JP2595077B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/443—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading pixels from selected 2D regions of the array, e.g. for windowing or digital zooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像素子を用いた撮像装置における電子
的な画像拡大、すなわち電子ズームに関する。
的な画像拡大、すなわち電子ズームに関する。
メモリに代表される半導体プロセス技術の向上によ
り、固体撮像素子（以下センサと略す）の性能，歩留ま
りが改善され、代表的な撮像装置であるムービーにおい
ては撮像管からセンサに置き換えられた。センサを用い
る最大の利点はムービーの小形化が図れることであり、
種々のセンサが開発されている（例えば志村他「疑似フ
ィールド蓄積CCDカラーカメラ」テレビジョン学会技術
報告VOL.10,NO.52 1987年２月）。しかしながら、ムー
ビーの必要機能の一つであるズームに関しては光学レン
ズでしか対応しておらず、小形化の観点から光学レンズ
のズーム倍率には一定の制約がある。
り、固体撮像素子（以下センサと略す）の性能，歩留ま
りが改善され、代表的な撮像装置であるムービーにおい
ては撮像管からセンサに置き換えられた。センサを用い
る最大の利点はムービーの小形化が図れることであり、
種々のセンサが開発されている（例えば志村他「疑似フ
ィールド蓄積CCDカラーカメラ」テレビジョン学会技術
報告VOL.10,NO.52 1987年２月）。しかしながら、ムー
ビーの必要機能の一つであるズームに関しては光学レン
ズでしか対応しておらず、小形化の観点から光学レンズ
のズーム倍率には一定の制約がある。
一方、メモリの大容量化、低価格化が進み、ムービー
の信号処理にメモリを利用できるようになって来た。
の信号処理にメモリを利用できるようになって来た。
メモリを用いた信号処理で映像を拡大すれば光学レン
ズの小形化が可能となる。電子ズームの方法としては種
々の方法が提案されており、特開昭61−232781号公報、
特開昭63−179690号公報、特開昭62−59473号公報及び
特開昭63−86975号公報などの固体撮像装置がある。上
記第１、第２の公知例に記載されている方法は、固体撮
像素子の垂直転送を間欠的に行なって垂直方向に拡大
し、メモリで水平方向に拡大するものである。一方、上
記第３、第４の公知例では固体撮像素子の駆動で水平方
向に拡大しており、メモリは基本的に必要としない。こ
れらのうち、水平方向の拡大を固体撮像素子の駆動で行
なう方法は、高速の駆動パルスの周波数を安定に切り換
えることが必要であり、実用的ではない。メモリを使用
した上記映像拡大の一般的なシステムを第２図に示す。
同図において１は光学レンズ、２はセンサ、３はセンサ
駆動回路、４はA/D変換器、５はメモリ、６はD/A変換
器、７はメモリ駆動回路、８はスイッチ回路である。
ズの小形化が可能となる。電子ズームの方法としては種
々の方法が提案されており、特開昭61−232781号公報、
特開昭63−179690号公報、特開昭62−59473号公報及び
特開昭63−86975号公報などの固体撮像装置がある。上
記第１、第２の公知例に記載されている方法は、固体撮
像素子の垂直転送を間欠的に行なって垂直方向に拡大
し、メモリで水平方向に拡大するものである。一方、上
記第３、第４の公知例では固体撮像素子の駆動で水平方
向に拡大しており、メモリは基本的に必要としない。こ
れらのうち、水平方向の拡大を固体撮像素子の駆動で行
なう方法は、高速の駆動パルスの周波数を安定に切り換
えることが必要であり、実用的ではない。メモリを使用
した上記映像拡大の一般的なシステムを第２図に示す。
同図において１は光学レンズ、２はセンサ、３はセンサ
駆動回路、４はA/D変換器、５はメモリ、６はD/A変換
器、７はメモリ駆動回路、８はスイッチ回路である。
センサ駆動回路３からの駆動パルスにより、センサ２
からは第３図に示す映像信号SNを得る。同図において数
字１〜Ｍは、垂直走査期間における第ｉ番目の水平走査
期間（ｉ＝1,2,…,M）の映像信号を表わす。映像信号SN
はA/D変換器４によりアナログ−デジタル変換され、メ
モリ５に記憶される。メモリ５に記憶された信号は、メ
モリ駆動回路７によって時間軸方向に伸長されて読み出
され、D/A変換器６でデジタル−アナログ変換されて拡
大映像信号SZを得る。
からは第３図に示す映像信号SNを得る。同図において数
字１〜Ｍは、垂直走査期間における第ｉ番目の水平走査
期間（ｉ＝1,2,…,M）の映像信号を表わす。映像信号SN
はA/D変換器４によりアナログ−デジタル変換され、メ
モリ５に記憶される。メモリ５に記憶された信号は、メ
モリ駆動回路７によって時間軸方向に伸長されて読み出
され、D/A変換器６でデジタル−アナログ変換されて拡
大映像信号SZを得る。
映像が拡大される様子を以下に詳しく説明する。まず
垂直方向の拡大を説明する。メモリ５には第 水平走査期間から第 水平走査期間までの垂直方向1/2の映像信号を記憶す
る。メモリからの読み出し時には第１番目及び第２番目
の水平走査期間において上記第 水平走査期間の映像信号を読み出す。以下順に第ｊ番目 の映像信号を続けて２回２水平走査期間に渡って読み出
す。これにより、垂直方向２倍に映像が拡大される。
垂直方向の拡大を説明する。メモリ５には第 水平走査期間から第 水平走査期間までの垂直方向1/2の映像信号を記憶す
る。メモリからの読み出し時には第１番目及び第２番目
の水平走査期間において上記第 水平走査期間の映像信号を読み出す。以下順に第ｊ番目 の映像信号を続けて２回２水平走査期間に渡って読み出
す。これにより、垂直方向２倍に映像が拡大される。
水平方向の拡大に関しては、水平走査期間の中央1/2
の期間メモリに映像信号を記憶し、読み出し時には記憶
時の1/2の周波数で読み出すことにより、水平方向２倍
に映像が拡大される。
の期間メモリに映像信号を記憶し、読み出し時には記憶
時の1/2の周波数で読み出すことにより、水平方向２倍
に映像が拡大される。
上記従来技術は以下の２点について配慮されていなか
った。
った。
（１）垂直解像度劣化 （２）信号飛び越し まず（２）について説明する。第２図におけるセンサ
２の信号読み出しは、フレーム残像を無くすためと、再
生モニタのインタレース走査に対応するために第４図に
示すようにセンサ２の受光部の垂直２行を同時に、しか
もフィールドで組み合わせを変えて読み出している。こ
の時輝度信号Sl,l+1は第ｌ行と第ｌ＋１行の信号を加算
して生成される。したがって、映像拡大時にはメモリ５
から奇フィールドにおいてSl,l+1,Sl,l+1,Sl+2,l+3,S
l+2,l+3……，偶フィールドにおいてSl+1,l+2,
Sl+1,l+2,Sl+3,l+4,Sl+3,l+4,……の順に読み出され
る。これを再生モニタで再生した場合を第５図に示す。
同図において実線は奇フィールドのビーム走査を、破線
は偶フィールドのビーム走査を表わしており、上から順
にSl,l+1,Sl+1,l+2,……が表示される。この時、第５図
に示すように、Sl,l+1,Sl+1,l+2の順に表示されるべき
所がSl+1,l+2,Sl,l+1の順に表示されてしまう。これが
信号飛び越しであり、色信号についても同様な飛び越し
が生じる。これにより被写体の水平エッヂ部の画質を劣
化させる。
２の信号読み出しは、フレーム残像を無くすためと、再
生モニタのインタレース走査に対応するために第４図に
示すようにセンサ２の受光部の垂直２行を同時に、しか
もフィールドで組み合わせを変えて読み出している。こ
の時輝度信号Sl,l+1は第ｌ行と第ｌ＋１行の信号を加算
して生成される。したがって、映像拡大時にはメモリ５
から奇フィールドにおいてSl,l+1,Sl,l+1,Sl+2,l+3,S
l+2,l+3……，偶フィールドにおいてSl+1,l+2,
Sl+1,l+2,Sl+3,l+4,Sl+3,l+4,……の順に読み出され
る。これを再生モニタで再生した場合を第５図に示す。
同図において実線は奇フィールドのビーム走査を、破線
は偶フィールドのビーム走査を表わしており、上から順
にSl,l+1,Sl+1,l+2,……が表示される。この時、第５図
に示すように、Sl,l+1,Sl+1,l+2の順に表示されるべき
所がSl+1,l+2,Sl,l+1の順に表示されてしまう。これが
信号飛び越しであり、色信号についても同様な飛び越し
が生じる。これにより被写体の水平エッヂ部の画質を劣
化させる。
次に（１）の垂直解像度の劣化について説明する。映
像拡大時には同一の輝度信号を２水平走査期間表示する
ので、垂直解像度が大きく劣化してしまう。
像拡大時には同一の輝度信号を２水平走査期間表示する
ので、垂直解像度が大きく劣化してしまう。
本発明の目的は、上述した垂直方向の画像劣化の少な
い映像拡大、すなわち電子ズームを行なえる撮像装置を
提供することにある。
い映像拡大、すなわち電子ズームを行なえる撮像装置を
提供することにある。
上記目的を達成するためには、以下の手段のそれぞ
れ、あるいは組み合わせを用いれば良い。
れ、あるいは組み合わせを用いれば良い。
（１）センサ駆動回路に通常読み出し用の第１のセンサ
駆動パルス群を発生する回路と、電子ズーム用の第２の
センサ駆動パルス群を発生する回路を具備し、センサ駆
動回路が第１のセンサ駆動パルス群を発生するとセンサ
からは垂直方向に隣接する奇数行、偶数行の信号を混合
して読み出し、第２のセンサ駆動パルス群を発生すると
センサからは奇数行、偶数行の信号がそれぞれ異なる時
間に独立して読み出されるようにする。このセンサ出力
信号をメモリで時系列変換し、奇数行、偶数行の信号を
それぞれ輝度信号として出力する。
駆動パルス群を発生する回路と、電子ズーム用の第２の
センサ駆動パルス群を発生する回路を具備し、センサ駆
動回路が第１のセンサ駆動パルス群を発生するとセンサ
からは垂直方向に隣接する奇数行、偶数行の信号を混合
して読み出し、第２のセンサ駆動パルス群を発生すると
センサからは奇数行、偶数行の信号がそれぞれ異なる時
間に独立して読み出されるようにする。このセンサ出力
信号をメモリで時系列変換し、奇数行、偶数行の信号を
それぞれ輝度信号として出力する。
（２）センサ駆動回路に電子ズーム用駆動回路を付加
し、電子ズーム時にはセンサの各行からの信号読み出し
順序を各フィールドで同一順序とする。
し、電子ズーム時にはセンサの各行からの信号読み出し
順序を各フィールドで同一順序とする。
（１）奇数行，偶数行それぞれの信号を独立した輝度信
号として扱うと、従来例に比べて垂直方向の情報量が２
倍になり、電子ズーム時の垂直解像度の劣化を抑えるこ
とができる。
号として扱うと、従来例に比べて垂直方向の情報量が２
倍になり、電子ズーム時の垂直解像度の劣化を抑えるこ
とができる。
（２）例えば第４図における奇フィールドの組み合わせ
で信号をセンサから毎フィールド読み出すと、第５図に
おける映像信号の表示順序は上からSl,l+1,Sl,l+1,Sl,
l+1,Sl,l+1,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3……
となり、信号飛び越しが生じない。
で信号をセンサから毎フィールド読み出すと、第５図に
おける映像信号の表示順序は上からSl,l+1,Sl,l+1,Sl,
l+1,Sl,l+1,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3,Sl+2,l+3……
となり、信号飛び越しが生じない。
一般的には、フィールド画にすることにより、信号の
演算を各フィールドで同一にして信号飛び越しが原理的
に生じないようにしている。
演算を各フィールドで同一にして信号飛び越しが原理的
に生じないようにしている。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。同
図は前述の手段（１）の実施例であり、10はセンサ、11
は通常読み出し用駆動回路、12は電子ズーム用駆動回
路、13はメモリ、14はメモリ駆動回路、15はスイッチ回
路であり、第２図と共通するものは同じ番号を付加して
いる。スイッチ回路15がＡ側に接続されている時はスイ
ッチ回路８もＡ側に接続され、通常読み出しされたセン
サ出力信号SNが出力される。スイッチ回路15がＢ側に接
続されている時はスイッチ回路８もＢ側に接続され、電
子ズーム用の信号読み出しされたセンサ出力はA/D変換
器４でアナログ−デジタル変換された後、メモリ13で信
号の時系列変換を行ない、D/A変換器６でデジタル−ア
ナログ変換されて出力される。
図は前述の手段（１）の実施例であり、10はセンサ、11
は通常読み出し用駆動回路、12は電子ズーム用駆動回
路、13はメモリ、14はメモリ駆動回路、15はスイッチ回
路であり、第２図と共通するものは同じ番号を付加して
いる。スイッチ回路15がＡ側に接続されている時はスイ
ッチ回路８もＡ側に接続され、通常読み出しされたセン
サ出力信号SNが出力される。スイッチ回路15がＢ側に接
続されている時はスイッチ回路８もＢ側に接続され、電
子ズーム用の信号読み出しされたセンサ出力はA/D変換
器４でアナログ−デジタル変換された後、メモリ13で信
号の時系列変換を行ない、D/A変換器６でデジタル−ア
ナログ変換されて出力される。
第６図にセンサ10の実施例を示す。同図において16は
ホトダイオード、17は垂直CCD、18は水平CCDである。Ｐ
m,nは第ｍ行第ｎ列のホトダイオードを示し、第Ｍ行、
第Ｎ列まであるものとする。第７図に通常読み出し時及
び電子ズーム時の駆動パルス群φv1〜φv4のタイミング
チャートを示す。まず通常読み出し時の動作を説明す
る。時刻t1においてφv3が高レベルになり、偶数行のホ
トダイオードに蓄積した信号は垂直CCD17のφv3ステー
ジ（φv3が印加される垂直CCD17のゲート下）に移る。
時刻t2までに上記信号はφv1ステージまで転送され、時
刻t2においてφv1が高レベルになって奇数行のホトダイ
オードに蓄積した信号はφv1ステージに移る。したがっ
て、奇数行，偶数行のそれぞれのホトダイオードに蓄積
した信号は、時刻t2においてφv1ステージで混合され
る。その後、１水平期間毎にφv1ステージにある信号を
水平CCD18に転送し、読み出す。
ホトダイオード、17は垂直CCD、18は水平CCDである。Ｐ
m,nは第ｍ行第ｎ列のホトダイオードを示し、第Ｍ行、
第Ｎ列まであるものとする。第７図に通常読み出し時及
び電子ズーム時の駆動パルス群φv1〜φv4のタイミング
チャートを示す。まず通常読み出し時の動作を説明す
る。時刻t1においてφv3が高レベルになり、偶数行のホ
トダイオードに蓄積した信号は垂直CCD17のφv3ステー
ジ（φv3が印加される垂直CCD17のゲート下）に移る。
時刻t2までに上記信号はφv1ステージまで転送され、時
刻t2においてφv1が高レベルになって奇数行のホトダイ
オードに蓄積した信号はφv1ステージに移る。したがっ
て、奇数行，偶数行のそれぞれのホトダイオードに蓄積
した信号は、時刻t2においてφv1ステージで混合され
る。その後、１水平期間毎にφv1ステージにある信号を
水平CCD18に転送し、読み出す。
次に電子ズーム時の動作を説明する。時刻t3において
φv1が高レベルになり奇数行のホトダイオードに蓄積し
た信号はφv1ステージに移る。期間T1の間に第（M/4＋
１）行の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD17内の信号
を第６図の上方向に高速に転送する。その後、１水平期
間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T2内に読み出し終える。期間T3におい
ては、残りの奇数行の信号を第６図の上方向に高速に転
送する。すなわち、期間T7において奇数行の信号をすべ
て読み終え、期間T2においては、２次元状に配置された
ホトダイオードのうち、奇数行でかつ中央部の垂直方向
M/4行のホトダイオードに蓄積した信号が読み出され
る。次に時刻t4においてφv3が高レベルになり、偶数行
のホトダイオードに蓄積した信号はφv3ステージに移
る。以下同様にして期間T4の間に の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD17内の信号を第６
図の上方向に高速に転送する。その後、１水平期間毎に
１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T5内に読み出し終える。期間T6におい
ては、残りの偶数行の信号を第６図の上方向に高速に転
送する。すなわち、期間T8において偶数行の信号をすべ
て読み終え、期間T5においては、２次元状に配置された
ホトダイオードのうち、偶数行でかつ中央部の垂直方向
M/4行のホトダイオードに蓄積した信号が読み出され
る。
φv1が高レベルになり奇数行のホトダイオードに蓄積し
た信号はφv1ステージに移る。期間T1の間に第（M/4＋
１）行の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD17内の信号
を第６図の上方向に高速に転送する。その後、１水平期
間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T2内に読み出し終える。期間T3におい
ては、残りの奇数行の信号を第６図の上方向に高速に転
送する。すなわち、期間T7において奇数行の信号をすべ
て読み終え、期間T2においては、２次元状に配置された
ホトダイオードのうち、奇数行でかつ中央部の垂直方向
M/4行のホトダイオードに蓄積した信号が読み出され
る。次に時刻t4においてφv3が高レベルになり、偶数行
のホトダイオードに蓄積した信号はφv3ステージに移
る。以下同様にして期間T4の間に の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD17内の信号を第６
図の上方向に高速に転送する。その後、１水平期間毎に
１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T5内に読み出し終える。期間T6におい
ては、残りの偶数行の信号を第６図の上方向に高速に転
送する。すなわち、期間T8において偶数行の信号をすべ
て読み終え、期間T5においては、２次元状に配置された
ホトダイオードのうち、偶数行でかつ中央部の垂直方向
M/4行のホトダイオードに蓄積した信号が読み出され
る。
メモリ13には期間T2において読み出される奇数行の信
号と、期間T5において読み出される偶数行の信号を記憶
し、メモリ13から読み出す際には奇数行，偶数行の順に
読み出す。
号と、期間T5において読み出される偶数行の信号を記憶
し、メモリ13から読み出す際には奇数行，偶数行の順に
読み出す。
第８図にセンサ10の別の実施例を示す。同図において
19はMOSスイッチ、20は定電圧源である。第８図の実施
例は、第６図の実施例において垂直方向第１行から第M/
4行、および から第Ｍ行までのホトダイオードに蓄積した信号をMOS
スイッチ19を通して外部に掃き出せるようにしたもので
ある。第８図の実施例の通常読み出し時の動作は第６図
と同じであるので、電子ズーム時の動作につき第９図の
電子ズーム用駆動パルス群φv1〜φv4,φｓのタイミン
グチャートを用いて説明する。時刻t5においてφｓを高
レベルにしてMOSスイッチ19を導通状態にし、第１行か
ら第M/4行および から第Ｍ行までのホトダイオードに蓄積した信号を掃き
出す。次の時刻t6において奇数行のホトダイオードに蓄
積した信号をφv1ステージに移す。この時、上記掃き出
しにより、 から までのホトダイオードに蓄積した信号のみφv1ステージ
に移る。期間T9および期間T10における動作は第７図の
期間T1および期間T2の動作と同じである。期間T10が終
了すると までのホトダイオードに蓄積した信号はすべて読み出し
終えるので、垂直CCD17には信号が無い。したがって期
間T10の終了に続く時刻t7で上記信号掃き出しをした
後、時刻t8で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号を
φv3ステージに移すことができる。次の期間T11,期間T
12の動作は第７図の期間T4,期間T5と同じである。本実
施例では期間T10において読み出される奇数行の信号
と、期間T12において読み出される偶数行の信号をメモ
リ13に記憶し、メモリ13から読み出す際には奇数行，偶
数行の順に読み出せばよい。本実施例によると、第７図
における期間T3と期間T6の高速転送が不要になる。
19はMOSスイッチ、20は定電圧源である。第８図の実施
例は、第６図の実施例において垂直方向第１行から第M/
4行、および から第Ｍ行までのホトダイオードに蓄積した信号をMOS
スイッチ19を通して外部に掃き出せるようにしたもので
ある。第８図の実施例の通常読み出し時の動作は第６図
と同じであるので、電子ズーム時の動作につき第９図の
電子ズーム用駆動パルス群φv1〜φv4,φｓのタイミン
グチャートを用いて説明する。時刻t5においてφｓを高
レベルにしてMOSスイッチ19を導通状態にし、第１行か
ら第M/4行および から第Ｍ行までのホトダイオードに蓄積した信号を掃き
出す。次の時刻t6において奇数行のホトダイオードに蓄
積した信号をφv1ステージに移す。この時、上記掃き出
しにより、 から までのホトダイオードに蓄積した信号のみφv1ステージ
に移る。期間T9および期間T10における動作は第７図の
期間T1および期間T2の動作と同じである。期間T10が終
了すると までのホトダイオードに蓄積した信号はすべて読み出し
終えるので、垂直CCD17には信号が無い。したがって期
間T10の終了に続く時刻t7で上記信号掃き出しをした
後、時刻t8で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号を
φv3ステージに移すことができる。次の期間T11,期間T
12の動作は第７図の期間T4,期間T5と同じである。本実
施例では期間T10において読み出される奇数行の信号
と、期間T12において読み出される偶数行の信号をメモ
リ13に記憶し、メモリ13から読み出す際には奇数行，偶
数行の順に読み出せばよい。本実施例によると、第７図
における期間T3と期間T6の高速転送が不要になる。
第10図にセンサ10の別の実施例を示す。同図において
21は垂直CCDであり、第６図と比較してホトダイオード1
6に隣接していないステージ（蓄積ステージと呼ぶ）を
有する。通常読み出し時の動作は第７図（ａ）の時刻t2
の後に同図（ｂ）の期間T1における高速転送が加わるだ
けである。電子ズーム時の動作を、第11図のタイミング
チャートを用いて説明する。時刻t9において奇数行のホ
トダイオードに蓄積した信号を垂直CCD21のφv1ステー
ジに移し、期間T15内にすべて蓄積ステージに転送す
る。したがって、期間T15が終了する時には、ホトダイ
オード16に隣接しているステージには信号が無いので、
時刻t10で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号をφ
v3ステージに移すことができる。期間T16では、第（M/4
＋１）行の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD21内の信
号を第10図の上方向に高速に転送する。その後、１水平
期間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T17内に読み出し終える。期間T18にお
いては残りの奇数行および偶数行のうちの第M/4行まで
の信号を第10図の上方向に高速に転送し、最後に の信号を水平CCD18まで転送する。期間T19においては１
水平期間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を読み出し終える。本実施例では期間T17に
おいて読み出される奇数行の信号と、期間T19において
読み出される偶数行の信号をメモリ13に記憶し、メモリ
13から読み出す際には奇数行，偶数行の順に読み出せば
よい。本実施例によると奇数行のホトダイオードに蓄積
した信号を垂直CCD21に転送する時刻t9と、偶数行のホ
トダイオードに蓄積した信号を垂直CCD21に転送する時
刻t10との時間差を小さくできるので、動く被写体を電
子ズームする時に有効である。
21は垂直CCDであり、第６図と比較してホトダイオード1
6に隣接していないステージ（蓄積ステージと呼ぶ）を
有する。通常読み出し時の動作は第７図（ａ）の時刻t2
の後に同図（ｂ）の期間T1における高速転送が加わるだ
けである。電子ズーム時の動作を、第11図のタイミング
チャートを用いて説明する。時刻t9において奇数行のホ
トダイオードに蓄積した信号を垂直CCD21のφv1ステー
ジに移し、期間T15内にすべて蓄積ステージに転送す
る。したがって、期間T15が終了する時には、ホトダイ
オード16に隣接しているステージには信号が無いので、
時刻t10で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号をφ
v3ステージに移すことができる。期間T16では、第（M/4
＋１）行の信号が水平CCD18に移るまで垂直CCD21内の信
号を第10図の上方向に高速に転送する。その後、１水平
期間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を期間T17内に読み出し終える。期間T18にお
いては残りの奇数行および偶数行のうちの第M/4行まで
の信号を第10図の上方向に高速に転送し、最後に の信号を水平CCD18まで転送する。期間T19においては１
水平期間毎に１行ずつ信号を読み出し、 までの信号を読み出し終える。本実施例では期間T17に
おいて読み出される奇数行の信号と、期間T19において
読み出される偶数行の信号をメモリ13に記憶し、メモリ
13から読み出す際には奇数行，偶数行の順に読み出せば
よい。本実施例によると奇数行のホトダイオードに蓄積
した信号を垂直CCD21に転送する時刻t9と、偶数行のホ
トダイオードに蓄積した信号を垂直CCD21に転送する時
刻t10との時間差を小さくできるので、動く被写体を電
子ズームする時に有効である。
なお、第10図の実施例に第８図に示した掃き出し部を
設けることもでき、その時には蓄積シテージ数、および
第11図の期間T15,期間T18における高速パルス数を削減
することができる。
設けることもでき、その時には蓄積シテージ数、および
第11図の期間T15,期間T18における高速パルス数を削減
することができる。
センサ10の更に別の実施例を第12図に示す。同図にお
いて36はホトダイオード、37は垂直CCD、38は水平CCDで
ある。第13図のタイミングチャートを用いて動作を説明
する。第13図（ａ）は通常読み出し時のパルス群のタイ
ミングチャートである。時刻t11でホトダイオード36に
蓄積した信号をすべて垂直CCD37のφv1ステージに移
す。時刻t12において奇数行のホトダイオードに蓄積し
た信号が水平CCD38のφH1ステージに移り、時刻t13で偶
数行のホトダイオードに蓄積した信号が水平CCD38のφ
H1ステージに移る。すなわち、時刻t13において垂直方
向に隣接する２行の信号がφH1ステージで混合される。
この混合された信号は期間T20において順次外部に出力
される。続く時刻t14,t15において次の奇数行，偶数行
の信号がφH1ステージに移され、期間T21で順次外部に
出力される。以下繰り返してすべてのホトダイオードに
蓄積した信号を読み出す。
いて36はホトダイオード、37は垂直CCD、38は水平CCDで
ある。第13図のタイミングチャートを用いて動作を説明
する。第13図（ａ）は通常読み出し時のパルス群のタイ
ミングチャートである。時刻t11でホトダイオード36に
蓄積した信号をすべて垂直CCD37のφv1ステージに移
す。時刻t12において奇数行のホトダイオードに蓄積し
た信号が水平CCD38のφH1ステージに移り、時刻t13で偶
数行のホトダイオードに蓄積した信号が水平CCD38のφ
H1ステージに移る。すなわち、時刻t13において垂直方
向に隣接する２行の信号がφH1ステージで混合される。
この混合された信号は期間T20において順次外部に出力
される。続く時刻t14,t15において次の奇数行，偶数行
の信号がφH1ステージに移され、期間T21で順次外部に
出力される。以下繰り返してすべてのホトダイオードに
蓄積した信号を読み出す。
第13図（ｂ）は電子ズーム時のセンサ駆動パルス群を
示す。第１行から第M/4行までと、 から第Ｍ行までの信号を高速に読み出すための高速パル
スは省略している。時刻t16で奇数行の信号のみをφH1
ステージに移し、期間T22で順次外部に読み出した後、
時刻t17で偶数行の信号のみをφH1ステージに移し、期
間T23で順次外部に読み出す。本実施例によるとすべて
のホトダイオードに蓄積した信号を同時に垂直CCDに転
送するので、動く被写体に対しても解像度の劣化がな
い。また、前出の実施例と同様、第１行から第M/4行ま
でと から第Ｍ行までの信号を掃き出す構成にもできる。
示す。第１行から第M/4行までと、 から第Ｍ行までの信号を高速に読み出すための高速パル
スは省略している。時刻t16で奇数行の信号のみをφH1
ステージに移し、期間T22で順次外部に読み出した後、
時刻t17で偶数行の信号のみをφH1ステージに移し、期
間T23で順次外部に読み出す。本実施例によるとすべて
のホトダイオードに蓄積した信号を同時に垂直CCDに転
送するので、動く被写体に対しても解像度の劣化がな
い。また、前出の実施例と同様、第１行から第M/4行ま
でと から第Ｍ行までの信号を掃き出す構成にもできる。
以上は特に輝度信号に着目した実施例であり、色信号
にも着目した実施例を第14図に示す。同図において21は
検波回路、22は遅延回路、23はメモリ、24はメモリ駆動
回路、25はD/A変換器、26は検波回路、27は減算回路、2
8は加算回路、29〜34はスイッチ回路、35はローパスフ
ィルタである。第図と共通なものは同一符号を付けてい
る。センサ10の色フィルタが第15図に示す配置である場
合の各部の信号S1〜S7及び輝度信号Y,色信号のうちの赤
信号R,青信号Ｂを第16図に示して動作を説明する。
にも着目した実施例を第14図に示す。同図において21は
検波回路、22は遅延回路、23はメモリ、24はメモリ駆動
回路、25はD/A変換器、26は検波回路、27は減算回路、2
8は加算回路、29〜34はスイッチ回路、35はローパスフ
ィルタである。第図と共通なものは同一符号を付けてい
る。センサ10の色フィルタが第15図に示す配置である場
合の各部の信号S1〜S7及び輝度信号Y,色信号のうちの赤
信号R,青信号Ｂを第16図に示して動作を説明する。
まず通常読み出し時にはスイッチ回路29〜32はＡ側に
接続される。この時センサ10は垂直方向に隣接する２行
の信号を混合して読み出すので、信号S1は期間T24でｗ
＋Cyとｇ＋yeが交互に読み出され、期間T25でｗ＋yeと
ｇ＋Cyが交互に読み出される。ここでw,Cy,g,yeはそれ
ぞれＷフィルタ,Cyフィルタ、Ｇフィルタ、Yeフィルタ
のホトダイオードから得られる信号で、 と表わせる。したがって、信号S1をローパスフィルタ35
で帯域制限すれば Ｙ＝ｗ＋Cy＋ｇ＋ye＝2r＋4g＋2b の輝度信号を得る。一方、信号S1を検波回路21で検波す
ることにより期間T24では S2＝（ｗ＋Cy）−（ｇ−ye）＝2b の信号を得、期間T25では S2＝（ｗ＋ye）−（ｇ＋Cy）＝2r の信号を得る。したがって、信号S2を遅延回路22で１水
平期間遅延させた信号S3と信号S2をスイッチ回路で選択
することにより、Ｒ＝2r,B＝2bの色信号を得る。
接続される。この時センサ10は垂直方向に隣接する２行
の信号を混合して読み出すので、信号S1は期間T24でｗ
＋Cyとｇ＋yeが交互に読み出され、期間T25でｗ＋yeと
ｇ＋Cyが交互に読み出される。ここでw,Cy,g,yeはそれ
ぞれＷフィルタ,Cyフィルタ、Ｇフィルタ、Yeフィルタ
のホトダイオードから得られる信号で、 と表わせる。したがって、信号S1をローパスフィルタ35
で帯域制限すれば Ｙ＝ｗ＋Cy＋ｇ＋ye＝2r＋4g＋2b の輝度信号を得る。一方、信号S1を検波回路21で検波す
ることにより期間T24では S2＝（ｗ＋Cy）−（ｇ−ye）＝2b の信号を得、期間T25では S2＝（ｗ＋ye）−（ｇ＋Cy）＝2r の信号を得る。したがって、信号S2を遅延回路22で１水
平期間遅延させた信号S3と信号S2をスイッチ回路で選択
することにより、Ｒ＝2r,B＝2bの色信号を得る。
電子ズーム時にはスイッチ回路29〜32はＢ側に接続さ
れ、センサ10からは奇数行，偶数行の信号が独立して読
み出され、A/D変換器４でアナログデジタル変換されて
メモリ23に記憶される。メモリ23からは期間T26に第ｍ
行の信号と第（ｍ−１）行の信号が並列に読み出され、
期間T27に第（ｍ＋１）行と第ｍ行の信号が並列に読み
出される。これをD/A変換器26でデジタル−アナログ変
換して得られる信号S4,S5はそれぞれ期間T26においてｗ
とg,Cyとyeが交互に、期間T27ではCyとye,wとｇが交互
に繰り返す信号となる。したがって、信号S4をローパス
フィルタ35で帯域制限すると Ｙ＝ｗ＋ｇ＝Cy＋ye＝ｒ＋2g＋ｂ ……（１） の輝度信号を得る。一方、信号S4,S5を検波回路26で検
波すると期間T26でS6＝ｗ−g,S7＝Cy−ye,期間T27でS6
＝Cy−ye,S7＝ｗ−ｇを得るので、信号S6,S7を減算回路
27,加算回路28で減算，加算することによりＲ＝2r,B＝2
bの色信号を得る。ここで、（１）式のように毎水平期
間同じ原色信号の構成比で輝度信号が得られるのは、奇
数行，偶数行の分光感度が等しくなる色フィルタを選ん
でいるためであり、第10図に示す色フィルタ配列以外で
もモワレ抑圧の観点から一般に（１）式が成り立つ色フ
ィルタ構成を取る。また、本実施例の大きな特長は、電
子ズーム時に２行の信号から色信号を生成している点で
ある。通常読み出し時には４行の信号から色信号を生成
するので、色信号についても輝度信号と同様電子ズーム
による垂直解像度の劣化を抑えられる。
れ、センサ10からは奇数行，偶数行の信号が独立して読
み出され、A/D変換器４でアナログデジタル変換されて
メモリ23に記憶される。メモリ23からは期間T26に第ｍ
行の信号と第（ｍ−１）行の信号が並列に読み出され、
期間T27に第（ｍ＋１）行と第ｍ行の信号が並列に読み
出される。これをD/A変換器26でデジタル−アナログ変
換して得られる信号S4,S5はそれぞれ期間T26においてｗ
とg,Cyとyeが交互に、期間T27ではCyとye,wとｇが交互
に繰り返す信号となる。したがって、信号S4をローパス
フィルタ35で帯域制限すると Ｙ＝ｗ＋ｇ＝Cy＋ye＝ｒ＋2g＋ｂ ……（１） の輝度信号を得る。一方、信号S4,S5を検波回路26で検
波すると期間T26でS6＝ｗ−g,S7＝Cy−ye,期間T27でS6
＝Cy−ye,S7＝ｗ−ｇを得るので、信号S6,S7を減算回路
27,加算回路28で減算，加算することによりＲ＝2r,B＝2
bの色信号を得る。ここで、（１）式のように毎水平期
間同じ原色信号の構成比で輝度信号が得られるのは、奇
数行，偶数行の分光感度が等しくなる色フィルタを選ん
でいるためであり、第10図に示す色フィルタ配列以外で
もモワレ抑圧の観点から一般に（１）式が成り立つ色フ
ィルタ構成を取る。また、本実施例の大きな特長は、電
子ズーム時に２行の信号から色信号を生成している点で
ある。通常読み出し時には４行の信号から色信号を生成
するので、色信号についても輝度信号と同様電子ズーム
による垂直解像度の劣化を抑えられる。
次に手段（２）の実施例を示す。第17図は第６図に示
す構成のセンサの駆動パルス群の例である。通常読み出
し時の奇フィールドにおいては時刻t18で偶数行の信号
をφv3ステージに移し、その信号を第６図上方向に転送
してφv1ステージまで移す。その後時刻t19で奇数行の
信号をφv1ステージに移す。したがって、奇数行の信号
は下側に隣接する偶数行の信号と混合する。偶フィール
ドにおいては時刻t20で奇数行の信号をφv1ステージに
移し、その信号を第６図上方向に転送してφv3ステージ
まで移す。その後、時刻t21で偶数行の信号をφv3ステ
ージに移す。したがって、奇数行の信号は上側に隣接す
る偶数行の信号と混合する。したがって、電子ズーム時
は、第17図の奇フィールドあるいは偶フィールドのいず
れか片方に示すタイミングチャートのセンサ駆動パルス
群を両フィールドとも発生する電子ズーム用駆動回路で
センサを駆動すれば良い。
す構成のセンサの駆動パルス群の例である。通常読み出
し時の奇フィールドにおいては時刻t18で偶数行の信号
をφv3ステージに移し、その信号を第６図上方向に転送
してφv1ステージまで移す。その後時刻t19で奇数行の
信号をφv1ステージに移す。したがって、奇数行の信号
は下側に隣接する偶数行の信号と混合する。偶フィール
ドにおいては時刻t20で奇数行の信号をφv1ステージに
移し、その信号を第６図上方向に転送してφv3ステージ
まで移す。その後、時刻t21で偶数行の信号をφv3ステ
ージに移す。したがって、奇数行の信号は上側に隣接す
る偶数行の信号と混合する。したがって、電子ズーム時
は、第17図の奇フィールドあるいは偶フィールドのいず
れか片方に示すタイミングチャートのセンサ駆動パルス
群を両フィールドとも発生する電子ズーム用駆動回路で
センサを駆動すれば良い。
第18図に別の実施例を示す。同図において36は水平シ
フトレジスタ、37は垂直シフトレジスタ、38はインタレ
ース用MOSスイッチ、39はホトダイオード、40は垂直MOS
スイッチ、41は水平MOSスイッチ、42は行選択MOSスイッ
チである。第19図に駆動パルス群の例を示す。φvsで囲
まれたφv1を基準としてφ1,φ2,……が垂直シフトレジ
スタ37から出力され、φA,φＢの極性によりφijはφｉ
かφｊのいずれかと等しくなる。したがって、第19図で
は奇フィールドで奇数行とその下の偶数行がMOSスイッ
チ40〜42で同時に選択され、偶フィールドで奇数行とそ
の上の偶数行が同時に選択される。よって、電子ズーム
時にはφA,φＢがそれぞれローレベルとハイレベル、あ
るいはハイレベルとローレベルとなる電子ズーム用駆動
回路でセンサを駆動すれば良い。
フトレジスタ、37は垂直シフトレジスタ、38はインタレ
ース用MOSスイッチ、39はホトダイオード、40は垂直MOS
スイッチ、41は水平MOSスイッチ、42は行選択MOSスイッ
チである。第19図に駆動パルス群の例を示す。φvsで囲
まれたφv1を基準としてφ1,φ2,……が垂直シフトレジ
スタ37から出力され、φA,φＢの極性によりφijはφｉ
かφｊのいずれかと等しくなる。したがって、第19図で
は奇フィールドで奇数行とその下の偶数行がMOSスイッ
チ40〜42で同時に選択され、偶フィールドで奇数行とそ
の上の偶数行が同時に選択される。よって、電子ズーム
時にはφA,φＢがそれぞれローレベルとハイレベル、あ
るいはハイレベルとローレベルとなる電子ズーム用駆動
回路でセンサを駆動すれば良い。
電子ズーム時に両フィールドとも同じ駆動パルス群で
センサを駆動し、センサの各行からの信号読み出し順序
を両フィールドで揃えることを第16図までの実施例に適
用することは容易で、その場合、メモリへの信号書き込
み、読み出し順序も両フィールドで揃えることができる
ので、メモリ駆動回路の構成を簡素化することができ
る。
センサを駆動し、センサの各行からの信号読み出し順序
を両フィールドで揃えることを第16図までの実施例に適
用することは容易で、その場合、メモリへの信号書き込
み、読み出し順序も両フィールドで揃えることができる
ので、メモリ駆動回路の構成を簡素化することができ
る。
本発明によれば、垂直解像度の劣化を抑え、信号飛び
越しによる垂直エッヂ部の画質劣化を抑えた電子ズーム
が可能な撮像装置を提供することができる。
越しによる垂直エッヂ部の画質劣化を抑えた電子ズーム
が可能な撮像装置を提供することができる。
第１図は本発明の実施例の原理のブロック図、第２図〜
第５図は従来例を説明する図、第６図，第７図は第１図
の構成内の駆動パルスのタイミングチャートの具体例を
示す図、第８図，第９図はセンサの別の具体例を示す
図、第10図，第11図はセンサのさらに別の具体例を示す
図、第12図，第13図はさらにまた別の具体例を示す図、
第14図は本発明の装置の別の実施例を示す図、第15図は
センサの色フィルタの構成例図、第16図は第14図を説明
するための図、第17図は本発明の別の実施例を示す図、
第18図，第19図は本発明のさらに別の実例例を示す図で
ある。 10……センサ 12……電子ズーム用駆動回路 11……通常読み出し用駆動回路 13,23……メモリ
第５図は従来例を説明する図、第６図，第７図は第１図
の構成内の駆動パルスのタイミングチャートの具体例を
示す図、第８図，第９図はセンサの別の具体例を示す
図、第10図，第11図はセンサのさらに別の具体例を示す
図、第12図，第13図はさらにまた別の具体例を示す図、
第14図は本発明の装置の別の実施例を示す図、第15図は
センサの色フィルタの構成例図、第16図は第14図を説明
するための図、第17図は本発明の別の実施例を示す図、
第18図，第19図は本発明のさらに別の実例例を示す図で
ある。 10……センサ 12……電子ズーム用駆動回路 11……通常読み出し用駆動回路 13,23……メモリ
Claims (16)
- 【請求項１】２次元状にホトダイオード（16）が配列さ
れた固体撮像素子（10）と、 該固体撮像素子（10）を駆動する第１の駆動回路（11）
及び第２の駆動回路（12）と、 上記固体撮像素子（10）から出力される信号を記憶する
メモリ（13,23）を具備し、 上記第１の駆動回路（11）から出力する第１の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給することにより、
上記ホトダイオード（16）の配列内で垂直方向に隣接す
る２つのホトダイオードに蓄積した信号を混合した読み
出し、 上記第２の駆動回路（12）から出力する第２の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給することにより、
上記２つのホトダイオードに蓄積した信号を個別に読み
出し、 上記個別に読み出した信号の時系列を上記メモリ（13,2
3）で変えることを特徴とする撮像素子。 - 【請求項２】２次元状にホトダイオード（16）が配列さ
れた固体撮像素子（10）と、 該固体撮像素子（10）を駆動する第１の駆動回路（11）
及び第２の駆動回路（12）と、 上記固体撮像素子（10）から出力される信号を記憶する
メモリ（13,23）を具備し、 上記第１の駆動回路（11）から出力する第１の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給することにより、
上記ホトダイオード（16）に蓄積した信号を奇数フィー
ルド、偶数フィールドでそれぞれ異なる時系列で上記固
体撮像素子（10）から出力し、 上記第２の駆動回路（12）から出力する第２の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給することにより、
上記ホトダイオード（16）に蓄積した信号を奇数フィー
ルド、偶数フィールドとも同じ時系列で上記固体撮像素
子（10）から出力することを特徴とする撮像素子。 - 【請求項３】上記第１の駆動回路（11）から出力される
第１の駆動パルス群を上記固体撮像素子（10）に供給し
た場合には、垂直方向２行の上記ホトダイオード（16）
に蓄積した信号を１単位として輝度信号を生成し、 上記第２の駆動回路（12）から出力する第２の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給した場合には、垂
直方向１行の上記ホトダイオード（16）に蓄積した信号
を１単位として輝度信号を生成する請求項１または請求
項２に記載の撮像装置。 - 【請求項４】上記第１の駆動回路（11）から出力する第
１の駆動パルス群を上記固体撮像素子（10）に供給した
場合には、垂直方向４行の上記ホトダイオード（16）に
蓄積した信号を１単位として色信号を生成し、 上記第２の駆動回路（12）から出力する第２の駆動パル
ス群を上記固体撮像素子（10）に供給した場合には、垂
直方向２行の上記ホトダイオード（16）に蓄積した信号
を１単位として色信号を生成する請求項1,2、または３
に記載の撮像装置。 - 【請求項５】上記第２の駆動回路（12）から出力する第
２の駆動パルス群を上記固体撮像素子（10）に供給する
ことにより、奇数行あるいは偶数行いずれかの行の上記
ホトダイオード（16）に蓄積した信号を上記固体撮像素
子（10）から出力し終えたのち、残りの行の上記ホトダ
イオード（16）に蓄積した信号を上記固体撮像素子（1
0）から出力する請求項1,2,3、または４に記載の撮像装
置。 - 【請求項６】上記第２の駆動回路（12）から出力する第
２の駆動パルス群を上記固体撮像素子（10）に供給する
ことにより、奇数行、偶数行の上記ホトダイオード（1
6）に蓄積した信号を交互に上記素子（10）から出力す
る請求項1,2,3、または４に記載の撮像装置。 - 【請求項７】上記固体撮像素子（10）に配列した全ホト
ダイオードのうちの一部のホトダイオードに蓄積した信
号を、上記信号読み出しとは別経路で読み出す請求項1,
2,3,4,5、または６に記載の撮像装置。 - 【請求項８】上記第２の駆動回路（12）から出力する第
２の駆動パルス群を上記固体撮像素子（10）に供給した
場合には、上記固体撮像素子（10）に配列した全ホトダ
イオードの水平及び垂直それぞれ半分の領域のホトダイ
オードに蓄積した信号のみを上記メモリ（13,23）から
出力し、電子的にズームを行う請求項1,2,3,4,5,6、ま
たは７に記載の撮像装置。 - 【請求項９】２次元状にホトダイオードが配列された固
体撮像素子と、 該固体撮像素子を駆動する駆動回路と、 上記固体撮像素子から出力される信号を記憶するメモリ
を具備し、 上記駆動回路から出力する第１の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給することにより、上記ホトダイオード
の配列内で垂直方向に隣接する２つのホトダイオードに
蓄積した信号を混合して読み出し、 上記駆動回路から出力する第２の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給することにより、上記２つのホトダイ
オードに蓄積した信号を個別に読み出し、 上記個別に読み出した信号の時系列を上記メモリで変え
ることを特徴とする撮像装置。 - 【請求項１０】２次元状にホトダイオードが配列された
固体撮像素子と、 該固体撮像素子を駆動する駆動回路と、 上記固体撮像素子から出力される信号を記憶するメモリ
を具備し、 上記駆動回路から出力する第１の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給することにより、上記ホトダイオード
に蓄積した信号を奇数フィールド、偶数フィールドでそ
れぞれ異なる時系列で上記固体撮像素子から出力し、 上記駆動回路から出力する第２の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給することにより、上記ホトダイオード
に蓄積した信号を奇数フィールド、偶数フィールドとも
同じ時系列で上記固体撮像素子から出力することを特徴
とする撮像装置。 - 【請求項１１】上記駆動回路から出力される第１の駆動
パルス群を上記固体撮像素子に供給した場合には、垂直
方向２行の上記ホトダイオードに蓄積した信号を１単位
として輝度信号を生成し、 上記駆動回路から出力する第２の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給した場合には、垂直方向１行の上記ホ
トダイオードに蓄積した信号を１単位として輝度信号を
生成する請求項９または請求項10に記載の撮像装置。 - 【請求項１２】上記駆動回路から出力する第１の駆動パ
ルス群を上記固体撮像素子に供給した場合には、垂直方
向４行の上記ホトダイオードに蓄積した信号を１単位と
して色信号を生成し、 上記駆動回路から出力する第２の駆動パルス群を上記固
体撮像素子に供給した場合には、垂直方向２行の上記ホ
トダイオードに蓄積した信号を１単位として色信号を生
成する請求項９または10に記載の撮像装置。 - 【請求項１３】上記駆動回路から出力する第２の駆動パ
ルス群を上記固体撮像素子に供給することにより、奇数
行あるいは偶数行いずれかの行の上記ホトダイオードに
蓄積した信号を上記固体撮像素子から出力し終えたの
ち、残りの行の上記ホトダイオードに蓄積した信号を上
記固体撮像素子から出力する請求項９または10に記載の
撮像装置。 - 【請求項１４】上記駆動回路から出力する第２の駆動パ
ルス群を上記固体撮像素子に供給することにより、奇数
行、偶数行の上記ホトダイオードに蓄積した信号を交互
に上記素子から出力する請求項９または10に記載の撮像
装置。 - 【請求項１５】上記固体撮像素子に配列した全ホトダイ
オードのうちの一部のホトダイオードに蓄積した信号
を、上記信号読み出しとは別経路で読み出す請求項９ま
たは10に記載の撮像装置。 - 【請求項１６】上記駆動回路から出力する第２の駆動パ
ルス群を上記固体撮像素子に供給した場合には、上記固
体撮像素子に配列した全ホトダイオードの水平及び垂直
それぞれ半分の領域のホトダイオードに蓄積した信号の
みを上記メモリから出力し、電子的にズームを行う請求
項９または10に記載の撮像装置。
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| KR900011251A (ko) | 1990-07-11 |
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