DE69920152T2 - Korrosionbeständiges Mischoxidmaterial - Google Patents
Korrosionbeständiges Mischoxidmaterial Download PDFInfo
- Publication number
- DE69920152T2 DE69920152T2 DE69920152T DE69920152T DE69920152T2 DE 69920152 T2 DE69920152 T2 DE 69920152T2 DE 69920152 T DE69920152 T DE 69920152T DE 69920152 T DE69920152 T DE 69920152T DE 69920152 T2 DE69920152 T2 DE 69920152T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rare earth
- corrosion
- corrosion resistant
- ytterbium
- erbium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 47
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims description 44
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 13
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
- Y10T428/249969—Of silicon-containing material [e.g., glass, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249971—Preformed hollow element-containing
- Y10T428/249974—Metal- or silicon-containing element
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249987—With nonvoid component of specified composition
- Y10T428/24999—Inorganic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein neuartiges korrosionsbeständiges Mischoxidmaterial mit einer extrem hohen Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Atmosphäre eines Halogen enthaltenen Korrosionsgases oder eines Plasmas eines solchen Gases.
- Wie weithin bekannt ist, beinhaltet der Herstellungsprozess von verschiedenen Halbleiterbauelementen einen Trockenätzschritt oder einen Dünnschichtbildungs-Trockenprozess auf einer Substratoberfläche, die manchmal in einem hochreaktiven und hochkorrosiven Halogen enthaltenden Gas, wie z. B. Chlor und/oder Fluor enthaltenes Gas, im Weiteren als Prozessgas bezeichnet, in einigen Fällen in einer Plasmaerzeugungskammer ausgeführt werden.
- Unter Berücksichtigung der guten Korrosionsbeständigkeit des Materials wird Silizium basiertes Material oder Siliziumkarbid basiertes Material als Material zur Bildung von Teilen des Plasmainstruments oder der Vorrichtung verwendet, die in Kontakt mit einer solchen hochkorrosiven Atmosphäre kommt, einschließlich z. B. die inneren Wände der Plasmakammer und verschiedene Vorrichtungen wie Halbleitersiliziumwafer-Halterungen, Schutzabdeckungen, Isolationsringe und dergleichen.
- Gemeinsam mit dem in den letzten Jahren ansteigenden Bedarf nach einem immer höheren Integrationsgrad in Halbleiterbauelementen wird als ein jüngster Trend der Prozess des Trockenätzens und/oder der Dünnschichtbildung unter Benutzung eines Halogen enthaltenden Prozessgases ausgeführt, das reaktiver und deshalb korrosiver als die bisher verwendeten Prozessgase ist.
- Die Verlagerung zu korrosiveren Prozessgasen verursacht notwendigerweise ein Problem, dass die aus einem Silizium basierten oder Siliziumkarbid basierten korrosionsbeständigen Material hergestellten Vorrichtungswände und Werkzeuge nicht länger den Angriffen der Atmosphäre eines solchen Prozessgases widerstehen können, das eine erhöhte Korrosivität besitzt, die auf Grund einer zunehmenden Schädigung der Oberflächennatur zu ernsten Schwierigkeiten im Zusammenhang mit dem Funktionieren des Instruments oder der Vorrichtung führt, wie z. B. eine Verminderung der Transparenz die Ausbeute an akzeptablen Produkten vermindert.
- Um die oben genannten Probleme zu lösen, wurde im japanischen Patent Kokai 10-45461 vorgeschlagen, bestimmte Mischoxidmaterialien, beispielsweise Yttriumaluminiumgranat der Verbindungsformel Y3Al5O12, und Silikatverbindungen als ein korrosionsbeständiges Material zu benutzen, das geeignet ist, erhöhte Korrosivität aufweisenden Halogen enthaltenden Prozessgasen und ihren Plasmen zu widerstehen.
- Diese neuerdings vorgeschlagenen korrosionsbeständigen Materialien haben wegen des sehr hohen Schmelzpunktes dieser Materialien dennoch das Problem, dass ein korrosionsbeständiger Sinterkörper des Materials nicht angefertigt werden kann, ohne dass die Sintertemperatur so erhöht wird, dass eine erhebliche Steigerung der Herstellungskosten des gesinterten Materials verursacht wird.
- Ebenfalls im japanischen Patent Kokai 10-45461 wurde ein alternativer Vorschlag zur Benutzung einer Fluoridverbindung als Bestandteil eines korrosionsbeständigen Materials gemacht, welches als Ganzes den Angriffen eines Halogen enthaltenden Korrosionsgases, wie z. B. eines Fluor enthaltenden Gases, widerstehen sollte.
- Wenn ein korrosionsbeständiges Material aus einer Mixtur von Fluoridverbindungen gemäß dem obigen Vorschlag gebildet wird, kann ein solches Material nicht bei Temperaturen von einigen Hundert Grad Celsius oder höher verwendet werden, da der Schmelzpunkt einer solchen Fluoridmixtur zu gering ist. Wenn eine einzelne Art einer Fluoridverbindung, wie Yttriumfluorid, als ein Material zur Bildung eines korrosionsbeständigen Materials verwendet wird, wird die Fluoridverbindung bei einer Temperatur von 1000 °C oder höher schon in Anwesenheit einer Spur von Sauerstoff in der Atmosphäre in das korrespondierende Oxyfluorid umgewandelt, so dass unter solchen Bedingungen eine volle Korrosionsbeständigkeit nicht länger ausgewiesen werden kann.
- Das japanische Patent Kokai 10-4567 offenbart Verbindungen, die multiple Oxide von Aluminium und/oder Silizium und ein Gruppe-IIIa-Metall wie Y, La, Ce, Nd und Dy enthalten. Diese Verbindungen werden als korrosionsbeständige Teilverbindung z. B. für Entladungswände von Lampen, Entladungsröhren und inneren Wänden von Plasmaprozessvorrichtungen, die in der Halbleiterbauelementherstellung benutzt werden, verwendet.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges korrosionsbeständiges Material zur Verfügung zu stellen, das geeignet ist, den Korrosionsangriffen jedes Halogen enthaltenden Gases oder deren Plasmen bei erhöhten Temperaturen sogar in der Anwesenheit von Sauerstoff in der Atmosphäre zu widerstehen, um die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik zu überwinden.
- Deshalb stellt die vorliegende Erfindung ein neuartiges korrosionsbeständiges Material zur Verfügung, das zum Widerstehen von Angriffen eines Halogen enthaltenden Korrosionsgases oder dessen Plasmas geeignet ist, gebildet aus einem Mischoxid mit einer Kristallstruktur eines seltenen Erde-Aluminium-Granats entsprechend der Formel Ln3Al5O12, dadurch gekennzeichnet, dass:
- – Ln ein seltenes Erde-Element oder eine Kombination seltener Erde-Elemente ausgewählt aus der aus Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium bestehenden Gruppe ist,
- – die Oberflächenrauheit des Materials, Ra, 1 μm nicht übersteigt,
- – die Porosität des Material 3 % nicht übersteigt,
- – der Kristallkorndurchmesser des Materials 50 μm nicht übersteigt, und
- – es durch Sintern eines Pulverformteiles des seltenen Erde-Aluminium-Granats für 1 bis 6 Stunden bei einer Temperatur im Bereich von 1300 bis 1800 °C in einer Vakuum- oder Inertgasatmosphäre erhältlich ist.
- Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
- Wie oben beschrieben, ist das charakteristischste Merkmal des erfindungsgemäßen korrosionsbeständigen Materials, dass es aus einem gesinterten Mischoxid eines speziellen seltenen Erde-Aluminium-Granats mit einer Granatkristallstruktur, wobei das Mischoxid eine chemische Struktur mit der Formel Ln3Al5O12 aufweist, wobei Ln ein seltenes Erde-Element oder eine Kombination von seltenen Erde-Elementen ausgewählt aus der aus Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium bestehenden Gruppe oder, bevorzugt, aus der aus Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium bestehenden Gruppe ist.
- Das Halogen enthaltende Korrosionsgas, dem das korrosionsbeständige Material der Erfindung widerstehen kann, beinhaltet Fluor enthaltende Gase, wie z. B. Schwefelhexafluorid SF6, Stickstofftrifluorid NF3, Karbontetrafluorid CF4, Fluoroform CHF3, Chlortrifluorid ClF3 und Fluorwasserstoff HF, Chlor enthaltende Gase, wie z. B. Chlor Cl2, Bortrichlorid BCl3 und Siliziumtetrachlorid SiCl4, Brom enthaltende Gase, wie z. B. Bromwasserstoff HBr und Brom Br2 und Jod enthaltende Gase, wie z. B. Jodwasserstoff HI. Eine Halogen enthaltende Plasmaatmosphäre kann durch Anlegen von Mikrowellen oder Hochfrequenzwellen an eine Atmosphäre der oben genannten Halogen enthaltenden Gase erzeugt werden.
- Während der das Mischoxid Ln3Al5O12 bildende seltene Erde-Bestandteil Ln jedes oder jede Kombination der Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium beinhaltenden seltene Erde-Elemente sein kann, ist es vorzuziehen, dass der seltene Erde-Bestandteil Ln aus Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium ausgewählt wird, da jedes dieser vier seltenen Erde-Elemente einen geringeren Ionenradius als der von Yttrium besitzt, das üblicherweise in einem Halogen beständigen Antikorrosionsmaterial verwendet wird, und eine geringere Basizität besitzt, wodurch sie eine sehr hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber Halogen enthaltenden Korrosionsgasen aufweisen. Es ist nicht immer notwendig, dass jedes dieser vier Elemente in einer hochreinen Form verwendet wird, statt dessen kann eine Mixtur dieser vier Elemente verwendet werden, so dass die erforderlichen Kosten für die hochreine Separation der Einzelelemente eingespart werden kann.
- Wie leicht zu verstehen ist, hängt die Korrosionsbeständigkeit eines korrosionsbeständigen Materials außerordentlich von der Flächenausdehnung des Materials ab, das in Kontakt mit dem Korrosionsgas kommt. Diesbezüglich ist es vorzuziehen, dass die Oberflächenrauheit Ra des korrosionsbeständigen Materials der Erfindung nicht 1 μm übersteigt, so dass die Flächenausdehnung des Gegenstands gering gehalten werden kann. In anderen Worten, dient eine Größe von 1 μm für Ra als ein Maß für die Flächenausdehnung, über die hinaus die Korrosionsbeständigkeit dieses Materials auf Grund einer Vergrößerung des mit der Korrosionsatmosphäre in Kontakt kommenden Oberflächenbereichs nachteilig beeinflusst würde.
- Weiterhin ist es wünschenswert, dass der das erfindungsgemäße korrosionsbeständige Material bildende Mischoxidkörper eine Porosität hat, die zusammen mit einem Effekt der Reduzierung der Oberflächenrauheit des Sinterkörpers 3 % nicht übersteigt, um eine fortgesetzte lokale Korrosion an den Porenflächen zu verhindern. Wenn die Porosität zu groß ist, kann es der Fall sein, dass elektrische Felder an oder in der Umgebung der Poren in der Oberflächenschicht konzentriert werden und so die Korrosion beschleunigt fortschreitet, wodurch die Oberflächenrauheit Ra kaum so gering wie 1 μm oder geringer sein kann.
- Die Korrosionsbeständigkeit des Mischoxidmaterials gegenüber Halogen enthaltenden Korrosionsgasen ist, obgleich nicht so außerordentlich, von der Korngröße des Mischoxidkörpers beeinflusst. Um in Anbetracht der mechanischen Festigkeit des Mischoxidkörpers dessen brauchbare Verwendung sicher zu stellen, ist es dennoch wünschenswert, dass die Körner des Körpers einen Partikeldurchmesser von 50 μm nicht überschreiten, da eine große Verringerung der mechanischen Festigkeit des Körpers bewirkt wird, wenn dessen Korngröße zu groß ist.
- Das Verfahren zur Erstellung des korrosionsbeständigen Materials der Erfindung ist nicht besonders eingeschränkt. Zum Beispiel wird ein Pulver mit einem Partikeldurchmesser von 0,1 bis 5 μm, das aus einer Mischung der Aluminiumoxid und ein seltenes Erde-Oxid in einem stöchiometrischen Verhältnis enthaltenden Ausgangmaterialien durch Zusammenschmelzen gefolgt von Verfestigung durch Kühlung und Pulverisation gewonnen wurde, in ein Pulverformteil formgepresst, das einer Sinterwärmebehandlung bei einer Temperatur von 1300 bis 1800 °C für 1 bis 6 Stunden in Vakuum oder in einer Inertgasatmosphäre unterzogen wird, um eine geringe Porosität des Sinterkörpers wie gewünscht sicherzustellen, gefolgt durch eine Bearbeitung des Sinterkörpers in die Form des gewünschten Materials und Schleifen und Polieren der Oberfläche, um eine wünschenswerte Oberflächenrauheit sicherzustellen.
- Der auf diese Weise erhaltene Sinterkörper ist sehr korrosionsbeständig gegenüber Angriffen eines Halogen enthaltenden Korrosionsgases oder dessen Plasma, so dass das Material als ein Auskleidungsmaterial an der mit einer solchen Korrosionsatmosphäre in Kontakt kommenden Oberfläche nützlich ist.
- Im Folgenden wird das korrosionsbeständige Oxidmaterial der Erfindung anhand von Beispielen und Vergleichsbeispielen mehr im Detail erklärt, die dennoch in keiner Weise den Umfang der Erfindung einschränken.
- Beispiel
- Gesinterte Mischoxidkörper aus Ytterbiumaluminiumgranat Yb3Al5O12 und Erbiumaluminiumgranat Er3Al5O12 wurden angefertigt durch Sintern von Pulverformteilen der entsprechenden Mischoxidpulver, die einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 1,5 μm haben, bei einer Temperatur von bis zu 1800 °C für 2 bis 6 Stunden im Vakuum oder in einer Atmosphäre von Stickstoff oder einer Mixtur von Stickstoff und Wasserstoff, um Sinterkörper zu ergeben, die, wie aus der nach dem Archimedischen Verfahren bestimmten Raumdichte und der wahren Dichte der entsprechenden Granaten berechnet wurde, eine Porosität von im Wesentlichen 0 % bzw. ungefähr 2 % haben. Diese Sinterkörper wurden an der Oberfläche mechanisch geschliffen und poliert, um eine Oberflächenrauheit Ra von 0,1 μm oder 0,8 μm für die Ytterbiumaluminiumgranatproben und 0,1 μm oder 0,7 μm für die Erbiumaluminiumgranatproben zu erhalten.
- Diese gesinterten und oberflächenpolierten Mischoxidproben wurden für 2 Stunden in einer Plasmakammer einer RIE-Plasmavorrichtung einer Plasmaatmosphäre von Schwefelhexafluoridgas ausgesetzt, um die Gewichtsverringerung zu bestimmen, aus der die Ätzgrade in nm/Minute berechnet wurde, um die in Tabelle 1, welche auch die Sinterbedingungen, d.h. Temperatur, Zeit und Atmosphäre, Oberflächenrauheit und Porosität angibt, gezeigten Resultate zu erhalten.
- Vergleichsbeispiel
- Sinterkörper aus Yttriumaluminiumgranat, Ytterbiumaluminiumgranat und Erbiumaluminiumgranat, deren Porosität im Wesentlichen Null oder ungefähr 4 % war, wurden im Wesentlichen in gleicher Weise wie im Beispiel angefertigt und an der Oberfläche geschliffen und poliert, um eine Oberflächenrauheit Ra von 0,1 oder 0,8 μm für die Yttriumaluminiumgranatproben und 0,1 oder 3 μm für die Ytterbium- und Erbiumaluminiumgranatproben zu erhalten.
- Diese gesinterten und oberflächenpolierten Mischoxidkörper wurden zur Untersuchung der Ätzrate in gleicher Weise wie im Beispiel behandelt, um die in Tabelle 2, die auch die Sinterbedingungen, Oberflächenrauheit und Porosität angibt, gezeigten Ergebnisse zu erhalten.
- Wie aus den in Tabelle 1 und 2 gezeigten Resultaten verständlich ist, sind die Oberflächenrauheit und die Porosität der Sinterkörper jeweils ein bedeutender Faktor, der die Ätzrate beeinflusst, die groß ist, wenn die Oberfläche des Sinterkörpers zu rau oder seine Porosität zu groß ist. Andererseits kann die Ätzrate der Sinterkörper aus Yttriumaluminiumgranat nicht klein genug sein, selbst wenn ihre Oberflächenrauheit genügend niedrig und ihre Porosität genügend klein ist.
- Referenzbeispiel
- Sinterkörper mit im Wesentlichen Null Porosität wurden aus den Ytterbiumaluminiumgranat- und Erbiumaluminiumgranatpulvern in etwa derselben Weise wie im Beispiel durch Sintern bei 1800 °C im Vakuum für 2, 4 oder 8 Stunden angefertigt und sie wurden an der Oberfläche geschliffen und poliert, um eine Oberflächenrauheit Ra von 0,1 μm zu erhalten.
- Die so gesinterten und oberflächenpolierten Proben wurden jeweils einer Ätzbehandlung und dann einer elektronenmikroskopischen Untersuchung unterzogen, um die Korngröße zu bestimmen. Weiterhin wurden diese Proben einer Messung der Biegefestigkeit mit Hilfe des Dreipunktverfahrens unterzogen, um die in Tabelle 3 zusammen mit der Sinterzeit und dem Korndurchmesser der Sinterkörper gezeigten Resultate zu erhalten. Wie aus den in dieser Tabelle angegebenen Resultaten verständlich ist, wird mit Erweiterung der Sinterzeit die Biegefestigkeit der Sinterkörper verringert wie die Korngröße vergrößert wird.
Claims (4)
- Korrosionsbeständiges Material geeignet zum Widerstehen von Angriffen eines halogen enthaltenen Korrosionsgases oder eines Plasmas davon, gebildet aus einem Mischoxid mit einer Kristallstruktur eines seltenen Erde-Aluminium-Granats entsprechend der Formel Ln3Al5O12, dadurch gekennzeichnet, dass: – Ln ein seltenes Erde-Element oder eine Kombination seltener Erde-Elemente ausgewählt aus der aus Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium bestehenden Gruppe ist, – die Oberflächenrauheit des Materials, Ra, 1 μm nicht übersteigt, – die Porosität des Materials 3 % nicht übersteigt, – der Kristallkorndurchmesser des Materials 50 μm nicht übersteigt, und – es durch Sintern eines Pulverformteiles des seltenen Erde-Aluminium-Granats für 1 bis 6 Stunden bei einer Temperatur im Bereich von 1300 bis 1800 °C in einer Vakuum- oder Inertgasatmosphäre erhältlich ist.
- Korrosionsbeständiges Material gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Ln ein seltenes Erde-Element oder eine Kombination von seltenen Erde-Elementen ausgewählt aus der aus Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium bestehenden Gruppe ist.
- Korrosionsbeständiges Material gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Ln eine Kombination von Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium ist.
- Verfahren zum Bilden eines korrosionsbeständigen Materials gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, in dem ein Pulver mit einem Partikeldurchmesser von 0,1 bis 5 μm aus einer Mischung der Ausgangsmaterialien einschließlich Aluminiumoxid und ein seltenes Erdoxid in stöchiometrischem Verhältnis durch Zusammenschmelzen gefolgt von Verfestigung durch Kühlung und Pulverisation gewonnen wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Pulver in ein Pulverformteil formgepresst wird, das einer Sinterwärmebehandlung bei einer Temperatur von 1300 bis 1800 °C für 1 bis 6 Stunden im Vakuum oder einer Inertgasatmosphäre unterzogen wird, um einen Sinterkörper zu bilden, der in die Form des gewünschten Materials gebracht und dessen Oberfläche geschliffen und poliert wird, um eine wünschenswerte Oberflächenrauheit sicherzustellen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36225798 | 1998-12-21 | ||
JP36225798 | 1998-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69920152D1 DE69920152D1 (de) | 2004-10-21 |
DE69920152T2 true DE69920152T2 (de) | 2005-09-22 |
Family
ID=18476392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69920152T Expired - Lifetime DE69920152T2 (de) | 1998-12-21 | 1999-12-17 | Korrosionbeständiges Mischoxidmaterial |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6326076B1 (de) |
EP (1) | EP1013623B1 (de) |
DE (1) | DE69920152T2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383964B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Kyocera Corporation | Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion |
US6642656B2 (en) * | 2000-03-28 | 2003-11-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant alumina member and arc tube for high-intensity discharge lamp |
US6686045B2 (en) * | 2001-01-31 | 2004-02-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composite fine particles, conductive paste, and conductive film |
JP2002356387A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-12-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性部材 |
US6620756B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-09-16 | Ues, Inc. | Ceramic matrix composite cutting tool material |
US6884514B2 (en) * | 2002-01-11 | 2005-04-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method for forming ceramic layer having garnet crystal structure phase and article made thereby |
US6780787B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-08-24 | Lam Research Corporation | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components |
US7968205B2 (en) | 2005-10-21 | 2011-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Corrosion resistant multilayer member |
JP5235584B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 光学素子 |
US10157731B2 (en) * | 2008-11-12 | 2018-12-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with protective coating including amorphous phase |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
US9711334B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings |
US9583369B2 (en) * | 2013-07-20 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles |
US9725799B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components |
US9869013B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
US9976211B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application |
WO2025096271A1 (en) | 2023-10-30 | 2025-05-08 | Heraeus Covantics North America Llc | Lanthanoid enhanced corrosion resistance |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62223009A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | Ube Ind Ltd | α−サイアロン粉末の製法 |
GB2243364B (en) * | 1990-04-06 | 1994-06-15 | Ube Industries | Sialon-based sintered body and process for producing same |
US5805973A (en) * | 1991-03-25 | 1998-09-08 | General Electric Company | Coated articles and method for the prevention of fuel thermal degradation deposits |
JP3007730B2 (ja) * | 1991-09-26 | 2000-02-07 | 守 大森 | 希土類酸化物−アルミナ焼結体およびその製造方法 |
JPH06389A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-01-11 | Nippon Steel Corp | 自動車触媒用高耐熱型メタル担体 |
US5573862A (en) * | 1992-04-13 | 1996-11-12 | Alliedsignal Inc. | Single crystal oxide turbine blades |
JPH0652599A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sony Corp | Vtrのリール台ブレーキ装置 |
KR960014512B1 (ko) * | 1992-09-14 | 1996-10-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 전지용 수소흡장합금 및 그 제조방법 및 그 합금을 이용한 니켈수소이차전지 |
US5902763A (en) * | 1995-01-19 | 1999-05-11 | Ube Industries, Inc. | Fused ceramic composite |
CN1211312C (zh) * | 1996-07-01 | 2005-07-20 | 宇部兴产株式会社 | 陶瓷复合材料和多孔陶瓷材料及其生产方法 |
JP3619330B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-02-09 | 京セラ株式会社 | プラズマプロセス装置用部材 |
JP3261044B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2002-02-25 | 京セラ株式会社 | プラズマプロセス装置用部材 |
JP3362113B2 (ja) * | 1997-07-15 | 2003-01-07 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材、ウエハー設置部材および耐蝕性部材の製造方法 |
CA2255983C (en) * | 1997-12-16 | 2007-10-23 | Konoshima Chemical Co., Ltd. | A corrosion resistant ceramic and a production method thereof |
-
1999
- 1999-12-17 DE DE69920152T patent/DE69920152T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-17 EP EP99403207A patent/EP1013623B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-21 US US09/468,304 patent/US6326076B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1013623A3 (de) | 2000-07-05 |
US6326076B1 (en) | 2001-12-04 |
EP1013623A2 (de) | 2000-06-28 |
DE69920152D1 (de) | 2004-10-21 |
EP1013623B1 (de) | 2004-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69920152T2 (de) | Korrosionbeständiges Mischoxidmaterial | |
DE60127035T2 (de) | Thermisches Sprühbeschichtungsverfahren und Pulver aus Oxyden der seltenen Erden dafür | |
US12152307B2 (en) | Yttrium fluoride sprayed coating, spray material therefor, and corrosion resistant coating including sprayed coating | |
DE112004001391B4 (de) | Korrosionsfester Bestandteil und Verfahren zur Herstellung desselben und ein Bestandteil für eine Halbleiter- oder Flüssigkristall-erzeugende Anlage | |
DE69812489T2 (de) | Korrosionsbeständiges Bauteil, Waferträger und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3855888T2 (de) | Elektrisch leitfähige titansuboxide | |
DE19721989C2 (de) | Dielektrikum-Sputtertarget mit hoher Festigkeit und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69912541T2 (de) | Aluminiumoxidsinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0237072A2 (de) | Praktisch porenfreie Formkörper aus polykristallinem Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung ohne Mitverwendung von Sinterhilfsmitteln | |
DE19521454A1 (de) | ITO-Zerstäubungstarget | |
EP1972599B1 (de) | Yttriumoxid-haltiges Material, Komponente einer Anlage zur Halbleiterherstellung und Verfahren zur Herstellung von Yttriumoxid-haltigem Material | |
DE69233692T2 (de) | Verwendung eines korrosion beständigen Substratshalters | |
DE112011100972T5 (de) | Transparenter leitender Film | |
EP3938324A1 (de) | Bauteil aus dotiertem quarzglas für den einsatz in einem plasma-unterstützten fertigungsprozess sowie verfahren zur herstellung des bauteils | |
DE102007049158A1 (de) | Verwendung von Kieselglasgranulaten | |
DE60125129T2 (de) | Werkstoff mit geringem Volumenwiderstand, Aluminiumnitridsinterkörper und Gegenstand für die Halbleiterherstellung | |
JP4160224B2 (ja) | オキシハロゲン化物系部材 | |
DE2802901C3 (de) | Piezoelektrischer kristalliner Film | |
DE60131937T2 (de) | Artikel bestehend aus einem Glaskörper mit verbesserten Eigenschaften gegen Plasmakorrosion und Verfahren zu dessen Herstellung | |
JP2011063486A (ja) | 高純度金属ホウ化物粒子の製造方法及びその方法により得られた高純度金属ホウ化物粒子 | |
DE60208464T2 (de) | Ceriumoxid enthaltende Festelektrolyte | |
WO2009024478A2 (de) | Verfahren zum reinigen von polykristallinem silicium | |
KR20000047821A (ko) | 고밀도 인듐-주석-옥사이드 소결체의 제조방법 | |
JP2002302761A (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
WO2017144333A1 (de) | Kupfer-keramik-verbund |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: BOCKHORNI & KOLLEGEN, 80687 MUENCHEN |