CN111875608B - 一种七元含氮杂环衍生物及其有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种七元含氮杂环衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该化合物将含有双键的三苯胺衍生的七元含氮杂环基团连接在至少含有一个氮原子的六元共轭环上，首先，该七元含氮杂环的空间位阻大，化合物的热稳定性好；该七元含氮杂环与至少含有一个氮原子的六元共轭环连接，使化合物在施加适当电压时，吸电子能力增强，电子的传输能力好；该七元含氮杂环衍生物的分子间聚集小，成膜性好。该化合物作为电子传输层材料以及发光层主体材料应用于有机电致发光器件中，能够降低器件的驱动电压，同时还能显著提高器件的发光效率和寿命，是一类性能优良的有机电致发光材料。

Description

一种七元含氮杂环衍生物及其有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种七元含氮杂环衍生物及其有机电致发光器件。
背景技术
进入21世纪以后，人们对平板显示器的性能要求越来越高，未来的趋势是在轻巧的挠性体上输送大量的信息和影像。LED在平板显示中的应用历经了几十年，但是由于其自身无法克服的缺陷，例如，它需要在单晶体的基板上外延生长，并且模块之间的连接处的像素间距参差不齐，造成显示屏整体的画面产生块状切割的影像。
反观有机电致发光器件(OLED)，与LED相比，其在温度适应性、应答时间、视频特性、颜色纯度、视角、对比度、功耗和亮度上都有很好的表现，因此它可以在多方面领域进行应用，从中小面板的手机或笔记本电脑，到大尺寸的电视等。另外，由于其利用的是有机材料，而有机材料本身具有良好的可弯曲性，这更加给未来便携式平板显示所需的“轻、薄、小、彩、省、美、多元化”特性带来了可能。
然而，OLED也面临着许多的挑战，随着人们对显示产品越来越高的要求，使得OLED需要在亮度、寿命和效率等方面得到进一步的突破。想要得到完美的OLED器件，性能良好的有机电致发光材料是必不可少的。由于器件中空穴传输材料的空穴迁移率一般远大于电子传输材料的电子迁移率，这会导致器件性能的下降。所以设计出好的电子传输材料是一个重要的任务。同时，不同类型的功能材料相互协作，也是提高器件性能的有效途径，有待完善。
发明内容
本发明提供了一种能够作为电子传输材料的七元含氮杂环衍生物，所述的七元含氮杂环衍生物选自式(I)所示结构中的一种，
Figure BDA0002623036480000011
其中，所述的L选自单键、碳原子数为6～12的亚芳基，
所述的X1、X2、X3独立地选自CH或氮原子，
所述的Ar1、Ar2独立地选自碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述亚芳基、芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的烷基、未取代或碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为6～30的芳基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为12～20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
本发明还提供一种有机电致发光器件，依次层叠有阳极、有机物层及阴极，所述的有机物层包括电子传输层，所述的电子传输层含有上述的七元含氮杂环衍生物中的至少一种。
本发明的有益效果：
本发明提供的七元含氮杂环衍生物，将含有双键的三苯胺衍生的七元含氮杂环基团连接在至少含有一个氮原子的六元共轭环上。首先，该七元含氮杂环的空间位阻大，使分子间聚集小，并且使化合物的热稳定性好，进而使化合物的成膜性好；其次，该七元含氮杂环与至少含有一个氮原子的六元共轭环连接，使化合物在施加适当电压时，吸电子能力增强，电子的传输能力好；进一步，该七元含氮杂环衍生物包含双键而非稠合的苯环，共轭范围有所减小，三线态能级有所提高，更有利于作为主体材料，使器件获得更好的性能。
综上所述，该七元含氮杂环衍生物是一类性能优良的电子传输材料，并且还能够作为主体材料应用于OLED器件中。本发明还将该七元含氮杂环衍生物作为上述作用的同时，采用含有金刚烷或坎烷的芳胺类化合物作为空穴传输层，共同应用于OLED器件中，取得了高发光效率和长使用寿命。
附图说明
图1为本发明化合物I-11的1H NMR图；图2为本发明化合物I-27的1H NMR图；
图3为本发明化合物I-70的1H NMR图；图4为本发明化合物I-85的1H NMR图；
图5为本发明化合物I-87的1H NMR图；图6为本发明化合物I-98的1H NMR图；
图7为本发明化合物I-112的1H NMR图；图8为本发明化合物II-8的1H NMR图；
图9为本发明化合物II-27的1H NMR图；图10为本发明化合物II-33的1H NMR图；
图11为本发明化合物II-62的1H NMR图；图12为本发明化合物II-79的1H NMR图。
具体实施方式
本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基，优选具有1～20个碳原子，更优选1～10个碳原子，特别优选1～4个碳原子，包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基等，但不限于此。
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基，优选具有3～30个碳原子，更优选3～15个碳原子，特别优选5～12个碳原子，包括环戊基、环己基、金刚烷基、坎烷基等，但不限于此。
本发明所述的芳基是指芳烃分子的一个芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下的基团的总称，其可以为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6～30个碳原子，更优选6～14个碳原子，特别优选6～12个碳原子，例如可选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基或苯并菲基等，但不限于此。
本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，优选具有3～30个碳原子，更优选3～20个碳原子，特别优选3～10个碳原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或稠环杂芳基，例如可以选自吡啶基、喹啉基、咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咪唑基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等，但不限于此。
本发明所述的亚芳基是指芳烃分子的两个芳核碳上各去掉一个氢原子后，剩下的二价基团的总称，优选具有6～20个碳原子，更优选6～14个碳原子，特别优选6～12个碳原子，其可以为二价单环芳基、二价多环芳基或二价稠环芳基，例如可选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚芴基或亚苯并菲基等，但不限于此。
本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，优选具有3～30个碳原子，更优选3～20个碳原子，特别优选3～10个碳原子，所述亚杂芳基可以为二价单环杂芳基、二价多环杂芳基或二价稠环杂芳基，例如可以选自亚吡啶基、亚喹啉基、亚咔唑基、亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基、亚嘧啶基、亚苯并嘧啶基、亚咪唑基、亚苯并咪唑基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基等，但不限于此。
本发明提供了一种能够作为电子传输材料的七元含氮杂环衍生物，所述的七元含氮杂环衍生物选自式(I)所示结构中的一种，
Figure BDA0002623036480000031
其中，所述的L选自单键、碳原子数为6～12的亚芳基，
所述的X1、X2、X3独立地选自CH或氮原子，
所述的Ar1、Ar2独立地选自碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述亚芳基、芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的烷基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为6～30的芳基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为3～20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
优选的，所述的X1、X2、X3至少有一个选自氮原子。
优选的，所述的Ar1、Ar2独立地选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000041
其中，所述的R1、R2、R3独立地选自氢原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基中的一种，
所述的R4、R5相同地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、苯基中的一种。
优选的，所述的Ar1、Ar2独立地选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000042
Figure BDA0002623036480000051
优选的，所述的七元含氮杂环衍生物选自如下所示化合物中的一种，
Figure BDA0002623036480000052
Figure BDA0002623036480000061
Figure BDA0002623036480000071
Figure BDA0002623036480000081
以上列举了本发明所述的七元含氮杂环衍生物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以式(I)所示结构为基础，取代基如上所限定，都应包含在内。
本发明所述的七元含氮杂环衍生物的制备，首先，以亚氨基芪(Y1)为原料，与二溴碘苯(X)发生Buchwald-hartwing反应制备得到中间体A；然后，中间体A通过成环反应制备得到中间体B；之后，中间体B与联硼酸频那醇酯发生反应制备得到中间体C；最后，中间体C与溴代物Y2发生Suzuki反应制备得到目标化合物(I)，具体合成路线如下所示，
Figure BDA0002623036480000082
其中，所述的L选自单键、碳原子数为6～12的亚芳基，
所述的X1、X2、X3独立地选自CH或氮原子，
所述的Ar1、Ar2独立地选自碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述亚芳基、芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的烷基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为6～30的芳基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为3～20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
本发明对上述各反应中所采用的原料来源没有特殊的限定，可以是市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到的。
本发明还提供一种有机电致发光器件，依次层叠有阳极、有机物层及阴极，所述的有机物层包括电子传输层，所述的电子传输层含有上述的七元含氮杂环衍生物中的至少一种。
优选的，所述的有机物层包括发光层，所述的发光层含有上述的七元含氮杂环衍生物中的至少一种。
优选的，所述的有机物层包括空穴传输层，所述的空穴传输层含有如式(II)所示的芳胺化合物中的至少一种，
Figure BDA0002623036480000091
其中，所述的X’选自CR1’R2’，所述的R1’、R2’相同地选自甲基或者苯基，或者R1’、R2’相连形成五元碳环，
所述的n选自0或1，
所述的L1’、L2’独立地选自单键或者亚苯基，
所述的Ar1’选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000092
所述的L3’选自单键或者亚苯基，
所述的Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自碳原子数为6～30的芳基、芴基、碳原子数为3～30的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的直连或支链的烷基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为5～12的环烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～30的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
优选的，所述的芳胺化合物选自如式(II-A)、(II-B)、(II-C)、(II-D)、(II-E)所示结构中的一种，
Figure BDA0002623036480000101
其中，所述的R1’、R2’、Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar4’均与上述相同。
优选的，所述的Ar1’选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000102
优选的，所述的Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000103
其中，所述的R3’选自氢原子、碳原子数为1～4的烷基或者苯基，所述的R4’、R5’相同地选自甲基或者苯基，或者R4’、R5’相连形成五元碳环。
优选的，所述的芳胺化合物选自如下所示化合物中的一种，
Figure BDA0002623036480000111
Figure BDA0002623036480000121
Figure BDA0002623036480000131
Figure BDA0002623036480000141
以上列举了本发明所述的芳胺化合物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以式(II)所示结构为基础，取代基如上所限定，都应包含在内。
本发明所述的芳胺化合物，通过Buchwald-hartwing反应制备得到
Figure BDA0002623036480000151
其中，所述的X’选自CR1’R2’，所述的R1’、R2’相同地选自甲基或者苯基，或者R1’、R2’相连形成五元碳环，
所述的n选自0或1，
所述的L1’、L2’独立地选自单键或者亚苯基，
所述的Ar1’选自如下所示取代基中的一种，
Figure BDA0002623036480000152
所述的L3’选自单键或者亚苯基，
所述的Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～30的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的烷基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为5～12的环烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～30的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
优选的，所述的有机物层还包括空穴注入层和电子注入层。
本发明所述的电子传输层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是不同物质构成的单层结构或多层结构。当含有不同物质时，至少有一种物质选自上述七元含氮杂环衍生物，其他物质还可以选自其他电子传输性高的物质，例如铝络合物、铍络合物、锌络合物、咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、咔唑衍生物、菲咯啉衍生物、高分子化合物等，具体可列举出Alq3、BeBq2、BAlq、TAZ、PBD、BCP、PF-Py等。其中所述物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。只要是电子的传输性较空穴高的物质，则还可以使用它们以外的物质。
本发明所述的发光层可以只含有客体材料，还可以采用客体材料分散于主体材料。客体材料可以使用荧光性化合物，例如芘衍生物、荧蒽衍生物、芳香族胺衍生物等，具体可列举出C545T、BCzVBi、DPAVBi、DPAVB、DCM、DCJT等；还可以使用磷光发光材料，例如铱络合物、锇络合物、铂络合物等金属络合物，具体可列举出FIrpic、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(piq)2(acac)等。当发光层采用客体材料分散于主体材料的形式时，主体材料优选选自上述七元含氮杂环衍生物，除此之外，还可以选自LUMO能级比客体材料高、HOMO比客体材料低的物质，例如铝络合物或锌络合物等金属络合物、噁二唑衍生物或苯并咪唑衍生物等杂环化合物、咔唑衍生物或蒽衍生物等稠合芳香族化合物、三芳基胺衍生物或稠合多环芳香族胺衍生物等芳香族胺化合物，具体可列举出Alq3、BAlq、TAZ、TPBI、CzPA、NPB、TPD等。
本发明所述的空穴传输层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是不同物质构成的单层结构或者多层结构。本发明所述的空穴传输层优选选自上述芳胺化合物，除此之外，还可以选自NPB、TPD、BAFLP、DFLDPBi、TDATA、MTDATA、BSPB、CBP、CzPA、PCzPA、t-BuDNA、DNA、DPAnth、PVK、PVTPA等。其中所述物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。只要是空穴的传输性较电子高的物质，则还可以使用它们以外的物质。
本发明所述的空穴注入层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是不同物质构成的单层结构或者多层结构，可以使用CuPC、F4-TCNQ、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、PVK、PVTPA、Poly-TPD、PEDOT/PSS、HATCN等空穴注入性高的物质。
本发明所述的电子注入层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是不同物质构成的单层结构或多层结构，可以使用LiF、CsF、CaF2、LiOx等电子注入性高的物质。
优选的，本发明的有机电致发光器件的器件结构如下所示：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。
本发明的有机电致发光器件的各层的形成，可以使用真空蒸镀、溅射、等离子体、离子镀、旋涂、浸渍、流涂等中的任意一种方法。各层膜厚没有特殊限制，以能获得良好器件性能即可，通常在5nm～100um，优选为10nm～200nm。
以下，列举实施例对本发明的芳胺化合物的合成例及器件的制备例进行具体说明，但本发明并不局限于以下的实施例。
本发明对以下实施例中所采用的原料的来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
本发明化合物的质谱使用岛津集团英国Kratos Analytical公司的AXIMACFRplus基质辅助激光解吸电离飞行质谱仪，氯仿为溶剂；
元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪，样品质量为5mg；
核磁共振(1HNMR)使用Bruker-510型核磁共振谱仪(德国Bruker公司)，600MHz，CDCl3为溶剂，TMS为内标。
合成实施例1：中间体A的合成
Figure BDA0002623036480000161
向烧瓶中依次加入1.93g(10mmol)的Y1、7.24g(20mmol)的2,4-二溴碘苯和20ml的THF，通氩气，加热至80℃搅拌18小时；再加入0.08g(1mmol)的CuO，加热至100℃，反应2小时。反应结束后，冷却至室温，通过柱层析纯化，得到2.78g(6.5mmol)的中间体A-1，HPLC纯度98.7％，产率为65％。
将化合物X-1依次替换成等摩尔量的化合物X-2、X-3、X-4，其他步骤均与上述反应步骤相同，即可得到中间体A-2、A-3、A-4。
Figure BDA0002623036480000171
合成实施例2：中间体B的合成
Figure BDA0002623036480000172
向烧瓶中依次加入2.56g(6mmol)中间体A-1、4.15g(30mmol)的K2CO3、0.2g(0.9mmol)的Pd(OAc)2、0.55g(2.1mmol)的PPh3和43ml的DMA，除氧气，加热至回流反应4小时。反应结束后，冷却至室温，通过柱层析纯化，在庚烷中重结晶，得到1.48g(4.26mmol)中间体B-1，HPLC纯度99.1％，产率为71％。
将中间体A-1依次替换成等摩尔量的中间体A-2、A-3、A-4，其他步骤均与上述反应步骤相同，即可得到中间体B-2、B-3、B-4。
Figure BDA0002623036480000173
合成实施例3：中间体C的合成
Figure BDA0002623036480000174
向烧瓶中依次加入1.38g(4mmol)中间体B-1、1.22g(4.8mmol)联硼酸频哪醇酯、0.1g(0.12mmol)1,1’-双(二苯基膦)-二茂铁-二氯化钯(II)二氯甲烷络合物、1.18g(12mmol)乙酸钾和16ml甲苯，加热回流16小时。反应结束后，冷却至室温，用蒸馏水洗涤，分离出有机相，用硅藻土床过滤，真空蒸馏除溶剂，在庚烷/甲苯重结晶，得到1.35g(3.44mmol)中间体C-1，HPLC纯度98.5％，产率为86％。
将中间体B-1依次替换成等摩尔量的中间体B-2、B-3、B-4，其他步骤均与上述反应步骤相同，即可得到中间体C-2、C-3、C-4。
Figure BDA0002623036480000175
合成实施例4：化合物I-2的合成
Figure BDA0002623036480000181
化合物Y2-2的合成：将3.18g(10mmol)化合物Y2-a-2、3.56g(20mmol)化合物Y2-b-2、0.47g(0.4mmol)四(三苯基膦)钯溶解在30ml甲苯和16ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应10小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到2.25g(5.3mmol)化合物Y2-2，HPLC纯度99.0％，产率53％。
化合物I-2的合成：向烧瓶中依次加入1.18g(3mmol)中间体C-1、1.27g(3mmol)化合物Y2-2、0.07g(0.06mmol)四(三苯基膦)钯、9ml甲苯和5ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应8小时。反应结束后，冷却至室温，用甲苯萃取，有机相再用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到1.48g(2.43mmol)化合物I-2，HPLC纯度99.2％，产率为81％。质谱m/z：610.03(计算值：610.81)。理论元素含量(％)C43H38N4：C,84.56；H,6.27；N,9.17。实际元素含量(％)：C,84.58；H,6.30；N,9.13。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.70(d,1H),8.44(dd,1H),8.29-8.24(m,4H),8.10(d,1H),7.99(dt,2H),7.96(dd,1H),7.66(t,4H),7.61(dt,1H),7.54(td,1H),7.42(td,1H),7.37(t,1H),7.04(dd,1H),7.01(d,1H),1.28(s,18H)。
合成实施例5：化合物I-11的合成
Figure BDA0002623036480000182
将合成实施例4中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例4中化合物I-2的合成方法，即可得到化合物I-11，HPLC纯度99.3％，产率86％。质谱m/z：804.13(计算值：802.98)。理论元素含量(％)C59H38N4：C,88.25；H,4.77；N,6.98。实际元素含量(％)：C,88.22；H,4.71；N,7.00。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.73(d,1H),8.46(dd,1H),8.19-8.13(m,4H),8.11(d,1H),8.02(dd,1H),8.01-7.98(m,1H),7.97(dd,1H),7.92-7.88(m,4H),7.86(dd,4H),7.84-7.79(m,4H),7.63-7.57(m,5H),7.55(td,1H),7.44(td,5H),7.38(t,1H),7.33(tt,2H),7.05(dd,1H),7.02(d,1H)。
合成实施例6：化合物I-27的合成
Figure BDA0002623036480000191
化合物Y2-c-27的合成：将3.18g(10mmol)化合物Y2-a-27、1.72g(10mmol)化合物Y2-b-27、0.24g(0.2mmol)四(三苯基膦)钯溶解在30ml甲苯和16ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应10小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到2.37g(6.5mmol)化合物Y2-c-27，HPLC纯度98.6％，产率65％。
化合物Y2-27的合成：将1.83g(5mmol)化合物Y2-c-27、1.06g(5mmol)化合物Y2-d-27、0.12g(0.1mmol)四(三苯基膦)钯溶解在15ml甲苯和8ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应10小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到1.88g(4.15mmol)化合物Y2-27，HPLC纯度99.1％，产率83％。
化合物I-27的合成：向烧瓶中依次加入1.18g(3mmol)中间体C-1、1.36g(3mmol)化合物Y2-27、0.07g(0.06mmol)四(三苯基膦)钯、9ml甲苯和5ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应8小时。反应结束后，冷却至室温，用甲苯萃取，有机相再用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到1.44g(2.25mmol)化合物I-27，HPLC纯度98.7％，产率为75％。质谱m/z：637.54(计算值：638.73)。理论元素含量(％)C45H26N4O：C,84.62；H,4.10；N,8.77；O,2.50。实际元素含量(％)：C,84.65；H,4.16；N,8.72；O,2.48。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.74(d,1H),8.44(dd,1H),8.42(dd,1H),8.19(s,1H),8.15(t,1H),8.12-8.07(m,3H),8.04(dd,1H),8.03-8.00(m,3H),8.00-7.96(m,2H),7.93(dd,1H),7.63(td,1H),7.60(dt,1H),7.56-7.51(m,2H),7.50-7.42(m,2H),7.40-7.32(m,3H),7.04(s,2H)。
合成实施例7：化合物I-70的合成
Figure BDA0002623036480000201
将合成实施例6中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例6中化合物I-27的合成方法，即可得到化合物I-70，HPLC纯度99.6％，产率87％。质谱m/z：779.11(计算值：778.96)。理论元素含量(％)C57H38N4：C,87.89；H,4.92；N,7.19。实际元素含量(％)：C,87.94；H,4.94；N,7.11。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.61(d,1H),8.51(s,1H),8.45(dd,1H),8.44(dd,1H),8.29-8.26(m,2H),8.16(d,1H),8.11(dd,1H),8.07(d,1H),8.02-7.98(m,2H),7.97(dt,3H),7.94(dd,1H),7.90(dd,1H),7.86(t,1H),7.85(t,1H),7.64(dd,1H),7.62-7.58(m,3H),7.55(td,2H),7.46(td,1H),7.45-7.40(m,2H),7.38-7.32(m,2H),7.29(tt,1H),7.04(dd,1H),7.01(d,1H),1.79(s,3H),1.75(s,3H)。
合成实施例8：化合物I-77的合成
Figure BDA0002623036480000202
将合成实施例6中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例6中化合物I-27的合成方法，即可得到化合物I-77，HPLC纯度99.3％，产率81％。质谱m/z：660.31(计算值：661.81)。理论元素含量(％)C49H31N3：C,88.93；H,4.72；N,6.35。实际元素含量(％)：C,88.90；H,4.78；N,6.33。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：9.60(dd,1H),9.48(d,1H),8.73(d,1H),8.59(s,1H),8.52(d,1H),8.38(dd,1H),8.33(dd,1H),8.29(dd,1H),8.08(d,1H),8.04-8.01(m,2H),8.01-7.95(m,2H),7.86(dd,1H),7.70(td,2H),7.64(td,2H),7.60(dt,1H),7.57-7.50(m,3H),7.46-7.41(m,3H),7.35(t,1H),7.05-7.00(m,2H),2.33(d,3H)。
合成实施例9：化合物I-85的合成
Figure BDA0002623036480000211
化合物Y2-c-85的合成：将3.18g(10mmol)化合物Y2-a-85、2.32g(10mmol)化合物Y2-b-85、0.24g(0.2mmol)四(三苯基膦)钯溶解在30ml甲苯和16ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应8小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到2.47g(5.8mmol)化合物Y2-c-85，HPLC纯度99.3％，产率58％。
化合物Y2-85的合成：将2.13g(5mmol)化合物Y2-c-85、1.36g(10mmol)化合物Y2-d-85、0.24g(0.2mmol)四(三苯基膦)钯溶解在15ml甲苯和8ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应6小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到1.41g(3.15mmol)化合物Y2-85，HPLC纯度99.0％，产率63％。
化合物I-85的合成：将1.18g(3mmol)中间体C-1、1.34g(3mmol)化合物Y2-85、0.07g(0.06mmol)四(三苯基膦)钯溶解在9ml甲苯和5ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应6小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，然后干燥，通过柱层析纯化，得到1.79g(2.64mmol)化合物Y2-85，HPLC纯度99.7％，产率88％。质谱m/z：679.04(计算值：678.84)。理论元素含量(％)C49H31N3：C,86.70；H,5.05；N,8.25。实际元素含量(％)：C,86.66；H,5.08；N,8.28。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.62-8.58(m,4H),8.41(d,1H),8.38(dd,1H),8.14-8.10(m,3H),8.03(d,1H),7.99(dt,1H),7.94(dd,1H),7.84-7.81(m,2H),7.79-7.73(m,2H),7.71(dd,1H),7.68(t,1H),7.59(dt,1H),7.54(td,1H),7.46-7.43(m,4H),7.41(dd,1H),7.34(t,1H),7.02(dd,1H),7.00(d,1H),2.33(d,6H)。
合成实施例10：化合物I-87的合成
Figure BDA0002623036480000221
将合成实施例9中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例9中化合物I-85的合成方法，即可得到化合物I-87，HPLC纯度99.6％，产率79％。质谱m/z：805.88(计算值：804.91)。理论元素含量(％)C57H32N4O2：C,85.06；H,4.01；N,6.96；O,3.98。实际元素含量(％)：C,85.08；H,4.09；N,6.91；O,3.93。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.48(d,1H),8.46-8.40(m,3H),8.38(dd,1H),8.29(dd,1H),8.16-8.10(m,3H),8.10-8.05(m,3H),8.00-7.97(m,1H),7.94(dd,1H),7.90(d,1H),7.79(d,1H),7.76-7.72(m,2H),7.60(dt,1H),7.57-7.51(m,5H),7.44(td,2H),7.41-7.32(m,4H),7.05(d,2H)。
合成实施例11：化合物I-94的合成
Figure BDA0002623036480000222
化合物Y2-c-94的合成：将3.63g(10mmol)化合物Y2-a-94、1.56g(10mmol)化合物Y2-b-94、0.24g(0.2mmol)四(三苯基膦)钯溶解在30ml甲苯和16ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应6小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到2.88g(8.3mmol)化合物Y2-c-94，HPLC纯度99.6％，产率83％。
化合物Y2-e-94的合成：将2.78g(8mmol)化合物Y2-c-94、2.19g(8mmol)化合物Y2-d-94、0.19g(0.16mmol)四(三苯基膦)钯溶解在24ml甲苯和13ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应6小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到1.94g(3.9mmol)化合物Y2-e-94，HPLC纯度98.5％，产率49％。
化合物Y2-94的合成：将1.49g(3mmol)化合物Y2-e-94、0.68g(3mmol)化合物Y2-f-94、0.07g(0.06mmol)四(三苯基膦)钯溶解在9ml甲苯和5ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应8小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到1.08g(1.8mmol)化合物Y2-94，HPLC纯度98.4％，产率61％。
化合物I-94的合成：将0.59g(1.5mmol)化合物C-1、0.90g(1.5mmol)化合物Y2-94、0.04g(0.03mmol)四(三苯基膦)钯溶解在ml甲苯和ml碳酸钠水溶液(2M)，回流反应6小时。冷却至室温，用甲苯萃取，有机相用饱和食盐水洗涤，干燥，通过柱层析纯化，得到0.91g(1.1mmol)化合物I-94，HPLC纯度99.2％，产率74％。质谱m/z：830.14(计算值：831.05)。理论元素含量(％)C61H38N2S：C,88.16；H,4.61；N,3.37；S,3.86。实际元素含量(％)：C,88.18；H,4.66；N,3.34；S,3.85。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.60(dd,1H),8.50(dd,1H),8.48-8.45(m,2H),8.43(d,2H),8.40(d,1H),8.36(dd,1H),8.20(dd,1H),8.10(t,1H),8.06-8.01(m,2H),8.00-7.95(m,5H),7.90(dd,1H),7.72(dd,1H),7.63(t,1H),7.61-7.56(m,6H),7.52(td,1H),7.44(t,4H),7.39-7.35(m,1H),7.34(d,1H),7.34-7.29(m,3H),7.02(d,2H)。
合成实施例12：化合物I-98的合成
Figure BDA0002623036480000231
将合成实施例9中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例9中化合物I-85的合成方法，即可得到化合物I-98，HPLC纯度99.5％，产率82％。质谱m/z：727.02(计算值：725.90)。理论元素含量(％)C54H35N3：C,89.35；H,4.86；N,5.79。实际元素含量(％)：C,89.41；H,4.77；N,5.82。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.46(s,1H),8.40(d,1H),8.38(dd,1H),8.21(d,4H),8.05-8.00(m,3H),7.99(dt,1H),7.94(dd,1H),7.88-7.83(m,4H),7.83-7.79(m,2H),7.72(dd,1H),7.59(dd,5H),7.54(td,1H),7.44(t,4H),7.41(dd,1H),7.36-7.31(m,3H),7.03(dd,1H),7.00(d,1H)。
合成实施例13：化合物I-112的合成
Figure BDA0002623036480000241
将合成实施例11中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例11中化合物I-94的合成方法，即可得到化合物I-112，HPLC纯度99.3％，产率76％。质谱m/z：738.66(计算值：739.92)。理论元素含量(％)C55H37N3：C,89.28；H,5.04；N,5.68。实际元素含量(％)：C,89.26；H,5.12；N,5.66。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：9.35(d,1H),8.64(dd,1H),8.62(d,1H),8.46(dt,1H),8.44-8.42(m,1H),8.38(dd,1H),8.33(d,1H),8.28-8.24(m,3H),8.24-8.21(m,1H),8.11(dd,1H),8.00-7.94(m,4H),7.88(d,1H),7.83(dd,1H),7.67(dd,1H),7.63(dd,1H),7.60(dt,1H),7.57-7.49(m,5H),7.45(td,1H),7.41(td,1H),7.35(t,1H),7.05(dd,1H),7.02-6.99(m,1H),1.76(s,3H),1.74(s,3H)。
合成实施例14：化合物I-118的合成
Figure BDA0002623036480000242
Figure BDA0002623036480000251
将合成实施例11中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例11中化合物I-94的合成方法，即可得到化合物I-112，HPLC纯度99.3％，产率76％。质谱m/z：702.03(计算值：700.85)。理论元素含量(％)C51H32N4：C,87.40；H,4.60；N,7.99。实际元素含量(％)：C,87.43；H,4.68；N,7.93。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：9.25(d,1H),8.53(d,1H),8.49-8.44(m,2H),8.35(dd,1H),8.33(d,1H),8.28(dt,1H),8.26-8.20(m,3H),8.13(dd,1H),8.04(dd,1H),7.93(dd,1H),7.87(dt,2H),7.76(dt,1H),7.73-7.68(m,3H),7.63(dd,2H),7.58-7.53(m,2H),7.49(dt,3H),7.42(td,2H),7.34(t,1H),7.28(td,1H),7.02-6.96(m,2H)。
合成实施例15：化合物II-8的合成
Figure BDA0002623036480000252
化合物A’-8的合成：将1.69g(10mmol)化合物A’-a-8、4.37g(15mmol)化合物A’-b-8、0.28g(0.3mmol)的Pd2(dba)3、0.12g(0.6mmol)三叔丁基膦和2.88g(30mmol)叔丁醇钠溶解在85ml甲苯中，加热至100℃反应12小时。反应结束后，用二氯甲烷和水萃取，有机相用无水硫酸镁干燥，通过减压蒸馏去除溶剂，通过柱层析法和重结晶法进行纯化，得到3.23g(8.5mmol)化合物A’-8，HPLC纯度99.3％，产率85％。
中间体M’-8的合成：将1.56g(5mmol)化合物Y’-8、2.85g(7.5mmol)化合物A’-8、0.14g(0.15mmol)Pd2(dba)3、0.06g(0.3mmol)三叔丁基膦和1.44g(15mmol)叔丁醇钠溶于43ml甲苯中，加热至100℃反应12小时。反应结束后，用二氯甲烷和水萃取，有机相用无水硫酸镁干燥，通过减压蒸馏去除溶剂，通过柱层析法和重结晶法进行纯化，得到2.35g(3.85mmol)中间体M’-8，HPLC纯度98.3％，产率77％。
化合物II-8的合成：将1.83g(3mmol)中间体M’-8、1.45g(4.5mmol)化合物B’-8、0.08g(0.09mmol)Pd2(dba)3、0.04g(0.18mmol)三叔丁基膦和0.86g(9mmol)叔丁醇钠溶于26ml甲苯中，加热至100℃反应12小时。反应结束后，用二氯甲烷和水萃取，有机相用无水硫酸镁干燥，通过减压蒸馏去除溶剂，再通过柱层析法和重结晶进行纯化，得到2.12g(2.49mmol)化合物II-8，HPLC纯度99.6％，产率83％。质谱m/z：850.06(计算值：851.15)。理论元素含量(％)C64H54N2：C,90.31；H,6.40；N,3.29。实际元素含量(％)：C,90.28；H,6.47；N,3.27。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：7.72-7.67(m,3H),7.54(td,6H),7.48(dd,2H),7.42-7.38(m,7H),7.35-7.30(m,6H),7.25-7.20(m,5H),7.18-7.16(m,2H),6.27(dd,1H),6.24-6.21(m,2H),6.20-6.17(m,3H),6.14-6.11(m,2H),2.09-2.04(m,9H),1.83(dt,2H),1.72(dt,4H)。
合成实施例16：化合物II-27的合成
Figure BDA0002623036480000261
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-27，HPLC纯度99.5％，产率86％。质谱m/z：843.05(计算值：841.13)。理论元素含量(％)C61H48N2S：C,87.11；H,5.75；N,3.33；S,3.81。实际元素含量(％)：C,87.12；H,5.82；N,3.31；S,3.75。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.39(dd,1H),8.00-7.95(m,2H),7.81(d,1H),7.54(td,1H),7.47(dd,4H),7.46-7.42(m,8H),7.40(td,2H),7.35-7.33(m,3H),7.33(d,3H),7.33-7.32(m,4H),7.30(dt,3H),7.27(dd,1H),7.20-7.14(m,4H),2.65-2.59(m,1H),2.36-2.28(m,2H),1.83(dt,1H),1.67-1.58(m,3H),1.55(dt,1H),1.43-1.36(m,1H),1.34-1.26(m,2H)。
合成实施例17：化合物II-33的合成
Figure BDA0002623036480000271
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-33，HPLC纯度99.0％，产率81％。质谱m/z：874.61(计算值：875.17)。理论元素含量(％)C66H54N2：C,90.58；H,6.22；N,3.20。实际元素含量(％)：C,90.28；H,6.11；N,3.64。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.35(dd,1H),7.91(dd,1H),7.72(dd,1H),7.65(dd,3H),7.63-7.58(m,4H),7.57-7.52(m,5H),7.46-7.40(m,6H),7.36-7.30(m,4H),7.26(td,1H),7.18(t,1H),6.54(dd,1H),6.51(dd,1H),6.33(dd,1H),6.27(d,1H),6.24-6.17(m,6H),6.14(s,2H),2.09-2.04(m,9H),1.82(d,2H),1.72(dd,4H)。
合成实施例18：化合物II-62的合成
Figure BDA0002623036480000272
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-62，HPLC纯度99.3％，产率82％。质谱m/z：938.55(计算值：937.24)。理论元素含量(％)C71H56N2：C,90.99；H,6.02；N,2.99。实际元素含量(％)：C,90.96；H,6.08；N,2.95。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.51(dd,1H),8.40(dt,1H),8.29(dd,1H),8.21(td,1H),7.91(dt,1H),7.87(dd,1H),7.80(dt,1H),7.67-7.63(m,2H),7.61-7.56(m,4H),7.53(t,1H),7.48-7.42(m,4H),7.40(td,1H),7.34(d,1H),7.30-7.17(m,13H),7.10(d,1H),7.03(dt,1H),6.97(dt,1H),6.95(d,1H),6.86-6.84(m,1H),6.71(dd,1H),6.68(d,1H),6.22(dd,1H),2.10-2.03(m,9H),1.82-1.79(m,2H),1.72(dt,4H)。
合成实施例19：化合物II-67的合成
Figure BDA0002623036480000281
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-67，HPLC纯度99.0％，产率84％。质谱m/z：919.57(计算值：921.20)。理论元素含量(％)C70H52N2：C,91.27；H,5.69；N,3.04。实际元素含量(％)：C,91.28；H,5.63；N,3.06。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.42(dt,1H),8.28(dd,1H),8.24(dd,1H),7.93(dd,1H),7.91(dd,1H),7.82-7.77(m,3H),7.75(dd,1H),7.70-7.66(m,2H),7.63-7.54(m,7H),7.54-7.48(m,3H),7.44(dd,3H),7.37-7.32(m,3H),7.30(td,3H),7.28-7.23(m,3H),7.18(d,2H),7.08(d,1H),6.97-6.93(m,2H),6.47(d,1H),6.39(dd,1H),6.25(dd,1H),2.66-2.60(m,1H),2.36-2.26(m,2H),1.83(dt,1H),1.67-1.57(m,3H),1.54(dt,1H),1.43-1.35(m,1H),1.35-1.26(m,2H)。
合成实施例20：化合物II-79的合成
Figure BDA0002623036480000282
Figure BDA0002623036480000291
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-79，HPLC纯度99.4％，产率87％。质谱m/z：860.02(计算值：861.15)。理论元素含量(％)C65H52N2：C,90.66；H,6.09；N,3.25。实际元素含量(％)：C,90.71；H,6.05；N,3.27。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.40(dd,1H),7.91(dt,1H),7.81-7.79(m,2H),7.64(dt,1H),7.58(td,5H),7.53-7.50(m,3H),7.48-7.42(m,11H),7.41-7.38(m,4H),7.38-7.35(m,2H),7.35-7.31(m,3H),7.22-7.19(m,2H),7.16(dd,2H),6.55(dd,1H),6.48(dd,1H),6.26(dd,1H),6.12(dd,1H),2.63-2.59(m,1H),2.36-2.26(m,2H),1.80(dt,1H),1.67-1.57(m,3H),1.54(dt,1H),1.42-1.36(m,1H),1.34-1.26(m,2H)。
合成实施例21：化合物II-87的合成
Figure BDA0002623036480000292
将合成实施例16中的原料及中间体进行相应的变换，按照合成实施例16中化合物II-8的合成方法，即可得到化合物II-87，HPLC纯度99.2％，产率80％。质谱m/z：916.46(计算值：915.19)。理论元素含量(％)C68H54N2O：C,89.24；H,5.95；N,3.06；O,1.75。实际元素含量(％)：C,89.20；H,5.91；N,3.09；O,1.81。1H NMR(600MHz,CDCl3)(δ,ppm)：8.34(dd,1H),7.96(dd,1H),7.94-7.90(m,2H),7.69(dt,1H),7.65(d,1H),7.61-7.56(m,3H),7.55-7.47(m,5H),7.46-7.42(m,6H),7.41-7.38(m,2H),7.37-7.30(m,8H),7.19(d,4H),7.14-7.07(m,3H),2.66-2.60(m,1H),2.36-2.27(m,2H),1.83(dt,1H),1.72(s,3H),1.67(s,3H),1.66-1.58(m,3H),1.57-1.52(m,1H),1.43-1.36(m,1H),1.35-1.26(m,2H)。
对比器件实施例1：
用ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)基板作为阳极，首先在异丙醇中超声洗涤15分钟，然后在大气中进行UV臭氧洗涤30分钟。利用真空蒸镀的方法进行有机层及金属阴极的制膜：首先，在阳极上蒸镀50nm的HATCN作为空穴注入层；接着，在空穴注入层上蒸镀80nm的NPB作为空穴传输层；然后，在空穴传输层上蒸镀25nm的BH与BD的混合物(BH与BD的质量比为97:3)作为发光层；再在发光层上蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层；之后，在电子传输层上蒸镀1nm的LiF作为电子注入层；最后，在电子注入层上共蒸15nm的Mg与Ag(Mg与Ag的质量比为10:1)作为阴极。
Figure BDA0002623036480000301
对比器件实施例2～3：
将对比器件实施例1中的Alq3分别替换成为化合物ET1和化合物ET2，其他步骤均与对比器件实施例1相同。
对比器件实施例4：
将对比器件实施例1中的Alq3替换成为化合物ET1，将对比器件实施例1中的BH替换成为化合物ET2，其他步骤均与对比器件实施例1相同。
器件实施例1～12：
将对比器件实施例1中的Alq3替换成为合成实施例4～15的化合物I-2、I-11、I-27、I-70、I-77、I-85、I-87、I-94、I-98、I-112、I-118、I-121，其他步骤均与对比器件实施例1相同1。
器件实施例13：
将器件实施例1中的BH替换成为合成实施例4中的化合物I-2，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例14：
将器件实施例2中的BH替换成为合成实施例4中的化合物I-2，其他步骤均与器件实施例2相同。
器件实施例15：
将器件实施例3中的BH替换成为合成实施例7中的化合物I-70，其他步骤均与器件实施例3相同。
器件实施例16：
将器件实施例6中的BH替换成为合成实施例9中的化合物I-85，其他步骤均与器件实施例6形同。
器件实施例17：
将器件实施例7中的BH替换成为合成实施例14中的化合物I-118，其他步骤均与器件实施例7相同。
器件实施例18：
将器件实施例9中的BH替换成为合成实施例4中的化合物I-2，其他步骤均与器件实施例9相同。
器件实施例19：
将器件实施例10中的BH替换成为合成实施例12中的化合物I-98，其他步骤均与器件实施例10相同。
器件实施例20：
将器件实施例11中的BH替换成为合成实施例5中的化合物I-11，其他步骤均与器件实施例11形同。
器件实施例21：
将器件实施例12中的BH替换成为合成实施例13中的化合物I-112，其他步骤均与器件实施例12相同。
器件实施例22：
将器件实施例1中的NPB替换成为合成实施例15中的化合物II-8，其他步骤均与器件实施例1相同。
器件实施例23：
将器件实施例4中的NPB替换成为合成实施例16中的化合物II-27，其他步骤均与器件实施例4相同。
器件实施例24：
将器件实施例5中的NPB替换成为合成实施例17中的化合物II-33，其他步骤均与器件实施例5相同。
器件实施例25：
将器件实施例7中的NPB替换成为合成实施例18中的化合物II-62，其他步骤均与器件实施例7相同。
器件实施例26：
将器件实施例8中的NPB替换成为合成实施例19中的化合物II-67，其他步骤均与器件实施例8相同。
器件实施例27：
将器件实施例9中的NPB替换成为合成实施例20中的化合物II-79，其他步骤均与器件实施例9相同。
器件实施例28：
将器件实施例11中的NPB替换成为合成实施例15中的化合物II-8，其他步骤均与器件实施例11相同。
器件实施例29：
将器件实施例13中的NPB替换成为合成实施例21中的化合物II-87，其他步骤均与器件实施例13相同。
器件实施例30：
将器件实施例17中的NPB替换成为合成实施例15中的化合物II-8，其他步骤均与器件实施例17相同。
器件实施例31：
将器件实施例18中的NPB替换成为合成实施例18中的化合物II-62，其他步骤均与器件实施例18相同。
器件实施例32：
将器件实施例19中的NPB替换成为合成实施例20中的化合物II-79，其他步骤均与器件实施例19相同。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机发光器件的效率、电流密度、驱动电压。测试的环境为大气环境，温度为室温。得到电流密度为10mA/cm2下的发光效率、驱动电压和寿命T95，结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002623036480000321
Figure BDA0002623036480000331
如上述表1所示可知，本发明所述的七元含氮杂环衍生物具有好的电子传输性和很好的热稳定性，以及高的三线态能级，这使其作为电子传输层材料和发光层的主体材料时，能够有效提高器件的发光效率，并且延长器件的寿命，同时还能降低器件的驱动电压；还可以看出，本发明所述的器件，在应用上述七元含氮杂环衍生物作为上述用途的同时，应用本发明所述的芳胺化合物作为空穴传输层材料，能够进一步提高器件的发光效率，延长器件的寿命。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种七元含氮杂环衍生物，其特征在于，所述的七元含氮杂环衍生物选自式(I)所示结构中的一种，
Figure FDA0002930616350000011
其中，所述的L选自单键、碳原子数为6～12的亚芳基，
所述的X1、X2、X3独立地选自CH或氮原子，并且所述的X1、X2、X3至少有一个选自氮原子，所述的Ar1、Ar2独立地选自如下所示取代基中的一种，
Figure FDA0002930616350000012
其中，所述的R1、R2、R3独立地选自氢原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基中的一种，
所述的R4、R5相同地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、苯基中的一种。
2.根据权利要求1所述的七元含氮杂环衍生物，其特征在于，所述的L选自单键、亚苯基、亚萘基、亚联苯基中的一种。
3.根据权利要求1所述的七元含氮杂环衍生物，其特征在于，所述的七元含氮杂环衍生物选自如下所示化合物中的一种，
Figure FDA0002930616350000021
Figure FDA0002930616350000031
Figure FDA0002930616350000041
Figure FDA0002930616350000051
4.一种有机电致发光器件，依次层叠有阳极、有机物层及阴极，所述的有机物层包括电子传输层，其特征在于，所述的电子传输层中含有权利要求1至3任一项所述的七元含氮杂环衍生物中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，所述的有机物层包括发光层，其特征在于，所述的发光层含有权利要求1至3任一项所述的七元含氮杂环衍生物中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，所述的有机物层包括空穴传输层，其特征在于，所述的空穴传输层含有如式(II)所示的芳胺化合物中的至少一种，
Figure FDA0002930616350000061
其中，所述的X’选自CR1’R2’，所述的R1’、R2’相同地选自甲基或者苯基，或者R1’、R2’相连形成五元碳环，
所述的n选自0或1，
所述的L1’、L2’独立地选自单键或者亚苯基，
所述的Ar1’选自如下所示取代基中的一种，
Figure FDA0002930616350000062
所述的L3’选自单键或者亚苯基，
所述的Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～30的杂芳基中的一种，所述杂芳基中含有氧原子、硫原子、氮原子中的至少一个，
上述芳基、杂芳基分别由选自碳原子数为1～4的烷基、未取代的或者经碳原子数为1～4的烷基取代的碳原子数为5～12的环烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为3～30的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，它们能够相同或不同。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的芳胺化合物选自如式(II-A)、(II-B)、(II-C)、(II-D)、(II-E)所示结构中的一种，
Figure FDA0002930616350000071
其中，所述的Ar1’选自如下所示取代基中的一种，
Figure FDA0002930616350000072
所述的Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自如下所示取代基中的一种，
Figure FDA0002930616350000073
其中，所述的R3’选自氢原子、碳原子数为1～4的烷基或者苯基，所述的R4’、R5’相同地选自甲基或者苯基，或者R4’、R5’相连形成五元碳环。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的芳胺化合物选自如下所示化合物中的一种，
Figure FDA0002930616350000081
Figure FDA0002930616350000091
Figure FDA0002930616350000101
Figure FDA0002930616350000111
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN112759524A (zh) * 2020-12-01 2021-05-07 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种芳香胺衍生物及其有机电致发光器件
CN113054123B (zh) * 2021-02-09 2022-03-25 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种有机电致发光元件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102203212A (zh) * 2008-10-31 2011-09-28 葛来西雅帝史派有限公司 用于有机电子材料的新型化合物和使用该化合物的有机电子器件
CN107922424A (zh) * 2015-09-10 2018-04-17 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 有机电致发光化合物和包含所述化合物的有机电致发光装置
CN110183333A (zh) * 2019-06-19 2019-08-30 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种有机电致发光材料及包含该材料的有机电致发光器件
CN110407829A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺类化合物及其有机发光器件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102597556B1 (ko) * 2016-10-14 2023-11-03 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102203212A (zh) * 2008-10-31 2011-09-28 葛来西雅帝史派有限公司 用于有机电子材料的新型化合物和使用该化合物的有机电子器件
CN107922424A (zh) * 2015-09-10 2018-04-17 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 有机电致发光化合物和包含所述化合物的有机电致发光装置
CN110183333A (zh) * 2019-06-19 2019-08-30 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种有机电致发光材料及包含该材料的有机电致发光器件
CN110407829A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺类化合物及其有机发光器件

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