JP2023161885A5 - - Google Patents
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Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022072507A JP7732389B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| US18/137,081 US20230341775A1 (en) | 2022-04-26 | 2023-04-20 | Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process |
| CN202310445090.4A CN116954024A (zh) | 2022-04-26 | 2023-04-24 | 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法 |
| KR1020230053533A KR102945926B1 (ko) | 2022-04-26 | 2023-04-24 | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| TW112115228A TW202403445A (zh) | 2022-04-26 | 2023-04-25 | 化學增幅正型阻劑組成物及阻劑圖案形成方法 |
| EP23169951.3A EP4270108A1 (en) | 2022-04-26 | 2023-04-26 | Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022072507A JP7732389B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023161885A JP2023161885A (ja) | 2023-11-08 |
| JP2023161885A5 true JP2023161885A5 (https=) | 2024-01-25 |
| JP7732389B2 JP7732389B2 (ja) | 2025-09-02 |
Family
ID=86226987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022072507A Active JP7732389B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230341775A1 (https=) |
| EP (1) | EP4270108A1 (https=) |
| JP (1) | JP7732389B2 (https=) |
| KR (1) | KR102945926B1 (https=) |
| CN (1) | CN116954024A (https=) |
| TW (1) | TW202403445A (https=) |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 2007-08-08 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JPH11327143A (ja) | 1998-05-13 | 1999-11-26 | Fujitsu Ltd | レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| JP4226803B2 (ja) | 2000-08-08 | 2009-02-18 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| DE10126875A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-12-05 | Mann & Hummel Filter | Verschweißte Ansaugvorrichtung für eine Brennkraftmaschine |
| JP4025162B2 (ja) | 2002-09-25 | 2007-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| US7662538B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-02-16 | Du Pont Electronic Polymers L.P. | Derivatized polyhydroxystyrenes (DPHS) with a novolak type structure and blocked DPHS (BDPHS) and processes for preparing the same |
| JP4816921B2 (ja) | 2005-04-06 | 2011-11-16 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
| JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| JP2009053518A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
| JP4575479B2 (ja) | 2008-07-11 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP5201363B2 (ja) | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5544098B2 (ja) | 2008-09-26 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
| TWI400226B (zh) | 2008-10-17 | 2013-07-01 | Shinetsu Chemical Co | 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法 |
| JP4813537B2 (ja) | 2008-11-07 | 2011-11-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法 |
| JP5368270B2 (ja) | 2009-02-19 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5381905B2 (ja) | 2009-06-16 | 2014-01-08 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型フォトレジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
| KR101841000B1 (ko) | 2010-07-28 | 2018-03-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 |
| JP5411893B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5491450B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-05-14 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。 |
| JP5852851B2 (ja) | 2011-11-09 | 2016-02-03 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法 |
| JP5812030B2 (ja) | 2013-03-13 | 2015-11-11 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US20150346599A1 (en) | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photo-destroyable quencher and associated photoresist composition, and device-forming method |
| JP7009978B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2022-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| CN108132584B (zh) | 2017-12-22 | 2020-12-08 | 江苏汉拓光学材料有限公司 | 一种包含聚对羟基苯乙烯类聚合物和丙烯酸酯共聚物的光刻胶组合物 |
| JP7363687B2 (ja) * | 2019-08-14 | 2023-10-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7400658B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-12-19 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7544007B2 (ja) * | 2020-10-01 | 2024-09-03 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7850019B2 (ja) * | 2021-08-31 | 2026-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
2022
- 2022-04-26 JP JP2022072507A patent/JP7732389B2/ja active Active
-
2023
- 2023-04-20 US US18/137,081 patent/US20230341775A1/en active Pending
- 2023-04-24 CN CN202310445090.4A patent/CN116954024A/zh active Pending
- 2023-04-24 KR KR1020230053533A patent/KR102945926B1/ko active Active
- 2023-04-25 TW TW112115228A patent/TW202403445A/zh unknown
- 2023-04-26 EP EP23169951.3A patent/EP4270108A1/en active Pending
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