JPS63110763A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂モールド形半導体装置に用いられるリ
ードフレームに関し、特に樹脂モールド形半導体装置に
おける耐湿性能の向−ヒに関する。

〔従来の技術〕

第２図（ａ）、（ｂ）は、各々従来のリードフレームを
用いた樹脂モールド形半導体装置を示す平面図ａ３　Ｊ
：び、この平面図におけるｎｂ−ｎｂ線に沿った断面図
ぐある。第２図では、３端子形のトランジスタ等の個別
半導体素子に適用した例を示している。また第３図は、
固定部７を除去する前のリードフレームを示づ平面図で
ある。

図において、１は半導体チップＣあり、グイパッド部２
十に固定されて設けられている。ダイパッド部２は第３
図に示すように、リード部３ａ。

３ｂ、３ｃ　（以下、総称りるときは「リード部３１と
する。）と共にリードフレームを構成する−すのであり
、半導体デツプ１が固定された部分以外の領域は冷却フ
ィンの働きをする。リード部３はダイパッド部２に対し
第２図（ｂ）に示すように段差をつけて設けてあり、半
導体チップ１の外部端子として働く。固定部７の除去後
は、リード部３ａはダイパッド部２とつながっているの
に対し、リード部３ｂ、３ｃはダイパッド部２とつなが
っていｔ誓い。このため両者の半導体チップ１との電気
的接続方法は異なり、リード部３ａは半導体チップ１の
基板とダイパッド部２を介して電気的接続関係をもち、
一方、リード部３ｂ、３ｃは各々ワイヤーボンディング
により半導体チップ１の内部電極と電気的接続関係をも
つ。

以上のようにリード部３と半導体チップ１とを電気的に
接続した侵、樹脂により、第２図に示すような半導体チ
ップ１周辺を特に厚くしたモールド処理を行い、リード
フレーム全体を埋め込み被覆絶縁する樹脂モールド４を
形成する。このとき同時にビス穴５を、樹脂モールド４
中に開設しておく。ビス穴５は、樹脂モールド４内にた
まる熱を放散するための外部の冷却フィン（図示せず）
に、図示の樹脂モールド形半導体装置を接続するために
設しプている。その後、切り離し境界６を切断すること
によりリードフレーム固定部７をリードフレームより除
去する。最後に切断後のリードフレーム残存部８周辺を
モールド処理づることにより、第２図に示すような樹脂
モールド形半導体装置が完成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上説明した構成よりなる樹脂モールド形半導体装置は
長時間使用すると、リードフレームと樹脂モールドの接
着力が弱まる。特に、リード部３ａと樹脂モールド４間
の接着力が弱まると、リード部３ａが樹脂モールド４か
ら突出した部分より蒸気（水分）が侵入する。さらに、
その蒸気が樹脂モールド４とリード部３ａとの間にでき
たわずかな隙間を通じて、ダイパッド部２上の半導体デ
ツプ１に浸透することにより、半導体チップ１の劣化や
破損をおこしてしまう。

従来、耐湿性能を評価する試験として、プレッシャーク
ツカーテスト（以下ｒＰｃＴＪと言う。）がある、ＰＣ
Ｔはユーザの受入試験等においても、しばしば採用され
ており、１２５度程１度の加熱水蒸気中に評価すべき装
置を設置することで耐湿性を測るものである。

ＰＣ［の結果、従来の樹脂モールド形坐導体装置では、
２００〜２５０時間程度のテストで、蒸気が散発的に装
置ａ内に発生してしまい、半導体チップの破損や劣化が
認められた。

以上の試験結果から、明らかに従来の樹脂モールド形半
導体装置では、その耐湿性能が十分でイ【いという問題
点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、従来のリードフレームに簡単な改良を施す
ことにより、極めて耐湿性能の高い樹脂モールド形半導
体装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかるリードフレームは、樹脂モールド形半
導体装置に用いられるもので、半導体チップを固定する
ダイパッド部と前記半導体チップの外部端子となるリー
ド部よりなり、前記リード部のモールド処理さされる部
分に前記リード部の延長方向に対し交叉するように複数
本の溝または凸条を設けている。

〔作用〕

この発明にＪ５いては、リードフレームのリード部のモ
ード処理される部分に設けた溝により、樹脂モールドと
の接着力が向卜し、たとえ蒸気が外部からダイパッド部
とつながったリード部より侵入してｂ１モード処理され
る部分に設けた溝でその侵入を止めることができる。

〔実施例〕

第１図（ａ）、　（ｂ）は、各々この発明の一実施例を
示づ図で、（ａ）は固定部７を除去する前のリードフレ
ームの平面図、（ｂ）は完成した樹脂［−ルド形半導体
装置におけるＩａ−Ｉａ線に沿ったリード部段差部分周
辺の拡大断面図である。

同図において、リード部３ａの段差部分以外の構成は第
２図および第３図の従来例と同じなので、その説明は省
略する。リード部３ａは、従来に比ベモード処理される
段差部分に第１図（特に（ｂ）図）で示すように、リー
ド部３ａの延長方向に対し交叉する方向（図示の例ひは
直角方向）で、かつダイパッド部２上の￥導体チップ１
と同じ側に複数本の溝９を設けている。この溝９はリー
ドフレームを製造する際に、適当な溝形成加工を行へう
ことにより設けられる。その後の樹脂モールド形半導体
装置の製造工程は、上述した従来例の場合と全く伺−で
ある。

上述したこの発明によるリードフレームを用いた樹脂モ
ールド形半導体装置においては、リード部３ａの段差部
分に形成した溝９の働きにより、当該段差部分と樹脂モ
ールド４との間は通常の接着力に加え、溝９の凹凸によ
る樹脂モールド４とのからみが加わることにより、その
接着力は著しく向上する。したがって、リード部３ａが
樹脂モールド４から突出した部分より、外部から蒸気が
侵入しても、萌述した強い接着力より段差部分において
蒸気の浸透を阻止することができる。この作用により半
導体チップの劣化や破損が生じることはほとんどない。

また、ＰＣＴによる実験結果によれば、１０００時間の
評価試験においても、蒸気の侵入による半導体チップの
劣化や破損が認められなかった。

さらに、評価後の半導体装置を）（ｒ放射性同位元素に
よる気密テストに供した結果、透過は完全に溝９′ｃ止
まっているという事実も（９だ。

以Ｊ−の実験結果から、本発明によるリードフレームを
用いることひ、樹脂モールド形半導体装置の耐湿性能が
大幅に向上することが実証された。

尚、この実施例ではリード部に溝を設けたが、凸条を形
成しても同様の効果を奏する。

また、この実施例では３端子形のトランジスタ等の個別
半導体素子に適用したリードフレームの事例を述べたが
、当然ながら集積回路等にも適用することもできる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によれば、樹脂モールド
形半導体装置の耐湿性能を飛躍的に高めるリードフレー
ムを、モールド処理される部分に溝を設けるという簡単
な構成で実現覆ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は各々本発明の一実施例を示す
リードフレームの平面図及びモールド処理された後のリ
ードフレーム段差部付近の断面図、第２図（ａ）、　（
ｂ）は各々従来のリードフレームを用いた樹脂モールド
形半導体装置の平面図及び端面図、第３図は従来のリー
ドフレームを示す平面図である。 図において、１は半導体チップ、２はダイパッド部、３
ａ、３ｂ、３ｃはリード部、４は樹脂モールド、９は溝
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　　　大　　岩　　増　　雄 第１図 第２図 （ａ） （ｂ） １−一一一手導イ木ナッフ・ 第３図 手続補正書く自□。 ２、発明の名称 リードフレーム ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）　　明細よの第４頁第２０行のｒ２００〜２５０
時間」を、「１００〜１５０時間」に訂正する。 （２）　　明細書の第５頁第１行の１発生」を、「侵入
」に訂正する。 （３）　　明細書の第７頁第１６行ないし第１７行の「
１０００時間］を、「５００時間」に訂正する。 （４）　　明細書の第７頁第１９行の１評価後の」を、
「この」に訂正する。 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂モールド形半導体装置に用いられるリードフ
   レームであって、半導体チップを固定するダイパッド部
   と前記半導体チップの外部端子となるリード部よりなり
   、 前記リード部のモールド処理さされる部分に前記リード
   部の延長方向に対し交叉するように複数本の溝または凸
   条を設けた事を特徴とするリードフレーム。
2. （２）前記溝また凸状は、前記半導体チップ固定側の面
   に設けられる特許請求の範囲第１項記載のリードフレー
   ム。