|
JP3790649B2
(ja)
|
1999-12-10 |
2006-06-28 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料
|
|
WO2001098833A1
(en)
*
|
2000-06-22 |
2001-12-27 |
Toray Industries, Inc. |
Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same
|
|
JP5371162B2
(ja)
|
2000-10-13 |
2013-12-18 |
三星電子株式会社 |
反射型フォトマスク
|
|
JP2002156761A
(ja)
|
2000-11-20 |
2002-05-31 |
Toray Ind Inc |
ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
|
|
JP2002156762A
(ja)
*
|
2000-11-20 |
2002-05-31 |
Toray Ind Inc |
ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
|
|
JP3832564B2
(ja)
|
2001-02-23 |
2006-10-11 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4025162B2
(ja)
|
2002-09-25 |
2007-12-19 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2006030232A
(ja)
*
|
2004-07-12 |
2006-02-02 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
US7638266B2
(en)
|
2004-08-12 |
2009-12-29 |
International Business Machines Corporation |
Ultrathin polymeric photoacid generator layer and method of fabricating at least one of a device and a mask by using said layer
|
|
TWI332122B
(en)
|
2005-04-06 |
2010-10-21 |
Shinetsu Chemical Co |
Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process
|
|
JP4816921B2
(ja)
|
2005-04-06 |
2011-11-16 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4716037B2
(ja)
|
2006-04-11 |
2011-07-06 |
信越化学工業株式会社 |
ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2008026500A
(ja)
|
2006-07-20 |
2008-02-07 |
Dainippon Printing Co Ltd |
高ドライエッチング耐性ポリマー層を付加したフォトマスクブランクスおよびそれを用いたフォトマスクの製造方法
|
|
KR20060127935A
(ko)
*
|
2006-07-28 |
2006-12-13 |
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 |
크롬 또는 감응성 기판 상의 패턴화된 레지스트 프로파일을향상시키기 위한 혼합 염기의 용도
|
|
KR101116963B1
(ko)
|
2006-10-04 |
2012-03-14 |
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 |
고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
|
|
JP4858714B2
(ja)
|
2006-10-04 |
2012-01-18 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
JP4355725B2
(ja)
|
2006-12-25 |
2009-11-04 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4435196B2
(ja)
|
2007-03-29 |
2010-03-17 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP2009053518A
(ja)
|
2007-08-28 |
2009-03-12 |
Fujifilm Corp |
電子線、ｘ線またはｅｕｖ用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP5201363B2
(ja)
|
2008-08-28 |
2013-06-05 |
信越化学工業株式会社 |
重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5544098B2
(ja)
|
2008-09-26 |
2014-07-09 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
TWI400226B
(zh)
|
2008-10-17 |
2013-07-01 |
Shinetsu Chemical Co |
具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法
|
|
JP4813537B2
(ja)
|
2008-11-07 |
2011-11-09 |
信越化学工業株式会社 |
熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法
|
|
JP5368270B2
(ja)
|
2009-02-19 |
2013-12-18 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5381905B2
(ja)
|
2009-06-16 |
2014-01-08 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型フォトレジスト材料及びレジストパターン形成方法
|
|
KR101841000B1
(ko)
|
2010-07-28 |
2018-03-22 |
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 |
포토레지스트 조성물
|
|
JP5543873B2
(ja)
|
2010-07-30 |
2014-07-09 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク
|
|
JP5411893B2
(ja)
|
2011-05-30 |
2014-02-12 |
信越化学工業株式会社 |
スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
JP5491450B2
(ja)
|
2011-05-30 |
2014-05-14 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。
|
|
JP5924043B2
(ja)
|
2011-09-30 |
2016-05-25 |
凸版印刷株式会社 |
後方散乱補正装置、後方散乱補正方法および後方散乱補正プログラム
|
|
JP5655754B2
(ja)
*
|
2011-10-03 |
2015-01-21 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5852851B2
(ja)
|
2011-11-09 |
2016-02-03 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法
|
|
JP5835204B2
(ja)
*
|
2012-12-20 |
2015-12-24 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5812030B2
(ja)
|
2013-03-13 |
2015-11-11 |
信越化学工業株式会社 |
スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
WO2017057203A1
(ja)
*
|
2015-09-29 |
2017-04-06 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
JP6520830B2
(ja)
*
|
2016-05-31 |
2019-05-29 |
信越化学工業株式会社 |
ポリマー、ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
|
|
US10295904B2
(en)
|
2016-06-07 |
2019-05-21 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Resist composition and patterning process
|
|
US10416558B2
(en)
*
|
2016-08-05 |
2019-09-17 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank
|
|
JP7009978B2
(ja)
*
|
2016-12-28 |
2022-01-26 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
US10095109B1
(en)
*
|
2017-03-31 |
2018-10-09 |
Rohm And Haas Electronic Materials Llc |
Acid-cleavable monomer and polymers including the same
|
|
JP7098994B2
(ja)
*
|
2017-05-17 |
2022-07-12 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
|
JP7067271B2
(ja)
*
|
2018-05-25 |
2022-05-16 |
信越化学工業株式会社 |
オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
JP7190968B2
(ja)
*
|
2018-06-08 |
2022-12-16 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
|
JP7055070B2
(ja)
*
|
2018-06-18 |
2022-04-15 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
|
|
JP7158251B2
(ja)
*
|
2018-11-15 |
2022-10-21 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
WO2020137935A1
(ja)
*
|
2018-12-27 |
2020-07-02 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
化合物、（共）重合体、組成物、パターン形成方法、及び化合物の製造方法
|
|
TWI836094B
(zh)
*
|
2019-06-21 |
2024-03-21 |
日商富士軟片股份有限公司 |
感光化射線性或感放射線性樹脂組合物、光阻膜、圖案形成方法、電子裝置之製造方法
|
|
JP7308668B2
(ja)
*
|
2019-06-25 |
2023-07-14 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
WO2021039244A1
(ja)
*
|
2019-08-26 |
2021-03-04 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法
|
|
JP7279602B2
(ja)
*
|
2019-09-26 |
2023-05-23 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
|
|
JP7400677B2
(ja)
*
|
2019-10-21 |
2023-12-19 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP7494731B2
(ja)
*
|
2020-02-04 |
2024-06-04 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
KR102780202B1
(ko)
*
|
2020-02-06 |
2025-03-14 |
제이에스알 가부시키가이샤 |
감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법
|
|
JP7318565B2
(ja)
|
2020-03-03 |
2023-08-01 |
信越化学工業株式会社 |
反射型マスクブランクの製造方法
|
|
WO2021241086A1
(ja)
*
|
2020-05-29 |
2021-12-02 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、化合物、化合物の製造方法
|
|
JP7789494B2
(ja)
*
|
2020-06-01 |
2025-12-22 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
|
KR102816354B1
(ko)
*
|
2020-06-10 |
2025-06-04 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
|
|
KR102741856B1
(ko)
*
|
2020-06-10 |
2024-12-12 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
|
|
CN115997167B
(zh)
*
|
2020-06-10 |
2025-07-04 |
富士胶片株式会社 |
感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜
|
|
WO2022024929A1
(ja)
*
|
2020-07-27 |
2022-02-03 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
|
|
JP7545484B2
(ja)
*
|
2020-08-28 |
2024-09-04 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
|
|
WO2022065025A1
(ja)
*
|
2020-09-24 |
2022-03-31 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
|
|
JP7468295B2
(ja)
*
|
2020-10-27 |
2024-04-16 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
KR20250029997A
(ko)
*
|
2021-01-22 |
2025-03-05 |
후지필름 가부시키가이샤 |
패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
|
|
WO2022158326A1
(ja)
*
|
2021-01-22 |
2022-07-28 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
|
|
JP7694422B2
(ja)
*
|
2021-03-17 |
2025-06-18 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
JP2023091749A
(ja)
*
|
2021-12-20 |
2023-06-30 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|
|
JP7729254B2
(ja)
*
|
2022-05-10 |
2025-08-26 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
|