JP2023502068A - 機能化面微細特徴部を使用して接触素子及び支持ハードウェア又はワイヤボンダを清浄するためのシステム及び方法 - Google Patents
機能化面微細特徴部を使用して接触素子及び支持ハードウェア又はワイヤボンダを清浄するためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023502068A JP2023502068A JP2022528071A JP2022528071A JP2023502068A JP 2023502068 A JP2023502068 A JP 2023502068A JP 2022528071 A JP2022528071 A JP 2022528071A JP 2022528071 A JP2022528071 A JP 2022528071A JP 2023502068 A JP2023502068 A JP 2023502068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- microfeature
- layer
- top surface
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 340
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 117
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims 2
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 67
- -1 device Substances 0.000 abstract 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 2
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 2
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
- B08B1/143—Wipes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
- B23K20/007—Ball bonding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0607—Solder feeding devices
- B23K3/063—Solder feeding devices for wire feeding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/08—Auxiliary devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7801—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
プローブカード及び試験ソケットなどの、試験器インターフェースの接触素子及び支持ハードウェア、又は、ワイヤボンダ及び毛細管チューブを予測可能に清浄するための清浄材、デバイス、及び方法であって、清浄パッドが、特定のピン接触素子又は毛細管チューブに相応しい予め決められた構成を有し、基板が、通常試験動作中に試験装置内に導入され得る規定の機能化面トポロジ及び幾何形状を有する、清浄材、デバイス、及び方法。清浄材は、機能化されていない平坦な平面では不可能である性能特徴を提供する複数の機能的な3次元(3D)微細構造体を伴う予め決められたトポグラフィを有する。【選択図】 図8D
Description
優先権の主張
本出願は、継続出願であり、2020年4月22日に提出された米国特許出願第16/855,841号に対する優先権を主張し、また2019年11月14日に出願された米国特許出願第16/684,453号に対する優先権を主張し、これらのすべての内容を参照により本明細書に援用される。
本出願は、継続出願であり、2020年4月22日に提出された米国特許出願第16/855,841号に対する優先権を主張し、また2019年11月14日に出願された米国特許出願第16/684,453号に対する優先権を主張し、これらのすべての内容を参照により本明細書に援用される。
本開示は、概して、プローブカード及び試験ソケットなどの試験器インターフェース接触要素及び支持ハードウェア、又はワイヤボンディング装置及び毛細管チューブを予測可能にかつ一貫して清浄するための材料、デバイス、及び方法に関する。
個々の半導体(集積回路)デバイスは、典型的には、フォトリソグラフィ、堆積、及びスパッタリングを含み得る既知の半導体処理技術を使用して半導体ウェハ上に複数のデバイスを作成することによって生産される。概して、これらのプロセスは、ウェハレベルで、完全に機能的な集積回路デバイス(IC)を作成することを目的とする。最終的には、個々のICデバイスは、半導体ウェハから別個かつ個々のダイへと、単体化又はダイシングされる。単体化されたICデバイスは、リードフレームへのダイ装着、ワイヤボンディング、又ははんだボール装着を含み得る既知の組み立て技術を使用した、パッケージ内での最終的な完成、又は電子装置への組み込み、及び、通常、外部電気接続性を有するパッケージに本体部を提供するための様々な成形技術による、カプセル化のために組み立てられる。
しかしながら、実際には、ウェハ自体における物理的欠陥及び/又はウェハの処理における欠陥が、ウェハ上のダイの一部は完全に機能的であり、ダイの一部は非機能的であり、及びダイの一部はより低い性能を有するか、又は修理を必要とするということを必然的にもたらし得る。概して、好ましくはウェハからの単体化及びコンシューマデバイス内への組み立ての前に、ウェハ上のダイのうちのどれが完全に機能的であるかを識別することが望ましい。ウェハ内の特定の物理的欠陥、IC回路層内の欠陥、及び/又は半導体処理技術に関連した欠陥に起因する、非機能的デバイス、より低い性能のデバイス、及び修理可能なデバイスは、ウェハレベル試験と呼ばれる(しばしば、当該技術分野では「ウェハソート」と称される)プロセスによって単体化の前に識別され得る。製品性能が電気的試験によって決定される場合に、製品の能力に従ってウェハレベルでICデバイスを分類又区分けすることは、製造業者が後の製造プロセスにおいてかなりの費用を節約できるとともに、最高の性能のデバイスの販売から増加した利益を提供することができる。
デバイスが単体化されると、ハンドリング及び組み立ての間の特定のプロセスステップは、デバイスを、ダイシング欠陥、ハンドリング欠陥、組み立て及びパッケージング関連の欠陥を必然的にもたらす可能性があり、それらは、完全に機能的、非機能的、又は潜在的に「修理可能」として区分けするように、単に電気的に識別されることができる。実際には、組み立てられパッケージングされた半導体デバイスは、それらの最終的な完成又は電子装置内への組み込みの前に、一連の電気試験プロセスの対象となる。パッケージレベル又は発送前の最終試験におけるプロセスは、限定されるものではないが、ベアダイ、パッケージ化IC(一時的又は永続的)、又はそれらの間の変化形のいずれかの、単体化されたデバイスの試験を含む。
一般に、ウェハレベル又はパッケージレベルのいずれかでのICデバイスの電気的試験は、半導体デバイスを刺激し、適応性の試験技術及び機能ルーチンに従ってデバイスを働かせ、適切な機能性を査定するために出力を検査するように機械的及び電気的に構成される自動試験装置(ATE)を用いて達成される。
ウェハレベル試験では、従来のインターフェースハードウェアは、「プローブカード」であり、これには、試験下デバイス(DUT)入力/出力(I/0)パッドの配置に整合する複数のプローブ素子、電力、GND、及びプロセス監視ピンが接続される。より詳細には、典型的なウェハ試験プロセスにおいて、プローブカードは、プローバに搭載され、またプローブ接触素子(単純に「プローブ」と称される)は、ウェハのダイ上に形成されるボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプと接触状態にされる。ボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプに対してプローブ先端の制御された変位を与えることにより、電気的接続が達成され、電力信号、接地信号、及び試験信号が伝送されることを可能にする。ボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプに対するプローブ先端の繰り返されるスクラブ、変形、及び貫通は、プローブ接触面上へ付着及び蓄積するデブリ及び汚染物を生成する。
パッケージレベル試験では、試験器装填ボードは、自動試験装置(ATE)、又は手動試験装置と、DUTとの間にインターフェースを提供する。試験器装填ボードは、従来、時として「試験ソケット」と称される、1つ又は複数の接触器アセンブリを含み、これにDUTが挿入される。試験プロセスの間、DUTは、取扱者によってソケット内に挿入又は配置され、試験の持続時間にわたって適所に保持される。ソケットへの挿入後、DUTは、ピン素子を介して、試験器装填ボード、そのサブアセンブリ、及び他のインターフェース装置を通じてATEに電気的に接続される。ATEと関連付けられた接触ピン素子は、DUTの金属化接触面と物理的及び電気的に接触して配置される。これらの面は、試験パッド、リードワイヤ、ピンコネクタ、ボンドパッド、はんだボール、及び/又は他の導電性媒体を含み得る。DUTの、機能性、静的及び動的性能試験は、様々な電気的入力を通じて評価され、出力に対する応答が測定される。繰り返される試験により、接触素子先端は、ウェハ及び半導体デバイス製造及び試験プロセスから生じるアルミニウム、銅、鉛、錫、金、副生成物、有機膜、又は酸化物などの物質で汚染されるようになり得る。
両方のタイプのIC試験(ウェハレベル及びパッケージレベル)で遭遇される主な課題のうちの1つは、接触器素子と関連付けられた接触ピンとDUTの接触面との間の最適な電気的接触を確実にすることである。各試験手順において、ボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプ上へのピン接触素子の繰り返される接触により、デブリ及び他の残留物が、ピン素子の接触領域に蓄積し、これを汚染する。このデブリは、試験及びハンドリングプロセス自体から生じ得るか、デバイス製作及び/若しくは組み立てプロセスから、又は他の源からの製造残留物を含み得る。
汚染物の存在に加えて、接触ピンの小さい金属間化合物「箇所」に電流を繰り返し通すことは、接触面の導電性特徴を劣化させ得、故に、適切な電気的試験のための金属間化合物品質に影響を及ぼす。接触面の劣化と相まって、汚染物が蓄積すると、接触抵抗(CRES)が上昇し、試験の信頼性を低減させる。増加するCRESおよび不安定なCRESは、収量回復試験が増加すると、収量及び/又は試験時間に影響を及ぼし得る。そのような間違った読み出しは、そうでなければ良好なDUTの誤った排除をもたらし得、多くの場合劇的な、収量低下を結果としてもたらす。収量回復は、マルチパス試験を通じて可能であり得るが、デバイスを検証するため、又は収量回復を達成するために複数回デバイスを再試験することは、全体的な生産コストを増加させ、スループットを低減させ、組み立てに影響を及ぼし、長期的な信頼性の低下の可能性を作り出す。
ウェハレベル及びパッケージレベル試験接触器技術の高性能要求は、予め決められた及び設計された機械的及び電気的性能特性を有する独自に成形された及びカスタマイズされた接触素子の開発を前進させた。新規の高度な接触技術の多くは、一貫した、反復可能な、及び安定した電気的接触を促進するために、特有の接触素子幾何形状及び機械的挙動を有する。この技術の一部は、リソグラフィ組み立て技術を使用して構成され、一部は、MEMSベースのプロセスを使用して構築されるが、その他は、高精度微細加工技術を用いて製作される。接触器の改善された電気的特徴はまた、改善された電気的性能及び耐酸化性を有する様々な物質を使用して達成される。接触素子は、ボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプ上への印加耐力を低減しながら、一貫した酸化物浸透を促進するように設計される。しかしながら、依然として、ボンディングパッド、はんだボール、バンプ、ピラー、又はピラーバンプと物理的接触をする必要があり、これにより、電気的性能試験手順からの結果に影響を及ぼし得るデブリ及び汚染物を生成する。
典型的には、生成されたデブリは、人為的により低い収量並びにそれに続く増加した製品原価及び低減したスループットを結果としてもたらすこととなる増大した接触抵抗、導通不良、及び誤った試験表示を引き起こすビルドアップを防ぐために、接触素子から定期的に除去される必要がある。
接触素子及び支持ハードウェアに付着する粒子の問題に応答して、いくつかの技術が開発されている。例えば、1つの技術は、研磨粒子のためのマトリックスを提供するシリコーンゴムからなる清浄材を使用する。加えて、清浄ウェハ、若しくはプローブ針に擦りつけられる研磨セラミック清浄ブロック上に搭載される清浄媒体が使用され得るか、又は、研磨粒子を有するゴムマトリックス及びグラスファイバ製のブラシクリーナも使用され得る。1つの技術において、プローブ針は、清浄溶液を噴霧され得るか、又はこれに浸漬され得る。別の技術において、ランダム面形状の空隙及び可変高さを有するオープンセル発泡体ベースの清浄デバイスが使用され得る。
1つの従来の接触素子清浄プロセスにおいて、接触ピン及び/又は接触器本体部をブラッシング、ブローイング、及び水洗する何らかの組み合わせが用いられる。このプロセスは、試験動作を停止すること、清浄を実施するための手動介入、及びおそらくは試験インターフェース(プローブカード、ソケットなど)を試験環境から取り除くことを必要とする。この方法は、一貫性のないデブリ除去をもたらし、成形された接触素子の幾何学的特徴部内に充分な清浄行為をもたらさない場合がある。清浄後、試験インターフェースは、再設置されなければならず、試験環境は、試験が再開し得るように再確立されなければならない。場合によっては、接触素子は、取り外され、清浄され、元に戻され、結果として、予定外の設備休止時間に起因するコスト上昇が生じる。
別の従来の方法において、研磨面コーティング又は研磨被覆されたポリウレタンフォーム層を伴う清浄パッドが、接触素子に付着する異物を除去するために使用される。付着した異物は、接触素子を清浄パッドに対して(及びおそらくはその中に)繰り返し擦りつけることによって、接触素子及び支持ハードウェアからすり落される。研磨パッドを使用した清浄のプロセスは、接触素子を磨くが、それは必ずしもデブリを除去しない。実際、バニシングは、接触素子に研磨摩耗を引き起こし、これにより、接触幾何形状の形状を変化させ、接触性能を変化させ、接触器の耐用年数を短くする。
最大清浄効率は、接触素子及び支持ハードウェアからのデブリの除去が、接触素子の性能に影響を及ぼすことなく清浄プロセス中に一貫して及び定期的に実施されるときに達成される。オープンセル発泡体から構築された研磨パッドを使用した清浄のプロセスは、一貫した清浄をもたらさない。実際、ランダムに配向され制御されていない発泡体構造によるバニシング行為は、不均一の研磨摩耗並びに優先的な研磨摩耗を接触素子に引き起こし、これにより、接触素子及び支持ハードウェアの接触幾何形状の形状及び機械性能を予想外に変化させ、以て、接触器の耐用年数を予想外に短くする。
業界では、複数の接触素子、150,000個もの試験プローブ素子、及び支持ハードウェアからなる試験器インターフェースハードウェアは、ATE試験セルあたり100万ドル超がかかり得ることが分かっている。不適切又は非最適な清浄活動に起因する早期摩耗及び損傷は、ATE試験セルあたり毎年数百万USドルに相当する。したがって、世界で動作する幾万ものATE試験セルでは、修理、保守、及び再配置費用への影響は並外れたものになり得る。
従来のプローブ清浄プロセスに対する改善の別の試みとしては、異物を除去するために粘着性の研磨充填又は無充填のポリマー清浄材を使用することが挙げられる。より詳細には、ポリマーパッドは、接触素子と物理的接触状態にされる。付着したデブリは、粘着性ポリマーによって緩められ、ポリマー面にくっつき、これにより、接触素子及び他の試験ハードウェアから除去される。ポリマー材料は、接触素子の全体的な形状を維持するように設計されるが、ポリマー層との相互作用は、成形された接触素子の幾何学的特徴部内で充分な清浄行為をもたらさない場合がある。
連続した均一な面、又はランダムに配向されランダムに離間した面特徴部を伴う面を有する研磨充填又は研磨被覆された材料フィルムで清浄するとき、優先的な研磨は、「エッジピン」効果(例えば、試験プローブアレイの周囲接触素子は、アレイ内の接触素子とは異なる速度で研磨摩耗される)を通じて、又は「隣接ピン間隔」効果(例えば、密集した接触素子は、広く離間した接触素子とは異なる速度で摩耗される)を通じて、又は「隣接ピン配向」効果(例えば、接触素子の空間的近接は、接触素子の優先的及び非対称的摩耗を引き起こす)を通じて明らかにされる。接触素子及び支持ハードウェアの不均一な研磨摩耗は、IC半導体デバイス試験中の性能一貫性に影響を及ぼすことになり、予定外の収量損失、設備休止時間、及び修理費用を結果としてもたらし得る。
ウェハレベル及びパッケージレベルでの典型的な接触素子清浄プロセスは、接触器が研磨ベースの接触清浄プロセスによって異なる速度で制御不可能に摩耗され得ることから、エンドユーザにとって高価になり得る。研磨粒子を使用するとき、重要接触素子幾何形状の摩耗又は寸法減少の速度は、研磨材層のコンプライアンス、面特徴部、及び下層のコンプライアンスに対する比較的小さい変化(およそ2~3%)により劇的に影響を及ぼされ得る。世界中で動作する幾千ものICデバイス試験ユニット(プローバ及びハンドラ)では、試験中に早期摩耗なしに清潔な接触素子を保守することからの業界への影響は、並外れたものになり得る。
これらの方法は、これらの試験装置も、重要接触素子幾何形状を有するこれらの試験装置の接触素子も、ワイヤボンディング装置及びそれらの毛細管チューブも、適切に清浄しない。したがって、接触素子及びワイヤボンディング装置毛細管チューブを清浄及び保守するための改善された方法及び装置が必要とされている。
本開示は、特に、接触素子を有する電気試験プローブ又はワイヤボンディング装置の毛細管チューブのための清浄パッドに適用可能であり、この清浄パッドは予め決められた幾何形状及び機械性能を有する。清浄されている接触素子は、カンチレバーワイヤ針、垂直プローブ、コブラプローブ、MEMS型垂直及びMEMS型マイクロカンチレバープローブ、プランジャプローブ、ばねプローブ、滑り接触、薄膜上に形成される接触バンププローブなど、任意のタイプの試験プローブであってもよく、関連した支持構造体は、ウェハレベル及びパッケージレベル試験のために利用される試験器インターフェースデバイス(すなわち、プローブカード、試験ソケット、及び他の同様のインターフェースデバイス)のために使用される。本開示が説明されるのはこの文脈においてであるが、本清浄材、デバイス、及び方法は、ばねピンリングインターフェース、ZIFFオス/メスコネクタなど、他のタイプのIC半導体デバイス評価設備によって利用される試験インターフェースを清浄することなど、より大きい有用性を有する。さらには、本清浄材、デバイス、及び方法は、時間と共に様々な物質が詰まる毛細管チューブを有する任意のデバイスを清浄するために使用され得ることから、より大きい有用性を有し、それはまた、他の組立装置を清浄するか、又は磨き直すためにも使用され得、本デバイス、機序、及び方法は、依然として本開示の範囲内にある以下に開示される実施形態の変異形を使用して実装されてもよい。
1つの実施形態において、面機能化又は面可変性を伴う清浄パッド構造を組み込む清浄デバイス及び方法が開示される。カスタム幾何形状の予め決められた微細特徴部による面機能化は、接触面清浄、先端成形、デブリ除去及び収集、並びに面テクスチャ化などの特定の性能目標を達成するために、清浄面の機械特性を変更する調整可能な挙動を効果的に促進する。構造的に機能化された規則正しい構造面を有する材料は、材料清浄効率及び機械性能を改善する目的で、マイクロスケールレベルでの、インプリント、塑造、鋳造、コーティング、膜堆積、噴霧堆積、又は他の面改質による制御された様式で生成されるナノスケール特徴部を含む。加えて、研磨接触清浄プロセスによって摩耗されている接触器を修理及び再配置するための設備及び手労働は、実施されるタスクに追加の費用を付与する。
1つの実施形態において、清浄材は、ウェハレベル及びパッケージレベル試験に利用される試験器インターフェースデバイス(すなわち、プローブカード、試験ソケット、及び他の同様のインターフェースデバイス)のために使用される電気接触素子及び構造体、又はワイヤボンディング装置のための毛細管チューブを清浄するために特定の研磨及びデブリ除去効果を有するための、平坦な機能化されていない面では不可能である3次元(3D)微細特徴部により機能化された面を有する、コンプライアント、半剛性、又は剛性媒体であり得る。調整可能な挙動を伴う、面機能化、又は面可変性は、接触面清浄、先端成形、デブリ除去及び収集、並びに面テクスチャ化、又は毛細管チューブの内面及び外面を清浄することなど、特定の性能目標を達成するために清浄面の機械特性を変更するための効果的なやり方である。構造的に機能化された面を有する材料は、材料清浄効率及び機械性能を改善する目的で、マイクロスケールレベルでの、インプリント、塑造、鋳造、コーティング、膜堆積、噴霧堆積、又は他の面改質による制御された様式で生成されるナノスケール特徴部を含む。
1つの実施形態において、厚さ、硬度、粘着などの予め決められた特性を有する機能化されたコーティングが、既存の構造的特徴部にわたって、また電気接触素子及び構造体応用又は毛細管チューブのために調節及び最適化され得る新種の清浄材を提供するため、並びに明確に規定された機能のセットを実施するために微細特徴部にわたって、清浄パッドの面に適用され得る。高レベルの清浄効果は、粘着性又は研磨面コーティング、可変研磨効率のための露出した研磨粒子と組み合わせて、また清浄されている接触素子のタイプ及び形状、除去されるべきデブリの組成及び量、並びに接触面に対するデブリの親和性に応じて、半導体デバイスのパッド、バンプ、又はピラーに倣うために清浄面を機能化することを通じて得られ得る。高レベルの清浄効果はまた、ワイヤボンディング装置のための毛細管チューブの内面及び外面を清浄することができるように清浄面を機能化することを通じて得られ得る。
より詳細には、機能化された清浄材は、各々が、研磨性、密度、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、多孔性などの予め決められた機械特徴、材料特徴、及び寸法特徴を有する、1つ又は複数の支持層の上に予め決められたパッド、バンプ、又はピラー面特徴部又は機能面コーティングを伴って、構築され得る。清浄デバイスは、製造プロセス及び手作業動作中の汚染から清浄材面を保護及び分離するために製作プロセス前、製作プロセス中、又は製作プロセス後に適用され得る材料の犠牲的な上部保護層を有し得る。犠牲的な層は、半導体又は他の試験設備内への設置時に除去され、清浄材の作用面に、清浄材による接触素子又は毛細管チューブの清浄性能を損なういかなる汚染物もないことを確実にするために使用される。
清浄層及び機能化された3D面特徴部は、ゴム、並びに合成ポリマー及び天然ポリマーの両方、並びにポリウレタン、アクリルなどを含み得る、固体エラストマー材料又は多孔性のオープンセル若しくは閉鎖発泡体材料、あるいは他の既知のエラストマー材料で作製され得る。機能化された面特徴部は、エラストマーマトリックスの完全性を保ちながら、接触素子が変形し、エラストマー材料を貫通して、接触素子の幾何形状への損傷なしに接触領域からデブリを除去することを可能にし得る予め決められた研磨性、弾性、密度、及び面エネルギーパラメータを有し得る。毛細管チューブの場合、機能化された面特徴部は、エラストマーマトリックスの完全性を保ちながら、毛細管チューブの内面及び外面が効果的に清浄されることを可能にし得る予め決められた研磨性、弾性、密度、及び面エネルギーパラメータを有し得る。
清浄材はまた、ピン又は接触素子が機能化された特徴部及びパッド面に触れて変形するとき、規定の相反矯正力が、材料によって接触領域及び3D構造体内へ付与されて、デブリ及び汚染物が除去される効率を増大させるように、1つ又は複数のコンプライアント層が予め決められた全体性能を得るために配置又は積層される多層構造体を有し得る。多層構造体を伴う清浄材はまた、毛細管チューブの内面及び外面を清浄する。
1つの実施形態(その例は図4A~図4C及び図5に示される)において、清浄材は、予め決められたアスペクト比(直径又は長さ及び幅対高さ)、断面(正方形、円形、三角形など)の、カラム、ピラミッド、又は他のそのような構造的微細特徴部などの複数の予め規定された「正の」幾何学的微細特徴部が存在する表層を有し得る。別の実施形態(その例は図6A~図6C及び図7に示される)において、清浄材は、複数の予め規定された「負の」又は「逆の」幾何学的微細特徴部が存在する表層を有し得る。「正の」及び「負の」微細特徴部は、ゴム、並びに合成ポリマー及び天然ポリマーの両方、並びにポリウレタン、アクリル、ポリマーなどを含み得る、固体エラストマー材料若しくは閉鎖発泡体材料、又は他の既知のエラストマー材料で作製され得る。表層は、デブリ除去及び収集効率を改善するために研磨粒子装填又は露出研磨材を有し得る。
他の実施形態において、「正の」及び「負の」微細特徴部は、微細特徴部の長さに沿って、微細特徴部の本体部内に、又は微細特徴部の底部に、上面に適用される研磨粒子を有し得る。特に、典型的な微細特徴部は(正の微細特徴部にしろ、負の微細特徴部にしろ)、400μm以下の高さで、250μm以下の間隔及び30μm未満の平均研磨粒子サイズにおいて、15μm以下の様々な断面幅を有し得る。材料層及び特徴部内に、及びこれにわたって組み込まれ得る典型的な研磨材は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化タンタル、及びダイヤモンドを含み得るが、研磨粒子はまた、7以上のモース硬度を有する他の周知の研磨材料であってもよい。
他の実施形態において、微細特徴部は、ピン又は接触素子がパッド面に触れるとき、相反矯正力が、材料によって、接触素子先端幾何形状内の接触領域、及び支持構造体内に付与されて、デブリ及び汚染物が除去される効率を増大させるように、予め決められたコンプライアンス及び運動を得るために予め決められた幾何形状で構築、塑造、又は形成される。機能的な微細特徴部は、予測可能かつ均一の相反矯正力を接触素子アレイ内の各試験プローブ及び支持ハードウェア上へ提供するために、予め決められた寸法を有する。機能的な微細特徴部は、毛細管チューブの内面及び外面の予測可能な清浄を提供するために、異なる予め決められた寸法を有し得る。
清浄デバイスの別の態様において、微細特徴部は、プローバ/試験器デバイスが清浄パッドの面を検出することができるように、特定の面つや消し又はパターン化されたテクスチャ若しくは仕上げを有し得る。清浄材の面テクスチャ及び粗さはまた、作用面ポリマー材料の清浄効率に寄与し得る。
本方法の1つの態様において、清浄媒体は、ピン素子及び面が清浄媒体と定期的に相互作用して、試験プローブを過度に摩耗させることなく、デブリを除去する及び/又はピン若しくは接触素子の接触面を清浄するように予め決められた場所に、ウェハプローバ又はパッケージ化デバイスハンドラなどの自動試験設備内に手動で置かれ得る。本方法の別の態様において、ウェハプローバ又はパッケージデバイスハンドラ上のプローブ素子を清浄するための方法が提供され、本方法は、清浄媒体を、試験される半導体ウェハ、単体化されたICデバイス、又はパッケージ化ICデバイスと同様の形式で、ウェハプローバ又はパッケージデバイスハンドラ内へ装填することを含み、清浄媒体は、接触素子及び支持構造体を清浄する、研磨性、粘着、硬度などの予め決められた特性を有する機能化された微細特徴部の上面を有する。本方法は、いかなるデブリもウェハプローバ又はパッケージデバイスハンドラの通常動作中にプローブ素子から除去されるように、ウェハプローバ又はパッケージデバイスハンドラにおいて通常試験動作中に接触素子を清浄媒体と接触させることをさらに含む。同様の方法が、ワイヤボンディング装置及び毛細管チューブに対して実施され得る。
プローバ/試験器が清浄パッドの面を検出することができるとき、プローバは、自動清浄モードへセットされることができる。自動清浄モードでは、プローバ/試験器は、いつ試験プローブ接触素子を清浄し、清浄デバイスを位置付け、プローブ先端を清浄し、次いで試験動作に戻るかを自動的に決定する。試験下デバイス(DUT)への繰り返される接地の後、パッド材料及び他の面汚染物は、試験プローブ接触素子並びに試験プローブ長さに蓄積されることになる。そのような緩いデブリは、接触抵抗を実質的に増加させ得、ウェハ及びパッケージ収量の減少をもたらす。高い接触抵抗又は連続して障害のあるデバイス(ビンアウト)は、清浄動作が「オンデマンド」機能により実行されるように、半導体デバイスハンドリング装置にコマンドを送信するように試験器をトリガし得る。代替的に、半導体デバイスハンドリング装置は、LOT開始時、LOT終了時、又は予め決められた数のデバイス接地後に、清浄動作を実行するようにプログラムされ得る。結果として、スケジュールされた及び効率的な清浄手順は、接触抵抗を制御するのに非常に重要である。
清浄デバイスの別の実施形態において、清浄媒体の層は、コンダクタンス又は容量法を使用して面を検出する試験器/プローバ又はワイヤボンダが清浄媒体の面を検出することができるように、導電材料、絶縁材料、又は抵抗材料から形成され得る。
典型的なIC半導体試験システム(図1A及び図1Bに概略的に示される)は、典型的には、何らかのタイプの試験器10、試験ヘッド11、試験器インターフェース12(例えば、プローブカード又は試験ソケット)、接触素子13、及びウェハ若しくはデバイスハンドラ16を含む。試験器インターフェース内の電気接触素子13又は試験プローブは、DUT15との直接接触を可能にするために試験器インターフェースから延びる。DUT(ウェハ、単体化されたデバイス、パッケージ化IC)は、プローブパッド14及び/又ははんだボール16が、試験器インターフェース12の接触素子13と整列状態にあるように、自動、半自動、又は手動設備を使用して、適切な物理位置へと動かされる。適所につくと、電気的試験のため、DUT15が接触素子13に対して動かされるか、又は接触素子13が、DUT15に対して動かされる。繰り返される接地により、接触素子は汚染されるようになる。清浄のために試験インターフェースを取り外す代わりに、予め決められた構造の清浄媒体が、通常試験動作中に汚染物を除去することになる。
図1Cは、ワイヤボンディング動作のために使用されている毛細管チューブ102を有する既知のワイヤボンディング組立装置100を例証する。ワイヤボンディング組立装置は、ワイヤボンディング組立装置が半導体デバイス及び同種のもののためのワイヤボンドを作成することを可能にするワイヤボンディング装置の様々な既知の要素(図1Cには示されない)を有する。ワイヤボンディング組立装置は、ワイヤボンドを作成することができることが望ましい任意のデバイス、構成要素、ダイなどのためのワイヤボンドを作成するために使用され得る。図1Cは、その装置100の一部分を示し、特に、出口を伴う毛細管チューブ102、及び毛細管チューブを通過する銅又は金などのワイヤ104を示す。毛細管チューブ102は、従来の清浄プロセスにおいて、毛細管チューブが、取り外され、定期的に清浄され、磨き直され得るように、典型的には、ワイヤボンディング装置に取り外し可能に装着される。ワイヤボンディング装置は、毛細管チューブから延びるワイヤの端を加熱して、溶融ワイヤ106のフリーエアボールを形成するために使用される機序(図1Cには示されない)を有し得る。ワイヤを加熱するための機序は、例えば、電極又は別の機序であり得る。毛細管チューブ102は、次いで、基板110上の半導体デバイス108の方へ下げられ得、溶融ワイヤボールは、毛細管チューブの端と加熱された金属パッド又は他の金属フレームとの間で圧縮されて、ワイヤボールとボンドパッド又はフレームとの間に共融ボンドを形成することを目的とする機械的結合をもたらす。毛細管チューブは次いで、ワイヤボールをダイボンドパッド又はフレームに装着したまま、ワイヤが毛細管チューブを通じて供給される間に引き上げられ得る。
図1Dは、清浄材202を使用した清浄動作200中の毛細管チューブを有する既知のワイヤボンディング組立装置を例証する。特に、毛細管チューブ102がワイヤボンディング装置に接続されたままである中(上に説明されるような清浄プロセスとは異なり)、毛細管チューブ102の端は、毛細管チューブの内側の及び/又は毛細管チューブ102の出口近くのデブリが、毛細管チューブから除去され、清浄材202内に閉じ込められる/保持されるように、清浄材202内へ挿入され得る。
図2A、図2B、及び図2Cは、様々な基板材料に、異なるサイズの基板に、異なる形状の基板に、又はいくつかの用途では基板なしに、適用される清浄媒体を伴って製造される3つの典型的な異なるタイプの清浄デバイスを例証する。図2A及び図2Bに示されるように、清浄デバイス20及び21はそれぞれ、ウェハの面に、又は既知の幾何形状の基板に、それぞれ固定、付着、又は適用される基板23及び清浄媒体又はパッド24を含み得る。基板23は、ポリマー、プラスチック、金属、ガラス、シリコンウェハ、セラミック、又は任意の他の同様の(剛性、半剛性、又は可撓性)材料であり得る。さらには、基板25は、パッケージ化ICデバイス又はDUT22の幾何形状を近似する形状因子又は構造体を有し得、これにより、清浄媒体24は、試験プローブの接触素子及び支持ハードウェアを有する面に装着される。
図3A及び図3Bは、パッドに接触する接触素子の清浄に寄与する、硬度、弾性係数、粘着などの予め決められた特性の清浄パッド層202、及びコンプライアント下層203(図3A)又は剛性下層206(図3B)の何らかの組み合わせから作製される既存の清浄媒体220を例証する。清浄媒体220はまた、面清浄パッド層を非試験関連汚染物から分離するために、接触素子清浄のための目的とした使用の前に設置される除去可能な保護層201を有し得る。清浄媒体220は、清浄パッド層に、及びこれの下に装着された1つ又は複数の中間層203及び206を有し得る。層の組み合わせは、個々の構成材料からは利用不可能な材料特性をもたらす一方、マトリックス、研磨粒子、及び幾何形状の組み合わせは、清浄性能を最大限にし得る。予め決められた基板材料上への清浄デバイスの設置は、接着層204を露出するために第2の剥離ライナ層205(第1の剥離ライナ層と同じ材料で作製される)の除去、それに続く接着層204による基板面上への適用によって実施される。接着層204は、次いで、清浄デバイス220を基板に接着するために基板に対して置かれ得る。基板は、異なる目的を有する、先行技術において説明されるような様々な異なる材料であり得る。
ここで、機能的な微細特徴部を伴う清浄媒体が、添付の図面及び実施形態を参照してより詳細に説明される。示されるように、例えば、図5では、清浄媒体221は、接触素子又は毛細管チューブからデブリを緩め、せん断する研磨性を有し得る。研磨粒子の予め決められた容量及び質量密度を使用して、パッドの研磨性は、プローブ先端を丸める又は尖らせるために体系的に影響を及ぼされ得る。清浄材層内の典型的な研磨材料及び粒子質量パーセント装填は、0%(未装填)~500%質量パーセントの範囲に及び得る。材料内に組み込まれ得る典型的な研磨材は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドを含み得るが、研磨材料はまた、他の周知の研磨材料であってもよい。研磨材は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、又はダイヤモンドの空間的又は優先的に分布された粒子を含み得るが、研磨粒子はまた、7以上のモース硬度を有する他の周知の研磨材料であってもよい。清浄層の制御された面粘着性は、接触素子上のデブリがパッドに優先的にくっつき、したがって清浄動作中に接触素子から除去されることを引き起こすことになる。研磨粒子は、以下に説明されるように各微細特徴部の本体部に分布され得る。
清浄媒体221の実施形態において(図5に示される)、清浄材221の最大清浄効率は、微細特徴部層250内の複数の「正の」均一な形状及び一定間隔の幾何学的な微細特徴部を使用して改善され得る。正の微細特徴部の異なる実施形態の例は、予め決められた幾何形状の、複数のマイクロピラミッド401、複数のマイクロカラム403、又は複数の湾曲マイクロピラミッド405を示す図4A~図4Cに示される。図5では、清浄媒体221は、予め決められた予め決められた特性を有する中間コンプライアント又は剛性層207の組み合わせの上に、「正の」微細特徴部250を伴う清浄パッドの単一の層から構築される。他の実施形態において、微細特徴部は、清浄媒体221にわたって可変的に離間され得る。上に説明される清浄パッド層202及び203、並びに清浄材基準平面255の下に説明される清浄パッド層は、予め決められた機械特徴、材料特徴、及び寸法特徴を清浄材に提供し得る。例えば、清浄パッド層は、研磨性(以下により詳細に説明される)、(例えば、0.75~2.27の範囲の)比重(比重は、特定の温度における水の密度に対する密度の比である)、(例えば、40MPa~600MPaの範囲の)弾性、(例えば、20~800グラムの範囲の)粘着性、平坦性、及び厚さ(例えば、25μm~300μmの範囲)を提供し得る。材料及び層の選択は、効果的な清浄行為を促進するために必要な要求される相反矯正力に基づいて決定される。例えば、高剛性材料は、しっかりと付着した物質の除去に必要とされるより大きな相反矯正力を有することになる。高コンプライアント材料は、壊れやすい又は小径の接触素子を清浄するときに選択される。
1つのタイプの機能的な「正の」微細特徴部構造の例として、図4A、図4B、図4Cに示される微細特徴部は、鋳造または塑造などの精度の高い製作方法の組み合わせを使用して作成され得、これにより、清浄パッドは、各微細特徴部の台地(各微細特徴部の上部分406)が、40μm未満の寸法、500μm未満のベース基準平面408からの各微細特徴部の高さ、及び250μm未満の台地と台地との間隔(各微細特徴部間の距離)を有するように構築される。図4Aに示される例401では、各ピラミッド微細特徴部402は、高さ40μmで、台地と台地との間隔100μmにおいて、25μm正方形台地を有する。このような構造の場合、3D特徴部は、清浄パッド及び機能化された微細特徴部が均一組成を有するように、精度の高い製作プロセスを通じて得られる。「正の」微細特徴部のサイズ及び幾何形状は、デブリを除去するがプローブ素子に損傷を及ぼさないパッドを達成するために、接触素子の構成及び材料に従って変化し得る。概して、「正の」微細特徴部は、ピラミッド401、均一の台地を伴う円形又は正方形カラム404、又は40μm未満の正方形若しくは円形台地を伴う様々な湾曲形状403などを含む、いくつかのタイプの幾何形状を有し得る。微細特徴部タイプ及び「正の」幾何形状は、材料が、プローブ素子先端及びプローブ素子構造体を再成形するか、尖らせるか、又は磨き直すために使用され得るように、清浄層の製造中に調整され得る。代替的に、微細特徴部タイプ及び幾何形状は、毛細管チューブの内面及び外面を清浄するために使用され得る。
「正の」特徴部の寸法は、25μm~500μmの、ベース基準平面408より上の各微細特徴部の基部から最上部、平坦であり得るか又は成形され得、XY次元において20μmから最大で微細特徴部底面のXY次元に及ぶ寸法を有する上面領域幾何形状(正の特徴部の側面は、真っすぐ又は湾曲され得る)、及び50μm~250μmの台地と台地との間隔(各微細特徴部間の距離)を有し得る。
清浄媒体221の別の実施形態において(図7に示される)、清浄材の最大清浄効率は、図6A~図6Cに示されるような予め決められた幾何形状の、複数の逆マイクロピラミッド601、複数のマイクロカラム603、又は複数の湾曲逆マイクロピラミッド605など、複数の「負の」均一形状及び一定間隔の幾何学的な微細特徴部を使用して改善され得る。他の実施形態において、微細特徴部は、清浄媒体221にわたって可変的に離間され得る。図7では、清浄媒体221は、予め決められた予め決められた特性を有する中間コンプライアント又は剛性層207の組み合わせの上に、「負の」微細特徴部251を伴う清浄パッドの単一の層から構築される。
1つのタイプの機能的な「負の」微細特徴部構造の例として、図6A、図6B、図6Cに示される微細特徴部は、鋳造又は塑造などの精度の高い製作方法の組み合わせを使用して作成され得、これにより、清浄パッドは、台地が、40μm未満の寸法、100μm未満の高さ、及び250μm未満の底面と底面との間隔を有するように構築される。これらの例において、各微細特徴部は、ベース基準平面608内へ陥凹している。図6Aに示される例示的な微細特徴部601では、各ピラミッド微細特徴部602は、高さ40μmで、底面と底面との間隔100μmにおいて、25μm正方形底面を有する。このような構造の場合、3D特徴部は、清浄パッド及び微細特徴部が均一組成を有するように、精度の高い製作プロセスを通じて得られる。「負の」微細特徴部のサイズ及び幾何形状は、デブリを除去するがプローブ素子に損傷を及ぼさないパッドを達成するために、接触素子の構成及び材料に従って変化し得る。概して、「負の」微細特徴部は、逆ピラミッド602、均一の底面を伴う円形若しくは正方形カラム604、又は40μm未満の正方形若しくは円形底面を伴う様々な湾曲逆形状406などを含む、いくつかのタイプの幾何形状を有し得る。微細特徴部タイプ及び「負の」幾何形状は、材料が、プローブ素子先端及びプローブ素子構造体を再成形するか、尖らせるか、又は磨き直すために使用され得るように、清浄層の製造中に調整され得る。例として、図6A又は図6Cに示されるもののような負の微細特徴部は、高度なマイクロカンチレバー接触素子を清浄するために使用され得るが、それは、それらの負の微細特徴部の物理的形状及び寸法が、マイクロカンチレバー接触素子の重要面又は毛細管チューブの内面及び外面のすべてを清浄するためである。
「負の」特徴部の寸法は、25μm~500μmの、ベース基準平面608より下の各微細特徴部の基部から最上部、平坦であり得るか又は成形され得、XY次元において20μmから最大で微細特徴部底面のXY次元に及ぶ寸法を有する底面領域幾何形状(負の特徴部の側面は、真っすぐ又は湾曲され得る)、及び50μm~250μmの底面と底面との間隔(各微細特徴部間の距離)を有し得る。
機能化された微細特徴部を伴う清浄パッド/媒体/デバイスの別の実施形態は、「正の」特徴部の面(それぞれ801、803、及び805)にわたって適用されている予め決められた特性を有する10~100μm厚のポリマーの層の下に「正の」微細特徴部層(マイクロピラミッド802、マイクロカラム804、湾曲マイクロピラミッド806を伴う)を伴う清浄材800の拡大断面図の例を示す図8A~図8Cに示される。ポリマー層は、上面にわたって、及び微細特徴部間の間隔内に、100μm未満の予め決められた厚さまで適用される。ポリマーは、粘着性であり、及び研磨材なし、又は研磨材を装填され得る。ポリマー内に組み込まれ得る典型的な研磨材は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドを含み得るが、研磨粒子はまた、7以上のモース硬度を有する他の周知の研磨材料であってもよい。研磨材の量及びサイズは、デブリを除去及び収集するが接触素子若しくは支持ハードウェア又は毛細管チューブの端に損傷を及ぼさないパッドを達成するために、清浄パッドの微細特徴部の構成に従って、又は接触素子の材料及び幾何形状に基づいて、変化し得る。
図8D~図8Fは、「正の」特徴部の面(それぞれ801、803、及び805)にわたって適用されている予め決められた特性を有する10~100μm厚のポリマーの層の下に「正の」微細特徴部層(マイクロピラミッド802、マイクロカラム804、湾曲マイクロピラミッド806を伴う)を伴う清浄材800の拡大断面図の例を示す。微細特徴部付きの清浄パッド層は、次いで、予め決められた特性の清浄パッド層及び保護ライナの下の1つ又は複数の中間コンプライアント又は剛性材料層の上に構築され得る。
機能化された微細特徴部を伴う清浄パッド/媒体/デバイスの別の実施形態は、「負の」特徴部の面(それぞれ901、903、及び905)にわたって適用される予め決められた特性を有する10~100μm厚のポリマーの層を伴う「負の」微細特徴部(逆マイクロピラミッド901、逆マイクロカラム903、湾曲逆マイクロピラミッド905)を伴う清浄材の拡大断面図の例を示す図9A~図9Cに示される。ポリマー層は、「負の」微細特徴部の、上面にわたって、及びくぼみ(腔内)に、適用され、故に、各負の微細特徴部の内面を被覆する。ポリマーは、粘着性であり、及び研磨材なし、又は研磨粒子を装填され得る。ポリマー内に組み込まれ得る典型的な研磨材は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドを含み得るが、研磨粒子はまた、7以上のモース硬度を有する他の周知の研磨材料であってもよい。研磨材の量及びサイズは、デブリを除去及び収集するが接触素子若しくは支持ハードウェア又は毛細管チューブに損傷を及ぼさないパッドを達成するために、清浄パッドの微細特徴部の構成に従って、又は接触素子の材料及び幾何形状に基づいて、変化し得る。微細特徴部付きの清浄パッド層は、次いで、予め決められた特性の清浄パッド層及び保護ライナの下の1つ又は複数の中間コンプライアント又は剛性材料層の上に構築され得る。上の実施形態は、典型的には、ウェハ又は半導体ウェハ上の1つ若しくは複数のダイを、単体化される前及び/又は組み立てられたパッケージ内へカプセル化される前に試験するシステムのために使用される。
ここで、清浄デバイスの別の実施形態が説明され、本清浄デバイスは、DUTを電気的に試験するために使用される接触素子を清浄するために使用され得、ウェハからの個々の半導体デバイスは、図10Aに示されるように、プラスチックなどの材料501内へカプセル化されている。この例証的な例では、清浄デバイスはまた、パッケージ化集積回路(IC)をハンドリング及び試験するためのATE及び試験器と共に使用され得る。ICパッケージは、パッケージ15の内側のダイ(複数可)を用いて、電力信号、接地及びI/O信号などを含む電気信号を伝導する、パッケージから外へ延びる1つ又は複数の導線又ははんだボールを有し得る(図1B)。この場合は試験ソケット12と呼ばれる試験器インターフェースは、パッケージの線に接触し、パッケージ化DUTの電気的特徴を試験する複数の接触素子13(上に説明されるプローブカード試験器と同様)を有する。一般には、接触素子は、様々なばね仕掛けのプローブ又は可撓性接触素子上に搭載され、単一の槍様、冠様、又は他の多タイン接触器を伴う幾何学的構成を有し得る。可撓性接触素子は、メモリソケット、ロジックソケット、バーンインソケット、又はインタポーザ内に保持されるエラストマーシリコンゴム層内に保持され得る。
プローブカードクリーナ実施形態と同様に、カプセル化されたデバイスのための清浄デバイスは、試験ソケットの接触素子が清浄パッド面に定期的に接触してプローブ素子の先端からデブリを除去することができるように、清浄パッド材料503が図10Bに示されるように適用されている基板を用いてDUT形状を近似し得る。清浄デバイスのサイズは、特定のソケットのサイズ及び形状にフィットするように、又は特定のデバイスの寸法を近似するように修正され得る。図10Bに示される微細特徴部付きの実施形態において、清浄材503は、DUTからはんだボールのサイズ、幾何形状、間隔、及び正確な配置をシミュレートするように構成される。
図11Aでは、清浄デバイス600は、上に説明される層を有し得、DUTはんだボール幾何形状に整合する清浄材で作製された複数の清浄ボール603を有する清浄パッド層601は、接触素子に対する相反矯正圧力が効率的な清浄を付与して接触素子からデブリを除去及び収集するように、研磨性を有する。清浄ボールの高さ、直径、及び場所は、DUTの構成及び接触素子の材料に従って予め決められる。清浄ボールの間隔、幾何形状、及び研磨性は、接触素子に対する相反矯正圧力が効率的な清浄を付与して接触素子からデブリを除去及び収集するようなものである。
別の実施形態において、図11Bは、面にわたって適用される予め決められた特性を有する10~100μm厚の清浄ポリマーの均一な層605をさらに有する、上に説明されるようにDUTはんだボール幾何形状に整合する複数の清浄ボール603を有する清浄パッド層602を伴う清浄デバイス600の断面図を示す。故に、パッド/ポリマー/基板層の数及び清浄面の機能化された微細特徴部は、清浄デバイスの全体的な厚さの制御並びに清浄の厚さのコンプライアンスを提供するために制御される。清浄ボールを伴うこの多層実施形態はまた、浮床ソケットのガイドホール内、並びにプローバのソケット及び接触器の内側に正確な清浄を提供する。
ここで、機能化された微細特徴部を伴う開示された清浄デバイスを使用して複数のプローブ素子及び支持ハードウェア又ははんだボールを清浄するための方法が、図12を参照して説明される。清浄デバイス内への試験器インターフェースの接触素子又はカプセル化された集積回路のためのはんだボールの挿入は、オフラインプロセスの追加のオンラインにより実質的に除去されなければならないいかなる有機残渣も残すことなく、接触素子及び支持ハードウェア又はDUTから付着したデブリを除去する。さらには、接触素子の全体的な電気的特徴、及び幾何形状は、影響を受けないが、高収量及び低接触抵抗に必要とされる全体的な電気性能は回復される。本方法は、試験器インターフェースをATEから取り外すことなく接触素子からデブリを除去し、以て、試験器の生産性を増大させるという目標を達成する。清浄デバイスは、試験器によって試験される典型的なDUTと同じサイズ及び形状を有し得、予め決められた清浄トレイ内へ挿入され得る。代替的に、機能化された微細特徴部を伴う清浄材が、ウェハキャリア内に置かれ得るウェハなどの基板内に置かれ、こうして清浄を実施し得る。デバイスの清浄材層は、試験器インターフェースの接触素子及び支持ハードウェアの構成及び材料に従って、予め決められた物理特性、機械特性、及び幾何形状特性を有する。
上に説明されるように、この清浄ステップは、清浄デバイスが、試験器インターフェースの接触素子の下に位置付けられた清浄トレイから、若しくは毎回ウェハカセットから、定期的に設置されるとき、又はATEが、バニシングプレート上に設置された清浄材を用いて接触素子の清浄動作を実行するときは常に、発生し得る。清浄デバイスの使用は、接触素子の清浄が試験装置の通常動作中に達成されるため、ATEの動作をいかようにも邪魔しない。この様式では、清浄デバイスは、安価であり、接触素子が、接触素子又は試験器インターフェースをATEから取り外すことなく、清浄及び/又は成形されることを許す。
本方法及び装置は、限定されるものではないが、清浄接触器及び接触ピンを保守することを含む、1つ又は複数の利点を提供する。本開示は、特定の例証的な実施形態を参照して説明されているが、本明細書に説明されるものは、限定的な意味で解釈されることは意図されない。例えば、示され説明される実施形態におけるステップの変異形及び組み合わせが、本開示から逸脱することなく、特定の場合に使用され得る。例証的な実施形態の様々な修正及び組み合わせ並びに本開示の他の利点及び実施形態は、図面、説明、及び請求項の参照の際に当業者には明らかであるものとする。本開示の範囲は、本明細書に添付された請求項及びそれらの等価物によって規定されることが意図される。先述は、本発明の特定の実施形態を参照しているが、この実施形態における変更は、本開示の原則及び趣旨から逸脱することなくなされ得、本開示の範囲は、添付の請求項によって規定されるということは当業者により理解されるものとする。
図12は、機能化された微細特徴部を伴う開示された清浄材の様々な実施形態を使用して半導体デバイス又は試験器又はプローブ素子を清浄するための方法1200を示すフローチャートである。図12の方法は、試験器インターフェースを清浄するためのものであるが、同様の方法がDUTなどを清浄するために使用されるということが理解される。本方法において、試験器は、その試験1202を実施する。試験器(制御システムを有する)又は別個のコンピュータシステムは、時間間隔又は試験プロセスの特徴の測定に基づいて、試験器1204を清浄する時であるかどうかを決定し得る。清浄が必要とされない場合、試験器は、試験1202を継続する。試験器を清浄する時であることが決定される場合、機能化された微細特徴部を有する清浄デバイスは、様々な手段によって清浄位置へと動かされ得(1206)、清浄は、試験器をオフラインにすることなく、故に試験装置の通常試験手順の間に、清浄材を使用して実施される(1208)。清浄が完了すると、試験器は、その試験機能を再開する(1210)。
試験結果
図13A及び図13Bは、典型的な清浄材を使用したプローブ先端清浄を例証する。具体的には、図13Aは、機能化された微細特徴部なしの典型的な清浄材がプローブ先端と接触し、結果として、プローブの重要面のすべてが効果的に清浄されないことを示す。典型的な清浄材を用いた清浄後のプローブの例は、図13Bに示され、ここでは、様々なデブリが依然としてプローブに装着又は付着しており、上に説明される問題を結果としてもたらす。
図13A及び図13Bは、典型的な清浄材を使用したプローブ先端清浄を例証する。具体的には、図13Aは、機能化された微細特徴部なしの典型的な清浄材がプローブ先端と接触し、結果として、プローブの重要面のすべてが効果的に清浄されないことを示す。典型的な清浄材を用いた清浄後のプローブの例は、図13Bに示され、ここでは、様々なデブリが依然としてプローブに装着又は付着しており、上に説明される問題を結果としてもたらす。
対照的に、図14A及び14Bは、図13Bが機能化された微細特徴部清浄材を使用して清浄されているときの同じプローブ先端を例証する。図14Aに示されるように、各プローブ(傾斜スライド及び先端を含み、まとめて全プローブ領域)は、機能化された微細特徴部の側面に接触している。機能化された微細特徴部を有する清浄材による清浄の後のプローブの例は、図14Bに示され、ここでは、各プローブの重要面のすべてが清浄されるため、各プローブは、はるかにより清潔である。
図15は、機能化された微細特徴部を伴う開示された清浄材の様々な実施形態を使用してワイヤボンディング装置及び毛細管チューブを清浄するための方法1500を示すフローチャートである。本方法において、ワイヤボンディング装置は、そのワイヤボンディング動作1502を実施する。ワイヤボンディング装置(制御システムを有する)又は別個のコンピュータシステムは、時間間隔又はワイヤボンディングプロセスの特徴の測定に基づいて、ワイヤボンディング装置を清浄する時であるかどうかを決定し得る(1504)。清浄が必要とされない場合、ワイヤボンディングは継続する(1502)。毛細管チューブを清浄する時であることが決定される場合、上に説明される機能化された微細特徴部を有する清浄デバイスは、様々な既知の手段によって清浄位置へと動かされ得(1506)、清浄は、ワイヤボンディング装置をオフラインにすることなく、故にワイヤボンディング装置の通常動作手順の間に、清浄材を使用して実施される(1508)。清浄が完了すると(1510)、ワイヤボンディングは、そのワイヤボンディング動作を再開する(1512)。
先の記述は、説明の目的のため、特定の実施形態を参照して説明されている。しかしながら、上の例証的な議論は、徹底的であること、又は本開示を開示された正確な形態に限定することは意図されない。多くの修正形態及び変異形が上の教示を鑑みて可能である。実施形態は、本開示の原則及びその実践的応用を最良に説明し、以て、当業者が、企図される特定の使用に適合される様々な修正形態を伴う本開示及び様々な実施形態を最良に利用することを可能にするために選択及び説明された。
本明細書に開示されるシステム及び方法は、1つ若しくは複数のコンポーネント、システム、サーバ、器具、他のサブコンポーネントを介して実装され得るか、又はそのような要素間に分散され得る。システムとして実装されるとき、そのようなシステムは、特に、汎用コンピュータにおいて見られるソフトウェアモジュール、汎用CPU、RAMなどのコンポーネントを含む、及び/又はこれに関与し得る。新規性がサーバ上に存在する実装形態において、そのようなサーバは、汎用コンピュータにおいて見られるものなど、CPU、RAMなどのコンポーネントを含むか、又はこれに関与し得る。
加えて、本明細書内のシステム及び方法は、上に明記されるもの以外に、異種又は全く異なるソフトウェア、ハードウェア、及び/又はファームウェアコンポーネントを用いた実装形態を介して達成され得る。本発明と関連付けられた、又はこれを具現化するそのような他のコンポーネント(例えば、ソフトウェア、処理コンポーネントなど)及び/又はコンピュータ可読媒体に関して、例えば、本明細書内の新規性の態様は、多数の汎用又は特定用途コンピューティングシステム又は構成と一貫して実装され得る。本明細書内の新規性との使用に好適であり得る様々な例示的なコンピューティングシステム、環境、及び/又は構成は、限定されるものではないが、パーソナルコンピュータ、ルーティング/接続性コンポーネントなどのサーバ又はサーバコンピューティングデバイス、ハンドヘルド又はラップトップデバイス、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースのシステム、セットトップボックス、コンシューマ電子デバイス、ネットワークPC、他の既存のコンピュータプラットフォーム、上記システム又はデバイスのうちの1つ又は複数を含む分散コンピューティング環境などの中の、又はこれにおいて具現化される、ソフトウェア又は他のコンポーネントを含み得る。
場合によっては、本システム及び方法の態様は、例えば、そのようなコンポーネントまたは回路と関連して実行されるプログラムモジュールを含む論理及び/又は論理命令を介して達成され得るか、又はこれによって実施され得る。一般に、プログラムモジュールは、特定のタスクを実施するか、又は本明細書内の特定の命令を実行する、ルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含み得る。本発明はまた、分散型ソフトウェア、コンピュータ、又は、回路が、通信バス、回路、又はリンクを介して接続される回路環境の状況下で実践され得る。分散型環境において、制御/命令は、メモリストレージデバイスを含む、ローカル及びリモート両方のコンピュータ記憶媒体から発生し得る。
本明細書内のソフトウェア、回路、及びコンポーネントはまた、1つ又は複数のタイプのコンピュータ可読媒体を含み得る、及び/又はこれを利用し得る。コンピュータ可読媒体は、そのような回路及び/又はコンピューティングコンポーネントに存在する、これと関連付け可能である、又はこれによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体であってもよい。限定ではなく例として、コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体及び通信媒体を備え得る。コンピュータ記憶媒体は、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、又は他のデータなどの情報の記憶のために任意の方法又は技術で実装される揮発性及び不揮発性の、取り外し可能及び取り外し不可能な媒体を含む。コンピュータ記憶媒体は、限定されるものではないが、RAM、ROM、EEPROM、フラッシュメモリ若しくは他のメモリ技術、CD-ROM、デジタル多用途ディスク(DVD)若しくは他の光学ストレージ、磁気テープ、磁気ディスクストレージ若しくは他の磁気ストレージデバイス、又は所望の情報を記憶するために使用され得、コンピューティングコンポーネントによってアクセスされ得る任意の他の媒体を含む。通信媒体は、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、及び/又は他のコンポーネントを備え得る。さらに、通信媒体は、ワイヤードネットワーク又はダイレクトワイヤード接続を含み得るが、本明細書内の任意のそのようなタイプの媒体のいずれも、一時的な媒体を含まない。上記のいずれかの組み合わせもまた、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれる。
本説明において、コンポーネント、モジュール、デバイスなどの用語は、様々なやり方で実装され得る任意のタイプの論理若しくは機能的なソフトウェア要素、回路、ブロック、及び又はプロセスを指し得る。例えば、様々な回路及び/又はブロックの機能は、互いと組み合わされて任意の他のいくつかのモジュールにされ得る。各モジュールは、本明細書内の新規性の機能を実施するために中央処理装置によって読み出されるべき有形メモリ(例えば、ランダムアクセスメモリ、リードオンリメモリ、CD-ROMメモリ、ハードディスクなど)に記憶されたソフトウェアプログラムとして実装されることさえあり得る。又は、モジュールは、伝送搬送波により、汎用コンピュータに、又は処理/グラフィックハードウェアに伝送されるプログラミング命令を備え得る。また、モジュールは、本明細書内の新規性によって包含される機能を実施するハードウェア論理回路として実装され得る。そして、モジュールは、所望のレベル性能及び費用を提供する、特定用途命令(SIMD命令)、フィールドプログラマブル論理アレイ、又はそれらの任意の混合を使用して実装され得る。
本明細書に開示されるように、本開示と一貫する特徴は、コンピュータ-ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアにより実装され得る。例えば、本明細書に開示されるシステム及び方法は、例えば、データベースも含むコンピュータなどのデータプロセッサ、デジタル電子回路、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの組み合わせを含む、様々な形態で具現化され得る。さらに、開示された実装形態のうちの一部は、特定のハードウェアコンポーネントを説明するが、本明細書内の新規性と一貫するシステム及び方法は、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアの任意の組み合わせを用いて実装され得る。さらには、本明細書内の新規性の上記の特徴並びに他の態様及び原則は、様々な環境において実装され得る。そのような環境及び関連応用は、本発明に従って様々なルーチン、プロセス、及び/又は動作を実施するために特別に構築され得るか、それらは、必要な機能性を提供するためにコードによって選択的に起動又は再構成される汎用コンピュータ又はコンピューティングプラットフォームを含み得る。本明細書に開示されるプロセスは、任意の特定のコンピュータ、ネットワーク、アーキテクチャ、環境、又は他の装置に本質的に関連するものではなく、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアの好適な組み合わせによって実装され得る。例えば、様々な汎用装置が、本発明の教示に従って書かれたプログラムと共に使用され得るか、又は、それは、必要とされる方法及び教示を実施するために専用装置若しくはシステムを構築するのにより簡便であり得る。
論理などの、本明細書に説明される方法及びシステムの態様はまた、フィールドプログラマブルゲートアレイ(「FPGA」)、プログラマブルアレイ論理(「PAL」)デバイス、電気的に消去可能な論理及びメモリデバイス、並びに標準セルベースデバイスなどの、プログラマブル論理デバイス(「PLD」)、並びに特定用途向け集積回路を含む、様々な回路のいずれかにプログラムされる機能性として実装され得る。態様を実装するいくつかの他の可能性としては、メモリデバイス、メモリ(EEPROMなど)を伴うマイクロコントローラ、埋め込み型マイクロプロセッサ、ファームウェア、ソフトウェアなどが挙げられる。さらには、態様は、ソフトウェアベースの回線エミュレーションを有するマイクロプロセッサ、個別論理(順序及び組み合わせ)、カスタムデバイス、ファジー(神経)論理、量子デバイス、上記デバイスタイプのうちのいずれかのハイブリッドにおいて具現化され得る。根本となるデバイス技術は、例えば、相補型金属酸化膜半導体(「CMOS」)のような金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(「MOSFET」)技術、エミッタ結合型論理(「ECL」)のようなバイポーラ技術、ポリマー技術(例えば、ケイ素共役ポリマー及び金属共役ポリマー-金属構造体)、混合アナログ及びデジタルなど、様々なコンポーネントタイプで提供され得る。
本明細書に開示される様々な論理及び/又は機能は、それらの行動特徴、レジスタ転送特徴、論理コンポーネント特徴、及び/又は他の特徴に関して、ハードウェア、ファームウェアの任意の数の組み合わせを使用して、及び/又は様々な装置可読若しくはコンピュータ可読媒体において具現化されるデータ及び/若しくは命令として、可能にされ得るということにも留意されたい。そのようなフォーマット化データ及び/又は命令が具現化され得るコンピュータ可読媒体は、限定されるものではないが、様々な形態(例えば、光学、磁気、又は半導体記憶媒体)にある不揮発性記憶媒体を含むが、ここでも一時的な媒体は含まない。文脈が明白に別のことを要求しない限り、本説明全体を通して、「備える」という言葉及び同種のものは、排他的又は徹底的意味とは反対の包含的意味で、つまり、「含むが、限定されない」の意味で、解釈されるべきである。単数又は複数を使用した言葉もまた、それぞれ複数又は単数を含む。加えて、「本明細書内」、「本明細書内以後」、「上記」、「以下」、及び同様の趣旨の言葉は、全体として本出願を指し、本出願の任意の特定の部分を指さない。「又は」という言葉が2つ以上の項目のリストを参照して使用されるとき、その言葉は、以下の言葉の解釈のすべて:リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目のすべて、及びリスト内の項目の任意の組み合わせ、を網羅する。
本発明の特定の現在好ましい実装形態が本明細書に詳細に説明されているが、本明細書に示され説明される様々な実装形態の変異形及び修正形態が本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなくなされ得ることは当業者には明白であるものとする。したがって、本発明は適用可能な法秩序によって要求される範囲に限り制限されることが意図される。
先述は、本開示の特定の実施形態を参照しているが、この実施形態における変更は、本開示の原則及び趣旨から逸脱することなくなされ得、本開示の範囲は、添付の請求項によって規定されるということは当業者により理解されるものとする。
Claims (48)
- ウェハレベル又はパッケージレベルIC半導体デバイス試験のために使用される試験インターフェースの接触素子及び支持構造体を清浄するための機能化面を伴う清浄材であって、前記清浄材は、
複数の機能化された微細特徴部を有する清浄媒体であって、前記複数の機能化された微細特徴部の各々が本体部を有し、前記本体部は、接触領域及び周囲の支持ハードウェアが変更又は損傷なしに清浄されるように前記清浄媒体を最適化する、幅、高さ、各本体部間の間隔、及び寸法特性を有し、各微細特徴部は、前記清浄媒体の上面から離れる方へ延び、前記清浄媒体は、各微細特徴部の前記本体部内に均一に分布される7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を有する、清浄媒体と、
前記ピン接触素子及び支持ハードウェアから汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、前記清浄媒体の前記上面にわたって適用される清浄層と、
前記清浄媒体の下の1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層であって、各下層は、40MPa超~600MPaの範囲の弾性係数を有し、各層は、25μm~300μmの厚さを有し、各層は、30ショアA~90ショアAの硬度を有する、1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層と
を備える、清浄材。 - 前記複数の機能化された微細特徴部は、前記清浄媒体にわたって1つ又は均一に成形され、前記清浄媒体にわたって可変に離間される、請求項1に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数の種類の粒子をさらに含む、請求項1に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、予め決められた比重、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、及び多孔性を有する10~100μm厚であるポリマー層をさらに備える、請求項1に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の上面にわたって、10~100μm厚の、7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を有する研磨ポリマーの層をさらに備える、請求項1に記載の清浄材。
- それぞれの微細特徴部が、前記清浄媒体の上面から上方に離れて延びる正の微細特徴部をさらに含む、請求項1に記載の清浄材。
- それぞれの正の微細特徴部は、マイクロピラミッド、マイクロカラム、及び湾曲マイクロピラミッドのうちの1つである、請求項6に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、各正の微細特徴部の本体部を覆って適用され、各正の微細特徴部の本体部は、表側を有し、前記清浄層は、各正の微細特徴部の前記表側を覆って適用される、請求項6に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、各正の微細特徴部の上面にわたって、及び各正の微細特徴部の前記本体部に沿って適用される、10μm未満の厚さで7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子をさらに含む、請求項6に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数のタイプの粒子の混合物である、請求項9に記載の清浄材。
- 各微細特徴部は、前記清浄媒体の前記上面から離れる方へ下方に延びる負の微細特徴部をさらに備える、請求項1に記載の清浄材。
- 各負の微細特徴部は、マイクロピラミッド、マイクロカラム、及び湾曲マイクロピラミッドのうちの1つである、請求項11に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の前記上面にわたって、及び各負の微細特徴部の腔内へ、及び各負の微細特徴部の内面に沿って、適用される、請求項11に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の前記上面にわたって、及び各負の微細特徴部の腔内へ、及び各負の微細特徴部の内面に沿って適用される、10μm未満の厚さで7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子をさらに含む、請求項11に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数のタイプの粒子の混合物である、請求項14に記載の清浄材。
- ウェハレベル又はパッケージレベルIC半導体デバイス試験のために使用される試験インターフェースの接触素子及び支持構造体を清浄するための方法であって、
前記ウェハレベル又はパッケージレベルIC半導体デバイスの試験動作を実施することと、
清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することと、を含み、前記清浄デバイスは、複数の機能化された微細特徴部を有する清浄媒体であって、前記複数の機能化された微細特徴部の各々が本体部を有し、前記本体部は、接触領域及び周囲の支持ハードウェアが変更又は損傷なしに清浄されるように前記清浄媒体を最適化する幅、高さ、各本体部間の間隔、及び寸法特性を有し、各微細特徴部は、前記清浄媒体の上面から離れる方へ延び、前記清浄媒体は、各微細特徴部の前記本体部内に均一に分布される7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を有する、清浄媒体と、前記ピン接触素子及び支持ハードウェアから汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、前記清浄媒体の前記上面にわたって適用される清浄層と、前記清浄媒体の下の1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層であって、各下層は、40MPa超~600MPaの範囲の弾性係数を有し、各層は、25μm~300μmの厚さを有し、各層は、30ショアA~90ショアAの硬度を有する、1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層と、を有する、方法。 - 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、予め決められた比重、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、及び多孔性を有する10~100μm厚であるポリマー層を使用することをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、前記清浄媒体の前記上面から離れる方へ上方に延びる複数の正の微細特徴部を使用することをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、前記清浄媒体の上面から離れる方へ下方に延びる複数の負の微細特徴部を使用することをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 半導体試験装置内のピン接触素子及び支持ハードウェアを清浄するための清浄デバイスであって、
試験下の半導体デバイスのはんだボール、ピラー、銅ピラーバンプ、及び/又は金バンプに倣った複数の幾何学的面特徴部を伴う清浄媒体であって、前記清浄ボール及び清浄ピラーは、試験インターフェースの接触素子及び支持構造体を清浄するための、前記特徴部内に分布され、7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子からさらになる、清浄媒体と、
前記ピン接触素子及び支持ハードウェアから汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、各幾何学的面特徴の上面にわたって、及び各幾何学的面特徴の側面に沿って適用される、清浄層と、
前記試験装置の通常試験動作中、前記試験装置内に導入されるのに好適な構成を有する、前記清浄媒体が装着される基板であって、サロゲート半導体ウェハ又はパッケージ化ICデバイスを備える、基板と
を備える、清浄デバイス。 - 各幾何学的面特徴の、前記上面にわたって、及び前記側面に沿って、適用される複数の研磨粒子をさらに備える、請求項20に記載の清浄デバイス。
- 前記清浄層は、決められた比重、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、及び多孔性を有する、10~100μm厚を有するポリマーの層をさらに備える、請求項20に記載の清浄デバイス。
- 前記清浄層は、10μm~100μmの厚さで、7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を伴う研磨ポリマーの層をさらに備える、請求項20に記載の清浄デバイス。
- 前記清浄層は、10μm未満の厚さで7以上のモース硬度を有する、複数の研磨粒子を伴う研磨ポリマーの層をさらに備える、請求項20に記載の清浄デバイス。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数のタイプの粒子の混合物をさらに含む、請求項24に記載の清浄デバイス。
- 半導体試験装置内のピン接触素子及び支持ハードウェアを清浄するための方法であって、
はんだボール、ピラー、銅ピラーバンプ、及び金バンプのうちの1つの予め決められた構成を有する試験下のデバイスの試験を実施することと、
清浄デバイスを使用して前記ピン接触素子及び支持ハードウェアの清浄を実施することと、を含み、前記清浄デバイスは、模倣する複数の幾何学的面特徴部を伴う清浄媒体であって、前記清浄ボール及び清浄ピラーは、試験インターフェースの接触素子及び支持構造体を清浄するための、前記特徴部内に分布され、7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子からさらになる、清浄媒体と、前記ピン接触素子及び支持ハードウェアから汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、各幾何学的面特徴の上面にわたって、及び各幾何学的面特徴の側面に沿って適用される、清浄層と、前記試験装置の通常試験動作中、前記試験装置内に導入されるのに好適な構成を有する、前記清浄媒体が装着される基板であって、サロゲート半導体ウェハ又はパッケージ化ICデバイスを備える、基板と、を有する、方法。 - ワイヤボンディング装置の毛細管チューブを清浄するための機能化面を伴う清浄材であって、
複数の機能化された微細特徴部を有する清浄媒体であって、前記複数の機能化された微細特徴部の各々が本体部を有し、前記本体部は、接触領域及び周囲の支持ハードウェアが変更又は損傷なしに清浄されるように前記清浄媒体を最適化する、幅、高さ、各本体部間の間隔、及び寸法特性を有し、各微細特徴部は、前記清浄媒体の上面から離れる方へ延び、前記清浄媒体は、各微細特徴部の前記本体部内に均一に分布される7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を有する、清浄媒体と、
前記毛細管チューブの1つ又は複数の面から汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、前記清浄媒体の前記上面にわたって適用される清浄層と、
前記清浄媒体の下の1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層であって、各下層は、40MPa超~600MPaの範囲の弾性係数を有し、各層は、25μm~300μmの厚さを有し、各層は、30ショアA~90ショアAの硬度を有する、1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層と
を備える、清浄材。 - 前記複数の機能化された微細特徴部は、前記清浄媒体にわたって1つ又は均一に成形され、前記清浄媒体にわたって可変に離間される、請求項27に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数の種類の粒子をさらに含む、請求項27に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、予め決められた比重、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、及び多孔性を有する10~100μm厚であるポリマー層をさらに備える、請求項27に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の上面にわたって10~100μm厚の、7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を伴う研磨ポリマーの層をさらに備える、請求項27に記載の清浄材。
- 各微細特徴部は、前記清浄媒体の前記上面から離れる方へ上方に延びる正の微細特徴部をさらに備える、請求項27に記載の清浄材。
- 各正の微細特徴部は、マイクロピラミッド、マイクロカラム、及び湾曲マイクロピラミッドのうちの1つである、請求項32に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、各正の微細特徴部の本体部を覆って適用され、各正の微細特徴部の本体部は、表側を有し、前記清浄層は、各正の微細特徴部の前記表側を覆って適用される、請求項32に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、各正の微細特徴部の上面にわたって、及び各正の微細特徴部の前記本体部に沿って適用される、10μm未満の厚さで7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子をさらに備える、請求項32に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数のタイプの粒子の混合物である、請求項35に記載の清浄材。
- 各微細特徴部は、前記清浄媒体の上面から離れる方へ下方に延びる負の微細特徴部をさらに備える、請求項27に記載の清浄材。
- 各負の微細特徴部は、マイクロピラミッド、マイクロカラム、及び湾曲マイクロピラミッドのうちの1つである、請求項37に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の前記上面にわたって、及び各負の微細特徴部の腔内へ、及び各負の微細特徴部の内面に沿って、適用される、請求項37に記載の清浄材。
- 前記清浄層は、前記清浄媒体の前記上面にわたって、及び各負の微細特徴部の腔内へ、及び各負の微細特徴部の内面に沿って適用される、10μm未満の厚さで7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子をさらに備える、請求項37に記載の清浄材。
- 前記複数の研磨粒子は、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、及びダイヤモンドからなる群から選択される1つ又は複数のタイプの粒子の混合物である、請求項40に記載の清浄材。
- ワイヤボンディング装置の毛細管チューブを清浄するための方法であって、
前記ワイヤボンディング装置の前記毛細管チューブを使用してワイヤボンディング動作を実施することと、
清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することと、を含み、前記清浄デバイスは、複数の機能化された微細特徴部を有する清浄媒体であって、前記複数の機能化された微細特徴部の各々が本体部を有し、前記本体部は、前記毛細管チューブの1つ又は複数の面が変更又は損傷なしに清浄されるように前記清浄媒体を最適化する、幅、高さ、各本体部間の間隔、及び寸法特性を有し、各微細特徴部は、前記清浄媒体の上面から離れる方へ延び、前記清浄媒体は、各微細特徴部の前記本体部内に均一に分布される7以上のモース硬度を有する複数の研磨粒子を有する、清浄媒体と、前記毛細管チューブの1つ又は複数の面から汚染物を清浄する予め決められた特徴を有する、前記清浄媒体の前記上面にわたって適用される清浄層と、前記清浄媒体の下の1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層であって、各下層は、40MPa超~600MPaの範囲の弾性係数を有し、各層は、25μm~300μmの厚さを有し、各層は、30ショアA~90ショアAの硬度を有する、1つ又は複数の中間剛性又はコンプライアント下層と、を有する、方法。 - 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、予め決められた比重、弾性、粘着性、平坦性、厚さ、及び多孔性を有する10~100μm厚であるポリマー層を使用することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
- 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、前記清浄媒体の上面から離れる方へ上方に延びる正の微細特徴部を使用することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
- 前記清浄デバイスを使用して清浄動作を実施することは、前記清浄媒体の上面から離れる方へ下方に延びる負の微細特徴部を使用することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
- 前記清浄動作を実施することは、前記毛細管チューブを前記ワイヤボンディング装置から取り外すことなく前記毛細管チューブの前記清浄動作を実施することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
- 前記清浄動作が完了すると、前記ワイヤボンディング動作を再開することをさらに含む、請求項46に記載の方法。
- 前記清浄動作を実施することは、予め決められた時間期間の後、前記毛細管チューブの前記清浄動作を実施することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/684,453 US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2019-11-14 | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
US16/684,453 | 2019-11-14 | ||
US16/855,841 | 2020-04-22 | ||
US16/855,841 US11318550B2 (en) | 2019-11-14 | 2020-04-22 | System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures |
PCT/US2020/060275 WO2021097121A1 (en) | 2019-11-14 | 2020-11-12 | System and method for cleaning contact elements and support hardware or wire bonder using functionalized surface microfeatures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023502068A true JP2023502068A (ja) | 2023-01-20 |
JPWO2021097121A5 JPWO2021097121A5 (ja) | 2023-11-21 |
Family
ID=75909210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022528071A Pending JP2023502068A (ja) | 2019-11-14 | 2020-11-12 | 機能化面微細特徴部を使用して接触素子及び支持ハードウェア又はワイヤボンダを清浄するためのシステム及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11318550B2 (ja) |
EP (1) | EP4058216A4 (ja) |
JP (1) | JP2023502068A (ja) |
KR (1) | KR20220098775A (ja) |
CN (1) | CN114829028A (ja) |
TW (1) | TWI804773B (ja) |
WO (1) | WO2021097121A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA3090835A1 (en) | 2018-02-23 | 2019-08-29 | International Test Solutions, Inc. | Novel material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls |
US11756811B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-09-12 | International Test Solutions, Llc | Pick and place machine cleaning system and method |
US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2021-12-28 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
TWI805107B (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-11 | 神興科技股份有限公司 | 雙層探針清潔片及該探針清潔片之製造方法 |
CN116031693A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-04-28 | 深圳市晶封半导体有限公司 | 一种固态硬盘用高精密封装测试装置 |
Family Cites Families (207)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2971208A (en) | 1958-06-06 | 1961-02-14 | Harry E Moore | Apparatus for scrubbing automobile floor mats |
US3453677A (en) | 1968-04-15 | 1969-07-08 | Bertie Burger Cutler | Dry mop |
US3675265A (en) | 1969-12-12 | 1972-07-11 | Int Silver Co | Brush construction |
US3644953A (en) | 1970-06-08 | 1972-02-29 | Minnesota Mining & Mfg | Sheet-cleaning apparatus |
US3717897A (en) | 1970-06-18 | 1973-02-27 | H Amos | Tacky floor pad |
US3945079A (en) | 1975-03-31 | 1976-03-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laminated photographic film cleaning fabric |
US4104755A (en) | 1976-08-02 | 1978-08-08 | Smith Judson L | Vehicle floor mat washer |
US4277160A (en) | 1978-09-13 | 1981-07-07 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electrostatic printer |
US4334780A (en) | 1979-06-29 | 1982-06-15 | Grumman Aerospace Corporation | Optical surface roughness detection method and apparatus |
JPS5788742A (en) | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Nec Corp | Device and method for bonding |
US4590422A (en) | 1981-07-30 | 1986-05-20 | Pacific Western Systems, Inc. | Automatic wafer prober having a probe scrub routine |
JPS58131743A (ja) | 1982-01-29 | 1983-08-05 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンダにおけるボ−ル形成方法及びその装置 |
JPS6190434A (ja) | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Hitachi Ltd | 電子素子の製造方法 |
JPS6199336A (ja) | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | 電子素子の製造方法 |
JPS61124139A (ja) | 1984-11-21 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | 電子素子の製造方法 |
JPS61245536A (ja) | 1985-04-24 | 1986-10-31 | Hitachi Ltd | 電子素子の製造方法 |
JPS62184842A (ja) | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | フイルムの表面処理方法 |
JPS63204728A (ja) | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fukuoka Nippon Denki Kk | 半導体装置のゴミ除去装置 |
JP2708462B2 (ja) | 1988-04-28 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体基板の表面処理方法、半導体基板の表面処理装置及び半導体基板表面処理膜 |
US5011513A (en) | 1989-05-31 | 1991-04-30 | Norton Company | Single step, radiation curable ophthalmic fining pad |
JPH0435778A (ja) | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Fujitsu Ltd | ノズルの清掃方法 |
JP2827060B2 (ja) | 1991-05-20 | 1998-11-18 | 株式会社新川 | ボンデイング装置 |
JPH04364746A (ja) | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
US5192455A (en) | 1991-08-26 | 1993-03-09 | Marcel Jr Raymond C | Pollution pad reconditioning/recycling system |
JPH05211195A (ja) | 1991-11-29 | 1993-08-20 | Nec Corp | ワイヤーボンディング装置 |
JPH05326471A (ja) | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Sony Corp | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
JPH0596057U (ja) | 1992-05-27 | 1993-12-27 | 日新電機株式会社 | クリーニングウエーハ |
US5444265A (en) | 1993-02-23 | 1995-08-22 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting defective semiconductor wafers during fabrication thereof |
US5485949A (en) | 1993-04-30 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary |
JP2511806B2 (ja) | 1994-03-03 | 1996-07-03 | 日本電子材料株式会社 | プロ―ブ先端クリ―ニング部材 |
US5507874A (en) | 1994-06-03 | 1996-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors |
JP3188935B2 (ja) | 1995-01-19 | 2001-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP2813147B2 (ja) | 1995-02-14 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
US5597346A (en) | 1995-03-09 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for holding a semiconductor wafer during a chemical mechanical polish (CMP) process |
JPH08310080A (ja) | 1995-03-10 | 1996-11-26 | Seiko Epson Corp | クリーニングシートおよびこれを含む記録媒体セット |
JP3417721B2 (ja) | 1995-04-04 | 2003-06-16 | 三菱電機株式会社 | 走査プローブ顕微鏡の使用方法 |
DE69625020T2 (de) | 1995-04-19 | 2003-07-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zum reinigen von nadelkartenprüfspitzen |
US5685043A (en) | 1995-07-24 | 1997-11-11 | Xerox Corporation | Removal of particulates from cylindrical members |
US5699584A (en) | 1995-07-24 | 1997-12-23 | Xerox Corporation | Web system |
JPH09102453A (ja) | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Nikon Corp | 基板保持部材及び露光装置 |
JP2808261B2 (ja) | 1995-10-31 | 1998-10-08 | 株式会社コバックス | 研磨シートおよびその製造方法 |
KR100392730B1 (ko) | 1995-12-28 | 2003-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐필러리클리닝장치및방법 |
US5690749A (en) | 1996-03-18 | 1997-11-25 | Motorola, Inc. | Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material |
US5671119A (en) | 1996-03-22 | 1997-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus |
US5783018A (en) | 1996-04-05 | 1998-07-21 | Motorola, Inc. | Apparatus for cleaning labels and method therefor |
US5746928A (en) | 1996-06-03 | 1998-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus |
TW334609B (en) | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
US5766061A (en) | 1996-10-04 | 1998-06-16 | Eco-Snow Systems, Inc. | Wafer cassette cleaning using carbon dioxide jet spray |
JPH10154686A (ja) | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | 半導体基板処理装置のクリーニング方法 |
TW377482B (en) | 1997-04-08 | 1999-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaner with protuberances for inspection, inspection apparatus and inspection method for integrated circuits |
JP3923589B2 (ja) | 1997-04-22 | 2007-06-06 | 住友スリーエム株式会社 | プローブカード針先研掃方法 |
US6306187B1 (en) | 1997-04-22 | 2001-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive material for the needle point of a probe card |
US6118290A (en) | 1997-06-07 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Prober and method for cleaning probes provided therein |
DE69832110T2 (de) | 1997-07-24 | 2006-07-20 | Mitsubishi Denki K.K. | Herstellungsverfahren für eine Prüfnadel für Halbleitergeräte |
JPH1187438A (ja) | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法 |
US6573702B2 (en) | 1997-09-12 | 2003-06-03 | New Wave Research | Method and apparatus for cleaning electronic test contacts |
US5930857A (en) | 1997-10-14 | 1999-08-03 | Eastman Kodak Company | Apparatus for cleaning a surface of a moving web |
JPH11133116A (ja) | 1997-11-04 | 1999-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード用プローブ針の研磨部材およびクリーニング装置 |
JP3366239B2 (ja) | 1997-11-07 | 2003-01-14 | 松下電器産業株式会社 | プローブカードの洗浄装置 |
JP3429995B2 (ja) | 1997-11-10 | 2003-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
JPH11230989A (ja) | 1997-12-10 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード用プローブ針のクリーニング方法およびクリーニング装置とそれに用いる洗浄液 |
US6121058A (en) | 1998-01-02 | 2000-09-19 | Intel Corporation | Method for removing accumulated solder from probe card probing features |
AU1977599A (en) | 1998-01-09 | 1999-07-26 | Beamech Group Limited | Process and apparatus for producing plastics and polymeric foam |
US6019663A (en) | 1998-02-20 | 2000-02-01 | Micron Technology Inc | System for cleaning semiconductor device probe |
JPH11238768A (ja) | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Japan Electronic Materials Corp | プローブ先端クリーニングシート |
US6246250B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources |
TW436635B (en) | 1998-07-24 | 2001-05-28 | Makoto Matsumura | Polishing plate |
US6256555B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Newport Corporation | Robot arm with specimen edge gripping end effector |
JP2000232125A (ja) | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Fujitsu Ten Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
EP1183109A4 (en) | 1999-05-11 | 2005-06-01 | Audrey Muhr-Sweeney | UNIVERSAL CLEANING UNIT |
US6507393B2 (en) | 1999-05-12 | 2003-01-14 | John Samuel Batchelder | Surface cleaning and particle counting |
JP4152040B2 (ja) | 1999-05-21 | 2008-09-17 | 株式会社日本マイクロニクス | 接触子先端のクリーニング部材 |
US6777966B1 (en) | 1999-07-30 | 2004-08-17 | International Test Solutions, Inc. | Cleaning system, device and method |
US7202683B2 (en) | 1999-07-30 | 2007-04-10 | International Test Solutions | Cleaning system, device and method |
US6224470B1 (en) | 1999-09-29 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pad cleaning brush for chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same |
US6193587B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-02-27 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for cleansing a polishing pad |
US6733876B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Flexible abrasive article |
US6280298B1 (en) | 1999-11-24 | 2001-08-28 | Intel Corporation | Test probe cleaning |
KR20010063275A (ko) | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 윤종용 | 디램에서의 스토리지 전극 형성 방법 |
US6523208B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-02-25 | Xerox Corporation | Flexible web cleaning system |
US20020079349A1 (en) | 2000-03-27 | 2002-06-27 | Kessem Trade Company Ltd. | Wire bonding capillary |
MY126932A (en) | 2000-07-14 | 2006-10-31 | Nitto Denko Corp | Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them |
DE10054159A1 (de) | 2000-11-02 | 2002-05-16 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Montage von Halbleiterscheiben |
JP3463043B2 (ja) | 2001-01-24 | 2003-11-05 | Necセミコンダクターズ九州株式会社 | ワイヤボンディング装置のキャピラリを洗浄する洗浄方法及び洗浄装置 |
US6619854B2 (en) | 2001-01-31 | 2003-09-16 | Teradyne, Inc. | Techniques for cleaning an optical interface of an optical connection system |
US6714295B2 (en) | 2001-10-23 | 2004-03-30 | Beyond 3, Inc. | Optical inspection method and apparatus having an enhanced height sensitivity region and roughness filtering |
JP2002248433A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-03 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の清掃装置及びそれを用いたパネル製造装置 |
KR100857642B1 (ko) | 2001-04-09 | 2008-09-08 | 니혼 미크로 코팅 가부시끼 가이샤 | 접촉자 선단 및 측면 클리닝 용구 |
EP1377394B1 (en) | 2001-04-09 | 2007-12-19 | Nitto Denko Corporation | Label sheet for cleaning, method of manufacturing a label sheet, conveying member having cleaning function and method of cleaning a substrate processing equipment |
JP2002326169A (ja) | 2001-05-02 | 2002-11-12 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 接触子クリーニングシート及び方法 |
JP4832664B2 (ja) | 2001-05-21 | 2011-12-07 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 接触子クリーニングシート及び方法 |
JP3888197B2 (ja) | 2001-06-13 | 2007-02-28 | 三菱電機株式会社 | プローブ先端付着異物の除去部材、プローブ先端付着異物のクリーニング方法およびプロービング装置 |
US6776171B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-08-17 | International Business Machines Corporation | Cleaning of semiconductor wafers by contaminate encapsulation |
US6908364B2 (en) | 2001-08-02 | 2005-06-21 | Kulicke & Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for probe tip cleaning and shaping pad |
WO2003027313A2 (en) | 2001-09-24 | 2003-04-03 | The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services | SUPPRESSORS OF CpG OLIGONUCLEOTIDES AND METHODS OF USE |
US6817052B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-11-16 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for cleaning test probes |
JP3987720B2 (ja) | 2001-12-19 | 2007-10-10 | 日東電工株式会社 | クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
US6813828B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-11-09 | Gel Pak L.L.C. | Method for deconstructing an integrated circuit package using lapping |
US6840374B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-01-11 | Igor Y. Khandros | Apparatus and method for cleaning test probes |
US6813804B2 (en) | 2002-06-06 | 2004-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning probe card contacts |
US20050118414A1 (en) | 2002-06-19 | 2005-06-02 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these |
US7306849B2 (en) | 2002-07-01 | 2007-12-11 | Formfactor, Inc. | Method and device to clean probes |
JP2004063669A (ja) | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法 |
US6696644B1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Polymer-embedded solder bumps for reliable plastic package attachment |
JP2004174314A (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nitto Denko Corp | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
WO2004048008A1 (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Nitto Denko Corporation | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
JP2004305936A (ja) | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | プローブピン洗浄装置 |
ITMI20030292U1 (it) | 2003-06-23 | 2004-12-24 | Paperlast Internat S R L | Dispositivo per la introduzione di fogli con pulitura automatica in ma cchine plastificatrici |
US6899602B2 (en) | 2003-07-30 | 2005-05-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Nc | Porous polyurethane polishing pads |
US7718255B2 (en) | 2003-08-19 | 2010-05-18 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheets and method of cleaning with the same |
US7411157B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-08-12 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Electronic flame-off electrode with ball-shaped tip |
US20050172438A1 (en) | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for installing a scrubber brush on a mandrel |
JP2005249409A (ja) | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | プローブ針用クリーニングシート |
JP2005254498A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Lintec Corp | クリーニングシートおよびこれを用いたクリーニング方法 |
JP2005326250A (ja) | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プローブ用クリーニングシート及びクリーニング方法 |
US7180315B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-02-20 | Sv Probe, Ltd. | Substrate with patterned conductive layer |
JP2006013185A (ja) | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Nitto Denko Corp | 半導体装置用クリーニング部材の再生方法 |
JP2006015457A (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Nikon Corp | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
JP2006019616A (ja) | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Nitto Denko Corp | クリーニング機能付き搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法 |
US7655316B2 (en) | 2004-07-09 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a substrate support |
JP4064383B2 (ja) | 2004-08-09 | 2008-03-19 | シャープ株式会社 | 定着装置およびそれを備える画像形成装置 |
US20060065290A1 (en) | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Jerry Broz | Working surface cleaning system and method |
US9833818B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-12-05 | International Test Solutions, Inc. | Working surface cleaning system and method |
JP2006165395A (ja) | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Jsr Corp | プローブクリーニングフィルム及びプローブクリーニング部材 |
JP2006186133A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の検査装置および検査方法 |
JP2006216886A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | チャック、処理ユニット、基板処理装置およびチャック面洗浄方法 |
US7671398B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-03-02 | Tran Bao Q | Nano memory, light, energy, antenna and strand-based systems and methods |
US20060219754A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Horst Clauberg | Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using same |
JP4970835B2 (ja) | 2005-05-26 | 2012-07-11 | 日東電工株式会社 | 粘着剤層、その製造方法、粘着シート、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材およびクリーニング方法 |
US20060272678A1 (en) | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Corrado Frank C | Method and apparatus for a tape-rewinding substrate cleaner |
KR100686793B1 (ko) | 2005-06-23 | 2007-02-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 캐필러리로부터 파티클을 제거할 수 있는 와이어 본딩 머신 및 캐필러리 하단 팁의 클리닝 방법 |
CN1889240A (zh) | 2005-06-28 | 2007-01-03 | 京元电子股份有限公司 | 自动清洁吸嘴的装置与方法 |
JP2007035684A (ja) | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nitto Denko Corp | 基板処理装置の除塵部材 |
US8475600B2 (en) | 2005-10-25 | 2013-07-02 | Nitto Denko Corporation | Cleaning sheet, transfer member provided with cleaning function, and method for cleaning substrate processing apparatus |
DE102005052308A1 (de) | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Tesa Ag | Vorrichtung zur Reinigung einer einseitig mit Klebmasse beaufschlagten Materialbahn |
JP4530975B2 (ja) | 2005-11-14 | 2010-08-25 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法 |
JP4607748B2 (ja) | 2005-12-02 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板のパーティクル除去方法、その装置及び塗布、現像装置 |
US20070140754A1 (en) | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Xerox Corporation. | Reusable web cleaning system for a fuser |
US20070153062A1 (en) | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Shie Jin S | Monolithic fabrication method and structure of array nozzles on thermal inkjet print head |
KR20070074426A (ko) | 2006-01-09 | 2007-07-12 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 제조공정용 클리닝장치 |
KR20070074398A (ko) | 2006-01-09 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 오염 물질 제거부를 포함하는 반도체 웨이퍼 |
US7772830B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Test handler automatic contactor cleaner methods and surrogate cleaning device |
JP2007329377A (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Nitto Denko Corp | クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法 |
US7641739B2 (en) | 2006-06-13 | 2010-01-05 | The Boeing Company | Friction stir welding tool cleaning method |
JP4700570B2 (ja) | 2006-07-14 | 2011-06-15 | 株式会社新川 | ボンディング装置並びにボンディングツール先端部の洗浄方法及びプログラム |
JP2008039706A (ja) | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nihon Micro Coating Co Ltd | プローブクリーニングシート |
JP5009065B2 (ja) | 2006-08-11 | 2012-08-22 | 日東電工株式会社 | クリーニング部材、クリーニング機能付搬送部材、および基板処理装置のクリーニング方法 |
JP4509981B2 (ja) | 2006-08-11 | 2010-07-21 | 日東電工株式会社 | クリーニング部材、クリーニング機能付搬送部材、および基板処理装置のクリーニング方法 |
CN101127343B (zh) | 2006-08-18 | 2010-12-15 | 巨擘科技股份有限公司 | 结合ic整合基板与载板的结构及其制造方法与电子装置的制造方法 |
JP5027468B2 (ja) | 2006-09-15 | 2012-09-19 | 日本ミクロコーティング株式会社 | プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法 |
JP4840118B2 (ja) | 2006-12-13 | 2011-12-21 | 株式会社デンソー | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
JP2008210894A (ja) | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Nec Electronics Corp | ウェハ処理装置 |
JP2008270270A (ja) | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9093481B2 (en) | 2007-04-23 | 2015-07-28 | GlobalFoundries, Inc. | Method for semiconductor wafer fabrication utilizing a cleaning substrate |
US7530887B2 (en) | 2007-08-16 | 2009-05-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with controlled wetting |
JP2009138027A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Nitto Denko Corp | 粘着剤層の製造方法、粘着シート、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材およびクリーニング方法 |
JP4369507B2 (ja) | 2007-12-07 | 2009-11-25 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
CN101896994B (zh) * | 2007-12-10 | 2012-04-04 | 里纳股份有限公司 | 用于清洁的设备和方法 |
CN101903990B (zh) | 2007-12-18 | 2013-11-06 | 杨秉春 | 嵌入式互连系统的形成方法、双重嵌入式互连系统的形成方法及集成电路装置的形成方法 |
US8163605B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-04-24 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Production method for semiconductor device |
TW200937019A (en) | 2008-02-21 | 2009-09-01 | Ipworks Technology Corp | Probes of cantilever probe card |
US20090227048A1 (en) | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Powertech Technology Inc. | Method for die bonding having pick-and-probing feature |
US7881785B2 (en) | 2008-03-26 | 2011-02-01 | Cardiac Science Corporation | Method and apparatus for defrosting a defibrillation electrode |
US8342763B2 (en) | 2008-06-19 | 2013-01-01 | Zih Corp. | Portable printer with ribbon cartridge retaining feature |
KR20100029504A (ko) | 2008-09-08 | 2010-03-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 전자 부품 실장용 필름 클리닝 유니트 및 이를 갖는 전자 부품 실장용 필름 제조 장치 |
KR100889297B1 (ko) | 2008-09-12 | 2009-03-18 | 주식회사 코스마 | 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 지그, 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 장치, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 캐필러리 크리닝 방법 |
TWM364268U (en) | 2008-12-01 | 2009-09-01 | Jtron Technology Corp | Adhesive cleaning device of test chip base |
US8242431B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-08-14 | GE Lighting Solutions, LLC | Automated de-icing system for low power lighting apparatus |
CN102460678B (zh) | 2009-04-14 | 2015-04-29 | 国际检测解决方案公司 | 晶片制造清洗装置、处理和使用方法 |
DE102009017659A1 (de) | 2009-04-16 | 2010-10-28 | Schott Ag | Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat |
US8371316B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-02-12 | International Test Solutions, Inc. | Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware |
US7866530B1 (en) | 2010-06-28 | 2011-01-11 | Valeri Riachentsev | Clean tip soldering station |
GB2483463B (en) | 2010-09-08 | 2015-01-21 | Itw Cs Uk Ltd | Wide adhesive sheeted roll for contact cleaning |
US20140191618A1 (en) | 2011-06-07 | 2014-07-10 | Youtec Co., Ltd. | Poling treatment method, plasma poling device, piezoelectric body and manufacturing method thereof, film forming device and etching device, and lamp annealing device |
US8876983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-11-04 | Ford Global Technologies, Llc | In-line cleaning method for ultrasonic welding tools |
US8563417B2 (en) * | 2011-11-22 | 2013-10-22 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Method for packaging ultra-thin chip with solder ball thermo-compression in wafer level packaging process |
US8768230B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-07-01 | Xerox Corporation | Method an apparatus for reusing a cleaning web to clean a fuser unit |
CN102786941B (zh) | 2012-08-06 | 2014-10-08 | 山西鑫立能源科技有限公司 | 一种热循环连续自动化煤热解炉 |
TWI647063B (zh) * | 2012-09-08 | 2019-01-11 | 美商西凱渥資訊處理科技公司 | 於射頻模組製造期間關於切除及清潔的系統及方法 |
KR101473811B1 (ko) | 2012-11-23 | 2014-12-17 | 일진엘이디(주) | 와이어 본딩 장치용 세정 키트, 이를 포함하는 와이어 본딩 장치 및 이를 이용한 캐필러리 세정 방법 |
JP6086763B2 (ja) | 2013-03-11 | 2017-03-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ |
GB2515828A (en) | 2013-07-05 | 2015-01-07 | Piers St John Spencer Cave | Kettle |
KR102099359B1 (ko) | 2013-07-08 | 2020-04-09 | 엘에스산전 주식회사 | 전자접촉기 접점부 오염 제거 장치 |
EP3030356B1 (en) * | 2013-08-07 | 2022-09-14 | International Test Solutions, LLC | Working surface cleaning method |
US9318362B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-04-19 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Die bonder and a method of cleaning a bond collet |
US9190322B2 (en) | 2014-01-24 | 2015-11-17 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a copper layer on a semiconductor body using a printing process |
DE102014103262B3 (de) | 2014-03-11 | 2015-06-11 | Multitest Elektronische Systeme Gmbh | Vorrichtung zum Prüfen von elektronischen Bauteilen |
CN106687221B (zh) | 2014-07-25 | 2020-07-03 | 拜奥多特公司 | 具有纵向换能器和可置换毛细管的压电分配器 |
US20160131702A1 (en) | 2014-11-10 | 2016-05-12 | Teradyne, Inc. | Assembling devices for probe card testing |
GB2532255B (en) | 2014-11-13 | 2020-04-29 | Itw Ltd | Line cleaner |
JP2017537480A (ja) | 2014-11-23 | 2017-12-14 | エム キューブド テクノロジーズM Cubed Technologies | ウェハピンチャックの製造及び補修 |
WO2016128791A1 (en) | 2015-02-10 | 2016-08-18 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A method and apparatus for interconnecting photonic circuits |
KR102328101B1 (ko) | 2015-07-07 | 2021-11-17 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드, 프로브 카드용 단열 커버 어셈블리, 및 이를 갖는 반도체 디바이스의 검사 장치 |
TWI655150B (zh) | 2015-12-01 | 2019-04-01 | 耐克創新有限合夥公司 | 在製造製程中的材料張緊系統以及張緊材料的方法 |
KR101910304B1 (ko) | 2015-12-25 | 2018-10-19 | 가부시끼가이샤가이죠 | 와이어 본딩장치 |
KR102653773B1 (ko) | 2016-05-12 | 2024-04-01 | 세메스 주식회사 | 콜릿 세정 모듈 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치 |
US9831215B1 (en) | 2016-08-03 | 2017-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor package and forming method thereof |
JP6705765B2 (ja) | 2017-03-23 | 2020-06-03 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
US9825000B1 (en) | 2017-04-24 | 2017-11-21 | International Test Solutions, Inc. | Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method |
US10766057B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Components and systems for cleaning a tool for forming a semiconductor device, and related methods |
CA3090835A1 (en) | 2018-02-23 | 2019-08-29 | International Test Solutions, Inc. | Novel material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls |
US11437861B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-09-06 | Apple Inc. | Test object holder |
US20200200800A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | International Test Solutions | Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware |
US11756811B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-09-12 | International Test Solutions, Llc | Pick and place machine cleaning system and method |
US10792713B1 (en) | 2019-07-02 | 2020-10-06 | International Test Solutions, Inc. | Pick and place machine cleaning system and method |
US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2021-12-28 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
US11035898B1 (en) | 2020-05-11 | 2021-06-15 | International Test Solutions, Inc. | Device and method for thermal stabilization of probe elements using a heat conducting wafer |
-
2020
- 2020-04-22 US US16/855,841 patent/US11318550B2/en active Active
- 2020-11-12 WO PCT/US2020/060275 patent/WO2021097121A1/en unknown
- 2020-11-12 JP JP2022528071A patent/JP2023502068A/ja active Pending
- 2020-11-12 CN CN202080079212.7A patent/CN114829028A/zh active Pending
- 2020-11-12 KR KR1020227019412A patent/KR20220098775A/ko unknown
- 2020-11-12 EP EP20887774.6A patent/EP4058216A4/en active Pending
- 2020-11-13 TW TW109139792A patent/TWI804773B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021097121A1 (en) | 2021-05-20 |
KR20220098775A (ko) | 2022-07-12 |
US11318550B2 (en) | 2022-05-03 |
TW202122168A (zh) | 2021-06-16 |
TWI804773B (zh) | 2023-06-11 |
EP4058216A4 (en) | 2023-12-06 |
CN114829028A (zh) | 2022-07-29 |
EP4058216A1 (en) | 2022-09-21 |
US20210146464A1 (en) | 2021-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5735941B2 (ja) | 試験器インタフェース接触要素及び支持ハードウエアを清浄化するための器具、装置、及び方法 | |
JP2023502068A (ja) | 機能化面微細特徴部を使用して接触素子及び支持ハードウェア又はワイヤボンダを清浄するためのシステム及び方法 | |
US11211242B2 (en) | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures | |
US6777966B1 (en) | Cleaning system, device and method | |
US20200200800A1 (en) | Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware | |
US6056627A (en) | Probe cleaning tool, probe cleaning method and semiconductor wafer testing method | |
WO2005106511A1 (en) | Cleaning system, device and method | |
AU2017410946A1 (en) | Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method | |
WO2006036973A2 (en) | Working surface cleaning system and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231113 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20231222 |