JP2515032B2 - 半導体装置用リ―ドフレ―ム - Google Patents
半導体装置用リ―ドフレ―ムInfo
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- JP2515032B2 JP2515032B2 JP2102135A JP10213590A JP2515032B2 JP 2515032 B2 JP2515032 B2 JP 2515032B2 JP 2102135 A JP2102135 A JP 2102135A JP 10213590 A JP10213590 A JP 10213590A JP 2515032 B2 JP2515032 B2 JP 2515032B2
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置用リードフレームに関する。
（従来の技術） 第４図及び第５図は、DIP（dual−in−line packag
e）タイプやSOJ（small−out line J−Leaded packag
e）タイプの半導体装置の構成部品としてのリードフレ
ームの一部を示す平面図である。これらの図においては
インナーリードは図示を省略している。
e）タイプやSOJ（small−out line J−Leaded packag
e）タイプの半導体装置の構成部品としてのリードフレ
ームの一部を示す平面図である。これらの図においては
インナーリードは図示を省略している。
第４図において、対向する一対の枠部1,1から内側に
タイバー3,3が延び、それらのタイバー3,3によってアイ
ランド４が支持されている。このアイランド４上には半
導体チップ５がマウントされる。その状態においてチッ
プ５とインナーリードとがボンディングされる。この
後、チップ５と、アイランド４と、インナーリード及び
タイバー3,3のインナー端とがモールド樹脂７によって
モールドされる。
タイバー3,3が延び、それらのタイバー3,3によってアイ
ランド４が支持されている。このアイランド４上には半
導体チップ５がマウントされる。その状態においてチッ
プ５とインナーリードとがボンディングされる。この
後、チップ５と、アイランド４と、インナーリード及び
タイバー3,3のインナー端とがモールド樹脂７によって
モールドされる。
第５図は、タイバーの形状の異種例を示すものであ
る。ここにおけるタイバー３は、枠部１から２本の支持
片3A,3Aが延び、それらが合わさって１本の支持片3Bと
なり、この支持片3Bがアイランド４に一体化されてい
る。
る。ここにおけるタイバー３は、枠部１から２本の支持
片3A,3Aが延び、それらが合わさって１本の支持片3Bと
なり、この支持片3Bがアイランド４に一体化されてい
る。
前記モールディングは第６図からわかるように、以下
のようにして行われる。即ち、ボンディング後のチップ
５やアイランド４等を金型で挟む。この金型は樹脂注入
口（ゲート）９とそれに連通するキャビティ10を有す
る。このゲート９からモールド樹脂７を溶融状態のまま
流入させる。第６図は、樹脂７がキャビティ10の途中ま
で入りかけた状態を示している。この後、樹脂７はキャ
ビティ10内の全域に入り込んで、モールディングが行わ
れる。
のようにして行われる。即ち、ボンディング後のチップ
５やアイランド４等を金型で挟む。この金型は樹脂注入
口（ゲート）９とそれに連通するキャビティ10を有す
る。このゲート９からモールド樹脂７を溶融状態のまま
流入させる。第６図は、樹脂７がキャビティ10の途中ま
で入りかけた状態を示している。この後、樹脂７はキャ
ビティ10内の全域に入り込んで、モールディングが行わ
れる。
（発明が解決しようとする課題） 樹脂７がゲート９から入り込む途中の第６図の状態に
おいては、樹脂７がアイランド４がチップ５の端面に当
り、それらをタイバー３のまわりに捩ることがある。チ
ップ５やアイランド４の大型化に伴って、流入する樹脂
量が増大し且つ流入速度も大きくなる。このため、チッ
プ５等の大型化に伴って、上記捩りの問題はより大きく
なる。第７図は、チップ５及びアイランド６がタイバー
3,3のまわりに角度θだけ捩られた状態でモールディン
グされた半導体装置の一例を、第６図のVII−VII線断面
に相当する模式図として表わしたものである。この第７
図からわかるように、チップ５及びアイランド４が捩れ
た状態にあるときには、固化した樹脂７中の応力状態が
不均一となり、最悪の場合にはクラック11が生じる。
（なお、第７図中の12は、リードを示す。） 本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的
は、半導体装置の製造過程としての特にモールディング
時に、チップをマウントしたアイランドがタイバーのま
わりに捩られるおそれのない半導体装置用リードフレー
ムを提供することにある。
おいては、樹脂７がアイランド４がチップ５の端面に当
り、それらをタイバー３のまわりに捩ることがある。チ
ップ５やアイランド４の大型化に伴って、流入する樹脂
量が増大し且つ流入速度も大きくなる。このため、チッ
プ５等の大型化に伴って、上記捩りの問題はより大きく
なる。第７図は、チップ５及びアイランド６がタイバー
3,3のまわりに角度θだけ捩られた状態でモールディン
グされた半導体装置の一例を、第６図のVII−VII線断面
に相当する模式図として表わしたものである。この第７
図からわかるように、チップ５及びアイランド４が捩れ
た状態にあるときには、固化した樹脂７中の応力状態が
不均一となり、最悪の場合にはクラック11が生じる。
（なお、第７図中の12は、リードを示す。） 本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的
は、半導体装置の製造過程としての特にモールディング
時に、チップをマウントしたアイランドがタイバーのま
わりに捩られるおそれのない半導体装置用リードフレー
ムを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明の第１のリードフレームは、所定の間隔で対向
する第１及び第２の枠部と、それらの第１及び第２の枠
部に挟まれた位置に設けられ、半導体チップがマウント
される、アイランドと、前記第１の枠部と、その第１の
枠部と対向する前記アイランドの辺とを一体に連結する
一対のタイバーであって、タイバーの幅方向に所定間隔
をおいて形成された一対のタイバーと、前記第２の枠部
と、その第２の枠部と対向する前記アイランドの辺とを
一体に連結する一対のタイバーであって、タイバーの幅
方向に所定間隔をおいて形成された一対のタイバーと、
を備え、前記第１及び第２の枠部にそれぞれ連結された
前記一対のタイバー同士はそれらのタイバーの長手方向
に対して横向きのブリッジによってそれぞれ連結されて
おり、さらにこれら一対のタイバーはそれ自体が独立し
た形に形成されて他のタイバーやリード等のその他の部
位、部材に対して連結されることなく自由になっている
ことを備えるものとして構成される。
する第１及び第２の枠部と、それらの第１及び第２の枠
部に挟まれた位置に設けられ、半導体チップがマウント
される、アイランドと、前記第１の枠部と、その第１の
枠部と対向する前記アイランドの辺とを一体に連結する
一対のタイバーであって、タイバーの幅方向に所定間隔
をおいて形成された一対のタイバーと、前記第２の枠部
と、その第２の枠部と対向する前記アイランドの辺とを
一体に連結する一対のタイバーであって、タイバーの幅
方向に所定間隔をおいて形成された一対のタイバーと、
を備え、前記第１及び第２の枠部にそれぞれ連結された
前記一対のタイバー同士はそれらのタイバーの長手方向
に対して横向きのブリッジによってそれぞれ連結されて
おり、さらにこれら一対のタイバーはそれ自体が独立し
た形に形成されて他のタイバーやリード等のその他の部
位、部材に対して連結されることなく自由になっている
ことを備えるものとして構成される。
本発明の第２のリードフレームは、前記第１のリード
フレームにおいて、前記第１及び第２の枠部のそれぞれ
の内側辺に溝を形成し、前記溝の底部から前記タイバー
が前記アイランドに向けて延成されており、前記タイバ
ーの両側にそれぞれスリット形成されているものとして
構成される。
フレームにおいて、前記第１及び第２の枠部のそれぞれ
の内側辺に溝を形成し、前記溝の底部から前記タイバー
が前記アイランドに向けて延成されており、前記タイバ
ーの両側にそれぞれスリット形成されているものとして
構成される。
本発明の第３のリードフレームは、前記第１又は第２
のリードフレームにおいて、前記第１及び第２の枠部に
それぞれ連結された一対のタイバー同士間にそれぞれ舌
片を有し、各舌片は、前記アイランドに向けて延成され
た突起片を有するものとして構成される。
のリードフレームにおいて、前記第１及び第２の枠部に
それぞれ連結された一対のタイバー同士間にそれぞれ舌
片を有し、各舌片は、前記アイランドに向けて延成され
た突起片を有するものとして構成される。
（作 用） タイバーとして２本のタイバーを所定の間隔をもって
離して形成したものを用いているので、樹脂モールディ
ング時においても、アイランドはタイバーのまわりに捩
られるのが有効に防がれる。これにより、固化後の樹脂
にクラックが生じるのも有効に抑制される。上記２本の
タイバーを横向きのブリッジで連結した場合において
は、その捩れがさらに有効に抑制され、且つリードフレ
ームの変形もより効果的に防止される。また、第１及び
第２の枠部においてタイバーの両側に隙間（スリット）
を設けて、タイバーを、フレーム自体の大型化を避けつ
つ、長尺化でき、これによりタイバーの剛性が低下す
る。これにより、半導体装置の製造工程中においてタイ
バー及びアイランドの湾曲を防いで、より平坦な状態で
アイランド及びチップをモールディングすることができ
る。さらに、一対のタイバー間の舌片に突起を設けたも
のにおいては、その突起がモールド樹脂中にモールドさ
れることとなり、製造工程中における舌片の湾曲を防い
で、より信頼性の高い製品が得られる。
離して形成したものを用いているので、樹脂モールディ
ング時においても、アイランドはタイバーのまわりに捩
られるのが有効に防がれる。これにより、固化後の樹脂
にクラックが生じるのも有効に抑制される。上記２本の
タイバーを横向きのブリッジで連結した場合において
は、その捩れがさらに有効に抑制され、且つリードフレ
ームの変形もより効果的に防止される。また、第１及び
第２の枠部においてタイバーの両側に隙間（スリット）
を設けて、タイバーを、フレーム自体の大型化を避けつ
つ、長尺化でき、これによりタイバーの剛性が低下す
る。これにより、半導体装置の製造工程中においてタイ
バー及びアイランドの湾曲を防いで、より平坦な状態で
アイランド及びチップをモールディングすることができ
る。さらに、一対のタイバー間の舌片に突起を設けたも
のにおいては、その突起がモールド樹脂中にモールドさ
れることとなり、製造工程中における舌片の湾曲を防い
で、より信頼性の高い製品が得られる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例の要部を示す平面図であ
る。枠部１の内側に案内板20を挟んで２つの溝21,21を
設け、それらの溝21,21の底部からそれぞれタイバー22
を内側に延成し、それらのタイバー22,22によってアイ
ランド４の短辺を支持している。上記案内板20は、その
先端面がモールドラインに沿って設けられたもので、流
入樹脂の洩れを防ぐものである。タイバー22,22の位置
（間隔W1）は、内部リードの設計とも関係するため、一
概には決定できない。しかしながら、アイランド４の捩
れ（回転）を防止するためには、２本のタイバー22,22
の間隔W1は、タイバー22の太さW2の２倍以上とするのが
望ましい。タイバー22の両側の溝（スリット）21A,21A
の幅W3は、タイバー22の太さW2とほぼ同じ幅とするのが
望ましい。舌片板20の幅W4は、タイバー22の太さW2と同
等乃至３倍程度の幅とするのが望ましい。２本のタイバ
ー22,22は必ずしも平行である必要はないが、交差しな
いものであればよい。例えば、溝幅W3を0.2〜0.6mmと
し、溝と溝との距離（タイバー22の太さ）W2を0.2〜0.6
mmとすればよい。
る。枠部１の内側に案内板20を挟んで２つの溝21,21を
設け、それらの溝21,21の底部からそれぞれタイバー22
を内側に延成し、それらのタイバー22,22によってアイ
ランド４の短辺を支持している。上記案内板20は、その
先端面がモールドラインに沿って設けられたもので、流
入樹脂の洩れを防ぐものである。タイバー22,22の位置
（間隔W1）は、内部リードの設計とも関係するため、一
概には決定できない。しかしながら、アイランド４の捩
れ（回転）を防止するためには、２本のタイバー22,22
の間隔W1は、タイバー22の太さW2の２倍以上とするのが
望ましい。タイバー22の両側の溝（スリット）21A,21A
の幅W3は、タイバー22の太さW2とほぼ同じ幅とするのが
望ましい。舌片板20の幅W4は、タイバー22の太さW2と同
等乃至３倍程度の幅とするのが望ましい。２本のタイバ
ー22,22は必ずしも平行である必要はないが、交差しな
いものであればよい。例えば、溝幅W3を0.2〜0.6mmと
し、溝と溝との距離（タイバー22の太さ）W2を0.2〜0.6
mmとすればよい。
第２図は、第１図の舌片20の先端にさらに突起24を延
成した第２実施例を示す。この突起24によって、例えば
モールド時等に舌片20が変形するのが有効に防止され
る。
成した第２実施例を示す。この突起24によって、例えば
モールド時等に舌片20が変形するのが有効に防止され
る。
第３図は、本発明の第３実施例を示す。ここにおいて
は、２本のタイバー22,22間をブリッジ26で連結してい
る。これにより、モールド成形時のアイランドの回転が
より効果的に抑止され、且つフレームの変形がより効果
的に抑えられる。
は、２本のタイバー22,22間をブリッジ26で連結してい
る。これにより、モールド成形時のアイランドの回転が
より効果的に抑止され、且つフレームの変形がより効果
的に抑えられる。
本発明の実施例によれば、以下の効果がられる。即
ち、タイバーの両側にスリットを設けてタイバーを、フ
レームの大型化を避けつつ、実質上長尺化することがで
きる。この長尺化により、タイバーの剛性を低下させ
て、ダイボンディング時のチップの反り、あるいはワイ
ヤボンディング時の枠の保持に伴う枠の変形等をそれぞ
れ防いで、より適正な半導体装置を得ることができる。
さらに、一対のタイバー間に舌片が形成されているが、
その舌片に突起を形成して、その突起がモールド樹脂中
にモールドされるようにしたので、舌片が片持ち梁とし
て作用して成形時やバリ除去工程時にめくれるような変
形をするのを防いで、リードのフォーミング時に搬送ミ
スを起すのを防ぐことができる。
ち、タイバーの両側にスリットを設けてタイバーを、フ
レームの大型化を避けつつ、実質上長尺化することがで
きる。この長尺化により、タイバーの剛性を低下させ
て、ダイボンディング時のチップの反り、あるいはワイ
ヤボンディング時の枠の保持に伴う枠の変形等をそれぞ
れ防いで、より適正な半導体装置を得ることができる。
さらに、一対のタイバー間に舌片が形成されているが、
その舌片に突起を形成して、その突起がモールド樹脂中
にモールドされるようにしたので、舌片が片持ち梁とし
て作用して成形時やバリ除去工程時にめくれるような変
形をするのを防いで、リードのフォーミング時に搬送ミ
スを起すのを防ぐことができる。
次に、上記した本発明の実施例の効果を確認するため
に行った実験結果について説明する。
に行った実験結果について説明する。
第１表は、第２図の本発明の実施例と第４図の従来品
とにおけるモールド成形時の捩れの角度θ（第７図参
照）を比較して示すものである。
とにおけるモールド成形時の捩れの角度θ（第７図参
照）を比較して示すものである。
この第１表からわかるように、本発明の実施例によれ
ば、捩れの角度θを著しく小さなものに抑えることがで
きる。
ば、捩れの角度θを著しく小さなものに抑えることがで
きる。
第２表は、上記の２つのものの基板への実装試験時に
おいて、全製品数に対するクラック（第７図の11参照）
発生品数を示す。この試験においては、パッケージを85
℃/85％RHに曝し、水分量（吸湿量）が飽和するまで215
℃のフロリナート（商品名）中に２分間浸漬した。本発
明の実施例による製品を20個製造した場合において、ク
ラックの発生したものはなかった。これに対し、従来品
として20個製造した場合において、そのうちの11個にク
ラックが発生した。この第２表からも、本発明の実施例
によれば、クラック発生を実質上抑えることができるの
がわかる。
おいて、全製品数に対するクラック（第７図の11参照）
発生品数を示す。この試験においては、パッケージを85
℃/85％RHに曝し、水分量（吸湿量）が飽和するまで215
℃のフロリナート（商品名）中に２分間浸漬した。本発
明の実施例による製品を20個製造した場合において、ク
ラックの発生したものはなかった。これに対し、従来品
として20個製造した場合において、そのうちの11個にク
ラックが発生した。この第２表からも、本発明の実施例
によれば、クラック発生を実質上抑えることができるの
がわかる。
〔発明の効果〕 本発明によれば、タイバーとして２本のタイバーから
成るものを用いたので、モールド成形時にアイランド
（チップ）が捩られるのを防止して、固化した樹脂にク
ラックが発生するのを有効に防止することができる。さ
らに本発明によれば、アイランドを支持する一対のタイ
バーをブリッジによって互いに連結して一体としている
ものの、一体とした一対のタイバーはそれ自体を他のタ
イバーやフレーム等の他の部位に対しては連結すること
なく自由（フリー）しているので、アイランドに生じる
応力を有効に緩和できると共にモールド後の切断、加工
時にこの一対のタイバーの他の部位からの切り離しが必
要なく、上記切断、加工を容易なものとすることができ
る。
成るものを用いたので、モールド成形時にアイランド
（チップ）が捩られるのを防止して、固化した樹脂にク
ラックが発生するのを有効に防止することができる。さ
らに本発明によれば、アイランドを支持する一対のタイ
バーをブリッジによって互いに連結して一体としている
ものの、一体とした一対のタイバーはそれ自体を他のタ
イバーやフレーム等の他の部位に対しては連結すること
なく自由（フリー）しているので、アイランドに生じる
応力を有効に緩和できると共にモールド後の切断、加工
時にこの一対のタイバーの他の部位からの切り離しが必
要なく、上記切断、加工を容易なものとすることができ
る。
第１図〜第３図は本発明のリードフレームの第１〜第３
実施例の部分平面図、第４図及び第５図はそれぞれ異な
る従来例の部分平面図、第６図はモールド成形時の樹脂
注入の様子を示す説明図、第７図はアイランド及びチッ
プの捩れを示す説明図である。 １……枠部、４……アイランド、21……溝、21A……ス
リット、22……タイバー、26……ブリッジ。
実施例の部分平面図、第４図及び第５図はそれぞれ異な
る従来例の部分平面図、第６図はモールド成形時の樹脂
注入の様子を示す説明図、第７図はアイランド及びチッ
プの捩れを示す説明図である。 １……枠部、４……アイランド、21……溝、21A……ス
リット、22……タイバー、26……ブリッジ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−23351（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−12955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−245556（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−160956（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−179756（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−162837（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−27057（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭54−113370（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】所定の間隔で対向する第１及び第２の枠部
と、 それらの第１及び第２の枠部に挟まれた位置に設けら
れ、半導体チップがマウントされる、アイランドと、 前記第１の枠部と、その第１の枠部と対向する前記アイ
ランドの辺とを一体に連結する一対のタイバーであっ
て、タイバーの幅方向に所定間隔をおいて形成された一
対のタイバーと、 前記第２の枠部と、その第２の枠部と対向する前記アイ
ランドの辺とを一体に連結する一対のタイバーであっ
て、タイバーの幅方向に所定間隔をおいて形成された一
対のタイバーと、 を備え、 前記第１及び第２の枠部にそれぞれ連結された前記一対
のタイバー同士はそれらのタイバーの長手方向に対して
横向きのブリッジによってそれぞれ連結されており、さ
らにこれら一対のタイバーはそれ自体が独立した形に形
成されて他のタイバーやリード等のその他の部位、部材
に対して連結されることなく自由になっていることを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】前記第１及び第２の枠部のそれぞれの内側
辺に溝を形成し、前記溝の底部から前記タイバーが前記
アイランドに向けて延成されており、前記タイバーの両
側にそれぞれスリットが形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】前記第１及び第２の枠部にそれぞれ連結さ
れた一対のタイバー同士間にそれぞれ舌片を有し、各舌
片は、前記アイランドに向けて延成された突起片を有す
ることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用
リードフレーム。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102135A JP2515032B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
| US07/685,920 US5162895A (en) | 1990-04-18 | 1991-04-16 | Lead frame for semiconductor device that prevents island torsion |
| EP95110184A EP0676807B1 (en) | 1990-04-18 | 1991-04-17 | Lead frame for semiconductor device |
| DE69125200T DE69125200T2 (de) | 1990-04-18 | 1991-04-17 | Leiterrahmen für Halbleiteranordnung |
| KR1019910006127A KR950006437B1 (ko) | 1990-04-18 | 1991-04-17 | 반도체 장치용 리드 프레임 |
| DE69514268T DE69514268T2 (de) | 1990-04-18 | 1991-04-17 | Leiterrahmen für Halbleiteranordnung |
| EP91106136A EP0452903B1 (en) | 1990-04-18 | 1991-04-17 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102135A JP2515032B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04750A JPH04750A (ja) | 1992-01-06 |
| JP2515032B2 true JP2515032B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=14319325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102135A Expired - Fee Related JP2515032B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5162895A (ja) |
| EP (2) | EP0452903B1 (ja) |
| JP (1) | JP2515032B2 (ja) |
| KR (1) | KR950006437B1 (ja) |
| DE (2) | DE69125200T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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