JP2023166652A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2023166652A5
JP2023166652A5 JP2022077284A JP2022077284A JP2023166652A5 JP 2023166652 A5 JP2023166652 A5 JP 2023166652A5 JP 2022077284 A JP2022077284 A JP 2022077284A JP 2022077284 A JP2022077284 A JP 2022077284A JP 2023166652 A5 JP2023166652 A5 JP 2023166652A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
bond
atom
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022077284A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2023166652A (ja
JP7729254B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2022077284A external-priority patent/JP7729254B2/ja
Priority to JP2022077284A priority Critical patent/JP7729254B2/ja
Priority to US18/142,910 priority patent/US20230367214A1/en
Priority to KR1020230058656A priority patent/KR102849347B1/ko
Priority to EP23172007.9A priority patent/EP4276533A1/en
Priority to CN202310522141.9A priority patent/CN117031878A/zh
Priority to TW112117244A priority patent/TWI843561B/zh
Publication of JP2023166652A publication Critical patent/JP2023166652A/ja
Publication of JP2023166652A5 publication Critical patent/JP2023166652A5/ja
Publication of JP7729254B2 publication Critical patent/JP7729254B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022077284A 2022-05-10 2022-05-10 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 Active JP7729254B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022077284A JP7729254B2 (ja) 2022-05-10 2022-05-10 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US18/142,910 US20230367214A1 (en) 2022-05-10 2023-05-03 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process
KR1020230058656A KR102849347B1 (ko) 2022-05-10 2023-05-04 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
EP23172007.9A EP4276533A1 (en) 2022-05-10 2023-05-08 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process
CN202310522141.9A CN117031878A (zh) 2022-05-10 2023-05-10 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
TW112117244A TWI843561B (zh) 2022-05-10 2023-05-10 化學增幅正型阻劑組成物及阻劑圖案形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022077284A JP7729254B2 (ja) 2022-05-10 2022-05-10 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023166652A JP2023166652A (ja) 2023-11-22
JP2023166652A5 true JP2023166652A5 (https=) 2024-01-25
JP7729254B2 JP7729254B2 (ja) 2025-08-26

Family

ID=86330361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022077284A Active JP7729254B2 (ja) 2022-05-10 2022-05-10 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230367214A1 (https=)
EP (1) EP4276533A1 (https=)
JP (1) JP7729254B2 (https=)
KR (1) KR102849347B1 (https=)
CN (1) CN117031878A (https=)
TW (1) TWI843561B (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7722257B2 (ja) * 2022-05-10 2025-08-13 信越化学工業株式会社 マスクブランク、レジストパターン形成方法及び化学増幅ポジ型レジスト組成物
JP7719754B2 (ja) * 2022-06-20 2025-08-06 信越化学工業株式会社 重合性単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2025137440A (ja) * 2024-03-08 2025-09-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法およびレジスト材料
JP2026021276A (ja) 2024-07-29 2026-02-10 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物及び樹脂

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3578829B2 (ja) * 1995-04-18 2004-10-20 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． ポジ型感光性組成物
JP3790649B2 (ja) 1999-12-10 2006-06-28 信越化学工業株式会社 レジスト材料
WO2001098833A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Toray Industries, Inc. Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same
JP2002156761A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP4025162B2 (ja) 2002-09-25 2007-12-19 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP2006030232A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4816921B2 (ja) 2005-04-06 2011-11-16 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
TWI332122B (en) 2005-04-06 2010-10-21 Shinetsu Chemical Co Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
JP4476975B2 (ja) 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5443548B2 (ja) 2006-02-14 2014-03-19 株式会社ニューフレアテクノロジー パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4842844B2 (ja) * 2006-04-04 2011-12-21 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4716037B2 (ja) 2006-04-11 2011-07-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
JP2008026500A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd 高ドライエッチング耐性ポリマー層を付加したフォトマスクブランクスおよびそれを用いたフォトマスクの製造方法
KR101116963B1 (ko) 2006-10-04 2012-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
JP4858714B2 (ja) 2006-10-04 2012-01-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4355725B2 (ja) 2006-12-25 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4435196B2 (ja) 2007-03-29 2010-03-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009053518A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Fujifilm Corp 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP5013115B2 (ja) * 2007-12-05 2012-08-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5131482B2 (ja) * 2008-02-13 2013-01-30 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5201363B2 (ja) 2008-08-28 2013-06-05 信越化学工業株式会社 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5544098B2 (ja) 2008-09-26 2014-07-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI400226B (zh) 2008-10-17 2013-07-01 Shinetsu Chemical Co 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法
JP4813537B2 (ja) 2008-11-07 2011-11-09 信越化学工業株式会社 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法
JP5368270B2 (ja) 2009-02-19 2013-12-18 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5381905B2 (ja) 2009-06-16 2014-01-08 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型フォトレジスト材料及びレジストパターン形成方法
KR101841000B1 (ko) 2010-07-28 2018-03-22 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트 조성물
JP5491450B2 (ja) 2011-05-30 2014-05-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。
JP5411893B2 (ja) 2011-05-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5655754B2 (ja) * 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5852851B2 (ja) 2011-11-09 2016-02-03 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法
JP5812030B2 (ja) 2013-03-13 2015-11-11 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP6213296B2 (ja) * 2013-04-10 2017-10-18 信越化学工業株式会社 現像液を用いたパターン形成方法
JP6281244B2 (ja) 2013-10-29 2018-02-21 凸版印刷株式会社 現像方法及び現像装置
CN105669889B (zh) 2016-01-28 2018-11-16 北京师范大学 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用
US10295904B2 (en) 2016-06-07 2019-05-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP7009978B2 (ja) * 2016-12-28 2022-01-26 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7067271B2 (ja) * 2018-05-25 2022-05-16 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
WO2021039244A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法
JP7318565B2 (ja) 2020-03-03 2023-08-01 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
US12566374B2 (en) 2020-03-30 2026-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist composition and method of manufacturing semiconductor device
JP7789494B2 (ja) * 2020-06-01 2025-12-22 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2022024929A1 (ja) * 2020-07-27 2022-02-03 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023166652A5 (https=)
JP7363742B2 (ja) オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
KR101646790B1 (ko) 네가티브형 레지스트 조성물의 검사 방법 및 제조 방법
JP5054089B2 (ja) ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5290129B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR20110002442A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
JP2023166651A5 (https=)
JP5584573B2 (ja) ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH11286549A (ja) 感光性樹脂及び該感光性樹脂を用いたレジスト、該レジストを用いた露光装置及び露光方法及び該露光方法で得られた半導体装置
EP4462188A2 (en) Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process
JP5874331B2 (ja) 化学増幅型フォトレジスト組成物
JP2025026345A (ja) 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR20250071894A (ko) 향상된 euv 포토레지스트 및 그의 사용 방법
CN117148677A (zh) 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
JP2024162628A5 (https=)
JP2023177272A (ja) 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
TWI498369B (zh) 抗蝕劑用酸擴散抑制劑及包含它的抗蝕劑組合物
JP7838509B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR102826114B1 (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP7697915B2 (ja) ポリマー、化学増幅ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及びマスクブランク
JP2023161885A5 (https=)
JP2024162626A5 (https=)
JP2024162377A5 (https=)
JP4677423B2 (ja) 電子ベース・リソグラフィのための高感度レジスト組成物
JP2024144896A5 (https=)