实施方式
【实施例1】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=27,Na2O/SiO2=0.03,PI/SiO2=0.26,H2O/SiO2=18.3,其中哌啶记为PI,以下同,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.5%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;所用模板剂中纯度大于98%工业级哌啶;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于145℃条件下晶化40小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为29.8。经扫描电镜表征晶体为直径100-600nm,厚度为20-40nm。
【实施例2】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=25,Na2O/SiO2=0.05,PI/SiO2=0.36,H2O/SiO2=20.4,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.2%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;所用模板剂中纯度大于98%工业级哌啶;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于150℃条件下晶化36小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为24.4。经扫描电镜表征晶体为直径130-900nm,厚度为20-60nm。
【实施例3】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=25,Na2O/SiO2=0.02,PI/SiO2=0.45,H2O/SiO2=22.5,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.3%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;所用模板剂中纯度大于98%工业级哌啶;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于154℃条件下晶化36小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为26.5。经扫描电镜表征晶体为直径200-900nm,厚度为50-80nm。
【实施例4】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=27,Na2O/SiO2=0.04,PI/SiO2=0.46,H2O/SiO2=26,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.4%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;所用模板剂中实施例1中的回收的模板剂混合液体中,回收模板剂占总40%;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于145℃条件下晶化72小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为28.4。经扫描电镜表征晶体为直径100-900nm,厚度为20-90nm。
【实施例5】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=20,Na2O/SiO2=0.04,PI/SiO2=0.35,H2O/SiO2=18.5,其中哌啶记为PI,以下同,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.6%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于145℃条件下晶化48小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为22.0。经扫描电镜表征晶体为直径100-650nm,厚度为20-80nm。
【实施例6】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=25,Na2O/SiO2=0.05,PI/SiO2=0.36,H2O/SiO2=22.4,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.7%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于150℃微波加热晶化0.6小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为24.4。经扫描电镜表征晶体为直径100-750nm,厚度为20-60nm。
【实施例7】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=22.5,Na2O/SiO2=0.03,PI/SiO2=0.45,H2O/SiO2=15.0,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.8%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于145℃微波加热晶化1小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为23.2。经扫描电镜表征晶体为直径100-850nm,厚度为20-80nm。
【实施例8】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=30,Na2O/SiO2=0.05,PI/SiO2=0.30,H2O/SiO2=23,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.9%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;物料剧烈搅拌2小时后,反应混合物于135℃微波加热晶化2小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为29.4。经扫描电镜表征晶体为直径100-900nm,厚度为20-90nm。
【实施例9】
按反应物的物料配比(摩尔比):SiO2/Al2O3=29,Na2O/SiO2=0.04,PI/SiO2=0.3,H2O/SiO2=20.3,配制反应混合物,再向该反应混合物中加入该混合物干基重量的0.2%的MCM-56分子筛活性晶种。原料中的硅源是硅溶胶;铝源是铝酸钠;剧烈搅拌2小时后,反应混合物于132℃微波加热晶化6小时。晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到MCM-56分子筛;X射线衍射仪测得所得晶体为MCM-56分子筛。经化学分析得SiO2/Al2O3摩尔比为29.4。经扫描电镜表征晶体为直径100-800nm,厚度为20-80nm。

Claims (5)

1.一种纳米级MCM-56分子筛制备方法,将硅源、铝源、模板剂和水按摩尔比计:SiO2/Al2O3为15~29,Na2O/SiO2为0.01~0.1,模板剂/SiO2为0.07~1.5,H2O/SiO2为9~30的比例混合,然后向混合物中加入该混合物干基重量的0.01~1%的MCM-56分子筛活性晶种,在120~155℃条件下晶化0.1~94小时后,晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到纳米级MCM-56分子筛,所述纳米级MCM-56分子筛晶粒形貌为直径为1~900nm,厚度为5~100nm的片状晶体;其中,所述硅源为硅溶胶、水玻璃中的至少一种,铝源为铝酸钠、氢氧化铝、拟薄水铝石、活性氧化铝中的至少一种,模板剂为哌啶。
2.根据权利要求1所述纳米级MCM-56分子筛制备方法,其特征在于所述硅源、铝源、模板剂和水按摩尔比计为:SiO2/Al2O3为18~29,Na2O/SiO2为0.01~0.05,模板剂/SiO2为0.07~1.0,H2O/SiO2为10~30。
3.根据权利要求1所述纳米级MCM-56分子筛制备方法,其特征在于在130~155℃条件下晶化0.5~90小时后,晶化物料经固液分离、洗涤、干燥,得到纳米级MCM-56分子筛。
4.根据权利要求1所述纳米级MCM-56分子筛制备方法,其特征在于所述纳米级MCM-56分子筛晶粒形貌为直径为10~800nm,厚度为10~80nm的片状晶体。
5.根据权利要求1所述纳米级MCM-56分子筛制备方法,其特征在于所述混合物中的碱性环境是由硅源或铝源所提供,无需另加碱源。
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