JPS61160956A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61160956A JPS61160956A JP111285A JP111285A JPS61160956A JP S61160956 A JPS61160956 A JP S61160956A JP 111285 A JP111285 A JP 111285A JP 111285 A JP111285 A JP 111285A JP S61160956 A JPS61160956 A JP S61160956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- island
- lead
- buffer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は緩衝機能を有する緩衝体を具備した半導体装置
に関する。
に関する。
（ロ）従来の技術
素子形成を終了した半導体ペレットをモールドした半導
体装置、特にデ為アルインライン（以下ＤＩＰと略す。
体装置、特にデ為アルインライン（以下ＤＩＰと略す。
）Ｗ半導体装置では一般に第４図に示すようなリードフ
レームを用いて製造される。
レームを用いて製造される。
すなわち略中央部処ブイランド（４）が設けられ、その
周辺に先端を近接する如く多数のリード（５）が設けら
れ、これらをアイランドタイバー（６）、リードタイバ
ー（７）でそれぞれ支持フレーム＋８）に保持された形
状を有している。そしてアイランド１４１に半導体ペレ
ットを固着し、リード（５）と半導体ペレットの電極と
をワイヤで電気的に接続し、図中に点線で示した部分を
樹脂でモールドした後、リードフレームの不要部分を切
落し′ＣＤＩＰ型半導体装置が製造される。
周辺に先端を近接する如く多数のリード（５）が設けら
れ、これらをアイランドタイバー（６）、リードタイバ
ー（７）でそれぞれ支持フレーム＋８）に保持された形
状を有している。そしてアイランド１４１に半導体ペレ
ットを固着し、リード（５）と半導体ペレットの電極と
をワイヤで電気的に接続し、図中に点線で示した部分を
樹脂でモールドした後、リードフレームの不要部分を切
落し′ＣＤＩＰ型半導体装置が製造される。
第５図は完成後のＤＩＰ型半導体装置を示した斜視図で
ある。樹脂（１１外部になるリード（５）は一方向に折
り曲げられて外部接続用のリード端子（３）となり、こ
れらを保持していたり一ドタイバ＝（７）は全て切落さ
れている。さらに長手方向の樹脂（１１端面忙はアイラ
ンドタイバー（６）を切落した後の切断面α１）が露出
し、その切断面（Ｉｌｌは樹脂（１１内部でアイランド
（４）忙直接つながっている。
ある。樹脂（１１外部になるリード（５）は一方向に折
り曲げられて外部接続用のリード端子（３）となり、こ
れらを保持していたり一ドタイバ＝（７）は全て切落さ
れている。さらに長手方向の樹脂（１１端面忙はアイラ
ンドタイバー（６）を切落した後の切断面α１）が露出
し、その切断面（Ｉｌｌは樹脂（１１内部でアイランド
（４）忙直接つながっている。
ところで、上述した様に製造したＤＩＰ型半導体装置は
、その特性試験の段階、出荷する際にその取扱いを容易
にするためにアルミニウムまたはプラスチック製包装ケ
ースに複数個収納する段階、および輸送中の段階で長手
方向の樹脂（１１端面で互いに衝突することがある。こ
の時の衝撃はアイランドタイバーｉ６Ｊの切断面αυか
らアイランド（４）忙固着された半導体ペレレトに直接
伝わって特性劣化を招くばかりでなく、時として樹脂（
１）にクラックや欠損を発生させることがある。このよ
うなりラック、欠損が発生すると気密性、耐湿性の低下
を招き、前記した特性劣化も含めて製品不良になること
があった。
、その特性試験の段階、出荷する際にその取扱いを容易
にするためにアルミニウムまたはプラスチック製包装ケ
ースに複数個収納する段階、および輸送中の段階で長手
方向の樹脂（１１端面で互いに衝突することがある。こ
の時の衝撃はアイランドタイバーｉ６Ｊの切断面αυか
らアイランド（４）忙固着された半導体ペレレトに直接
伝わって特性劣化を招くばかりでなく、時として樹脂（
１）にクラックや欠損を発生させることがある。このよ
うなりラック、欠損が発生すると気密性、耐湿性の低下
を招き、前記した特性劣化も含めて製品不良になること
があった。
そこで、樹脂【１）のり２ツクや欠損を防止する目的で
長手方向の樹脂（１）端面に衝撃を吸収する緩衝体を設
けたものが例えば特開昭５９−４６０４９号公報に記載
されている。
長手方向の樹脂（１）端面に衝撃を吸収する緩衝体を設
けたものが例えば特開昭５９−４６０４９号公報に記載
されている。
すなわち第６図に示す如く、長手方向の樹脂（１）端面
の少なくとも一端面に、衝突による衝撃を吸収する緩衝
体として紫外線硬化型樹脂よりなる塗布膜ａりを設けた
形状を有している。このよう・な構造によれば、相互の
衝突による特性劣化、クラックや欠損を未然に防ぐこと
ができる。
の少なくとも一端面に、衝突による衝撃を吸収する緩衝
体として紫外線硬化型樹脂よりなる塗布膜ａりを設けた
形状を有している。このよう・な構造によれば、相互の
衝突による特性劣化、クラックや欠損を未然に防ぐこと
ができる。
し→ 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、斯上した緩衝体では半導体装置製造に新
たな工程を追加しなければならず、さらに異る材料を用
いることから必然的にコスト高になるという欠点があっ
た。
たな工程を追加しなければならず、さらに異る材料を用
いることから必然的にコスト高になるという欠点があっ
た。
に）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、緩衝体としてリ
ードフレームの残部を利用することにより従来の欠点を
除去した。
ードフレームの残部を利用することにより従来の欠点を
除去した。
（（ホ）作用
本発明によれば、緩衝体としてリードフレームの残部を
利用するので、これをリードを折り曲げるカットベンダ
一工程と同時に形成することができる他、緩衝体として
他の材料を用いる必要がなくなる。
利用するので、これをリードを折り曲げるカットベンダ
一工程と同時に形成することができる他、緩衝体として
他の材料を用いる必要がなくなる。
（へ）実施例
本発明によるＤＩＰ型半導体装置の一実施例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明によるＤＩＰ型半導体装置を示す斜視図
である。図示した如く長手方向の樹脂（１１端面にリー
ドフレームの残部を利用した緩衝体（２）が設けられて
いる。緩衝体（２１の一部は樹脂（１）内部に封止され
てこれに固定され、樹脂（１）表面とは若干離間するよ
うにリード端子（３）と逆方向に折り曲げられている。
である。図示した如く長手方向の樹脂（１１端面にリー
ドフレームの残部を利用した緩衝体（２）が設けられて
いる。緩衝体（２１の一部は樹脂（１）内部に封止され
てこれに固定され、樹脂（１）表面とは若干離間するよ
うにリード端子（３）と逆方向に折り曲げられている。
さらに緩衝体（２）は電気的に問題が無いように樹脂（
１１内部にモールドされた半導体ペレットとは絶縁状態
にある。
１１内部にモールドされた半導体ペレットとは絶縁状態
にある。
第２図は本発明によるＤＩＰ型半導体装置製造に用いる
リードフレームを示す平面図である。すなわち略中央部
にアイランド（４）が設けられ、その胸辺に先端を近接
する如く多数のリード（５）が設けられ、これらをアイ
ランドタイバー（６）、リードタイバー（７）でそれぞ
れ支持フレーム（８１Ｋ保持された形状を有している。
リードフレームを示す平面図である。すなわち略中央部
にアイランド（４）が設けられ、その胸辺に先端を近接
する如く多数のリード（５）が設けられ、これらをアイ
ランドタイバー（６）、リードタイバー（７）でそれぞ
れ支持フレーム（８１Ｋ保持された形状を有している。
アイランドタイバー（６）はアイランド（４）から２本
忙分−かれてそれぞれ一方の支持フレーム（８１＆Ｃ接
続され、その間には支持フレーム（８）から樹脂（１）
内部忙達する舌片部（９）が設けられている。
忙分−かれてそれぞれ一方の支持フレーム（８１＆Ｃ接
続され、その間には支持フレーム（８）から樹脂（１）
内部忙達する舌片部（９）が設けられている。
本発明によるＤＩＰ型半導体装置は以下の如く形成され
る。
る。
先ずアイランド（４）に素子形成を終了した半導体ペレ
ットが金シリコン共晶にて固着され、半導体ペレット表
面の電極とリード（５１とをワイヤで電気的に接続し、
第２図図中に点線で示した部分を熱硬化性樹脂（１）で
モールドした後、樹脂（１）外部になるリード（５）を
一方向に折り曲げてこれを外部接続用のリード端子（３
）にする。そしてリード（５）を保持していたリードタ
イバー（７）は全て切落されると共に、後に緩衝体（２
）となるべき部分（ＩＥＺ図図中に斜線で示した部分（
１０）を残して支持フレーム（８）が切落され、さらに
アイランドタイバー（６）は樹脂（１）と同一面上で切
断される。
ットが金シリコン共晶にて固着され、半導体ペレット表
面の電極とリード（５１とをワイヤで電気的に接続し、
第２図図中に点線で示した部分を熱硬化性樹脂（１）で
モールドした後、樹脂（１）外部になるリード（５）を
一方向に折り曲げてこれを外部接続用のリード端子（３
）にする。そしてリード（５）を保持していたリードタ
イバー（７）は全て切落されると共に、後に緩衝体（２
）となるべき部分（ＩＥＺ図図中に斜線で示した部分（
１０）を残して支持フレーム（８）が切落され、さらに
アイランドタイバー（６）は樹脂（１）と同一面上で切
断される。
斯上した如く第１図忙示すＤＩＰ型半導体装置が製造さ
れる。なおａυはアイランドタイバー（６）を切断した
後の切断面であり、樹脂（１１と同一面上に露出してい
る。
れる。なおａυはアイランドタイバー（６）を切断した
後の切断面であり、樹脂（１１と同一面上に露出してい
る。
本発明の最も特徴とする点は、緩衝体（２１をリードフ
レームの残部で構成した点にある。具体的には通常投棄
処分していた支持リード（８）の一部、すなわち第２図
図中に斜線で示した部分（１（ｌを利用して形成し、舌
片部（９）が樹脂（１）内にモールドされることにより
これを固定している。
レームの残部で構成した点にある。具体的には通常投棄
処分していた支持リード（８）の一部、すなわち第２図
図中に斜線で示した部分（１（ｌを利用して形成し、舌
片部（９）が樹脂（１）内にモールドされることにより
これを固定している。
このようにして形成されたＤＩＰ型半導体装置では相互
の衝突による衝撃を緩衝体（２）により有効に吸収して
樹脂（１）のクラック、欠損を未然に防止するばかりで
なく、アイランドタイバー（６）の切断面αＢが直接衝
突することがないので素子特性の劣化を防ぐことができ
る。しかもこのような効果を有する緩衝体（２）をいわ
ば廃物利用で形成するのでそのための材料は一切必要な
い。さらに緩衝体（２）はリード（５）を折り曲げるカ
ットベンダ一工程で同時に形成できるので新たな工程を
追加する必要はない。
の衝突による衝撃を緩衝体（２）により有効に吸収して
樹脂（１）のクラック、欠損を未然に防止するばかりで
なく、アイランドタイバー（６）の切断面αＢが直接衝
突することがないので素子特性の劣化を防ぐことができ
る。しかもこのような効果を有する緩衝体（２）をいわ
ば廃物利用で形成するのでそのための材料は一切必要な
い。さらに緩衝体（２）はリード（５）を折り曲げるカ
ットベンダ一工程で同時に形成できるので新たな工程を
追加する必要はない。
最後に、緩衝体１２１の曲げ形状としては第１図に示し
たものばかりでなく、相互の衝突による衝撃を有効に吸
収し得るものであれば第３図ｑ１（ロ）に示したような
形状でも全く同様である。
たものばかりでなく、相互の衝突による衝撃を有効に吸
収し得るものであれば第３図ｑ１（ロ）に示したような
形状でも全く同様である。
（ト）発明の効果
斯上した如く、本発明によるＤＩＰ型半導体装置では製
品不良を防止する緩衝体（２）をいわば廃物利用で形成
しているのでそのための材料、工程は一切不要である。
品不良を防止する緩衝体（２）をいわば廃物利用で形成
しているのでそのための材料、工程は一切不要である。
これにより製品のコスト高を防止できる。
さらに本発明によるＤＩＰ型半導体装置では緩衝体（２
１が樹脂（１）に固定されていることから放熱効率が向
上する利点を有する。
１が樹脂（１）に固定されていることから放熱効率が向
上する利点を有する。
第１図は本発明によるＤＩＰ型半導体装置を示す要部斜
視図、第２図は本発明に用いられるＩＪ−ドフレームを
示す平面図、第３図印（ロ）は他の実施例を示す要部斜
視図、ｗｃ４図は従来のＤＩＰ型半導体装置製造に用い
られるリードフレームを示す平面図、第５図は従来のＤ
ＩＰ型半導体装置を示す要部斜視図、第６図は従来の緩
衝体の実施例を示す要部斜視図である。 主な図番の説明 ＋２１は緩衝体、 （６）はアイランドタイバー、 （
８１は支持フレーム、 （９）は舌片部、 ααは緩衝
体（２１となるべき部分である。 第２図 第 ３ し４ 【イ） 第 ３ １！ＩＣ口） 第４図 第６図
視図、第２図は本発明に用いられるＩＪ−ドフレームを
示す平面図、第３図印（ロ）は他の実施例を示す要部斜
視図、ｗｃ４図は従来のＤＩＰ型半導体装置製造に用い
られるリードフレームを示す平面図、第５図は従来のＤ
ＩＰ型半導体装置を示す要部斜視図、第６図は従来の緩
衝体の実施例を示す要部斜視図である。 主な図番の説明 ＋２１は緩衝体、 （６）はアイランドタイバー、 （
８１は支持フレーム、 （９）は舌片部、 ααは緩衝
体（２１となるべき部分である。 第２図 第 ３ し４ 【イ） 第 ３ １！ＩＣ口） 第４図 第６図
Claims (1)
- （１）半導体ペレットを載置したリードフレームを樹脂
でモールドし、その長手方向の少なくとも一端面に緩衝
機能を有する緩衝体が設けられた半導体装置において、
前記緩衝体が前記リードフレームの残部で構成され、前
記樹脂から突出し折り曲げられた形状を有することを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP111285A JPS61160956A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP111285A JPS61160956A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160956A true JPS61160956A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11492381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP111285A Pending JPS61160956A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160956A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04750A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-06 | Toshiba Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| JP2008181983A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2013210375A (ja) * | 2006-08-09 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 慣性センサ装置 |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP111285A patent/JPS61160956A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04750A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-06 | Toshiba Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| EP0676807A1 (en) * | 1990-04-18 | 1995-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame for semiconductor device |
| JP2013210375A (ja) * | 2006-08-09 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 慣性センサ装置 |
| JP2008181983A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5783861A (en) | Semiconductor package and lead frame | |
| US7709937B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US5428247A (en) | Down-bonded lead-on-chip type semiconductor device | |
| JPH0629147U (ja) | リード露出型半導体パッケージ | |
| JPH07288309A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体モジュール | |
| TW201834173A (zh) | 半導體裝置 | |
| JPS61160956A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63296252A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100407749B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH09107062A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001185567A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19990034731A (ko) | 리드 온 칩형 리드 프레임과 그를 이용한 패키지 | |
| JPH02143449A (ja) | 半導体封止容器 | |
| JPH0750388A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及び製造方法 | |
| JPH0290558A (ja) | リードフレーム | |
| KR200141125Y1 (ko) | 리드프레임의 구조 | |
| KR200235610Y1 (ko) | 적층형반도체패키지 | |
| JPH01135055A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR20000035352A (ko) | 반도체 장치용 리드 프레임 및 이를 사용하는 반도체 장치 | |
| JPS63110661A (ja) | 半導体集積回路用樹脂封止形パツケ−ジ | |
| JPH06302660A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63116453A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH01115132A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03206651A (ja) | 半導体パッケージ装置 | |
| JPH01255259A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |