JPH02170684A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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JPH02170684A
JPH02170684A JP63323287A JP32328788A JPH02170684A JP H02170684 A JPH02170684 A JP H02170684A JP 63323287 A JP63323287 A JP 63323287A JP 32328788 A JP32328788 A JP 32328788A JP H02170684 A JPH02170684 A JP H02170684A
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敏郎 衣笠
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宅哉 今出
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像素子を用いた撮像装置における1子的
な画像拡大、すなわち電子ズームに関する。
〔従来の技術〕
メモリに代表される半導体プロセス技術の向上により、
固体撮像素子(以下センサと略す)の性能1歩留まりが
改善され、代表的な撮像装置であるムービーにおいては
Am管からセンサi装置き換えられた。センサを用いる
最大の利点はムービーの小形化が図れることであり、梅
々のセンサが開発されている(例えば志村他「疑似フィ
ールド蓄積CCDカラーカメラ」テレビジョン学会技術
報告VOL、 10 、 N1521987年2月)、
シかしながら、ムービーの必要機能の一つであるズーム
に関しては光学レンズでしか対応しておらず、小形化の
観点から光学レンズのズーム倍率には一定の制約がある
一方、メモリの大容量化、低価格化が進み、ムービーの
信号処理にメモリを利用できるようになって来た。
メモリを用いたイぎ号処理で映像を拡大すれば光学レン
ズの小形化が可能となる。上記映像拡大の一般的なシス
テムを第2図に示す、同図において1は光学レンズ、2
はセンサ、3はセンサ駆動回路、4は人/D変換器、5
はメモリ、6はD / A変換器、7はメモリ駆動回路
、8はスイッチ回路である。
センサ駆動回路3からの駆動パルスにより、センサ2か
らは第3図に示す映像信号sNを得る。同図において数
字1〜Mは、垂直走査期間における第1番目の水平走査
期間(1=1.2.・・・、M)の映像信号を表わす。
映像信号SNはA / D変換器4によりアナログ−デ
ジタル変換され、メモリ5に記憶される。メモリ5に記
憶された信号は、メモリ駆動回路7によって時間軸方向
に伸長されて読み出され、D / A変換器6でデジタ
ル−アナログ変換されて拡大映像信号SZを得る。
映像が拡大される様子を以下に詳しく説明する。
まず垂直方向の拡大を説明する。メモリ5には第(7+
1)水平走査期間から第(7M)水平走査期間までの垂
直方向1/2の映像信号を記憶する。
メモリからの読み出し時には第1番目及び第2II目の
水平走査期間において上記第(M+t)水平走査期間の
映像信号を読み出す、以下順に第j番目(j=琶+1.
・・・ 3 M)の映像信号を続けて2回2水平走査期
間に渡って読み出す、これにより、垂直方向2倍に映像
が拡大される。
水平方向の拡大に関しては、水平走査期間の中央1/2
の期間メモリに映像信号を記憶し、読み出し時には記憶
時の1/2の周波数で読み出すことにより、水平方向2
倍に映像が拡大される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は以下の2点について配慮されていなかっ
た。
(1)垂直解像度劣化 (2)  信号飛び越し まず(2)について説明する。第2図におけるセンサ2
の信号読み出しは、フレーム残像を無くすためと、再生
モニタのインタレース走査に対応するために第4図に示
すようにセンサ2の受光部の垂直2行を同時に、しかも
フィールドで組み合わせを変えて読み出している。この
時輝度信号st、t+’rは第を行と@t+1行の信号
を加算して生成される。
したがって、映像拡大時にはメモリ5から奇フィールド
においてStμ+1. SL、t+1. f3t+2μ
+5.8t+2゜t+s・・・・・・、偶フィールドに
おいて84+1 、A+2. SA+1 。
A+2. st+sμ+4.8A+iS、A+4.・・
・・・・ の順に読み出される。これを再生モニタで再
生した場合を第5図に示す、同図において実線は奇フィ
ールドのビーム走査を、破線は偶フィールドのビーム走
査を表わしており・上から順にst、t+1. st+
1.t+2.・・・・・・が表示される。この時、第5
図に示すように、st、t+1. st+1.t+2 
 の順に表示されるべき所がSt+1.t+2. st
、t+1  の順に表示されてしまう、これが信号飛び
越しであり、色信号についても同様な飛び越しが生じる
。これにより被写体の水平エッヂ部の画質を劣化させる
次にfi+の垂直解像酸の劣化について説明する。
吠は拡大時には同一の弾度イ=号を2水平走査期間表示
するので、垂直解像度が大きく劣化してしまう。
本発明の目的は、上述した垂直方向の画像劣化の少ない
映像拡大、すなわち電子ズームを行なえるJt&像装置
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するためには、以下の手段のそれぞれ、
あるいは組み合わせを用いれば良い。
(1)  センサ駆動回路に通常読み出し用の第1のセ
ンサ駆動パルス群を発生する回路と、電子ズーム用の第
2のセンサ駆動パルス群を発生する回路を具備し、セン
サ駆動回路が第1のセンサ駆動パルス群を発生するとセ
ンサからは垂直方向に隣接する奇数行、偶数行の信号を
混合して読み出し、第2のセンサ駆動パルス群を発生す
るとセンサからは奇数行、偶数行の信号がそれぞれ異な
る時間に独立して読み出されるようにする。このセンサ
出力信号をメモリで時系列R換し、奇数行、偶数行の信
号をそれぞれ輝KN号として出力する。
(2)  センサ駆動回路に電子ズーム用駆動回路を付
加し、電子ズーム時にはセンサの各行からの信号読み出
し順序を各フィールドで同一順序とする。
〔作用〕
+11  奇数行、偶数行それぞれの信号を独立した輝
度信号として扱うと、従来例に比べて垂直方向の情報量
が2倍になりs1!子ズーム時の垂直解像度の劣化を抑
えることができる。
(2)  例えば第4図における奇フィールドの組み合
わせで信号をセンサから毎フィールド読み出すと。
第5図における映像信号の表示順序は上から8t。
4+1.87.t+1. SL、t+1. Stμ+1
.8t+2.t+5.8t+2゜t+s、st+2.t
+s、 st+2.t+s・・曲となり、信号飛び越し
か生じない。
一般的には、フィールド画にすることにより、信号の演
算を各フィールドで同一にして信号飛び越しが原理的に
生じないようにしている。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例をff11図により説明する。
同図は前述の手段+11の実施例であり、lOはセンサ
、11は通常読み出し用駆動回路、12は′電子ズーム
用駆動回路、 13はメモリ、14はメ七り駆動回路、
15はスイッチ回路であり、謔2図と共通するものは同
じ番号を付加している。スイッチ回&!115がA側に
接続されている時はスイッチ回wI8もA側に接続され
、通常読み出しされたセンサ出力(a号sNが出力され
る。スイッチ回路15がB側に接続されている時はスイ
ッチ回路8もB側に接続され、電子ズーム用の信号読み
出しされたセンサ出力はA/Di換器4でアナログ−デ
ジタル置換された後、メモリ13で信号の時系列変換を
行ない、D/A変換器6でデジタル−アナログ変換され
て出力される。
第6図にセンサ10の実施例を示す、同図において16
はホトダイオード、17は垂直CCD、18は水平CC
Dである。Pm、n  は第m行第n列のホトダイオー
ドを示し、第m行第n列まであるものとする。第7図に
通常読み出し時及び電子ズーム時の駆動パルス群φv1
〜φv4のタイミングチャートを示す、まず通常読み出
し時の動作を説明する。
時刻t1においてφv3が高レベルになり、偶数行のホ
トダイオードに蓄積した信号は垂直CCD 17のφv
3ステージ(φv5が印加される垂直CCD 17のゲ
ート下)に移る0時刻t、までに上記信号はφv1ステ
ージまで転送され、時刻t、においてφv1が高レベル
になって奇数行のホトダイオードに蓄積した信号はφv
1ステージに移る。したがって、奇数行、偶数行のそれ
ぞれのホトダイオードに蓄積した信号は、時刻t、にお
いてφv1ステージで混合される。その後、1水平期間
毎にφv1ステージにある信号を水平COD 18に転
送し、読み出す。
次に電子ズーム時の動作を説明する。時刻t、において
φv1が高レベルになり奇数行のホトダイオードに蓄積
した信号はφv1ステージに移る0期間T1の間に第(
M/4+1)行の信号が水平C0D18に移るまで垂直
CCD 17内の信号を第6図の上方向に高速に転送す
る。その後、1水平期間毎に1行ずつ信号を読み出し、
第(1M−1)行までの信号を期間T、内に読み出し終
える0期間T、においては、残りの奇数行の信号を第6
図の上方向に高速に転送する。すなわち、期間T、にお
いて奇数行の信号をすべて読み終え、期間T、において
は、2次元状に配置されたホトダイオードのうち、奇数
行でかつ中央部の垂直方向M/4行のホトダイオードに
蓄積した信号が読み出される0次に時刻t4においてφ
v3が高レベルになり、偶数行のホトダイオードに蓄積
した信号はφY5ステージに移る。
以下同様にして期間T4の間に第(τ+2)行の信号が
水平COD 18に移るまで垂直CCD 17内の信号
を第6図の上方向に高速に転送する。その後、1水平期
間毎番こ1行ずつ信号を読み出し、第7M行までの信号
を期間T、内に読み出し終える。期間T、においては、
残りの偶数行の信号を第6図の上方向に高速に転送する
。すなわち、期間T、において偶数行の信号をすべて読
み終え、期間Tl+においては、2次元状に配置された
ホトダイオードのうち、偶数行でかつ中央部の垂直方向
M/4行のホトダイオードに蓄積した信号が読み出され
る。
メモリ13には期間T、において読み出される奇数行の
信号と、期間T、において読み出される偶数行の信号を
記憶し、メモリ13から読み出す際には奇数行、偶数行
の順に読み出す。
第8図にセンサ10の別の実施例を示す。同図において
19はMO8スイッチ、20は定電圧源である。
第8図の実施例は、第6図の実施例において垂直方向@
1行から第N性、および第(−uM+1)行から第N性
までのホトダイオードに蓄積した信号をMOSスイッチ
19を通して外部に掃き出せるようにしたものである。
第8図の実施例の通常読み出し時の動作は第6図と同じ
であるので、゛電子ズーム時の動作につき第9図の電子
ズーム用駆動パルス群φv1〜φV4 、φ、のタイミ
ングチャートを用いて説明する0時刻t、においてφ3
 を高レベルにしてMOSスイッチ19fd−導通状態
にし、第1行M3 から第1行および第(7M+1)行から第M行までのホ
トダイオードに蓄積した13号を掃き出す。
次の時刻t、において奇数行のホトダイオードに蓄積し
た信号をφv1ステージに移す。この時、上記掃き出し
により、第(4+ 1 )行から第(7M−1)行まで
のホトダイオードに蓄積した信号のみφv1ステージに
移る。期間T、および期間TIOにおける動作は第7図
の期間T、および期間−の動作と同じである。期間ip
、。が終了すると第(7M−1)行までのホトダイオー
ドに蓄積した信号はすべて読み出し終えるので、垂直C
CD 17には1g号が無い。したがって期間’I’t
o の終了に続く時刻t、で上記信号掃き出しをした後
、時刻t、で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号を
φv3ステージに移すCとができる。次の期間T111
期間’I’it の動作は第7図の期間T41期間T、
と同じである1本実施例では期間’rto において読
み出される奇数行の16号と、期間T、2 において読
み出される偶数行の信号をメモリー3に記憶し、メモリ
ー3から読み出す際には奇数行、偶数行の順に読み出せ
ばよい0本実施例によると、第7図における期間T、と
期間T6の高速転送が不要になる。
第10図にセンサ10の別の実施例を示す、同図におい
て21は垂直CODであり、第6図と比較してホトダイ
オード16に隣接していないステージ(蓄積ステージと
呼ぶ)を有する。通常読み出し時の動作は第7図(a)
の時刻1.の後に同図(blの期間T、における高速転
送が加わるだけである。電子ズーム時の動作を、第11
図のタイミングチャートを用いて説明する。時刻t、に
おいて奇数行のホトダイオードに蓄積した信号を垂直C
CD 21のφv1ステージに移し1期間T□内にすべ
て蓄積ステージに転送する。したがって、期間T1.が
終了する時には、ホトダイオ−ド16に隣接しているス
テージには信号が無いので、時刻t1゜で偶数行のホト
ダイオードに蓄積した信号をφv5ステージに移すこと
ができる。期間Tta では、第(M/4+1)行の信
号が水平COD 18に移るまで垂直CCD21内の信
号を第10図の上方向に高速に転送する。その後、1水
平期間毎に1行ずつ信号を読み出し、第(−M−1)行
までの信号を期間TI? 内に読み出し終える。期間T
i11 においては残りの奇数行および偶数行のうぢの
第1行までの1百号を第10図の上方向に高速に転送し
、最後に第(?+2)行の信号を水平CCD 18まで
転送する。期間TIQ においては1水平期間毎に1行
ずつ信号を読み出し、第3M行よでの信号を読み出し終
える6本実施例では期間′r、7 において城み出され
る奇数行の信号と1期間′r19 において読み出され
る偶数行の信号をメモリ13に記憶し、メモリー3から
読み出す際には奇数行。
偶数行の順に読み出せばよい0本実施例によると奇数行
のホトダイオードに蓄積した信号を当直CCD21に転
送する時刻t、と、偶数行のホトダイオードに蓄積した
信号を垂直CCD 21に転送する時刻tto  との
時間差を小さくできるので、動く被写体を電子ズームす
る時に有効である。
なお、第10図の実施例に第8図に示した掃き出し部を
設けることもでき、その時には蓄積ステージ数、および
第11図の期間TIIA期間T1゜における高速パルス
数を削減することができる。
センサlOの更に別の実施例を第12図に示す、同図に
おいて36はホトダイオード、37は垂直CCD%38
は水平CCDである。第13図のタイミングチャートを
用いて動作を説明する。第13図(alは通常読み出し
時のパルス群のタイミングチャートである。
時刻tll でホトダイオード36に蓄積した信号をす
べて垂直CCD 37のφY1ステージに移す。時刻t
xtにおいて奇数行のホトダイオードに蓄積した信号が
水平CCD 38のφH1ステージに移り、時刻t1B
で偶数行のホトダイオードに蓄積した信号が水平〇CD
38のφH1ステージに移る。すなわち、時刻tu に
おいて垂直方向に隣接する2行の信号がφH1ステージ
で混合される。この混合された信号は期間T、o にお
いて順次外部に出力される。続(時刻t14 m (I
Iにおいて次の奇数行、偶数行の信号がφH1ステージ
に移され、期間’I’tt で順次外部に出力される。
以下繰り返してすべてのホトダイオードに蓄積した信号
を読み出す。
第13図(blは電子ズーム時のセンサ駆動パルス群・
   M を示す。第1行かり第−行までと、第(−uM+t)行
から第M行までの信号を高速に読み出すための高速パル
スは省略している。時刻tta で奇数行の信号のみを
φH1ステージに移し、期間T1.で順次外部に読み出
した後、時刻111 で偶数行の信号のみをφH1ステ
ージに移し、期間T□で順次外部に読み出す。本″41
.m例によるとすべてのホトダイオードに蓄積した信号
を同時に垂直CODに転送するので、動く被写体番こ対
しても解像度の劣化がな行までと第(、S M+ 1)
行から第M行までの信号を掃き出す出力にもできる。
以上は特に輝度信号に着目した実施例であり、色信号に
も着目した実施例を第14図に示す、同図において21
は検波回路、22は遅延回路、詔はメモリ、冴はメモリ
駆動回路、25はD/人変換器、26は検波回路、27
は減算回路、28は加算回路、29〜34はスイッチ回
路、35はローパスフィルタでアル。
第1図と共通なものは同一符号を付けている。センサー
0の色フィルタが第15図に示す配置である場合の各部
の信号81〜S、及び輝度信号Y2色信号のうちの赤信
号几、青信号Bを第16図に示して動作を説明する。
まず通常読み出し時にはスイッチ回路29〜32はA側
に接続される。この時センサ10は垂直方向に隣接する
2行の信号を混合して読み出すので、信号S1は期間’
rtaでw+cyとg+yeが交互に読み出され、期間
T!、でw+y6とg+C,が交互に読み出される。こ
こでw 、Cys g mYeはそれぞれWフィルタ、
Cyフィルタ、Gフィルタ、Y6フイルタのホトダイオ
ードから得られる信号で、 と表わせる。したがって、信号S1をローパスフィルタ
35で帯域制限すれば Y=w+Cy+g+y6=2r+4g+2bの輝度信号
を得る。一方、信号Slを検波回路21で検波すること
により期間T24 では Ss =(w+cy )−(g+ye )=2bの信号
を得、期間T2.では S、 =(w+ye )−(g+cy )=zrの信号
を得る。したがって、信号S、を遅延回路22で1水平
期間遅延させた信号S、と信号S、をスイッチ回路で選
択することにより、ル= 2 r 、 B = 2bの
色信号を得る。
電子ズーム時にはスイッチ回路29〜32はB側に接続
され、センサ10からは奇数行、偶数行の信号が独立し
、て読み出され、人/D変換器4でアナログデジタル変
換されてメモリ23に記憶される。メモリ23からは期
間T、6 に第m行の信号と@ (m −1)行の信号
が並列に読み出され、期間’rtt に第(m+1)行
と第m行の信号が並列に読み出される。これをD/h変
換器26でデジタル−アナログ変換して得られる信号S
、、S、はそれぞれ期間T26においてWとgmCyと
y6が交互に、期間T4 ではCyとYe+Wとgが交
互に繰り返す信号となる。したがって、信号S、をロー
パスフィルタ35で帯域制限すると Y=w+g=Cy+y6=r + 2g+b    −
fllの輝度信号を得る。一方、信号84*8fiを検
波回路26で検波すると期間’ru で86=w −g
 # 51=Cy−Yes期間’rtyで86=C7Y
e + 8.= Wgを得るので、信号S・+S?を減
算回路27.加算回路28で減算。
加算することによりR=2rjB=2bの色信号を得る
。ここで、+11式のように毎水平期間同じ原色信号の
出力比で輝度信号が得られるのは、奇数行、偶数行の分
光感度が等しくなる色フィルタを選んでいるためであり
、第10図に示す色フイルタ配列以外でもモワレ抑圧の
観点から一般に(1)式が成り立つ色フィルタ出力を取
る。また、本実施例の大きな特長は、電子ズーム時に2
行の信号から色信号を生成している点である。通常読み
出し時には4行の信号から色信号を生成するので、色信
号についても′R度倍信号同様電子ズームによる垂直解
像度の劣化を抑えられる。
次に手段(2)の実施例を示す、第17図は第6図に示
す出力のセンサの駆動パルス群の例である。通常読み出
し時の奇フィールドにおいては時刻txaで偶数行の信
号をφv3ステージに移し、その信号を第6図上方向に
転送してφv1ステージまで移す。
その後時刻t1.で奇数行の信号をφv1ステージに移
す。したがって、奇数行の信号は下側に隣接する偶数行
の信号と混合する。偶フィールドにおいては時刻t9 
で奇数行の信号をφv1ステージに移し、その信号を第
6図上方向に転送してφv3ステージまで移す、その後
、時刻ttl で偶数行の信号をφv5ステージに移す
。したがって、奇数行の信号は上側に隣接する偶数行の
信号と混合する。したがって、電子ズーム時は、第17
図の奇フィールドあるいは偶フィールドのいずれか片方
に示すタイミングチャートのセンサ駆動パルス群を両フ
ィールドとも発生する電子ズーム用駆動回路でセンサを
駆動すれば良い。
第18図に別の実施例を示す、同図において36は水平
シフトレジスタ、37は垂直シフトレジスタ、38はイ
ンタレース用MOSスイッチ、39はホトダイオード、
40は垂直MOSスイッチ%41は水平MOSスイッチ
、42は行選択MOSスイッチである。
第19図に駆動パルス群の例を示す、φ7.で囲まれた
φv1を基準としてφi、φ3.・・・・・・が垂直シ
フトレジスタ37から出力され、φA、φB の極性に
よりφ五jはφiかφjのいずれかと等しくなる。した
がって、第19図では奇フィールドで奇数行とその下の
偶数行がMO8スイッチ40〜42で同時に選択され、
偶フィールドで奇数行とその上の偶数行が同時に選択さ
れる。よって、電子ズーム時にはφノ、φB がツレツ
レローレベルとハイレベル、アルいはハイレベルとロー
レベルとなる電子ズーム用駆動回路でセンサを駆動すれ
ば良い。
電子ズーム時に両フィールドとも同じ駆動パルス群でセ
ンサを駆動し、センサの各行からの信号読み出し順序を
両フィールドで揃えることを第16図までの実施例に適
用することは容易で、その場合、メモリへの信号書き込
み、読み出し順序も両フィールドで揃えることができる
ので、メモリ駆動回路の出力を簡素化することができる
〔発明の効果〕
本発明によれば、垂直解像度の劣化を抑え、信号飛び越
しによろ垂直エッヂ部の画質劣化を抑えた成子ズームが
C’T屈な?fi 11装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の原理のブロック凶、8g2図
〜第5図は従来例を説明する図、謁6凶。 第7図は41図の出力内の駆動パルスのタイミングチャ
ートの具体例を示す図、粛81凶、褐9凶はセンサの別
の具体tIJを示す凶、第1噛、第11凶はセンサのさ
らに別の具体例を示す凶、第12凶、第1塁はさらにま
た別の具体例を示す凶、第14図は本発明の装置の別の
冥17ai列を示す図、第15図は七ン丈の色フィルタ
の出力例図、第16図は第14凶を説明するための図、
l517凶は本発明の別の実施1内を示す図、第18図
、第19図は本発明のさらに別の実例例を示す図である
。 10・・・センサ 12・・・電子ズーム用駆動回路 11°ifi読″″礼、+imstam    、。 15.25・・・メモリ i6図 1’l璽旦CCD

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2次元状にホトダイオード(16)が配列された固
    体撮像素子(10)と、 該固体撮像素子(10)を駆動する第1の駆動回路(1
    1)及び第2の駆動回路(12)と、上記固体撮像素子
    (10)から出力される信号を記憶するメモリ(13、
    23)を具備し、 上記第1の駆動回路(11)から出力する第1の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給することによ
    り、上記ホトダイオード(16)の配列内で垂直方向に
    隣接する2つのホトダイオードに蓄積した信号を混合し
    て読み出し、 上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給することによ
    り、上記2つのホトダイオードに蓄積した信号を個別に
    読み出し、 上記個別に読み出した信号の時系列を上記メモリ(13
    、23)で変えることを特徴とする撮像装置。 2、2次元状にホトダイオード(16)が配列された固
    体撮像素子(10)と、 該固体撮像素子(10)を駆動する第1の駆動回路(1
    1)及び第2の駆動回路(12)と、上記固体撮像素子
    (10)から出力される信号を記憶するメモリ(13、
    23)を具備し、 上記第1の駆動回路(11)から出力する第1の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給することによ
    り、上記ホトダイオード(16)に蓄積した信号を奇数
    フィールド、偶数フィールドでそれぞれ異なる時系列で
    上記固体撮像素子(10)から出力し、 上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給することによ
    り、上記ホトダイオード(16)に蓄積した信号を奇数
    フィールド、偶数フィールドとも同じ時系列で上記固体
    撮像素子(10)から出力することを特徴とする撮像装
    置。 3、上記第1の駆動回路(11)から出力される第1の
    駆動パルス群を上記固体撮像素子(10)に供給した場
    合には、垂直方向2行の上記ホトダイオード(16)に
    蓄積した信号を1単位として輝度信号を生成し、 上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給した場合には
    、垂直方向1行の上記ホトダイオード(16)に蓄積し
    た信号を1単位として輝度信号を生成する請求項1また
    は請求項2に記載の撮像装置。 4、上記第1の駆動回路(11)から出力する第1の駆
    動パルス群を上記固体撮像素子(10)に供給した場合
    には、垂直方向4行の上記ホトダイオード(16)に蓄
    積した信号を1単位として色信号を生成し、 上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆動パ
    ルス群を上記固体撮像素子(10)に供給した場合には
    、垂直方向2行の上記ホトダイオード(16)に蓄積し
    た信号を1単位として色信号を生成する請求項1、2、
    または3に記載の撮像装置。 5、上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆
    動パルス群を上記固体撮像素子(10)に供給すること
    により、奇数行あるいは偶数行いずれかの行の上記ホト
    ダイオード(16)に蓄積した信号を上記固体撮像素子
    (10)から出力し終えたのち、残りの行の上記ホトダ
    イオード(16)に蓄積した信号を上記固体撮像素子(
    10)から出力する請求項1、2、3、または4に記載
    の撮像装置。 6、上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆
    動パルス群を上記固体撮像素子(10)に供給すること
    により、奇数行、偶数行の上記ホトダイオード(16)
    に蓄積した信号を交互に上記素子(10)から出力する
    請求項1、2、3、または4に記載の撮像装置。 7、上記固体撮像素子(10)に配列した全ホトダイオ
    ードのうちの一部のホトダイオードに蓄積した信号を、
    上記信号読み出しとは別経路で読み出す請求項1、2、
    3、4、5、または6に記載の撮像装置。 8、上記第2の駆動回路(12)から出力する第2の駆
    動パルス群を上記固体撮像素子(10)に供給した場合
    には、上記固体撮像素子(10)に配列した全ホトダイ
    オードの水平及び垂直それぞれ半分の領域のホトダイオ
    ードに蓄積した信号のみを上記メモリ(13、23)か
    ら出力し、電子的にズームを行う請求項1、2、3、4
    、5、6、または7に記載の撮像装置。
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