JP2023017933A - 高温アプリケーション用プラズマ耐食性薄膜コーティング - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
【課題】高温に、かつ直接又は遠隔プラズマ環境に頻繁に曝露されるチャンバコンポーネントを保護するためのプラズマ耐食性薄膜コーティングを備える物品を提供する。【解決手段】サセプタなどの物品は、本体の表面上に第1保護層及び第2保護層によって被覆された熱伝導性材料の本体を含む。第1保護層は、熱伝導性セラミックスである。第2保護層は、第1保護層を被覆し、650℃の温度でクラッキングに耐性のある耐プラズマ性セラミックス薄膜である。【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、概して、高温に、かつ直接又は遠隔プラズマ環境に、頻繁に曝露されるチャンバコンポーネントを保護することに関する。
半導体産業では、ますます減少するサイズの構造を作る多くの製造プロセスによって、デバイスは製造される。いくつかの製造プロセス(例えば、プラズマエッチング及びプラズマ洗浄プロセス)は、基板をエッチング又は洗浄するために、プラズマの高速流に基板を曝露させる。プラズマは、非常に浸食性がある可能性があり、処理チャンバ及びプラズマに曝露される他の表面を浸食する可能性がある。したがって、プラズマ溶射保護コーティングは、一般的に、処理チャンバコンポーネントを浸食(腐食)から保護するために使用される。
いくつかの製造プロセスは、高い温度(例えば、400℃以上の温度)で実施される。伝統的なプラズマ溶射保護コーティングは、このようなプロセスに使用されるいくつかのチャンバコンポーネントには不適切である可能性がある。
例示的な一実施形態では、物品は、熱伝導性材料を有する本体を含む。物品は、本体の表面上の第1保護層を更に含み、第1保護層は、熱伝導性セラミックスである。物品は、第1保護層上の第2保護層を更に含み、第2保護層は、最高650℃の温度でクラッキングに耐性のある耐プラズマ性セラミックス薄膜を含む。
別の例示的な一実施形態では、方法は、熱伝導性材料本体を含む物品を提供する工程を含む。方法は、熱伝導性セラミックスである第1保護層を熱伝導性材料本体の表面上に堆積させる工程を更に含む。方法は、最高650℃の温度でクラッキングに耐性のある耐プラズマ性セラミックス薄膜を含む第2保護層を第1保護層上に堆積させるためにイオンアシスト蒸着を実行する工程を更に含む。
別の例示的一実施形態では、原子層堆積チャンバ用のサセプタは、グラファイト本体を含む。サセプタは、グラファイト本体の表面上に第1保護層を更に含み、第1保護層は炭化ケイ素を含む。サセプタは、第1保護層上に第2保護層を更に含み、第2保護層は、最高650℃の室温の温度でクラッキングに耐性のある耐プラズマ性セラミックス薄膜を含み、第2保護層は、Er3Al5O12、Y3Al5O12、及びYF3からなる群から選択されるセラミックスを含む。
本発明は、添付図面の図の中で、限定としてではなく、例として示され、同様の参照符号は同様の要素を示す。この開示における「一」又は「1つの」実施形態への異なる参照は、必ずしも同じ実施形態への参照ではなく、そのような参照は、少なくとも1つを意味することに留意すべきである。
処理チャンバの一実施形態の断面図を示す。
一方の表面上に薄膜の保護コーティングを有する原子層堆積(ALD)用サセプタを示す。
穴内に耐プラズマ性プラグが挿入された原子層堆積チャンバ用サセプタの拡大断面図を示す。
~
一方の表面上に保護層スタックを有する例示的物品の断面側面図を示す。
物品上に1以上の保護層を形成するためのプロセスの一実施形態を示す。
イオンアシスト蒸着(IAD)などの高エネルギー粒子を用いた種々の堆積技術に適用可能な堆積機構を示す。
IAD堆積装置の概略図を示す。
本発明の実施形態に従って形成された薄膜保護層に対する浸食速度を示す。
本発明の実施形態は、物品の1以上の表面上に薄膜保護層を有する原子層堆積(ALD)チャンバ用のチャンバコンポーネントなどの物品を提供する。保護層は、約50ミクロン以下の厚さを有することができ、物品を保護するために、プラズマ耐食性を提供することができる。チャンバコンポーネントは、ウェハの処理中に高温に曝露される可能性がある。例えば、チャンバコンポーネントは、450℃を超える温度に曝露される可能性がある。薄膜保護層は、これらの高温でクラッキング(熱分解)に対して耐性をもつ又は効果的に影響を受けないような方法で形成される。薄膜保護層は、イオンアシスト蒸着(IAD)を使用して加熱された基板上に堆積された緻密で倣った(適合した)薄膜とすることができる。薄膜保護層は、Y3Al5O12、Er3Al5O12、又はYF3で形成することができる。薄膜保護層によって提供される改善された耐食性は、メンテナンス及び製造コストを低減しつつ、物品の耐用年数を向上させることができる。
図1は、本発明の実施形態に係る薄膜保護層で被覆された1以上のチャンバコンポーネントを有する処理チャンバ100の断面図である。処理チャンバ100は、ALD処理チャンバとすることができる。一実施形態では、処理チャンバ100は、チャンバ洗浄用に処理チャンバ100内にフッ素ラジカル(F*)を送出するためにリモートプラズマユニットを使用する。あるいはまた、他のタイプの処理チャンバを、本明細書に記載の実施形態と共に使用してもよい。
処理チャンバ100は、高温ALDプロセス用に使用することができる。例えば、処理チャンバ100は、窒化チタン(TiN)の堆積用に使用することができる。TiN堆積プロセスは、典型的には、450℃又はそれ以上の温度で実行されるALDプロセスである。別の一例の高温ALDプロセスは、ジクロロシラン(DCS)タングステンシリサイドの堆積である。DCSタングステンシリサイドプロセスは、約500~600℃の温度で、WF6、DCS、及びSiH4の反応によって実行される。他の高温ALDプロセスが、処理チャンバ100によって実行されてもよい。
薄膜保護層を含むことができるチャンバコンポーネントの例は、サセプタ134、チャンバ本体105、シャワーヘッド110などを含む。以下でより詳細に記載される薄膜保護層は、Y3Al5O12(YAG)、Er3Al5O12(EAG)、及び/又はYF3を含むことができる。薄膜保護層はまた、いくつかの実施形態では他のセラミックスを含むことができる。また、薄膜保護層は、保護層スタック内の1つの層であってもよい。図示のように、サセプタ134は、一実施形態に係る薄膜保護層(第2保護層136)を有する。しかしながら、他のチャンバコンポーネント(例えば、上に列挙したもの)のいずれも、薄膜保護層を含むことができることを理解すべきである。
一実施形態では、処理チャンバ100は、内部容積106を囲むチャンバ本体105及びシャワーヘッド110を含む。チャンバ本体105は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は他の適切な材料から製造することができる。チャンバ本体105は、一般的に、側壁及び底部を含む。シャワーヘッド110、側壁、及び/又は底部のいずれも、薄膜保護層を含むことができる。
チャンバ排気部125及び1以上の排気ポート137は、チャンバの内部容積106から排気を排出することができる。排気ポート137は、排気して処理チャンバ100の内部容積106の圧力を調節するために利用される1以上のポンプ160及びスロットルバルブ156及び/又はゲートバルブ154を含むポンプシステムに接続することができる。
シャワーヘッド110は、チャンバ本体105の側壁上に支持されることができる。シャワーヘッド110(又は蓋)は、処理チャンバ100の内部容積106へのアクセスを許容するために開かれてもよく、閉じると同時に処理チャンバ100に対してシールを提供することができる。シャワーヘッド110は、ガス分配プレート及び1以上のインジェクタ122、123、124を含むことができる。シャワーヘッド110は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は他の適切な材料から製造することができる。あるいはまた、シャワーヘッド110は、いくつかの実施形態では、蓋及びノズルで置き換えることができる。
ガスパネル152は、1以上のガス供給ライン138~146を介してシャワーヘッド110を通って内部容積106に処理ガス及び/又は洗浄ガスを提供することができる。基板上に層を堆積させるCVD操作を実行するために使用可能な処理ガスの例は、堆積される層に応じて、NH3、TiCl4、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、WF6、DCS、SiH4などを含む。リモートプラズマ源(RPS)150は、洗浄中にフッ素ラジカル(F*)を生成することができ、1以上のガス送出ライン138~146を介してフッ素ラジカルを送出することができる。ガス送出ライン138~146、排気ポート137、及びシャワーヘッド110は、アルミニウム又は他の適切な材料とすることができるドーム180によって覆われていてもよい。
チャンバコンポーネント(例えば、チャンバ本体105の内壁、シャワーヘッド110、サセプタ134など)は、処理中、材料の堆積層を蓄積する。堆積特性並びに粒子汚染の変化を軽減するために、そのような堆積層は、リモートプラズマ洗浄プロセスを使用してチャンバコンポーネントから定期的に洗浄される。チャンバコンポーネントの表面から堆積された材料を洗浄するために使用することができる洗浄ガスの例は、ハロゲン含有ガス(例えば、とりわけ、C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、F、NF3、Cl2、CCl4、BCl3、及びSiF4)及び他のガス(例えば、O2、又はN2O)を含む。キャリアガスの例は、N2、He、Ar、及び洗浄ガスに不活性な他のガス(例えば、非反応性ガス)を含む。一実施形態では、プラズマ洗浄プロセスを実行するために、NF3及びArが使用される。
サセプタ134は、シャワーヘッド110下の処理チャンバ100の内部容積106内に配置され、ベース132によって支持される。サセプタ134は、処理中、1以上の基板を保持する。サセプタ134は、1以上の基板と相互作用する処理ガスの均一な分布を保証するように、ALDプロセス中に軸中心の周りに回転するように構成される。このような均一な分布は、1以上の基板上に堆積された層の厚さの均一性を向上させる。
サセプタ134は、加熱されるように、かつ処理中、サセプタ134全体に均一な熱を維持するように構成される。したがって、サセプタ134は、熱衝撃に対する高い耐性を有する熱伝導性材料からなる本体を有することができる。一実施形態では、本体は、グラファイトなどの半金属材料である。サセプタ134はまた、高い耐熱衝撃性を有する他の材料(例えば、ガラスカーボン)からなる本体を有することができる。
サセプタ134は、複数の凹部を有する。それぞれの凹部は、ほぼ凹部内に保持されることができる基板(例えば、ウェハ)のサイズとすることができる。基板は、処理中、サセプタ134に真空付着(チャッキング)させることができる。
一実施形態では、サセプタ134の本体は、少なくとも1つの面上に第1保護層135、及び第1保護層135の上に第2保護層136上を有する。一実施形態では、第1保護層はSiCであり、第2保護層は、Y3Al5O12(YAG)、Er3Al5O12(EAG)、又はYF3のうちの1つである。別の一実施形態では、サセプタ134は、Y3Al5O12(YAG)、Er3Al5O12(EAG)、又はYF3のうちの1つである単一の保護層のみを有する。他の実施形態では、追加の保護層を使用することもできる。一例のサセプタは、図2A~図2Bを参照してより詳細に示される。
一実施形態では、1以上の加熱素子130が、サセプタ134の下方に配置される。1以上の熱シールドもまた、高い温度に加熱されるべきではないコンポーネントを保護するために、加熱素子130の近傍に配置することができる。一実施形態では、加熱素子130は、抵抗又は誘導加熱素子である。別の一実施形態では、加熱素子は、放射加熱ランプである。加熱素子130は、いくつかの実施形態では、最大700℃以上の温度にサセプタ134を加熱することができる。
図2Aは、ALDチャンバ用の一例のサセプタ200を示す。サセプタ200は、薄膜保護コーティングを有する。一実施形態では、薄膜保護コーティングは、サセプタの上面のみを被覆する。あるいはまた、薄膜保護コーティングは、サセプタの上面および下面を被覆する。薄膜保護層は、サセプタの側壁もまた被覆してもよい。サセプタ200の目的は、同時に複数のウェハを支持して均一に加熱することである。サセプタ200は、抵抗加熱素子又はランプを用いて放射加熱することができる。処理中、サセプタ200は、単原子層堆積(ALD)又は他のCVDプロセスを介して(支持されたウェハと共に)コーティングされる。洗浄間平均時間(MTBC)を増加させるために、サセプタ200は、一連の処理の間に発生した内部の膜応力によりコーティングが剥離するのを防止するために定期的に洗浄されるべきである。サセプタ200は、熱又はリモートプラズマプロセスのいずれかによって洗浄することができる。NF3を使用したリモートプラズマ洗浄の場合には、フッ素ラジカル(F*)が、遠隔で生成され、堆積膜を除去するために処理領域内に送出される。しかしながら、高温でのF*はまた、サセプタ材料(例えば、CVD SiC及びグラファイト)を浸食するだろう。したがって、使用される化学物質に耐食性のある保護コーティングが、塗布される。保護コーティングはまた、堆積膜の全体が除去されることを保証するために「オーバーエッチング」の期間を可能にする。
一実施形態では、サセプタ200は、半金属の熱伝導性ベース(例えば、グラファイト)を含む。サセプタ200は、複数の基板(例えば、複数のウェハ)を支持するのに十分な大きさとすることができる円盤状の形状を有することができる。一実施形態では、サセプタは、1メートル以上の直径を有する。
サセプタ200は、各々が処理中にウェハ又は他の基板を支持するように構成することができる1以上の凹部(ポケットとも呼ばれる)201~206を含むことができる。図示の例では、サセプタ200は、6つの凹部201~206を含む。しかしながら、他のサセプタは、より多くの又はより少ない凹部を有していてもよい。
凹部201~206のそれぞれは、多くの表面構造を含む。凹部201内の表面構造の例は、外側リング208、複数のメサ206、及びメサ206間のチャネル又はガス流路を含む。構造は、いくつかの実施形態では、約10~80ミクロンの高さを有することができる。
一実施形態では、サセプタ200は、熱伝導性の半金属ベースの1以上の表面上にSiC又はSiNのCVD堆積層を更に含む。凹部201~206及び表面構造(例えば、メサ206及び外側リング208)は、サセプタ200に開けた穴を介して熱伝達(又は背面)ガス(例えば、He)の供給源に流体結合させることができる。動作中、背面ガスは、サセプタ200と基板との間の熱伝達を向上させるために、ガス流路内に制御された圧力で供給することができる。
凹部及び表面構造は、第1保護層が堆積される前に、サセプタ200の本体内に形成させることができる。あるいはまた、凹部及び/又は表面構造は、第1保護層が上に堆積された後、第1保護層内に形成されてもよい。第2保護層は、凹部及び表面構造に倣った適合薄膜保護層とすることができる。あるいはまた、表面構造は、第2保護層内に形成されてもよい。したがって、表面構造(例えば、メサ206及び外側リング208)の全ては、第2保護層の表面に存在している。一実施形態では、第2保護層は、約5~50ミクロンの厚さを有する。別の一実施形態では、第2保護層は、20ミクロン以下の厚さを有する。別の一実施形態では、第2保護層は、最大1000ミクロンの厚さを有する。
サセプタ200は、リフトピン穴210を更に含む。例えば、サセプタ200は、リフトピン(例えば、Al2O3リフトピン)を支持する3つのリフトピン穴を含むことができる。リフトピンは、サセプタ200上へのウェハのロード及びアンロードを可能にする。サセプタ200は、回転スピンドルにサセプタを固定するために使用することができる凹部215を含むことができる。凹部215は、回転スピンドルにサセプタ200を機械的に固定するために使用することができる穴220を含むことができる。
図2Bは、穴に挿入された耐プラズマ性プラグ250を有するサセプタ200の拡大断面図を示す。IADとPVDは、直進的プロセスである。したがって、薄膜保護コーティングは、サセプタ内の穴(例えば、リフトピン穴210、穴220、又はヘリウム穴)の内側をコーティングすることはできない。一実施形態では、初期の穴は、大きめの寸法でサセプタ内に形成される。耐プラズマ性プラグ(例えば、耐プラズマ性プラグ250)は、別々に製造され、大きめの穴内に挿入させることができる。耐プラズマ性プラグ250は、大きめの穴内に圧入する(例えば、機械的にプレスさせる)ことができる。耐プラズマ性プラグ250は、バルク焼結耐プラズマ性セラミックス材料(例えば、AlN、Y2O3、Y4Al2O9とY2O3-ZrO2の固溶液とを含むセラミックス化合物、又は他の希土類酸化物)から形成することができる。
耐プラズマ性プラグ250は、それら自体が、それらの中心に、最終的な穴を有することができ、この場合、最終的な穴は、所望の直径を有する。CVD堆積層及び/又は薄膜保護層は、サセプタのみを、又はサセプタと耐プラズマ性プラグ250の両方をコーティングすることができる。一実施形態では、CVD堆積層は、耐プラズマ性プラグ250が挿入される前に堆積させることができる。その後、薄膜保護層は、耐プラズマ性プラグ250の挿入後に堆積させることができる。薄膜保護層は、プラグ250の外壁とそれが挿入された最初の穴との間のギャップを充填する及び/又は埋めることができる。いくつかの例では、薄膜保護層は、プラグと、プラグが挿入される最初の穴との間のギャップを埋めるのに十分な厚さでないかもしれない。したがって、ギャップを埋めるために、プラグが挿入された後、CVDコーティングを堆積させてもよい。その後、薄膜保護層をCVDコーティング上に堆積させることができる。
一実施形態では、耐プラズマ性プラグのベースは、(図示のように)耐プラズマ性プラグの上部よりも狭くなっている。これは、耐プラズマ性プラグがサセプタ200内に所定の深さまで圧入されることを可能にする。
図3~図5は、1以上の薄膜保護層によって覆われた物品(例えば、チャンバコンポーネント)の断面側面図を示す。図3は、第1保護層330及び第2保護層308を有する物品300の一実施形態の断面側面図を示す。第1保護層は、SiC、SiN、又は他のセラミックス材料とすることができる。第1保護層330は、CVDプロセスによって本体305上に堆積されていてもよい。第1保護層は、最大200ミクロンの厚さを有することができる。一実施形態では、第1保護層は、約5~100ミクロンの厚さである。
第2保護層308は、IADを使用して第1保護層330の上に塗布されたセラミックス薄膜保護層とすることができる。第2保護層308を堆積させるために使用することができる2つの例示的なIAD法は、電子ビームIAD(EB-IAD)及びイオンビームスパッタリングIAD(IBS-IAD)を含む。第2保護層308は、トップコートとしての役割を果たすことができ、耐食性バリアとしての役割を果たし、第1保護層330の露出面をシールする(例えば、第1保護層330内の固有の表面クラック及び穴をシールする)ことができる。
IAD堆積された第2保護層308は、(例えば、プラズマ溶射法又はスパッタリング法によって引き起こされる膜応力と比較して、)比較的低い膜応力を有することができる。IAD堆積された第2保護層308はまた、1%未満である空孔率、いくつかの実施形態では約0.1%未満の空孔率を有することができる。したがって、IAD堆積された保護層は、チャンバコンポーネントのアプリケーションに対するパフォーマンス上の利点を有することができる緻密な構造である。また、IAD堆積された第2保護層308は、第1保護層330を最初に粗面化する、又は他の時間の掛かる表面準備工程を実行することなしに堆積させることができる。
第2保護層308を形成するために使用することができるセラミックスの例は、Y3Al5O12(YAG)、Er3Al5O12(EAG)、及びYF3を含む。使用することができる別の例示的なセラミックスは、Y4Al2O9(YAM)である。上記のセラミックスのいずれも、微量の他の材料(例えば、ZrO2、Al2O3、SiO2、B2O3、Er2O3、Nd2O3、Nb2O5、CeO2、Sm2O3、Yb2O3、又は他の酸化物)を含んでもよい。
物品300の本体305及び/又は第1保護層330は、1以上の表面構造を含むことができる。サセプタに対しては、表面構造は、凹部、メサ、シーリングバンド、ガス流路、ヘリウム穴などを含むことができる。シャワーヘッドに対しては、表面構造は、ガス分配用の数百又は数千の穴、ガス分配穴の周囲のディボット又はバンプなどを含むことができる。他のチャンバコンポーネントは、他の表面構造を有するかもしれない。
第2保護層308は、本体305及び第1保護層330の表面形状に倣う(一致する)ことができる。例えば、第2保護層308は、第1保護層330の上面の相対的な形状を維持する(例えば、第1保護層330内の構造の形状を伝える)ことができる。また、第2保護層308は、本体305及び/又は第1保護層330内の穴を塞がないように十分に薄くすることができる。第2保護層は、1000ミクロン未満の厚さを有することができる。一実施形態では、第2保護層308は、約20ミクロン以下の厚さを有する。更なる一実施形態では、第2保護層は、約0.5ミクロン~約7ミクロンの間の厚さを有する。
代替の一実施形態では、第1保護層330は、省略されてもよい。したがって、Y3Al5O12(YAG)、Εr3Al5O12(EAG)、YF3、又はY4Al2O9(YAM)の単一保護層のみを、本体305の1以上の表面上に堆積させることができる。
表1は、IAD堆積されたYAM、YF3、YAG、及びEAGに対する材料特性を示す。図示のように、IAD堆積されたYAMの5ミクロン(μm)のコーティングは、695ボルト(V)の絶縁破壊電圧を有する。IAD堆積されたYF3の5μmのコーティングは、522Vの絶縁破壊電圧を有する。IAD堆積されたYAGの5μmのコーティングは、1080Vの絶縁破壊電圧を有する。IAD堆積されたEAGの5μmのコーティングは、900Vの絶縁破壊電圧を有する。
アルミナの1.6mm上のYF3の誘電率は、約9.2であり、YAG薄膜の誘電率は、約9.76であり、EAG薄膜の誘電率は約9.54である。アルミナの1.6mm上のYF3薄膜の損失正接は、約9E-4であり、YAG薄膜の損失正接は、約4E-4であり、EAG薄膜の損失正接は、約4E-4である。YAG薄膜の熱伝導率は、約20.1W/m・Kであり、EAG薄膜の熱伝導率は、約19.2W/m・Kである。
アルミナ基板への薄膜保護層の接着強度は、特定されたセラミックス材料のそれぞれに対して27メガパスカル(MPa)を超えることができる。接着強度は、基板から薄膜保護層を分離するために使用される力の量を測定することによって決定することができる。
ヘルミシティは、薄膜保護層を用いて達成することができるシール能力を測定する。示されるように、YF3を使用して約2.6E-9立方センチメートル毎秒(cm3/s)のHe漏れ速度を達成でき、YAGを使用して約4.4E-10のHe漏れ速度を達成でき、EAGを使用して約9.5E-10のHe漏れ速度を達成できる。より低いHe漏れ速度は、改善されたシールを示す。実施例の薄膜保護層の各々は、典型的なAl2O3よりも低いHe漏れ速度を有する。
Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er3Al5O12、及び、YF3の各々は、プラズマ処理中に摩耗に耐えることができる硬度を有する。示されるように、YF3は、約3.411ギガパスカル(GPa)のビッカース硬さ(5kgf)を有し、YAGは、約8.5GPaの硬度を有し、EAGは、約9.057GPaの硬度を有する。YAGの測定された摩耗速度は、高周波時間当り約0.28ナノメートル(nm/RF時間)であり、EAGの摩耗速度は、約0.176nm/RF時間である。
なお、Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er3Al5O12、及びYF3は、いくつかの実施形態では、上で特定される材料の特性及び特徴が、最大30%変化できるように改質することができることに留意すべきである。したがって、これらの材料特性に対して記載された値は、実施例の達成可能な値として理解されるべきである。本明細書内で記載されるセラミックス薄膜保護層は、提供された値に限定して解釈されるべきではない。
図4は、物品400の本体405の上に堆積された薄膜保護層スタック406を有する物品400の一実施形態の断面側面図を示す。代替の一実施形態では、薄膜保護層スタック406は、SiC又はSiNの第1保護層の上に堆積されてもよい。
薄膜保護層スタック406内の1以上の薄膜保護層(例えば、第1層408及び/又は第2層410)は、YAG、YAM、EAG、又はYF3のうちの1つとすることができる。また、保護層の一部は、Er2O3、Gd2O3、Gd3Al5O12、又はY4Al2O9とY2O3-ZrO2の固溶液とを含むセラミックス化合物を含んでいてもよい。一実施形態では、同一のセラミックス材料は、2つの隣接する薄膜保護層に対して使用されない。しかしながら、別の一実施形態では、隣接する層は、同じセラミックスで構成されてもよい。
図5は、物品500の本体505上に堆積された薄膜保護層スタック506を有する物品500の別の一実施形態の断面側面図を示す。あるいはまた、薄膜保護層スタック506は、SiC又はSiN層の上に堆積させることができる。物品500は、薄膜保護層スタック506が4つの薄膜保護層508、510、515、518を有することを除き、物品400と類似している。
薄膜保護層スタック(例えば、図示したもの)は、任意の数の薄膜保護層を有することができる。スタック内の薄膜保護層は、全て同じ厚さを有していてもよく、又はそれらは、様々な厚さを有していてもよい。薄膜保護層のそれぞれは、約50ミクロン未満の厚さを有していてもよく、いくつかの実施形態では、約10ミクロン未満である。一例では、第1層408は、3ミクロンの厚さを有することができ、第2層410は、3ミクロンの厚さを有することができる。別の一例では、第1層508は、2ミクロンの厚さを有するYAG層とすることができ、第2層510は、1ミクロンの厚さを有する化合物セラミックス層とすることができ、第3層515は、1ミクロンの厚さを有するYAG層とすることができ、第4層518は、1ミクロンの厚さを有する化合物セラミックス層とすることができる。
セラミックス層の数と、使用するセラミックス層の組成の選択は、所望のアプリケーション及び/又はコーティングされる物品の種類に基づいてもよい。IADによって形成されたEAG、YAG、及びYF3薄膜保護層は、典型的には、アモルファス構造を有している。対照的に、IAD堆積された化合物セラミックス及びEr2O3層は、典型的には、結晶又はナノ結晶構造を有する。結晶及びナノ結晶セラミックス層は、一般的に、アモルファスセラミックス層よりも耐食性が高い可能性がある。しかしながら、いくつかの例では、結晶構造又はナノ結晶構造を有する薄膜セラミックス層は、時々縦割れ(ほぼ膜厚方向で、コーティング面にほぼ垂直に走るクラック)が発生する場合がある。このような縦割れは、格子不整合に起因する可能性があり、プラズマ化学に対して攻撃点となる可能性がある。物品が加熱され、冷却されるたびに、薄膜保護層と、それが被覆する基板との間の熱膨張係数の不整合は、薄膜保護層の応力を生じさせる。このような応力は、縦割れに集中する可能性がある。これは、薄膜保護層が、最終的にそれが被覆する基板から離れて剥離を引き起こす可能性がある。対照的に、縦割れがない場合、応力は薄膜全域に亘ってほぼ均一に分布される。
したがって、一実施形態では、薄膜保護層スタック406内の第1層408は、YAG又はEAGなどのアモルファスセラミックスであり、薄膜保護層スタック406内の第2層410は、セラミックス化合物又はEr2O3などの結晶又はナノ結晶セラミックスである。このような一実施形態では、第2層410は、第1層408に比べて、より高い耐プラズマ性を提供することができる。本体405上に(又はSiC又はSiN保護層上に)直接ではなく、第1層408上に第2層410を形成することによって、第1層408は後続の層の格子不整合を最小化するためのバッファとしての役割を果たす。こうして、第2層410の寿命を増大させることができる。
別の一例では、本体、Y3Al5O12(YAG)、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12、及びY4Al2O9とY2O3-ZrO2の固溶液とを含むセラミックス化合物のそれぞれは、異なる熱膨張係数を有する可能性がある。2つの隣接する材料間の熱膨張係数の不整合が大きければ大きいほど、それらの材料のうちのいずれかが最終的に、割れ、剥がれ、又はそうでなくとも他の材料へのその接着を失う可能性が大きくなる。保護層スタック406、506は、隣接する層間の(又は層と本体405、505との間の)熱膨張係数の不整合を最小化するような方法で形成させることができる。例えば、本体505は、グラファイトとすることができ、EAGは、グラファイトの熱膨張係数に最も近い熱膨張係数を有することができ、YAGの熱膨張係数がそれに続き、化合物セラミックスの熱膨張係数がそれに続く。したがって、一実施形態では、第1層508は、EAGとすることができ、第2層510は、YAGとすることができ、第3層515は、化合物セラミックスとすることができる。
別の一例では、保護層スタック506内の層は、2つの異なるセラミックスの交互層とすることができる。例えば、第1層508と第3層515は、YAGとすることができ、第2層510と第4層518は、EAG又はYF3とすることができる。このような交互層は、交互層内で使用される一方の材料がアモルファスであり、交互層内で使用される他方の材料が結晶又はナノ結晶である場合に、上記のものと同様の利点を提供することができる。
別の一例では、識別可能な色を有する薄膜コーティングを、薄膜保護層スタック406又は506のある点に堆積させることができる。例えば、識別可能な色を有する薄膜コーティングは、薄膜スタックの底部に堆積させることができる。識別可能な色を有する薄膜コーティングは、例えば、Er2O3又はSmO2とすることができる。技術者が識別可能な色を見たときに、サセプタを交換又は改修(再生)する必要があることを警告することができる。
いくつかの実施形態では、薄膜保護層スタック406、506内の1以上の層は、熱処理を用いて形成された遷移層である。本体405、505が、セラミックス体の場合は、薄膜保護層と本体との間の相互拡散を促進するために、高温熱処理を実行することができる。また、熱処理は、隣接する薄膜保護層間又は厚い保護層と薄膜保護層との間の相互拡散を促進するために実行してもよい。特に、遷移層は、非多孔質層とすることができる。遷移層は、2つのセラミックス間の拡散接合の役割を果たすことができ、隣接するセラミックス間の改善された接着性を提供することができる。これは、プラズマ処理中に保護層が割れる、剥離する、又ははがれるのを防止するのを助けることができる。
熱処理は、最長約24時間(例えば、一実施形態では3~6時間)の間、最高約1400~1600℃の加熱処理とすることができる。これは、第1薄膜保護層と、隣接するセラミックス体、厚い保護層、又は第2薄膜保護層のうちの1以上との間に相互拡散層を作ることができる。
図6は、物品上に1以上の保護層を形成するためのプロセス600の一実施形態を示す。プロセス600のブロック605では、サセプタが提供される。サセプタは、ALD処理チャンバ用とすることができる。一実施形態では、サセプタは、熱伝導性の半金属体(良好な熱伝導性を有する半金属体)を有する。一実施形態では、熱伝導性の半金属体は、グラファイト体である。あるいはまた、非熱伝導性のサセプタを提供してもよい。非熱伝導性サセプタは、炭素ガラスからなる本体を有することができる。他の実施形態では、サセプタ以外の物品を提供してもよい。例えば、ALD処理チャンバ用アルミニウムシャワーヘッドを提供することができる。
一実施形態では、ブロック608で耐プラズマ性セラミックスプラグがサセプタ内の穴内に挿入される。耐プラズマ性セラミックスプラグは穴内に圧入することができる。代替の一実施形態では、耐プラズマ性セラミックスプラグは、ブロック610の後にサセプタ内の穴内に挿入される。別の一実施形態では、耐プラズマ性セラミックスプラグは、サセプタ内の穴内に挿入されない。
ブロック610では、提供されたサセプタ上に第1保護層を堆積させるためにCVDプロセスが実行される。一実施形態では、第1保護層は、サセプタのプラズマ対向面のみを覆う。別の一実施形態では、第1保護層は、サセプタの前面及び背面を覆う。別の一実施形態では、第1保護層は、サセプタの前面、背面、及び側面を覆う。一実施形態では、第1保護層は、SiCである。あるいはまた、第1保護層は、SiN、又は別の適切な材料とすることができる。第1保護層は、最大約200ミクロンの厚さを有することができる。サセプタの表面構造を、グラファイト内に機械加工してもよい。一実施形態では、第1保護層は、堆積後に研磨される。
ブロック615では、サセプタは、200℃以上の温度に加熱される。例えば、サセプタは、200~400℃の温度に加熱することができる。一実施形態では、サセプタは、300℃の温度に加熱される。
ブロック620では、サセプタを加熱しながら、第1保護層の1以上の表面上に第2保護層を堆積させるために、IADが実行される。一実施形態では、第2保護層は、第1保護層のプラズマ対向面のみを覆う。別の一実施形態では、第2保護層は、サセプタの表裏の第1保護層を覆う。別の一実施形態では、第2保護層は、第1保護層のすべての表面を覆う。一実施形態では、IAD堆積の前に、酸素及び/又はアルゴンイオンがイオン銃によってサセプタに向けられる。酸素及びアルゴンイオンは、第1保護層上の表面の有機汚染物を燃焼させ、残留粒子を分散させることができる。
実行可能な2種類のIADは、EB-IADとIBS-IADを含む。EB-IADは、蒸着によって実行することができる。IBS-IADは、固体ターゲット材料をスパッタリングすることによって実行することができる。第2保護層は、Y3Al6O12、Y4Al2O9、Er3Al6O12、又はYF3とすることができる。第2保護層は、アモルファスとすることができ、450℃の温度でクラッキングに対する耐性を有することが可能である。一実施形態では、保護層は、最高550℃の繰り返しの熱サイクル後でさえ、クラッキングに見舞われないことが可能である。更なる一実施形態では、第2保護層は、最高650℃の室温の温度でクラッキングに対する耐性を有する。第1保護層及びサセプタの両方とも第2保護層とは異なる熱膨張係数を有する可能性があり、第2保護層は、第1保護層及びサセプタの上に堆積されるが、クラッキングに対する耐性を有することができる。
第2保護層の堆積速度は、毎秒約1~8オングストロームとすることができ、堆積パラメータを調整することによって変化させることができる。一実施形態では、堆積速度は、毎秒1~2オングストローム(Å/秒)である。堆積速度はまた、堆積中に変更してもよい。一実施形態では、基板上に適合し良好に付着するコーティングを達成するために、約0.25~1Å/秒の初期の堆積速度が使用される。その後、より短く、より費用効果的なコーティングの実行内で、より厚いコーティングを達成するために、2~10Å/秒の堆積速度が使用される。
第2保護層は、それが上に堆積される材料に対して、非常に適合しており、厚さが均一であり、良好な接着性を有することが可能な薄膜保護層とすることができる。一実施形態では、第2保護層は、1000ミクロン未満の厚さを有する。更なる一実施形態では、第2保護層は、5~50ミクロンの厚さを有する。更に別の一実施形態では、第2保護層は20ミクロン未満の厚さを有する。
ブロック625では、追加の保護層(例えば、追加の薄膜保護層)を堆積するかどうかに関しての判断がなされる。追加の保護層が堆積される場合、プロセスはブロック630へと継続する。ブロック630では、他の保護層が、IADを用いて第2保護層上に形成される。
一実施形態では、他の保護層は、第2保護層のセラミックスとは異なるセラミックスで構成される。一実施形態では、他の保護層は、Y3Al6O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al6O12、Gd3Al6O12、YF3、又はY4Al2O9とY2O3-ZrO2の固溶液とのセラミックス化合物のうちの1つである。
別の一実施形態では、他の保護層は、第2保護層のセラミックスと同じであるセラミックスで構成される。例えば、マスクは、第2保護層を形成した後に、サセプタ上に配置してもよい。このマスクは、構造(例えば、メサ及びシール)がサセプタ上に(例えば、サセプタ内の凹部内に)形成されるためのものである開口部を有することができる。その後、追加の保護層を、これらの構造を形成するために堆積させることができる。一実施形態では、構造(例えば、メサ)は、10~20ミクロンの高さを有する。
その後、本方法は、ブロック625に戻る。ブロック625で追加の薄膜保護層が塗布されない場合は、プロセスは終了する。
図7Aは、イオンアシスト蒸着(IAD)などの高エネルギー粒子を利用した様々な堆積技術に適用可能な堆積メカニズムを示す。典型的なIAD法は、イオン衝突を組み込む堆積プロセス(例えば、本明細書に記載されるような耐プラズマ性コーティングを形成するためのイオン衝突の存在下での蒸着(例えば、活性化反応性蒸着法(ARE)又はEB-IAD)及びスパッタリング(例えば、IBS-IAD))を含む。IAD法のいずれも、反応性ガス種(例えば、O2、N2、ハロゲン等)の存在下で実施することができる
図示のように、薄膜保護層715は、イオンなどの高エネルギー粒子703の存在下で堆積材料702の蓄積によって形成される。堆積材料702は、原子、イオン、ラジカル、又はそれらの混合物を含む。それが形成されるとき、高エネルギー粒子703は、薄膜保護層715に衝突し、圧縮することができる。
一実施形態では、IADは、本明細書の他の箇所で先に説明したように、薄膜保護層715を形成するために利用される。図7Bは、IAD堆積装置の概略図を示す。図示されるように、材料源752(ターゲット本体とも呼ばれる)は、堆積材料702のフラックスを提供し、一方、高エネルギー粒子源755は、高エネルギー粒子703のフラックスを提供し、これらの両方とも、IADプロセスを通して物品750に衝突する。高エネルギー粒子源755は、酸素又は他のイオン源とすることができる。高エネルギー粒子源755はまた、粒子の発生源由来(例えば、プラズマ、反応性ガス由来、又は堆積材料を提供する材料源由来)の他の種類の高エネルギー粒子(例えば、不活性ラジカル、中性子原子、及びナノサイズ粒子)を提供することができる。堆積材料702を提供するために使用される材料源(例えば、ターゲット本体)752は、薄膜保護層715が構成されるのと同じセラミックスに対応するバルク焼結セラミックスとすることができる。例えば、材料源は、バルク焼結セラミックス複合体、又はバルク焼結YAG、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、YF3、又はGd3Al5O12とすることができる。IADは、材料源及び高エネルギーイオン源を提供するために、1以上のプラズマ又はビームを利用してもよい。あるいはまた、材料源は、金属であってもよい。
反応種はまた、耐プラズマ性コーティングの堆積中に提供してもよい。一実施形態では、高エネルギー粒子703は、非反応種(例えば、Ar)又は反応種(例えば、O)のうちの少なくとも1つを含む。更なる実施形態では、薄膜保護層715に最も弱く接着された堆積材料を選択的に除去する傾向を更に増大させるために、CO及びハロゲン(Cl、F、Br等)などの反応種をまた、耐プラズマ性コーティングの形成中に導入してもよい。
IADプロセスでは、高エネルギー粒子703は、他の堆積パラメータとは独立して、高エネルギーイオン(又は他の粒子)源755によって制御することができる。高エネルギーイオンフラックスのエネルギー(例えば、速度)、密度、及び入射角は、薄膜保護層の組成、構造、結晶方位、及び粒径を制御するために調整することができる。調整することができる追加のパラメータは、堆積中、並びに堆積の期間の間の物品の温度である。
イオンアシストエネルギーは、コーティングを高密度化し、基板の表面上への材料の堆積を加速するために使用される。イオンアシストエネルギーは、イオン源の電圧と電流の両方を使用して変更することができる。電圧と電流は、コーティングの応力と、コーティングの結晶化度を操作するために、高い及び低いコーティング密度を達成するように調整することができる。イオンアシストエネルギーは、約50~500V及び約1~50アンペア(A)の範囲とすることができる。イオンアシストエネルギーはまた、コーティングの化学量論を意図的に変更するために使用することができる。例えば、金属ターゲットは、堆積中に使用することができ、金属酸化物に転換される。
コーティング温度は、堆積チャンバ及び/又は基板を加熱するためのヒータを使用し、堆積速度を調節することによって制御することができる。堆積中の基板(物品)温度は、低温(典型的には室温である一実施形態で約120~150℃)と高温(一実施形態では約270℃以上)におおざっぱに分けることができる。一実施形態では、約300℃の堆積温度が使用される。あるいはまた、より高い(例えば、最高450℃)又はより低い(例えば、最低で室温)の堆積温度を使用することができる。堆積温度は、膜応力、結晶化度、及び他のコーティング特性を調整することために使用することができる。
作動距離は、電子ビーム(又はイオンビーム)銃と基板との間の距離である。作動距離は、最も高い均一性を有するコーティングを達成するように変化させることができる。また、作動距離は、コーティングの堆積速度及び密度に影響を与える可能性がある。
堆積角度は、電子ビーム(又はイオンビーム)と基板との間の角度である。堆積角度は、基板の位置及び/又は姿勢を変えることによって変化させることができる。堆積角度を最適化することにより、三次元の幾何学的形状内で均一なコーティング(被覆)を達成することができる。
EB-IAD及びIBS-IAD堆積は、表面状態の広い範囲で実現可能である。しかしながら、研磨された表面は、均一なコーティングカバレッジを達成するために好ましい。IAD堆積中に基板を保持するために、種々の固定具を使用することができる。
図8は、本発明の実施形態に従って形成された薄膜保護層に対する浸食速度を示す。図8は、NF3プラズマ化学に曝露されたときの薄膜保護層の浸食速度を示している。図示されるように、IAD堆積された薄膜保護層は、SiCと比べてはるかに改善された耐食性を示している。例えば、SiCは、高周波時間当たり2.5μm(μm/RF時間)を超える浸食速度を示した。対照的に、IAD堆積されたEAG、YAG、及びYF3の薄膜保護層はすべて、0.2μm/RF時間未満の浸食速度を示した。
前述の説明は、本発明のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、具体的なシステム、コンポーネント、方法等の例などの多数の具体的な詳細を説明している。しかしながら、本発明の少なくともいくつかの実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施することができることが当業者には明らかであろう。他の例では、周知のコンポーネント又は方法は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明しないか、単純なブロック図形式で提示されている。したがって、説明された具体的な詳細は、単なる例示である。特定の実装では、これらの例示的な詳細とは異なる場合があるが、依然として本発明の範囲内にあることが理解される。
本明細書全体を通して「1つの実施形態」又は「一実施形態」への参照は、その実施形態に関連して記載された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味している。したがって、本明細書を通じて様々な場所における「1つの実施形態では」又は「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指すものではない。また、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意味することを意図している。用語「約」又は「およそ」は、本明細書で使用される場合、これは、提示された公称値が±30%以内で正確であることを意味することを意図している。
本明細書内の本方法の操作が、特定の順序で図示され説明されているが、特定の操作を逆の順序で行うように、又は特定の操作を少なくとも部分的に他の操作と同時に実行するように、各方法の操作の順序を変更することができる。別の一実施形態では、異なる操作の命令又は副操作は、断続的及び/又は交互の方法とすることができる。
なお、上記の説明は例示であり、限定的ではないことを意図していることが理解されるべきである。上記の説明を読み理解することにより、多くの他の実施形態が当業者にとって明らかとなるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を、そのような特許請求の範囲が権利を与える均等物の全範囲と共に参照して決定されるべきである。
Claims (1)
- 熱伝導性材料を含む本体であって、穴を備える本体と、
穴内に挿入された耐プラズマ性プラグと、
本体の表面上の第1保護層であって、熱伝導性セラミックスである第1保護層と、
第1保護層上の第2保護層であって、最高650℃の温度でクラッキングに耐性のある耐プラズマ性セラミックス薄膜を含む第2保護層とを備える物品。
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US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11326253B2 (en) * | 2016-04-27 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11572617B2 (en) * | 2016-05-03 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9850573B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US20180016678A1 (en) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer coating with diffusion barrier layer and erosion resistant layer |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10186400B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-01-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10975469B2 (en) * | 2017-03-17 | 2021-04-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10755900B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma erosion protection for chamber components |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US20190136372A1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-05-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition coatings for high temperature heaters |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
JP7050912B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2022-04-08 | エヴァテック・アーゲー | 基板を処理するための方法及び装置 |
US11279656B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Nanopowders, nanoceramic materials and methods of making and use thereof |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
WO2019113351A1 (en) | 2017-12-07 | 2019-06-13 | Lam Research Corporation | Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning |
US10760158B2 (en) * | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10443126B1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-15 | Applied Materials, Inc. | Zone-controlled rare-earth oxide ALD and CVD coatings |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US11401599B2 (en) | 2018-06-18 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant metal silicate coatings |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11667575B2 (en) | 2018-07-18 | 2023-06-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant metal oxide coatings |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US20200131634A1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11562890B2 (en) * | 2018-12-06 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant ground shield of processing chamber |
US11180847B2 (en) * | 2018-12-06 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US10858741B2 (en) | 2019-03-11 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant multi-layer architecture for high aspect ratio parts |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
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KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
US11557464B2 (en) * | 2019-06-20 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber coatings and processes |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11976357B2 (en) | 2019-09-09 | 2024-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a protective coating on processing chamber surfaces or components |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20220104779A (ko) * | 2019-11-22 | 2022-07-26 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버들을 위한 저온 소결된 (sintered) 코팅들 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
JP7115582B2 (ja) * | 2020-04-30 | 2022-08-09 | Toto株式会社 | 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
WO2021241645A1 (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 京セラ株式会社 | 通気性プラグ、基板支持アセンブリおよびシャワープレート |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
JP7242612B2 (ja) * | 2020-07-22 | 2023-03-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639584A (zh) * | 2020-12-15 | 2022-06-17 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
KR102390123B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2022-04-25 | 한국세라믹기술원 | 내플라즈마 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11702744B2 (en) | 2021-02-17 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Metal oxyfluoride film formation methods |
TW202237397A (zh) | 2021-03-29 | 2022-10-01 | 日商Toto股份有限公司 | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 |
TW202238998A (zh) | 2021-03-29 | 2022-10-01 | 日商Toto股份有限公司 | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 |
US11837448B2 (en) | 2021-04-27 | 2023-12-05 | Applied Materials, Inc. | High-temperature chamber and chamber component cleaning and maintenance method and apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
CN113698208B (zh) * | 2021-08-24 | 2022-06-14 | 南通三责精密陶瓷有限公司 | 一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
WO2023146648A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Lam Research Corporation | Undercoating coverage and resistance control for escs of substrate processing systems |
US11735212B1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-08-22 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thermally assisted magnetic head including a record/read separate protective structure, head gimbal assembly and hard disk drive each having the thermally assisted magnetic head |
US20240093355A1 (en) * | 2022-09-21 | 2024-03-21 | Applied Materials, Inc. | Glassy Carbon Shutter Disk For Physical Vapor Deposition (PVD) Chamber |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3796182A (en) | 1971-12-16 | 1974-03-12 | Applied Materials Tech | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor |
SE8000480L (sv) | 1979-02-01 | 1980-08-02 | Johnson Matthey Co Ltd | Artikel lemplig for anvendning vid hoga temperaturer |
US4695439A (en) | 1986-09-25 | 1987-09-22 | Gte Products Corporation | Yttrium oxide stabilized zirconium oxide |
US4773928A (en) | 1987-08-03 | 1988-09-27 | Gte Products Corporation | Plasma spray powders and process for producing same |
US4880614A (en) | 1988-11-03 | 1989-11-14 | Allied-Signal Inc. | Ceramic thermal barrier coating with alumina interlayer |
US5415756A (en) | 1994-03-28 | 1995-05-16 | University Of Houston | Ion assisted deposition process including reactive source gassification |
US6500314B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
US5837058A (en) | 1996-07-12 | 1998-11-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature susceptor |
US6217662B1 (en) | 1997-03-24 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Susceptor designs for silicon carbide thin films |
DE69920152T2 (de) * | 1998-12-21 | 2005-09-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Korrosionbeständiges Mischoxidmaterial |
US6949203B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-09-27 | Applied Materials, Inc. | System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene |
US6596123B1 (en) * | 2000-01-28 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer processing system |
JP2001262346A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Nippon Carbon Co Ltd | ピンホ−ルを低減したSiC被覆黒鉛部材の製法 |
TW503449B (en) | 2000-04-18 | 2002-09-21 | Ngk Insulators Ltd | Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members |
NL1015550C2 (nl) | 2000-06-28 | 2002-01-02 | Xycarb Ceramics B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, aldus verkregen susceptor en een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat onder toepassing van een dergelijke susceptor. |
EP1301941A2 (en) | 2000-07-20 | 2003-04-16 | North Carolina State University | High dielectric constant metal silicates formed by controlled metal-surface reactions |
US6606234B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-08-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow |
US6723209B2 (en) | 2001-03-16 | 2004-04-20 | 4-Wave, Inc. | System and method for performing thin film deposition or chemical treatment using an energetic flux of neutral reactive molecular fragments, atoms or radicals |
TWI234417B (en) | 2001-07-10 | 2005-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma procesor and plasma processing method |
US6490145B1 (en) * | 2001-07-18 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support pedestal |
US20030047464A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
US20030029563A1 (en) | 2001-08-10 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant coating for semiconductor processing chamber |
KR20030025007A (ko) | 2001-09-19 | 2003-03-28 | 삼성전자주식회사 | 쉴드링을 가지는 식각장비 |
US7371467B2 (en) | 2002-01-08 | 2008-05-13 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having electroplated yttrium containing coating |
US20080213496A1 (en) | 2002-02-14 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings |
US20080264564A1 (en) | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas |
US8067067B2 (en) | 2002-02-14 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus |
US20030175142A1 (en) | 2002-03-16 | 2003-09-18 | Vassiliki Milonopoulou | Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications |
US7311797B2 (en) | 2002-06-27 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor |
JP4260450B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置における静電チャックの製造方法 |
JP2005097685A (ja) * | 2002-11-27 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 耐食性部材およびその製造方法 |
JP4503270B2 (ja) | 2002-11-28 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理容器内部材 |
US7780786B2 (en) | 2002-11-28 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
CN1841675A (zh) | 2003-02-12 | 2006-10-04 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
US20050142393A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Boutwell Brett A. | Ceramic compositions for thermal barrier coatings stabilized in the cubic crystalline phase |
JP2005260040A (ja) | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Sony Corp | ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 |
JP2006108602A (ja) | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006186306A (ja) | 2004-09-30 | 2006-07-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ガス拡散プレートおよびその製造方法 |
JP2006128000A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101322549B1 (ko) | 2005-06-17 | 2013-10-25 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 금속 부재의 보호막 구조 및 보호막 구조를 이용한 금속부품 그리고 보호막 구조를 이용한 반도체 또는 평판디스플레이 제조 장치 |
KR20070013118A (ko) | 2005-07-25 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 |
US7672110B2 (en) | 2005-08-29 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having textured contact surface |
JP4985928B2 (ja) | 2005-10-21 | 2012-07-25 | 信越化学工業株式会社 | 多層コート耐食性部材 |
TWI331770B (en) | 2005-11-04 | 2010-10-11 | Applied Materials Inc | Apparatus for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US7736759B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-06-15 | United Technologies Corporation | Yttria-stabilized zirconia coating with a molten silicate resistant outer layer |
JP2008016795A (ja) | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Momentive Performance Materials Inc | 耐腐食性ウェーハプロセス装置およびその作製方法 |
US20080029032A1 (en) | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Sun Jennifer Y | Substrate support with protective layer for plasma resistance |
US20080066683A1 (en) | 2006-09-19 | 2008-03-20 | General Electric Company | Assembly with Enhanced Thermal Uniformity and Method For Making Thereof |
US7479464B2 (en) | 2006-10-23 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Low temperature aerosol deposition of a plasma resistive layer |
US8097105B2 (en) | 2007-01-11 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material |
US7659204B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Oxidized barrier layer |
US7772752B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-08-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Plasma-jet spark plug |
US7718559B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistance enhanced quartz used in plasma etch chamber |
US7696117B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas |
US8367227B2 (en) | 2007-08-02 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity |
KR101553423B1 (ko) | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 진공 프로세싱 장치용 필름 점착제 |
US8129029B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion-resistant plasma chamber components comprising a metal base structure with an overlying thermal oxidation coating |
US20090214825A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma |
JP5156446B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-03-06 | 株式会社Sumco | 気相成長装置用サセプタ |
US8206829B2 (en) | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
US8858745B2 (en) * | 2008-11-12 | 2014-10-14 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant bonding agents for bonding ceramic components which are exposed to plasmas |
US9017765B2 (en) | 2008-11-12 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Protective coatings resistant to reactive plasma processing |
JP5407324B2 (ja) | 2008-12-24 | 2014-02-05 | 堺化学工業株式会社 | 酸化ジルコニウム分散液の製造方法 |
CN102308381B (zh) | 2009-02-11 | 2014-08-13 | 应用材料公司 | 非接触性基板处理 |
US20110086178A1 (en) | 2009-10-14 | 2011-04-14 | General Electric Company | Ceramic coatings and methods of making the same |
US20110198034A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Jennifer Sun | Gas distribution showerhead with coating material for semiconductor processing |
FR2957358B1 (fr) | 2010-03-12 | 2012-04-13 | Snecma | Methode de fabrication d'une protection de barriere thermique et revetement multicouche apte a former une barriere thermique |
KR20110136583A (ko) * | 2010-06-15 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
US20110315081A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Law Kam S | Susceptor for plasma processing chamber |
US20120183790A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-07-19 | Christopher Petorak | Thermal spray composite coatings for semiconductor applications |
US9728429B2 (en) | 2010-07-27 | 2017-08-08 | Lam Research Corporation | Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers |
KR101108692B1 (ko) | 2010-09-06 | 2012-01-25 | 한국기계연구원 | 다공성 세라믹 표면을 밀봉하는 치밀한 희토류 금속 산화물 코팅막 및 이의 제조방법 |
US8916021B2 (en) | 2010-10-27 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck and showerhead with enhanced thermal properties and methods of making thereof |
JP5227466B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2013-07-03 | 日本特殊陶業株式会社 | プラズマジェット点火プラグ |
US20130048606A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-02-28 | Zhigang Mao | Methods for in-situ chamber dry clean in photomask plasma etching processing chamber |
CN104066873A (zh) * | 2011-09-09 | 2014-09-24 | 英诺文特科技公司 | 带涂层坩埚和制造带涂层坩埚的方法 |
US20130102156A1 (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Lam Research Corporation | Components of plasma processing chambers having textured plasma resistant coatings |
PL2794956T3 (pl) | 2011-12-19 | 2019-06-28 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Zawiesina wodna do produkcji powłokowych barier termicznych i środowiskowych |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
US20130273313A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated ring and process for applying ceramic coating |
US9090046B2 (en) | 2012-04-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated article and process for applying ceramic coating |
US20130288037A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma spray coating process enhancement for critical chamber components |
US9394615B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
US9150602B2 (en) | 2012-07-24 | 2015-10-06 | Atomic Energy Council, Institute Of Nuclear Energy Research | Precursor used for labeling hepatorcyte receptor and containing trisaccharide and diamide demercaptide ligand, method for preparing the same, radiotracer and pharmaceutical composition of the same |
US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
US9447365B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Enhanced cleaning process of chamber used plasma spray coating without damaging coating |
US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
US20140037969A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | General Electric Company | Hybrid Air Plasma Spray and Slurry Method of Environmental Barrier Deposition |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US8941969B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
US9245761B2 (en) * | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US9708713B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Aerosol deposition coating for semiconductor chamber components |
US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
US9711334B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings |
US9583369B2 (en) | 2013-07-20 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles |
US9624593B2 (en) | 2013-08-29 | 2017-04-18 | Applied Materials, Inc. | Anodization architecture for electro-plate adhesion |
US20150079370A1 (en) | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Applied Materials, Inc. | Coating architecture for plasma sprayed chamber components |
US9440886B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based monolithic chamber material |
US9663870B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components |
US9725799B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components |
US9976211B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application |
US9869013B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
US20150311043A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Applied Materials, Inc. | Chamber component with fluorinated thin film coating |
US10730798B2 (en) | 2014-05-07 | 2020-08-04 | Applied Materials, Inc. | Slurry plasma spray of plasma resistant ceramic coating |
US10385459B2 (en) | 2014-05-16 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Advanced layered bulk ceramics via field assisted sintering technology |
US10196728B2 (en) | 2014-05-16 | 2019-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma spray coating design using phase and stress control |
US9460898B2 (en) | 2014-08-08 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma generation chamber with smooth plasma resistant coating |
-
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