JP2022530693A - 有機エレクトロルミネッセンス材料及び該材料を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献CN107148408Aは、アダマンタン誘導体及びその有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関するものであり、それが、基板と、基板上に蒸着された陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に蒸着された有機層とを含み、有機層は正孔輸送層を含み、その正孔輸送層は構造
R1及びR3は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換の炭素原子数1~30のアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数1~30のヘテロアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数7~30のアラルキレン基、置換又は非置換の炭素原子数2~30のヘテロアールアルキレン基から選ばれ、
前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素原子数1~40のアルキル基、炭素原子数3~40のシクロアルキル基、炭素原子数2~40のアルケニル基、炭素原子数2~40のアルキニル基、炭素原子数2~40のヘテロシクロアルキル基、炭素原子数7~40のアラルキル基、炭素原子数2~40のヘテロアラルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、炭素原子数1~40のヘテロアリール基、炭素原子数1~40のアルコキシ基、炭素原子数1~40のアルキルアミノ基、炭素原子数6~40のアリールアミノ基、炭素原子数1~40のアルキルチオ基、炭素原子数7~40のアラルキルアミノ基、炭素原子数1~24のヘテロアリールアミノ基、炭素原子数1~45のアルキルシリル基、炭素原子数6~50のアリールシリル基、炭素原子数6~30のアリロキシ基、炭素原子数6~30のアリールチオ基から選ばれる。)
本発明に含まれるジアミン構造は、アダマンチル基を含有するモノアミン類構造に比べて、高いHOMOエネルギーレベル及び正孔移動度を有し、モノアミン類材料デバイスよりも高い効率及び長い寿命を呈し得る。ジアミン類材料の置換部位が多いため、アダマンチル基の異なる位置での置換を通じて、材料の空間構造と分子の積層に対しても更に精密な調節作用を果たすことができ、特に、本発明は、電子バリア層として機能する場合、より優れた、正孔輸送速度に対する調節作用を果たすことができ、正孔と電子の輸送効率のバランスをとることにより、デバイスの効率及び寿命をさらに向上させることができる。さらに、ジアミン構造は高い正孔輸送効率を有するが、分子量が小さく対称性が高いため、低温で結晶化しやすい。ジアミン構造とアダマンチル基とを組み合わせると、大きな位置抵抗のアダマンチル基を導入することにより、この現象を大幅に改善することができ、ガラス相の転移温度と結晶化温度を30~50℃向上させ、材料の結晶化とそれに伴う発光デバイスの寿命低下を効果的に抑制することができる。
前記有機エレクトロルミネッセンス材料を含む有機発光デバイスは、低い駆動電圧、高い発光効率及び長い寿命を有する。
R1及びR3は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換の炭素原子数1~30のアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数1~30のヘテロアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数7~30のアラルキレン基、置換又は非置換の炭素原子数2~30のヘテロアールアルキレン基から選ばれ、
前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素原子数1~40のアルキル基、炭素原子数3~40のシクロアルキル基、炭素原子数2~40のアルケニル基、炭素原子数2~40のアルキニル基、炭素原子数2~40のヘテロシクロアルキル基、炭素原子数7~40のアラルキル基、炭素原子数2~40のヘテロアラルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、炭素原子数1~40のヘテロアリール基、炭素原子数1~40のアルコキシ基、炭素原子数1~40のアルキルアミノ基、炭素原子数6~40のアリールアミノ基、炭素原子数1~40のアルキルチオ基、炭素原子数7~40のアラルキルアミノ基、炭素原子数1~24のヘテロアリールアミノ基、炭素原子数1~45のアルキルシリル基、炭素原子数6~50のアリールシリル基、炭素原子数6~30のアリロキシ基、炭素原子数6~30アリールチオ基から選ばれる。
本出願の1つの任意の実施形態では、R1及びR3は、互いに同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、化学式j-1乃至化学式j-9に示される基からなる群から選ばれる。
e1~e14はerで示され、E1~E14はErで示され、rは変数であり、1~14の任意の整数を示し、erは置換基Erの数を示し、rが1、2、3、4、5、6、9、13又は14から選ばれる場合、erは1、2、3又は4から選ばれ、rが7又は11から選ばれる場合、erは1、2、3、4、5又は6から選ばれ、rが12である場合、erは1、2、3、4、5、6又は7から選ばれ、rが8又は10から選ばれる場合、erは1、2、3、4、5、6、7又は8から選ばれ、erが1より多い場合、任意の2つのErは、同じであるか異なり、
K3はO、S、Se、N(E15)、C(E16E17)、Si(E18E19)から選ばれ、ここで、各E15、E16、E17、E18、及びE19は、それぞれ独立に、水素、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数2~10のヘテロシクロアルキル基から選ばれ、
各K4は、独立に、単結合、O、S、Se、N(E20)、C(E21E22)、Si(E23E24)から選ばれ、ここで、E20、E21、E22、E23、E24は、それぞれ独立に、水素、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれる。
前記置換とは、独立に、重水素、シアノ基、フッ素、塩素、メチル基、エチル基、プロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基から選ばれる置換基により置換されたことを意味する。
D2~D9、D21は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、炭素原子数3~12のトリアルキルシリコン基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のハロアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基から選ばれ、
D10~D20は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、炭素原子数3~12のトリアルキルシリコン基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のハロアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基から選ばれ、
d1~d21はdkで示され、D1~D21はDkで示され、kは変数であり、1~21の任意の整数であり、dkは置換基Dkの個数を示し、ここで、kが5又は17から選ばれる場合、dkは1、2又は3から選ばれ、kが2、7、8、12、15、16、18又は21から選ばれる場合、dkは1、2、3又は4から選ばれ、kが1、3、4、6、9又は14から選ばれる場合、dkは1、2、3、4又は5から選ばれ、kが13である場合、dkは1、2、3、4、5又は6から選ばれ、kが10又は19から選ばれる場合、dkは1、2、3、4、5、6又は7から選ばれ、kが20である場合、dkは1、2、3、4、5、6、7又は8から選ばれ、kが11である場合、dkは1、2、3、4、5、6、7、8又は9から選ばれ、かつdkが1よりも大きい場合、任意の2つのDkは、同じであるか、又は異なり、
K1は、独立に、O、S、N(D22)、C(D23D24)、Si(D25D26)から選ばれ、ここで、D22、D23、D24、D25、D26は、それぞれ独立に、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基又は炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれ、
K2は、単結合、O、S、N(D27)、C(D28D29)、Si(D30D31)から選ばれ、ここで、D27、D28、D29、D30、D31は、それぞれ独立に、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基又は炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれる。
前記置換とは、独立に、重水素、シアノ基、フッ素、塩素、メチル基、エチル基、プロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基から選ばれる置換基により置換されたことを意味し、
置換基が複数ある場合、各置換基は同じであるか、又は異なる。
本出願の有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記正孔輸送層又は電子バリア層は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの電圧特性、効率特性及び寿命特性を改善するために、上記化合物を含む。
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。しかしながら、以下の実施例は本発明の例示にすぎず、本発明を限定するものではない。
以下で説明する合成例では、特に断らない限り、すべての温度の単位は摂氏度である。試薬の一部は、Aldrich Chemical Company、Arco Chemical Company、Alfa Chemical Companyなどの商品サプライヤーから購入されており、特に断らない限り、それ以上の精製を行わずに使用されている。
各合成例において、低分解能質量分析(MS)データの測定条件は、Agilent 6120 四重極HPLC-M(カラムモデル:Zorbax SB-C18、2.1×30mm、3.5μm、6min、流速0.6mL/min)である。移動相は、5%~95%(0.1%ギ酸を含むアセトニトリル)の(0.1%ギ酸を含む水)中の割合)、エレクトロスプレーイオン化(ESI)を用い、210nm/254nmでUVにより検出された。
核磁気共鳴水素スペクトルは、ブルック(Bruker)600MHz核磁気計、室温条件下、CD2Cl2を溶媒(ppm単位)とし、TMS(0ppm)を参照標準とした。多重ピークが出現する場合に、s(singlet、単ピーク)、d(doublet、二重ピーク)、t(triplet、三重ピーク)、m(multiplet、多重ピーク)の略語を用いる。
化合物1の合成
化合物2の合成
化合物3の合成
化合物4の合成
化合物5の合成
化合物6の合成
化合物7の合成
化合物8の合成
化合物9の合成
化合物10の合成
化合物11の合成
アニリンの代わりに4-アミノ-4’-メチルビフェニル5.64g(15mmol)を、ジフェニルアミンの代わりに5.23g(16.5mmol)の中間体II-E-2を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物11を合成した。質量分析:m/z=942.3(M+H)+。
化合物12の合成
アニリンの代わりに2-ナフチルアミン5.42g(15mmol)を、ジフェニルアミンの代わりに5.33g(16.5mmol)の中間体II-E-2を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物12を合成した。質量分析:m/z = 901.4(M+H)+。
化合物13の合成
4-アミノビフェニルの代わりにp-トルイジン3.11g(15mmol)を、3-ブロモ-N,N-ビス(4-メチルフェニル)アニリンの代わりに4-ブロモ-N,N-ビス(4-メチルフェニル)アニリンを、4’-ブロモ-4-ビフェニルホウ酸の代わりに4-ブロモ-2,3-ジメチルフェニルフェニルボロン酸5.06g(16.5mmol)を使用した以外、合成例6と同様な方法によって化合物13を合成した。質量分析:m/z=770.1(M+H)+。
化合物14の合成
ブロモベンゼンの代わりに2-ブロモビフェニル4.96g(15mmol)を使用した以外、中間体I-Aと同様な合成経路によって中間体I-Sを調製し、次に、I-Aの代わりにI-Sを使用して、合成例3と同様な方法によって化合物14を合成した。質量分析:m/z=790.0(M+H)+。
化合物15の合成
アニリンの代わりに3-アミノビフェニル5.73g(15mmol)を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物15を合成した。質量分析:m/z=699.9(M+H) +。
化合物16の合成
4-ブロモ-4’-ヨードビフェニルの代わりに3-ブロモ-4’-ヨードビフェニル5.64g(15mmol)を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物16を合成した。質量分析:m/z=623.9(M+H)+ m/z=623.9(M+H)+。
化合物17の合成
中間体I-Aの代わりに1-(3-ブロモフェニル)アダマンタン4.45g(15mmol)を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物17を合成した。質量分析:m/z=623.9M+H)+。
化合物18の合成
3-ブロモ-N,N-ビス(4-メチルフェニル)アニリンと、4’-ブロモ-4-ビフェニルホウ酸との代わりに、4-アミノビフェニル5.28g(15mmol)と、4ブロモ-4’メチルビフェニル5.35g(16.5mmol)と、p-クロロフェニルボロン酸4.29g(13.5mmol)とを使用した以外、合成例6と同様な方法によって化合物18を合成した。質量分析:m/z=1017.5(M+H)+。
化合物19の合成
3-ブロモ-N,N-ビス(4-メチルフェニル)アニリンと、4’-ブロモ-4-ビフェニルホウ酸との代わりに、9-(4-ブロモフェニル)カルバゾールと、アニリンと、p-クロロフェニルボロン酸とを使用した以外、合成例6と同様な方法によって化合物19を合成した。質量分析:m/z=1016.5(M+H)+。
化合物20の合成
ジフェニルアミン5.17g(15mmol)と、4-ブロモ-4’-ヨード-ビフェニル5.81g(16.5mmol)と、m-クロロフェニルボロン酸4.29g(13.5mmol)を使用した以外、合成例5と同様な方法によって化合物22を合成した。質量分析:m/z=775.4(M+H)+。
化合物21の合成
ジフェニルアミンとアニリンとの代わりに、4クロロビフェニル-4’ホウ酸と4-アミノビフェニルを使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物21を合成した。質量分析:m/z=851.5(M+H)+。
化合物22の合成
ジフェニルアミンとアニリンとの代わりに、4クロロビフェニル-3’ホウ酸と2-アミノ-9,9-ジメチルフルオレンを使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物22を合成した。質量分析:m/z=891.5 (M+H)+。
化合物23の合成
ジフェニルアミンの代わりに3-ジベンゾチオフェンと3-ブロモジベンゾフランで合成した中間体を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物23を合成した。質量分析:m/z=819.3 (M+H)+。
化合物24の合成
1HNMR(400MHz,CD2Cl2): 7.97(d, 1H), 7.92(d,1H), 7.82(d, 1H), 7.54-7.36(m, 14H), 7.36(t, 2H), 7.21(t, 2H), 7.15-7.12(m,6H), 7.07-7.04(m, 5H), 6.96(t, 1H), 2.11-2.10 (m, 3H), 1.96-1.95(m,6H), 1.83-1.77(m, 6H)。
化合物25の合成
1HNMR(400MHz,CD2Cl2): 7.99(d, 1H), 7.94(s, 1H), 7.85(d, 1H), 7.77(d, 1H), 7.47-7.39(m, 6H), 7.30-7.24(m, 7H), 7.16-7.00(m, 12H), 2.08-2.09(m, 3H), 1.91-1.90(m, 6H), 1.81-1.75(dd, 6H)。
化合物26の合成
化合物27の合成
再結晶:粗製品1g:酢酸エチル4mLを75~80℃で溶解し、20~25℃に、自然的に降温し、固体を析出させ、濾過して、フィルターケーキを送風オーブンにて60~65℃で12hベークし、略白色の固体を130.00g得て、LC=99.08%であった。母液を回収して、得た固体を2回再結晶させ、固体13.79gを得て、総収率は42%であった。
化合物28の合成
化合物29の合成
化合物30の合成
化合物31の合成
化合物32の合成
実施例1:正孔輸送層として本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス
以下のプロセスによって陽極を製造した。厚さ1500オングストロームのITO基板(コーニング製)を40mm×40mm×0.7mmの大きさに切断し、それをフォトリソグラフィ工程で陰極、陽極及び絶縁層パターンを有する実験基板に作製し、紫外線・オゾン及びO2:N2プラズマを用いて表面処理を行い、陽極(実験基板)の仕事関数を増加させ、スカムを除去した。
実験基板(陽極)上にm-MTDATAを真空蒸着して厚さ100オングストロームの正孔注入層(HIL)を形成し、正孔注入層上に化合物1を真空蒸着して厚さ800オングストロームの正孔輸送層(HTL)を形成した。
正孔輸送層上にTCTAを蒸着して、厚さ300オングストロームの電子バリア層(EBL)を形成した。
α,β-ANDをホストとするとともに、4,4’-(3,8-ジフェニルピレン-1,6-ジイルビス(N,N-ジフェニルアニリン)をドーピングし、厚さ350オングストロームの発光層(EML)を形成した。
DBimiBphenとLiQとを重量比1:1で混合して蒸着し、厚さ300オングストロームの電子輸送層(ETL)を形成し、電子輸送層上にLiQを蒸着して厚さ10オングストロームの電子注入層(EIL)を形成した後、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)とを蒸着速度1:9で混合して電子注入層上に真空蒸着し、厚さ120オングストロームの陰極を形成した。
さらに、N-(4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル)-4’-(9H-カルバゾール-9-イル)-N-フェニル-[1,1’-ビフェニル]-4-アミンを上記陰極に厚さ65nmで蒸着してオーバーコート層(CPL)を形成し、有機発光デバイスの製造を完了した。
正孔輸送層(HTL)の形成に表1に示す化合物を用いた以外、実施例1と同様な方法によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製した。
デバイスの性能を表1に示す。
前記比較例1~比較例2では、化合物1の代わりにNPBと化合物Bを正孔輸送層として用いた以外、実施例1と同様な方法によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造した。すなわち、比較例1では、NPBを用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造し、比較例2では、化合物Bを用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造した。デバイスの性能を表1に示す。
エレクトロルミネッセンスデバイスを作製する際に使用する各材料の構造は以下の通りである。
以下のプロセスによって陽極を製造した。厚さ1500オングストロームのITO基板(コーニング製)を40mm×40mm×0.7mmの大きさに切断し、それをフォトリソグラフィ工程で陰極、陽極及び絶縁層パターンを有する実験基板に作製し、紫外線・オゾン及びO2:N2プラズマを用いて表面処理を行い、陽極(実験基板)の仕事関数を増加させ、スカムを除去した。
実験基板(陽極)上にm-MTDATAを真空蒸着して厚さ100オングストロームの正孔注入層(HIL)を形成し、正孔注入層上に化合物NPBを真空蒸着して厚さ1000オングストロームの正孔輸送層(HTL)を形成した。
正孔輸送層上に本発明の化合物8を蒸着して厚さ300オングストロームの電子バリア層(EBL)を形成した。
α,β-ANDをホストとし、4,4’-(3,8-ジフェニルピレン-1,6-ジイルビス(N,N-ジフェニルアニリン)を同時にドーピングし、厚さ350オングストロームの発光層(EML)を形成した。
DBimiBphenとLiQとを重量比1:1で混合して蒸着して、厚さ300オングストロームの電子輸送層(ETL)を形成し、電子輸送層上にLiQを蒸着して厚さ10オングストロームの電子注入層(EIL)を形成した後、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)とを重量比1:9で混合して電子注入層上に真空蒸着し、厚さ120オングストロームの陰極を形成した。
さらに、N-(4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル)-4’-(9H-カルバゾール-9-イル)-N-フェニル-[1,1’-ビフェニル]-4-アミンを前記陰極に厚さ650オングストロームで蒸着してオーバーコート層(CPL)を形成し、有機発光デバイスの製造を完了した。
電子バリア層(EBL)を形成する際に表2に示す化合物をそれぞれ用いた以外、実施例24と同様な方法によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製した。
すなわち、実施例25では、本発明の化合物9を用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製し、実施例26では、本発明の化合物10を用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製した。
デバイスの性能を表2に示す。
前記比較例3~5では、化合物8の代わりにTCTA、NPD、TPDを電子バリア層として用いた以外、実施例24と同様な方法によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造した。
すなわち、比較例3では、TCTAを用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造し、比較例4では、NPDを用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造し、比較例5では、TPDを用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造した。デバイス性能を表2に示す。
エレクトロルミネッセンスデバイスを作製する際に使用する各材料の構造は以下の通りである。
表2から、本発明の化合物を青色光デバイスの電子バリア層に用いた場合、比較例に比べて、外部量子効率が20%以上向上していることが分かった。これは青色光デバイスにとって非常に顕著な向上である。OLEDデバイス(すなわち有機エレクトロルミネッセンスデバイス)の場合、その効果(例えばEQEにおいて)の改善はデータ上に見るとは数パーセントにしかないが、この改善は非常に顕著であった。
具体的には、外部量子効率(EQE)は、以下の式で計算することができる。すなわち、例えば、EQE=部品から放出された光子の数/注入された電子の数、また、例えば、EQE=光出力率*内部量子効率(光出力率が1未満)である。
青色光デバイスの場合、発光層には蛍光材料が使用されており、蛍光材料は一重項励起子発光であり、その内部量子効率は最大25%であった。一方、外部発光の場合、結合などのデバイス構造による光の損失などの原因により、25%の励起子しか利用できないため、外部量子効率は必ず25%以下となり、その効率は通常低かった。
したがって、本発明の化合物を用いて作製されたデバイスは、駆動電圧を低下させ、発光効率を高め、寿命を延ばすという特性を有する。
以上のように、本発明の化合物を有機エレクトロルミネッセンスデバイスの正孔輸送層又は電子バリア層として用いることにより、本発明の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、より低い駆動電圧、より高い発光効率、及びより良好な寿命を有する。
化合物8の合成
化合物16の合成
4-ブロモ-4’-ヨードビフェニルの代わりに3-ブロモ-4’-ヨードビフェニル5.64g(15mmol)を使用した以外、合成例1と同様な方法によって化合物16を合成した。質量分析: m/z=623.9(M+H) + 。
化合物20の合成
ジフェニルアミン5.17g(15mmol)と、4-ブロモ-4’-ヨード-ビフェニル5.81g(16.5mmol)と、m-クロロフェニルボロン酸4.29g(13.5mmol)を使用した以外、合成例5と同様な方法によって化合物20を合成した。質量分析:m/z=775.4(M+H)+。
化合物24の合成
1HNMR(400MHz,CD2Cl2): 7.97(d, 1H), 7.92(d,1H), 7.82(d, 1H), 7.54-7.36(m, 14H), 7.36(t, 2H), 7.21(t, 2H), 7.15-7.12(m,6H), 7.07-7.04(m, 5H), 6.96(t, 1H), 2.11-2.10 (m, 3H), 1.96-1.95(m,6H), 1.83-1.77(m, 6H)。
化合物25の合成
1HNMR(400MHz,CD2Cl2): 7.99(d, 1H), 7.94(s, 1H), 7.85(d, 1H), 7.77(d, 1H), 7.47-7.39(m, 6H), 7.30-7.24(m, 7H), 7.16-7.00(m, 12H), 2.08-2.09(m, 3H), 1.91-1.90(m, 6H), 1.81-1.75(dd, 6H)。
化合物26の合成
上記のアミノ中間体(18.87g、60mmol)を加えて、ジクロロエタン100mLを加えて溶解させ、透明にさせた後、トリフルオロ酢酸(13.68g、120mmol)と、無水硫酸マグネシウム(3.6g、30mmol)とを加えて10min撹拌し、亜硝酸ナトリウム(8.48g、132mmol)をバッチ式で加えて、温度を40~50℃に厳しく制御し、40~50℃で保温して反応させた。反応を完了させた後、反応液を20~30℃に下げて、シリカゲル漏斗に通し、フィルターケーキをジクロロエタンでリンスし、濾液を合わせた。濾液を中性になるまで水で3~4回水洗し、分液した後、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過して、フィルターケーキをジクロロエタンでリンスし、無水硫酸ナトリウムでフィルターケーキを乾燥させ、濾液を合わせて、濃縮させた(50~65℃、-0.075MPa~-0.09MPa)。濃縮乾固させて石油エーテルを加えて、45~50℃で2回沸騰させて洗浄した。固体をトルエンで溶解させ、常温でカラムに通し、カラム通過液を濃縮させ(65~80℃、-0.08MPa~-0.09MPa)、降温して再結晶させ、T=-5~0℃で濾過した。濾過固体をベークして乾燥させ、ジクロロエタンで還流して溶解させ、透明にさせた後に、再結晶させ、-5~0℃に降温して濾過し、50~60℃でベークした。8.03gを得て、収率は45%であった。
化合物27の合成
再結晶:粗製品1g:酢酸エチル4mLを75~80℃で溶解し、20~25℃に、自然的に降温し、固体を析出させ、濾過して、フィルターケーキを送風オーブンにて60~65℃で12hベークし、略白色の固体を130.00g得て、LC=99.08%であった。母液を回収して、得た固体を2回再結晶させ、固体13.79gを得て、総収率は42%であった。
化合物28の合成
化合物29の合成
化合物30の合成
化合物32の合成
電子バリア層(EBL)を形成する際に表2に示す化合物をそれぞれ用いた以外、実施例24と同様な方法によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製した。
すなわち、実施例25では、本発明の化合物9を用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製し、実施例26では、本発明の化合物10を用いて有機エレクトロルミネッセンスデバイスを作製した。
デバイスの性能を表2に示す。
Claims (16)
- 構造式が化学式1に示される有機エレクトロルミネッセンス材料。
R1及びR3は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換の炭素原子数1~30のアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数1~30のヘテロアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数7~30のアラルキレン基、置換又は非置換の炭素原子数2~30のヘテロアールアルキレン基から選ばれ、
前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素原子数1~40のアルキル基、炭素原子数3~40のシクロアルキル基、炭素原子数2~40のアルケニル基、炭素原子数2~40のアルキニル基、炭素原子数2~40のヘテロシクロアルキル基、炭素原子数7~40のアラルキル基、炭素原子数2~40のヘテロアラルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、炭素原子数1~40のヘテロアリール基、炭素原子数1~40のアルコキシ基、炭素原子数1~40のアルキルアミノ基、炭素原子数6~40のアリールアミノ基、炭素原子数1~40のアルキルチオ基、炭素原子数7~40のアラルキルアミノ基、炭素原子数1~24のヘテロアリールアミノ基、炭素原子数1~45のアルキルシリル基、炭素原子数6~50のアリールシリル基、炭素原子数6~30のアリロキシ基、炭素原子数6~30のアリールチオ基から選ばれる。 - R1及びR3は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換の炭素原子数6~25のアリーレン基、置換又は非置換の炭素原子数5~18のヘテロアリーレン基から選ばれ、R2、R4及びR5は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換の炭素原子数6~18のアリール基、置換又は非置換の炭素原子数5~18のヘテロアリール基から選ばれ、
前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基から選ばれ、置換基が1つより多い場合、各置換基は同じであるか、又は異なる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。 - R1及びR3は、互いに同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、化学式j-1~化学式j-9に示される基からなる群から選ばれる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
e1~e14はerで示され、E1~E14はErで示され、rは変数であり、1~14の間の任意の整数を表し、erは置換基Erの数を示し、rが1、2、3、4、5、6、9、13又は14から選ばれる場合、erは1、2、3又は4から選ばれ、rが7又は11から選ばれる場合、erは1、2、3、4、5又は6から選ばれ、rが12である場合、erは1、2、3、4、5、6又は7から選ばれ、rが8又は10から選ばれる場合、erは1、2、3、4、5、6、7又は8から選ばれ、erが1より大きい場合、任意の2つのErは、同じであるか、又は異なり、
K3はO、S、Se、N(E15)、C(E16E17)、Si(E18E19)から選ばれ、ここで、各E15、E16、E17、E18及びE19は、それぞれ独立に、水素、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数2~10のヘテロシクロアルキル基から選ばれ、
K4は、それぞれ独立に、単結合、O、S、Se、N(E20)、C(E21E22)、Si(E23E24)から選ばれ、ここで、E20、E21、E22、E23、E24は、それぞれ独立に、水素、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれる。 - R1及びR3は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、単結合、置換又は非置換のフェニレン基、置換又は非置換のビフェニレン基、置換又は非置換のテルフェニレン基、置換又は非置換のクリセニレン基、置換又は非置換のフェナントレン基、置換又は非置換のナフチレン基、置換又は非置換のアズレニレン基、置換又は非置換のインデニレン基、置換又は非置換のピリジレン基、置換又は非置換のピリミジニレン基、置換又は非置換のトリアジニレン基、置換又は非置換のイミダゾリレン基から選ばれる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
- R1及びR3は同じであるか、異なるものであり、それぞれ独立に、置換又は非置換のフェニレン基、置換又は非置換のビフェニレン基、置換又は非置換のテルフェニレン基、置換又は非置換のアントリレン基、置換又は非置換のフェナントレン基、置換又は非置換のナフチレン基、置換又は非置換の9,9-ジメチルフルオレニレン基、置換又は非置換のジベンゾフラニリデン基、置換又は非置換のジベンゾチエニレン基、置換又は非置換のカルバゾリリデン基、又は前記イレン基のうちの2つ又は3つを単結合で連結してなるイレン基から選ばれ、
前記置換とは、独立に、重水素、シアノ基、フッ素、塩素、メチル基、エチル基、プロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基から選ばれる置換基により置換されたことを意味し、
置換基が複数ある場合、各置換基は同じであるか、又は異なる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。 - R2、R4及びR5は、互いに同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、化学式i-1乃至化学式i-11に示される基からなる群から選ばれる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
D2~D9、D21は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、炭素原子数3~12のトリアルキルシリコン基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のハロアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基から選ばれ、
D10~D20は、それぞれ独立に、水素、重水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、炭素原子数3~12のトリアルキルシリコン基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のハロアルキル基、炭素原子数3~10のシクロアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基から選ばれ、
d1~d21はdkで示され、D1~D21はDkで示され、kは変数であり、1~21の任意の整数を表し、dkは置換基Dkの数を示し、ここで、kが5又は17から選ばれる場合、dkは1、2又は3から選ばれ、kが2、7、8、12、15、16、18又は21から選ばれる場合、dkは1、2、3又は4から選ばれ、kが1、3、4、6、9又は14から選ばれる場合、dkは1、2、3、4又は5から選ばれ、kが13である場合、dkは1、2、3、4、5又は6から選ばれ、kが10又は19から選ばれる場合、dkは1、2、3、4、5、6又は7から選ばれ、kが20である場合、dkは1、2、3、4、5、6、7又は8から選ばれ、kが11である場合、dkは1、2、3、4、5、6、7、8又は9から選ばれ、かつ、dkが1よりも大きい場合、任意の2つのDkは、同じであるか、又は異なり、
K1は、独立に、O、S、N(D22)、C(D23D24)、Si(D25D26)から選ばれ、ここで、D22、D23、D24、D25、D26は、それぞれ独立に、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基又は炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれ、
K2は、単結合、O、S、N(D27)、C(D28D29)、Si(D30D31)から選ばれ、ここで、D27、D28、D29、D30、D31は、それぞれ独立に、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、炭素原子数1~10のアルキル基又は炭素原子数3~10のシクロアルキル基から選ばれる。 - R2、R4及びR5は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、置換又は非置換のフェニル基、置換又は非置換のビフェニル基、置換又は非置換のテルフェニル基、置換又は非置換のアンスリル基、置換又は非置換のフェナントリル基、置換又は非置換のナフチル基、置換又は非置換の9,9-ジメチルフルオレニル基、置換又は非置換のジベンゾフラニル基、置換又は非置換のジベンゾチエニル基、置換又は非置換のカルバゾリル基、又は前記グループのうちの2つ又は3つを単結合で連結してなる基から選ばれ、
前記置換とは、独立に、重水素、シアノ基、フッ素、塩素、メチル基、エチル基、プロピル基、t-ブチル基、フェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基から選ばれる置換基により置換されたことを意味し、
置換基が複数ある場合、各置換基は同じであるか、又は異なる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。 - 前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、フッ素、塩素、シアノ基、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数5~10のシクロアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基、炭素原子数3~9のトリアルキルシリコン基、炭素原子数6~15のアリール基、炭素原子数3~12のヘテロアリール基、トリフェニルシリル基から選ばれる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
- 前記R1、R2、R3、R4及びR5の置換基は同じであるか、又は異なり、それぞれ独立に、重水素、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基、シクロペンチル基、メトキシ基、エトキシ基、トリメチルシリル基、フェニル基、ピリジル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、トリフェニルシリル基から選ばれる、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
- 陰極と、陽極と、前記陰極と陽極との間に設置された1層以上の有機層とを含み、前記有機層は、少なくとも1層の請求項1~12に記載のエレクトロルミネッセンス材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記有機層は正孔注入層と、正孔輸送層と、電子バリア層と、発光層と、正孔バリア層と、電子輸送層と、電子注入層とを含む、ことを特徴とする請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 前記正孔輸送層は請求項1~12に記載のエレクトロルミネッセンス材料を含むか、又は前記電子バリア層は請求項1~12に記載のエレクトロルミネッセンス材料を含む、ことを特徴とする請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- 有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける請求項1~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の応用。
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