JP2022070982A - 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 - Google Patents
埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022070982A JP2022070982A JP2022022030A JP2022022030A JP2022070982A JP 2022070982 A JP2022070982 A JP 2022070982A JP 2022022030 A JP2022022030 A JP 2022022030A JP 2022022030 A JP2022022030 A JP 2022022030A JP 2022070982 A JP2022070982 A JP 2022070982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- layer
- polysilicon layer
- region
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 127
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 176
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
- H10B43/35—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region with cell select transistors, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
- H01L29/42344—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator with at least one additional gate, e.g. program gate, erase gate or select gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/40—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/665—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using self aligned silicidation, i.e. salicide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66515—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using self aligned selective metal deposition simultaneously on the gate and on source or drain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66545—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Noodles (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】スプリットゲート不揮発性メモリデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】スプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方法は、単一の半導体基板に第１の領域及び第２の領域が配置され、第１の領域において、メモリゲート（ＭＧ）スタックを形成するステップと、第２の領域において、高誘電率誘電体の上に犠牲ポリシリコンゲートを形成するステップと、を含む。そして、セレクトゲート（ＳＧ）が、半導体基板の第１の領域において、メモリゲートスタックに隣接して形成される。犠牲ポリシリコンゲートは、金属ゲートに置き換えられて、第２の領域において、ロジック電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成する。第１の領域及び第２の領域における半導体基板の表面は、実質的に同一平面上に存在する。【選択図】図１５
Description
本出願は、20１7年１2月20日に出願された米国仮特許出願第１5/848,439号の国際出願
であり、20１7年7月１9日に出願された米国仮特許出願第62/534,5１2号の優先権を主張す
るものであり、これらの仮出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
であり、20１7年7月１9日に出願された米国仮特許出願第62/534,5１2号の優先権を主張す
るものであり、これらの仮出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
フラッシュメモリセルなどの不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルは、コンピュータメモリシ
ステムにデータを保存する。不揮発性メモリセルは、半導体基板上に形成され、メモリ機
能および論理機能を提供するための複数のトランジスタを含む。
ステムにデータを保存する。不揮発性メモリセルは、半導体基板上に形成され、メモリ機
能および論理機能を提供するための複数のトランジスタを含む。
本実施形態およびその効果は、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによって
最もよく理解され得る。これらの図面は、本実施形態の趣旨および範囲から逸脱すること
なく、本実施形態に対して当業者により行われ得る種々の変形や変更が可能である。
最もよく理解され得る。これらの図面は、本実施形態の趣旨および範囲から逸脱すること
なく、本実施形態に対して当業者により行われ得る種々の変形や変更が可能である。
スプリットゲート不揮発性メモリセルは、半導体基板上に形成されたメモリゲートおよ
びセレクトゲートを含むことができる。スプリットゲートの構成は、１トランジスタ又は
２トランジスタを有する不揮発性メモリセルの構成と比較して、サイズおよび効率の特性
を改善できる。スプリットゲート不揮発性メモリセルは、メモリセルに格納されたデータ
へのアクセスを可能にするセレクトゲート、および、データを格納するメモリゲートを含
む場合がある。複数の実施形態において、セレクトゲートおよびメモリゲートは、１つ又
は複数のゲート間誘電体層によって半導体基板上で分離されてもよい。
びセレクトゲートを含むことができる。スプリットゲートの構成は、１トランジスタ又は
２トランジスタを有する不揮発性メモリセルの構成と比較して、サイズおよび効率の特性
を改善できる。スプリットゲート不揮発性メモリセルは、メモリセルに格納されたデータ
へのアクセスを可能にするセレクトゲート、および、データを格納するメモリゲートを含
む場合がある。複数の実施形態において、セレクトゲートおよびメモリゲートは、１つ又
は複数のゲート間誘電体層によって半導体基板上で分離されてもよい。
スプリットゲート不揮発性メモリセルは、特定のデバイスにおいて、複数の利点を提供
し得るが、半導体基板の上のスプリットゲート不揮発性メモリセルを、特定のロジックデ
バイスと統合することは、製造において困難を引き起こす場合がある。例えば、特定の高
度なロジックプロセスは、金属ゲートが備える高誘電率（Ｈｉｇｈ‐ｋ）ゲート誘電体（
ＨＫＭＧ）を使用して、トランジスタのパフォーマンスを向上させ、リーク電流を削減す
る。高誘電率材料の一例として、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン
などが含まれ得る。複数の実施形態において、高誘電率材料は、２、３、３．５、又は、
ゲートとしての適切な機能を提供しながらリーク電流を減らすための別の値を超える誘電
率を有するとして特徴付けられ得る。ＨＫＭＧは、二酸化ケイ素などのシリコンベースの
ゲート誘電体の代わりに、高誘電率材料を使用して製造できる。しかしながら、複数の実
施形態において、スプリットゲート不揮発性メモリセルと同じ基板の上に、ＨＫＭＧロジ
ックゲートを製造すると、ロジックトランジスタの特性が変化する場合がある。さらに、
スプリットゲート不揮発性メモリセルとロジックトランジスタの高さの違いは、特定の処
理ステップ中にメモリセル又はロジックトランジスタの適切な製造を妨げる可能性がある
。
し得るが、半導体基板の上のスプリットゲート不揮発性メモリセルを、特定のロジックデ
バイスと統合することは、製造において困難を引き起こす場合がある。例えば、特定の高
度なロジックプロセスは、金属ゲートが備える高誘電率（Ｈｉｇｈ‐ｋ）ゲート誘電体（
ＨＫＭＧ）を使用して、トランジスタのパフォーマンスを向上させ、リーク電流を削減す
る。高誘電率材料の一例として、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン
などが含まれ得る。複数の実施形態において、高誘電率材料は、２、３、３．５、又は、
ゲートとしての適切な機能を提供しながらリーク電流を減らすための別の値を超える誘電
率を有するとして特徴付けられ得る。ＨＫＭＧは、二酸化ケイ素などのシリコンベースの
ゲート誘電体の代わりに、高誘電率材料を使用して製造できる。しかしながら、複数の実
施形態において、スプリットゲート不揮発性メモリセルと同じ基板の上に、ＨＫＭＧロジ
ックゲートを製造すると、ロジックトランジスタの特性が変化する場合がある。さらに、
スプリットゲート不揮発性メモリセルとロジックトランジスタの高さの違いは、特定の処
理ステップ中にメモリセル又はロジックトランジスタの適切な製造を妨げる可能性がある
。
本明細書では、スプリットゲート不揮発性メモリセルを、ＨＫＭＧと統合する半導体デ
バイスおよびプロセスが開示される。埋め込みデバイスは、デバイスのロジック領域にお
いて、半導体基板と略同じ高さの基板のメモリセル領域において、シリコンなどの半導体
基板を含んでいてもよい。例えば、異なる領域における基板の高さは、互いに、約２００
オングストローム以内であってよい。埋め込みデバイスは、また、スプリットゲート不揮
発性メモリセルにおいて、実質的に同一平面上に存在するメモリゲートの上面およびセレ
クトゲートの上面を含んでいてもよい。例えば、セレクトゲートの上面およびメモリゲー
トの上面は、互いに、約３００オングストローム以内の同一平面上に存在してよい。同様
に、セレクトゲートの上面およびメモリゲートの上面も、ＨＫＭＧロジックトランジスタ
の上面と実質的に同一平面上に存在してもよい。これにより、製造プロセスの一部で、ロ
ジックゲートを交換中において、干渉を減らすことができる。複数の実施形態において、
スプリットゲート不揮発性メモリセルのセレクトゲート又はメモリゲートの一部に、シリ
サイドを形成してもよいが、セレクトゲートとメモリゲートとを分離する誘電体には、シ
リサイドを形成しなくてよい。
バイスおよびプロセスが開示される。埋め込みデバイスは、デバイスのロジック領域にお
いて、半導体基板と略同じ高さの基板のメモリセル領域において、シリコンなどの半導体
基板を含んでいてもよい。例えば、異なる領域における基板の高さは、互いに、約２００
オングストローム以内であってよい。埋め込みデバイスは、また、スプリットゲート不揮
発性メモリセルにおいて、実質的に同一平面上に存在するメモリゲートの上面およびセレ
クトゲートの上面を含んでいてもよい。例えば、セレクトゲートの上面およびメモリゲー
トの上面は、互いに、約３００オングストローム以内の同一平面上に存在してよい。同様
に、セレクトゲートの上面およびメモリゲートの上面も、ＨＫＭＧロジックトランジスタ
の上面と実質的に同一平面上に存在してもよい。これにより、製造プロセスの一部で、ロ
ジックゲートを交換中において、干渉を減らすことができる。複数の実施形態において、
スプリットゲート不揮発性メモリセルのセレクトゲート又はメモリゲートの一部に、シリ
サイドを形成してもよいが、セレクトゲートとメモリゲートとを分離する誘電体には、シ
リサイドを形成しなくてよい。
ＨＫＭＧロジックトランジスタが埋め込まれたスプリットゲート不揮発性メモリセルを
製造するプロセスは、半導体基板の第１の領域において、スプリットゲート不揮発性メモ
リセルを製造するステップと、半導体基板の第２の領域において、高誘電率金属ゲートを
有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を製造するステップと、を含み得る。スプリット
ゲート不揮発性メモリセルを形成するステップは、セレクトゲート（ＳＧ）、および、セ
レクトゲートに隣接するメモリゲート（ＭＧ）を形成するステップを含み得る。複数の実
施形態において、セレクトゲートおよびメモリゲートは、１つ又は複数の誘電体層によっ
て分離され得る。ロジックＦＥＴは、ポリシリコンゲートを備えた同一半導体基板の上に
形成され得る。そして、その後、ポリシリコンゲートを金属ゲートに置き換え得る。した
がって、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴ、および、スプリットゲート不揮発性メモリ
セルは、実質的に同一平面上に存在する上面を有する半導体基板の上に形成され得る。し
たがって、複数の実施形態において、半導体基板は、両方の領域において、実質的に同様
の厚さを有し得る。例えば、セレクトゲート、メモリゲート、およびＦＥＴは、ゲートの
構成要素を堆積する前に、基板に、空洞又は凹部を作成することなく形成されてもよい。
さらに、セレクトゲート、メモリゲート、およびＦＥＴの高さは、セレクトゲート、メモ
リゲート、およびＦＥＴのそれぞれの上面が、実質的に同一平面になるように構成され得
る。高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴを備えた埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイスを製造するプロセスの詳細については、以下の図を参照して詳細に説明する。
製造するプロセスは、半導体基板の第１の領域において、スプリットゲート不揮発性メモ
リセルを製造するステップと、半導体基板の第２の領域において、高誘電率金属ゲートを
有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を製造するステップと、を含み得る。スプリット
ゲート不揮発性メモリセルを形成するステップは、セレクトゲート（ＳＧ）、および、セ
レクトゲートに隣接するメモリゲート（ＭＧ）を形成するステップを含み得る。複数の実
施形態において、セレクトゲートおよびメモリゲートは、１つ又は複数の誘電体層によっ
て分離され得る。ロジックＦＥＴは、ポリシリコンゲートを備えた同一半導体基板の上に
形成され得る。そして、その後、ポリシリコンゲートを金属ゲートに置き換え得る。した
がって、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴ、および、スプリットゲート不揮発性メモリ
セルは、実質的に同一平面上に存在する上面を有する半導体基板の上に形成され得る。し
たがって、複数の実施形態において、半導体基板は、両方の領域において、実質的に同様
の厚さを有し得る。例えば、セレクトゲート、メモリゲート、およびＦＥＴは、ゲートの
構成要素を堆積する前に、基板に、空洞又は凹部を作成することなく形成されてもよい。
さらに、セレクトゲート、メモリゲート、およびＦＥＴの高さは、セレクトゲート、メモ
リゲート、およびＦＥＴのそれぞれの上面が、実質的に同一平面になるように構成され得
る。高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴを備えた埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイスを製造するプロセスの詳細については、以下の図を参照して詳細に説明する。
図１は、スプリットゲート不揮発性メモリセル１００の一例を示すブロック図である。
図１に示すように、スプリットゲート不揮発性メモリセル１００は、セレクトゲート１１
０およびメモリゲート１２０を含み得る。セレクトゲート１１０およびメモリゲート１２
０は、半導体基板１３０の上に形成される。例えば、半導体基板１３０は、シリコンウェ
ハ、又は、他の基板材料であってよい。図１に示されるように、セレクトゲート１１０お
よびメモリゲート１２０は、半導体に凹部を形成することなく半導体基板１３０の上に形
成される。したがって、半導体基板１３０は、セレクトゲート１１０およびメモリゲート
１２０が形成される領域の周りに、実質的に平坦なトポグラフィを有する。誘電体層１４
０は、また、セレクトゲート１１０とメモリゲート１２０とを分離するために、半導体基
板１３０の上に形成されてもよい。複数の実施形態において、誘電体層１４０は、複数の
誘電体材料から成る複数の層を含んでいてもよい。
図１に示すように、スプリットゲート不揮発性メモリセル１００は、セレクトゲート１１
０およびメモリゲート１２０を含み得る。セレクトゲート１１０およびメモリゲート１２
０は、半導体基板１３０の上に形成される。例えば、半導体基板１３０は、シリコンウェ
ハ、又は、他の基板材料であってよい。図１に示されるように、セレクトゲート１１０お
よびメモリゲート１２０は、半導体に凹部を形成することなく半導体基板１３０の上に形
成される。したがって、半導体基板１３０は、セレクトゲート１１０およびメモリゲート
１２０が形成される領域の周りに、実質的に平坦なトポグラフィを有する。誘電体層１４
０は、また、セレクトゲート１１０とメモリゲート１２０とを分離するために、半導体基
板１３０の上に形成されてもよい。複数の実施形態において、誘電体層１４０は、複数の
誘電体材料から成る複数の層を含んでいてもよい。
図１を参照して説明されるように、スプリットゲート不揮発性メモリセル１００は、開
示されているもの以外の追加の構成要素および特徴を含んでいてもよい。スプリットゲー
ト不揮発性メモリセル１００は、一例であって、構成を説明するために、メモリセルの特
定の特徴を示すことが意図されたものであり、動作を実行するためにメモリセル内又はメ
モリセルの周辺において、追加の構成要素を使用してもよい。例えば、以下で、さらに説
明するメモリセルは、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴを備えた半導体デバイスに埋め
込まれている。以下で説明するメモリセルは、セレクトゲート１１０およびメモリゲート
１２０の追加の詳細も含んでいる。
示されているもの以外の追加の構成要素および特徴を含んでいてもよい。スプリットゲー
ト不揮発性メモリセル１００は、一例であって、構成を説明するために、メモリセルの特
定の特徴を示すことが意図されたものであり、動作を実行するためにメモリセル内又はメ
モリセルの周辺において、追加の構成要素を使用してもよい。例えば、以下で、さらに説
明するメモリセルは、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴを備えた半導体デバイスに埋め
込まれている。以下で説明するメモリセルは、セレクトゲート１１０およびメモリゲート
１２０の追加の詳細も含んでいる。
半導体デバイスに実装される場合、複数のスプリットゲート不揮発性メモリセル１００
が、メモリアレイに形成されていてもよい。メモリアレイは、特定のメモリセルをアドレ
ス指定するために制御回路でアクセスされ得る。例えば、行デコーダおよび列デコーダを
使用して、制御回路で受信したコマンドに基づいて、メモリセルをアドレス指定してもよ
い。さらに、センスアンプ、および、ワード線又はビット線ドライバを使用して、アドレ
ス指定されたスプリットゲート不揮発性メモリデバイスに電流を印加し、デバイスのメモ
リゲート１２０に格納されたデータを検出してもよい。
が、メモリアレイに形成されていてもよい。メモリアレイは、特定のメモリセルをアドレ
ス指定するために制御回路でアクセスされ得る。例えば、行デコーダおよび列デコーダを
使用して、制御回路で受信したコマンドに基づいて、メモリセルをアドレス指定してもよ
い。さらに、センスアンプ、および、ワード線又はビット線ドライバを使用して、アドレ
ス指定されたスプリットゲート不揮発性メモリデバイスに電流を印加し、デバイスのメモ
リゲート１２０に格納されたデータを検出してもよい。
図２は、デバイスの製造の一部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリデ
バイス２００の一例を示す図である。図２において、埋め込みスプリットゲート不揮発性
メモリデバイス２００の基礎は、半導体基板２２０の上に形成される。例えば、酸化物－
窒化物－酸化物（ＯＮＯ）スタック２１０は、少なくとも、半導体基板２２０のメモリ領
域２２５に形成され得る。複数の実施形態において、ＯＮＯスタック２１０は、メモリ領
域２２５、および、周辺領域又はロジックＦＥＴ領域２２７の両方に形成され、その後、
周辺領域およびロジックＦＥＴ領域から除去されてもよい。複数の実施形態において、Ｏ
ＮＯスタック２１０以外の構造が半導体基板２２０の上に形成されてもよい。例えば、複
数の実施形態において、ＯＮＯスタック２１０は、シリコン層の上部および下部に、さら
に形成されてもよい。
バイス２００の一例を示す図である。図２において、埋め込みスプリットゲート不揮発性
メモリデバイス２００の基礎は、半導体基板２２０の上に形成される。例えば、酸化物－
窒化物－酸化物（ＯＮＯ）スタック２１０は、少なくとも、半導体基板２２０のメモリ領
域２２５に形成され得る。複数の実施形態において、ＯＮＯスタック２１０は、メモリ領
域２２５、および、周辺領域又はロジックＦＥＴ領域２２７の両方に形成され、その後、
周辺領域およびロジックＦＥＴ領域から除去されてもよい。複数の実施形態において、Ｏ
ＮＯスタック２１０以外の構造が半導体基板２２０の上に形成されてもよい。例えば、複
数の実施形態において、ＯＮＯスタック２１０は、シリコン層の上部および下部に、さら
に形成されてもよい。
半導体基板２２０は、また、メモリ領域２２５から分離されているロジックＦＥＴ領域
２２７を含んでいてもよい。一実施形態において、メモリ領域２２５およびロジックＦＥ
Ｔ領域２２７は、互いに隣接して配置されていてもよい。他の実施形態において、それら
は、単一の半導体基板２２０の異なる部分に配置されていてもよい。例えば、ロジックＦ
ＥＴ領域２２７は、メモリ領域２２５において、メモリセルにアクセスするための高誘電
率金属ゲートロジックＦＥＴ又は他の制御回路を含むように、製造プロセスの後半で形成
されてもよい。複数の実施形態において、ロジックＦＥＴ領域２２７は、また、高誘電率
金属ゲートロジックＦＥＴに加えて他の構成要素又は特徴を含んでいてもよい。一実施形
態において、半導体基板２２０は、メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２７の
両方で、比較的平坦な表面を有し得る。メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２
７における半導体基板２２０の表面は、実質的に同一平面であるか、又は、互いに、２０
０オングストローム以内の同一平面上に存在する。
２２７を含んでいてもよい。一実施形態において、メモリ領域２２５およびロジックＦＥ
Ｔ領域２２７は、互いに隣接して配置されていてもよい。他の実施形態において、それら
は、単一の半導体基板２２０の異なる部分に配置されていてもよい。例えば、ロジックＦ
ＥＴ領域２２７は、メモリ領域２２５において、メモリセルにアクセスするための高誘電
率金属ゲートロジックＦＥＴ又は他の制御回路を含むように、製造プロセスの後半で形成
されてもよい。複数の実施形態において、ロジックＦＥＴ領域２２７は、また、高誘電率
金属ゲートロジックＦＥＴに加えて他の構成要素又は特徴を含んでいてもよい。一実施形
態において、半導体基板２２０は、メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２７の
両方で、比較的平坦な表面を有し得る。メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２
７における半導体基板２２０の表面は、実質的に同一平面であるか、又は、互いに、２０
０オングストローム以内の同一平面上に存在する。
複数の実施形態において、メモリゲートポリシリコン層２３０は、ＯＮＯスタック２１
０の上部に堆積され得る。開示されるように、メモリゲートポリシリコン層２３０は、ロ
ジックＦＥＴ領域２２７およびメモリ領域２２５を含む半導体基板２２０の表面にわたっ
て堆積され得る。誘電体層２４０は、メモリゲートポリシリコン層２３０の上部に堆積さ
れ、メモリゲートのキャップ層として機能させてもよい。複数の実施形態において、誘電
体層は、約２０オングストロームから約５００オングストロームの範囲の厚さを有してい
てよい。複数の実施形態において、第２のポリシリコン層２５０が、キャップ層の追加部
分として、誘電体層２４０の上部に、堆積されていてもよい。
０の上部に堆積され得る。開示されるように、メモリゲートポリシリコン層２３０は、ロ
ジックＦＥＴ領域２２７およびメモリ領域２２５を含む半導体基板２２０の表面にわたっ
て堆積され得る。誘電体層２４０は、メモリゲートポリシリコン層２３０の上部に堆積さ
れ、メモリゲートのキャップ層として機能させてもよい。複数の実施形態において、誘電
体層は、約２０オングストロームから約５００オングストロームの範囲の厚さを有してい
てよい。複数の実施形態において、第２のポリシリコン層２５０が、キャップ層の追加部
分として、誘電体層２４０の上部に、堆積されていてもよい。
図３は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図３において、メモリゲートポリシリコン層２３
０、誘電体層２４０、および任意の第２のポリシリコン層２５０は、メモリゲート２６０
の形状にパターン化されている。例えば、埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリデバ
イス２００は、リソグラフィを使用してパターンを形成するために、マスク（図３に図示
せず）が適用されていてもよい。マスクは、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２
００の上でエッチングが実行されている間、メモリゲートポリシリコン層２３０の一部分
を保護し得る。実施形態に応じて、エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチン
グ、又はウェットエッチングとドライエッチングの組み合わせが適用されてよい。エッチ
ングプロセスは、マスクによって保護されていないメモリゲートポリシリコン層２３０の
一部分を除去してもよい。メモリゲートポリシリコン層２３０の残りの部分によって、メ
モリゲート２６０が形成され得る。複数の実施形態において、メモリゲート２６０は、リ
ソグラフィパターニングおよびエッチングとは異なる方法で、半導体基板２２０の上に形
成され、又は、パターニングされてもよい。一実施形態において、エッチングプロセスは
、メモリ領域２２５において、ＯＮＯスタック２１０の下部酸化物層、又は別の層で停止
され得る。
デバイス２００の一例を示す図である。図３において、メモリゲートポリシリコン層２３
０、誘電体層２４０、および任意の第２のポリシリコン層２５０は、メモリゲート２６０
の形状にパターン化されている。例えば、埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリデバ
イス２００は、リソグラフィを使用してパターンを形成するために、マスク（図３に図示
せず）が適用されていてもよい。マスクは、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２
００の上でエッチングが実行されている間、メモリゲートポリシリコン層２３０の一部分
を保護し得る。実施形態に応じて、エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチン
グ、又はウェットエッチングとドライエッチングの組み合わせが適用されてよい。エッチ
ングプロセスは、マスクによって保護されていないメモリゲートポリシリコン層２３０の
一部分を除去してもよい。メモリゲートポリシリコン層２３０の残りの部分によって、メ
モリゲート２６０が形成され得る。複数の実施形態において、メモリゲート２６０は、リ
ソグラフィパターニングおよびエッチングとは異なる方法で、半導体基板２２０の上に形
成され、又は、パターニングされてもよい。一実施形態において、エッチングプロセスは
、メモリ領域２２５において、ＯＮＯスタック２１０の下部酸化物層、又は別の層で停止
され得る。
図４は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図４において、誘電体層２７０は、少なくともメ
モリゲート２６０における２つの側面の上に堆積される。誘電体層２７０は、最終的に、
ゲート間誘電体として形成され、メモリゲート２６０を、スプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００において、後に形成されるセレクトゲートから分離し得る。複数の実施
形態において、誘電体層２７０は、潜在的に異なる誘電体材料の複数の層を含んでいても
よい。例えば、誘電体層２７０は、複数の堆積又は酸化プロセスによって形成され、メモ
リゲート２６０の側面に異なる誘電体を適用し得る。誘電体層２７０は、半導体基板２２
０のロジックＦＥＴ領域２７０における材料にも適用され得る。一実施形態において、誘
電体層２７０は、少なくとも２つの誘電体層を含む。
デバイス２００の一例を示す図である。図４において、誘電体層２７０は、少なくともメ
モリゲート２６０における２つの側面の上に堆積される。誘電体層２７０は、最終的に、
ゲート間誘電体として形成され、メモリゲート２６０を、スプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００において、後に形成されるセレクトゲートから分離し得る。複数の実施
形態において、誘電体層２７０は、潜在的に異なる誘電体材料の複数の層を含んでいても
よい。例えば、誘電体層２７０は、複数の堆積又は酸化プロセスによって形成され、メモ
リゲート２６０の側面に異なる誘電体を適用し得る。誘電体層２７０は、半導体基板２２
０のロジックＦＥＴ領域２７０における材料にも適用され得る。一実施形態において、誘
電体層２７０は、少なくとも２つの誘電体層を含む。
図５は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図５において、セレクトゲートポリシリコン層２
８０は、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２００の上に堆積される。セレクトゲ
ートポリシリコン層２８０は、メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２７を含む
半導体基板２２０にわたって堆積され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートポ
リシリコン層２８０は、上述のメモリゲートポリシリコン層２３０と同様であってもよい
。例えば、複数の実施形態において、セレクトゲートポリシリコン層およびメモリゲート
ポリシリコン層は、それぞれ、ドープされていないポリシリコン層であってよい。複数の
実施形態において、メモリゲートポリシリコン層２３０、又は、セレクトゲートポリシリ
コン層２８０の一方又は両方は、ドープされたポリシリコン層であってよい。メモリゲー
トポリシリコン層２３０、又は、セレクトゲートポリシリコン層２８０の何れかがドープ
されずに堆積される場合、プロセスの後の工程で、ｎ型又はｐ型ドーパントでドープされ
てもよい。複数の実施形態において、セレクトゲートポリシリコン層２８０は、メモリゲ
ートポリシリコン層２３０とは異なる方法でドープされて、異なる電気特性を提供し得る
。セレクトゲートポリシリコン層２８０が堆積される前に、セレクトゲート誘電体が、下
に形成されていてもよい。
デバイス２００の一例を示す図である。図５において、セレクトゲートポリシリコン層２
８０は、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２００の上に堆積される。セレクトゲ
ートポリシリコン層２８０は、メモリ領域２２５およびロジックＦＥＴ領域２２７を含む
半導体基板２２０にわたって堆積され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートポ
リシリコン層２８０は、上述のメモリゲートポリシリコン層２３０と同様であってもよい
。例えば、複数の実施形態において、セレクトゲートポリシリコン層およびメモリゲート
ポリシリコン層は、それぞれ、ドープされていないポリシリコン層であってよい。複数の
実施形態において、メモリゲートポリシリコン層２３０、又は、セレクトゲートポリシリ
コン層２８０の一方又は両方は、ドープされたポリシリコン層であってよい。メモリゲー
トポリシリコン層２３０、又は、セレクトゲートポリシリコン層２８０の何れかがドープ
されずに堆積される場合、プロセスの後の工程で、ｎ型又はｐ型ドーパントでドープされ
てもよい。複数の実施形態において、セレクトゲートポリシリコン層２８０は、メモリゲ
ートポリシリコン層２３０とは異なる方法でドープされて、異なる電気特性を提供し得る
。セレクトゲートポリシリコン層２８０が堆積される前に、セレクトゲート誘電体が、下
に形成されていてもよい。
図６は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図６において、セレクトゲートポリシリコン層２
８０の一部が、埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリデバイス２００から除去されて
いる。例えば、セレクトゲートポリシリコン層２８０の一部は、平坦化プロセスを使用し
て除去され得る。加えて、任意の第２のポリシリコン層２５０が以前に適用されていた場
合、平坦化プロセス中に、その一部が除去されてもよい。複数の実施形態において、化学
機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用して、セレクトゲートポリシリコン層２８０、およ
び、任意の第２のポリシリコン層２５０を含む層が平坦化されてよい。例えば、複数の実
施形態において、ＣＭＰプロセスは、誘電体層２４０のレベルまで膜を平坦化してよい。
開示されるように、メモリゲートポリシリコン層２３０の上の誘電体層２４０の残りの部
分により、残りのメモリゲート２６０は、セレクトゲートポリシリコン層２８０と比較し
てわずかに低い上面を有し得る。複数の実施形態において、他のプロセスを使用して、図
６に示されるような平坦な上面を形成してもよい。さらに、図８に示されるように、プロ
セスは、メモリ領域２２５、および、ロジックＦＥＴ領域２２７の両方に適用され得る。
ＣＭＰプロセス、又は、他の平坦化プロセスの後において、メモリゲート２６０およびセ
レクトゲートポリシリコン層２８０は、上面が、実質的に同一平面上に存在してもよい、
又は、上面が、互いに、３００オングストローム以内の同一平面上に存在してもよい。加
えて、メモリゲートスタック（メモリゲート２６０およびＯＮＯスタック２１０）および
セレクトゲートスタック（セレクトゲートポリシリコン層２８０およびセレクトゲート誘
電体）は、実質的に同様の高さ、又は、高さの差が３００オングストローム以内であって
よい。一実施形態において、メモリゲートスタックもセレクトゲートスタックも、半導体
基板２２０の凹部に形成されない。
デバイス２００の一例を示す図である。図６において、セレクトゲートポリシリコン層２
８０の一部が、埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリデバイス２００から除去されて
いる。例えば、セレクトゲートポリシリコン層２８０の一部は、平坦化プロセスを使用し
て除去され得る。加えて、任意の第２のポリシリコン層２５０が以前に適用されていた場
合、平坦化プロセス中に、その一部が除去されてもよい。複数の実施形態において、化学
機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用して、セレクトゲートポリシリコン層２８０、およ
び、任意の第２のポリシリコン層２５０を含む層が平坦化されてよい。例えば、複数の実
施形態において、ＣＭＰプロセスは、誘電体層２４０のレベルまで膜を平坦化してよい。
開示されるように、メモリゲートポリシリコン層２３０の上の誘電体層２４０の残りの部
分により、残りのメモリゲート２６０は、セレクトゲートポリシリコン層２８０と比較し
てわずかに低い上面を有し得る。複数の実施形態において、他のプロセスを使用して、図
６に示されるような平坦な上面を形成してもよい。さらに、図８に示されるように、プロ
セスは、メモリ領域２２５、および、ロジックＦＥＴ領域２２７の両方に適用され得る。
ＣＭＰプロセス、又は、他の平坦化プロセスの後において、メモリゲート２６０およびセ
レクトゲートポリシリコン層２８０は、上面が、実質的に同一平面上に存在してもよい、
又は、上面が、互いに、３００オングストローム以内の同一平面上に存在してもよい。加
えて、メモリゲートスタック（メモリゲート２６０およびＯＮＯスタック２１０）および
セレクトゲートスタック（セレクトゲートポリシリコン層２８０およびセレクトゲート誘
電体）は、実質的に同様の高さ、又は、高さの差が３００オングストローム以内であって
よい。一実施形態において、メモリゲートスタックもセレクトゲートスタックも、半導体
基板２２０の凹部に形成されない。
図７は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図７において、メモリゲートポリシリコン層２３
０およびセレクトゲートポリシリコン層２８０を含む層の前に形成された層は、半導体基
板２２０のロジックＦＥＴ領域２２７から除去されている。加えて、最終的なロジックＦ
ＥＴ２９０の機能部分が、ロジックＦＥＴ領域２２７に形成され得る。例えば、ＦＥＴゲ
ート誘電体２９２および犠牲ポリシリコンゲート２９４は、ロジックＦＥＴ領域２２７の
上に形成され得る。一実施形態において、ＦＥＴゲート誘電体２９２は、高誘電率材料を
含んでいてもよく、二酸化物ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタンなどに限定
されない高誘電率材料を含んでよい。オプションとして、ゲートハードマスク２９６が、
犠牲ポリシリコンゲート２９４を覆うように形成されてよい。ロジックＦＥＴ２９０は、
セレクトゲートスタックおよびメモリゲートスタックの高さと実質的に同様の高さを有す
るように形成され得る。複数の実施形態において、ロジックＦＥＴ領域２２７からメモリ
ゲートポリシリコン層２３０を除去した後、（ＦＥＴゲート誘電体２９２となる）高誘電
率ゲート誘電体層、および、（犠牲ポリシリコンゲート２９４となる）犠牲ポリシリコン
層が、半導体基板２２０のロジックＦＥＴ領域２２７にわたって、堆積され得る。次に、
これらの層は、パターニングおよびエッチングされて、ＦＥＴゲート誘電体２９２および
犠牲ポリシリコンゲート２９４を含むロジックＦＥＴ２９０の基礎を提供し得る。複数の
実施形態において、ロジックＦＥＴ２９０は、セレクトゲートポリシリコン層２８０又は
メモリゲート２６０と同じ高さであってよい。複数の実施形態において、ゲートハードマ
スク２９６も、ロジックＦＥＴ２９０の上部に堆積され、且つ、エッチングされてよい。
デバイス２００の一例を示す図である。図７において、メモリゲートポリシリコン層２３
０およびセレクトゲートポリシリコン層２８０を含む層の前に形成された層は、半導体基
板２２０のロジックＦＥＴ領域２２７から除去されている。加えて、最終的なロジックＦ
ＥＴ２９０の機能部分が、ロジックＦＥＴ領域２２７に形成され得る。例えば、ＦＥＴゲ
ート誘電体２９２および犠牲ポリシリコンゲート２９４は、ロジックＦＥＴ領域２２７の
上に形成され得る。一実施形態において、ＦＥＴゲート誘電体２９２は、高誘電率材料を
含んでいてもよく、二酸化物ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタンなどに限定
されない高誘電率材料を含んでよい。オプションとして、ゲートハードマスク２９６が、
犠牲ポリシリコンゲート２９４を覆うように形成されてよい。ロジックＦＥＴ２９０は、
セレクトゲートスタックおよびメモリゲートスタックの高さと実質的に同様の高さを有す
るように形成され得る。複数の実施形態において、ロジックＦＥＴ領域２２７からメモリ
ゲートポリシリコン層２３０を除去した後、（ＦＥＴゲート誘電体２９２となる）高誘電
率ゲート誘電体層、および、（犠牲ポリシリコンゲート２９４となる）犠牲ポリシリコン
層が、半導体基板２２０のロジックＦＥＴ領域２２７にわたって、堆積され得る。次に、
これらの層は、パターニングおよびエッチングされて、ＦＥＴゲート誘電体２９２および
犠牲ポリシリコンゲート２９４を含むロジックＦＥＴ２９０の基礎を提供し得る。複数の
実施形態において、ロジックＦＥＴ２９０は、セレクトゲートポリシリコン層２８０又は
メモリゲート２６０と同じ高さであってよい。複数の実施形態において、ゲートハードマ
スク２９６も、ロジックＦＥＴ２９０の上部に堆積され、且つ、エッチングされてよい。
図８は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図８において、誘電体層３１０は、メモリ領域２
２５およびロジックＦＥＴ領域２２７の一部の上に堆積される。誘電体層３１０は、例え
ば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＲＮ、ＳｉＯＮなどにより形成され得る。誘電体層３１０は
、以下で説明する追加のエッチングプロセスのためのハードマスクとして機能し得る。複
数の実装形態では、誘電体層３１０は、ロジックＦＥＴ２９０の一部、例えば、ロジック
ＦＥＴ２９０の最終的なスペーサを形成し得る。さらに、図８に示すように、誘電体層３
１０は、リソグラフィおよびエッチングを使用するスプリットゲート不揮発性メモリデバ
イス２００の一部のみを覆うようにパターニングされてよい。
デバイス２００の一例を示す図である。図８において、誘電体層３１０は、メモリ領域２
２５およびロジックＦＥＴ領域２２７の一部の上に堆積される。誘電体層３１０は、例え
ば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＲＮ、ＳｉＯＮなどにより形成され得る。誘電体層３１０は
、以下で説明する追加のエッチングプロセスのためのハードマスクとして機能し得る。複
数の実装形態では、誘電体層３１０は、ロジックＦＥＴ２９０の一部、例えば、ロジック
ＦＥＴ２９０の最終的なスペーサを形成し得る。さらに、図８に示すように、誘電体層３
１０は、リソグラフィおよびエッチングを使用するスプリットゲート不揮発性メモリデバ
イス２００の一部のみを覆うようにパターニングされてよい。
図９は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモリ
デバイス２００の一例を示す図である。図９において、スプリットゲート不揮発性メモリ
セルのソース側など、メモリゲート２６０の一方の側面の上のセレクトゲートポリシリコ
ン層２８０の一部分を除去するために、エッチングが行われている。本明細書に記載され
る様々な実施形態において、エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングプロ
セス、又はそれらの組み合わせであってよい。例えば、エッチングプロセスの後、領域３
２０は、異なるメモリゲート２６０を分離するために開かれてよい。複数の実施形態にお
いて、領域３２０は、エッチングとは異なるプロセスを使用して開かれてよい。エッチン
グは、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスのソース側で、セレクトゲートポリシリ
コン層２８０の一部分を除去してもよい。一実施形態において、ウェットエッチングを使
用して、セレクトゲートポリシリコン層２８０と様々な誘電体層（例えば、誘電体層３１
０）との間の高いエッチング選択性を達成し得る。複数の実施形態において、水酸化テト
ラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を、ウェットエッチング化学物質の一例として、使用
し得る。メモリゲート２６０およびロジックＦＥＴ２９０は、エッチングプロセス中に、
セレクトゲートポリシリコン層２８０、ロジックＦＥＴ２９０、およびメモリゲート２６
０の一部分を保護するために、図９に示されるように誘電体層３１０によってカプセル化
され得る。
デバイス２００の一例を示す図である。図９において、スプリットゲート不揮発性メモリ
セルのソース側など、メモリゲート２６０の一方の側面の上のセレクトゲートポリシリコ
ン層２８０の一部分を除去するために、エッチングが行われている。本明細書に記載され
る様々な実施形態において、エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングプロ
セス、又はそれらの組み合わせであってよい。例えば、エッチングプロセスの後、領域３
２０は、異なるメモリゲート２６０を分離するために開かれてよい。複数の実施形態にお
いて、領域３２０は、エッチングとは異なるプロセスを使用して開かれてよい。エッチン
グは、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスのソース側で、セレクトゲートポリシリ
コン層２８０の一部分を除去してもよい。一実施形態において、ウェットエッチングを使
用して、セレクトゲートポリシリコン層２８０と様々な誘電体層（例えば、誘電体層３１
０）との間の高いエッチング選択性を達成し得る。複数の実施形態において、水酸化テト
ラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を、ウェットエッチング化学物質の一例として、使用
し得る。メモリゲート２６０およびロジックＦＥＴ２９０は、エッチングプロセス中に、
セレクトゲートポリシリコン層２８０、ロジックＦＥＴ２９０、およびメモリゲート２６
０の一部分を保護するために、図９に示されるように誘電体層３１０によってカプセル化
され得る。
図１０は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００の一例を示す図である。図１０において、スプリットゲート不揮発性メ
モリセルのドレイン側などのように、メモリゲート２６０の別の側面の上のセレクトゲー
トポリシリコン層２８０の一部分をパターン化するために、エッチングが実行されている
。上述のように、様々な実施形態において、エッチングは、ドライエッチング又はウェッ
トエッチングであってよい、そして、記載されている順序とは異なる順序で、実行されて
よい。エッチングは、セレクトゲートポリシリコン層２８０の追加部分を除去して、図１
０に示されるように、パターン化されたセレクトゲート２８０を形成し得る。一実施形態
において、図９に記載されているように、セレクトゲートポリシリコン層２８０の除去、
および、図１０に記載されているように、セレクトゲート２８０を形成するためのセレク
トゲートポリシリコン層２８０のパターン化は、同時に実行されてよい。別の実施形態に
おいて、それらは個別に実行されてよい。隣接するメモリゲート２６０の間に形成される
共通ソース線を有するメモリアレイが示されているが、複数の実施形態において、スプリ
ットゲートメモリアレイは、メモリゲート２６０の両側に、セレクトゲート２８０を有す
るメモリセルで形成されてよい。そのような場合、メモリゲート２６０およびセレクトゲ
ート２８０の形成は、本明細書で説明される技術を使用して形成されてよいが、特定のポ
リシリコン層に対して誘電体層３１０における異なるパターニングを伴う。
リデバイス２００の一例を示す図である。図１０において、スプリットゲート不揮発性メ
モリセルのドレイン側などのように、メモリゲート２６０の別の側面の上のセレクトゲー
トポリシリコン層２８０の一部分をパターン化するために、エッチングが実行されている
。上述のように、様々な実施形態において、エッチングは、ドライエッチング又はウェッ
トエッチングであってよい、そして、記載されている順序とは異なる順序で、実行されて
よい。エッチングは、セレクトゲートポリシリコン層２８０の追加部分を除去して、図１
０に示されるように、パターン化されたセレクトゲート２８０を形成し得る。一実施形態
において、図９に記載されているように、セレクトゲートポリシリコン層２８０の除去、
および、図１０に記載されているように、セレクトゲート２８０を形成するためのセレク
トゲートポリシリコン層２８０のパターン化は、同時に実行されてよい。別の実施形態に
おいて、それらは個別に実行されてよい。隣接するメモリゲート２６０の間に形成される
共通ソース線を有するメモリアレイが示されているが、複数の実施形態において、スプリ
ットゲートメモリアレイは、メモリゲート２６０の両側に、セレクトゲート２８０を有す
るメモリセルで形成されてよい。そのような場合、メモリゲート２６０およびセレクトゲ
ート２８０の形成は、本明細書で説明される技術を使用して形成されてよいが、特定のポ
リシリコン層に対して誘電体層３１０における異なるパターニングを伴う。
図１１は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００の一例を示す図である。ロジックＦＥＴスペーサ３４０、および、スプ
リットゲートソース又はドレインスペーサ３３０は、半導体基板２２０の上に形成される
。ロジックＦＥＴスペーサ３４０、および、スプリットゲートソース又はドレインスペー
サ３３０は、同時に又は個別に形成され得る。一実施形態において、低濃度ドレイン（Ｌ
ＤＤ）領域又はソース／ドレイン注入領域などのようなソースおよびドレイン注入領域（
この図には示されていない）は、半導体基板２２０において、ロジックＦＥＴスペーサ３
４０およびスプリットゲートソース又はドレインスペーサ３３０の横又は下に形成されて
よい。
リデバイス２００の一例を示す図である。ロジックＦＥＴスペーサ３４０、および、スプ
リットゲートソース又はドレインスペーサ３３０は、半導体基板２２０の上に形成される
。ロジックＦＥＴスペーサ３４０、および、スプリットゲートソース又はドレインスペー
サ３３０は、同時に又は個別に形成され得る。一実施形態において、低濃度ドレイン（Ｌ
ＤＤ）領域又はソース／ドレイン注入領域などのようなソースおよびドレイン注入領域（
この図には示されていない）は、半導体基板２２０において、ロジックＦＥＴスペーサ３
４０およびスプリットゲートソース又はドレインスペーサ３３０の横又は下に形成されて
よい。
図１２は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００の一例を示す図である。図１２において、シリサイド３５０は、ロジッ
クＦＥＴ２９０およびスプリットゲート不揮発性メモリデバイスのソース側およびドレイ
ン側を覆うように形成される。一実施形態において、シリサイド３５０は、セレクトゲー
ト２８０の上面に形成される。複数の実施形態において、シリサイド３５０は、セレクト
ゲート２８０に形成される代わりに、あるいは、セレクトゲート２８０に形成されること
に加えて、メモリゲート２６０の上面に形成されてよい。さらに、セレクトゲート２８０
とメモリゲート２６０との間の領域では、誘電体層によって、シリサイドの形成が妨げら
れてもよい。
リデバイス２００の一例を示す図である。図１２において、シリサイド３５０は、ロジッ
クＦＥＴ２９０およびスプリットゲート不揮発性メモリデバイスのソース側およびドレイ
ン側を覆うように形成される。一実施形態において、シリサイド３５０は、セレクトゲー
ト２８０の上面に形成される。複数の実施形態において、シリサイド３５０は、セレクト
ゲート２８０に形成される代わりに、あるいは、セレクトゲート２８０に形成されること
に加えて、メモリゲート２６０の上面に形成されてよい。さらに、セレクトゲート２８０
とメモリゲート２６０との間の領域では、誘電体層によって、シリサイドの形成が妨げら
れてもよい。
図１３は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００の一例を示す図である。図１３において、セレクトゲート２８０、メモ
リゲート２６０、および、ロジックＦＥＴ２９０の上部および周囲に、層間絶縁体（ＩＬ
Ｄ）が堆積されている。複数の実施形態において、ＩＬＤ層３６０は、酸化物層であって
もよいし、異なる絶縁体により形成されてもよい。続いて、ＩＬＤ層３６０を平坦化して
、セレクトゲート２８０、メモリゲート２６０、およびロジックＦＥＴ２９０の間に、平
坦な上面を提供してよい。複数の実施形態において、ＣＭＰプロセスは、ロジックＦＥＴ
２９０のゲートハードマスク２９６が、露出したところで、停止してよい。ＣＭＰプロセ
スはまた、ロジックＦＥＴ２９０ではなく、犠牲ポリシリコンゲート２９４が露出すると
ころまで、進行させてもよい。一実施形態において、ＩＬＤ層３６０のＣＭＰプロセスは
、メモリゲート２６０、セレクトゲート２８０、およびロジックＦＥＴ２９０の上面が、
実質的に同一平面上、又は３００オングストローム以内の同一平面上に存在するように実
行されてよい。
リデバイス２００の一例を示す図である。図１３において、セレクトゲート２８０、メモ
リゲート２６０、および、ロジックＦＥＴ２９０の上部および周囲に、層間絶縁体（ＩＬ
Ｄ）が堆積されている。複数の実施形態において、ＩＬＤ層３６０は、酸化物層であって
もよいし、異なる絶縁体により形成されてもよい。続いて、ＩＬＤ層３６０を平坦化して
、セレクトゲート２８０、メモリゲート２６０、およびロジックＦＥＴ２９０の間に、平
坦な上面を提供してよい。複数の実施形態において、ＣＭＰプロセスは、ロジックＦＥＴ
２９０のゲートハードマスク２９６が、露出したところで、停止してよい。ＣＭＰプロセ
スはまた、ロジックＦＥＴ２９０ではなく、犠牲ポリシリコンゲート２９４が露出すると
ころまで、進行させてもよい。一実施形態において、ＩＬＤ層３６０のＣＭＰプロセスは
、メモリゲート２６０、セレクトゲート２８０、およびロジックＦＥＴ２９０の上面が、
実質的に同一平面上、又は３００オングストローム以内の同一平面上に存在するように実
行されてよい。
図１４は、デバイスの製造の別の部分における埋め込みスプリットゲート不揮発性メモ
リデバイス２００の一例を示す図である。図１４において、保護マスク３７０は、スプリ
ットゲート不揮発性メモリデバイス２００のメモリ領域２２５に適用されている。一実施
形態において、保護マスク３７０は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は窒化ケイ素を含み得
るが、これらに限定されない。保護マスク３７０は、メモリゲート２６０およびセレクト
ゲート２８０を含むスプリットゲート不揮発性メモリセルを保護し得る。ロジックＦＥＴ
領域２２７は、保護マスク３７０によって覆われなくてもよい。例えば、保護マスク３７
０は、ロジックＦＥＴから除去されてよい。半導体基板２２０のメモリ領域２２５をマス
キングした後、犠牲ポリシリコンゲート２９４（および犠牲ポリシリコンゲート２９４の
上に残っているゲートハードマスク２９６）を除去するために、エッチング（ドライエッ
チング又はウェットエッチング）プロセスが実行されてよい。次に、ロジックＦＥＴ領域
２２７のＦＥＴゲート誘電体２９２の上に金属ゲート材料３８０を堆積させて、ロジック
ＦＥＴ２９０のゲートを形成していた犠牲ポリシリコンゲート２９４を置き換えることが
できる。金属ゲート材料３８０の堆積後、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２０
０は、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴ３９０と一体化されたスプリットゲート不揮発
性メモリセルを形成するセレクトゲート２８０およびメモリゲート２６０が完成され得る
。一実施形態において、金属ゲート材料３８０は、タングステン、アルミニウム、ＴｉＮ
、ＴｉＡｌ、又はその他の金属、合金、又は複合材料に限定されない。金属ゲート材料３
８０が形成された後、オプションとして、金属研磨プロセスを実行して、高誘電率金属ゲ
ートロジックＦＥＴ３９０の上面を平坦化してよい。
リデバイス２００の一例を示す図である。図１４において、保護マスク３７０は、スプリ
ットゲート不揮発性メモリデバイス２００のメモリ領域２２５に適用されている。一実施
形態において、保護マスク３７０は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は窒化ケイ素を含み得
るが、これらに限定されない。保護マスク３７０は、メモリゲート２６０およびセレクト
ゲート２８０を含むスプリットゲート不揮発性メモリセルを保護し得る。ロジックＦＥＴ
領域２２７は、保護マスク３７０によって覆われなくてもよい。例えば、保護マスク３７
０は、ロジックＦＥＴから除去されてよい。半導体基板２２０のメモリ領域２２５をマス
キングした後、犠牲ポリシリコンゲート２９４（および犠牲ポリシリコンゲート２９４の
上に残っているゲートハードマスク２９６）を除去するために、エッチング（ドライエッ
チング又はウェットエッチング）プロセスが実行されてよい。次に、ロジックＦＥＴ領域
２２７のＦＥＴゲート誘電体２９２の上に金属ゲート材料３８０を堆積させて、ロジック
ＦＥＴ２９０のゲートを形成していた犠牲ポリシリコンゲート２９４を置き換えることが
できる。金属ゲート材料３８０の堆積後、スプリットゲート不揮発性メモリデバイス２０
０は、高誘電率金属ゲートロジックＦＥＴ３９０と一体化されたスプリットゲート不揮発
性メモリセルを形成するセレクトゲート２８０およびメモリゲート２６０が完成され得る
。一実施形態において、金属ゲート材料３８０は、タングステン、アルミニウム、ＴｉＮ
、ＴｉＡｌ、又はその他の金属、合金、又は複合材料に限定されない。金属ゲート材料３
８０が形成された後、オプションとして、金属研磨プロセスを実行して、高誘電率金属ゲ
ートロジックＦＥＴ３９０の上面を平坦化してよい。
図１５は、上述のスプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方法４００の一例を
示すフローチャートである。例えば、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方
法４００は、図２ ～１４および上述の説明に示されているように、スプリットゲート不
揮発性メモリデバイス２００を製造するために実行され得る。
示すフローチャートである。例えば、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方
法４００は、図２ ～１４および上述の説明に示されているように、スプリットゲート不
揮発性メモリデバイス２００を製造するために実行され得る。
まず、ブロック４１０において、メモリゲートが、半導体基板の第１の領域（メモリ領
域）に形成され得る。例えば、メモリゲートは、上述の図２～４を参照して説明されるよ
うに、ポリシリコン層を堆積し、リソグラフィおよびエッチングを使用して、膜の一部を
除去することにより、形成され得る。複数の実施形態において、メモリゲートは、異なる
方法で形成されてもよい。
域）に形成され得る。例えば、メモリゲートは、上述の図２～４を参照して説明されるよ
うに、ポリシリコン層を堆積し、リソグラフィおよびエッチングを使用して、膜の一部を
除去することにより、形成され得る。複数の実施形態において、メモリゲートは、異なる
方法で形成されてもよい。
次に、ブロック４２０において、ロジックＦＥＴが、半導体基板の第２の領域（ロジッ
クＦＥＴ領域）に形成される。ロジックＦＥＴは、高誘電率誘電体を有していてよく、犠
牲ポリシリコンゲートで一時的に形成される。例えば、ロジックＦＥＴは、上述の図７を
参照して説明されるように形成され得る。
クＦＥＴ領域）に形成される。ロジックＦＥＴは、高誘電率誘電体を有していてよく、犠
牲ポリシリコンゲートで一時的に形成される。例えば、ロジックＦＥＴは、上述の図７を
参照して説明されるように形成され得る。
次に、ブロック４３０において、半導体基板の第１の領域に、メモリゲートに隣接する
セレクトゲートが形成される。例えば、セレクトゲートは、ポリシリコン層を堆積し、メ
モリゲートおよびセレクトゲートが、実質的に同一平面に存在するようにポリシリコン層
をエッチバックし、膜をパターニングして、セレクトゲートの一部分を除去することによ
り形成され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートは、図５～１０に関して上述
したように形成され得る。
セレクトゲートが形成される。例えば、セレクトゲートは、ポリシリコン層を堆積し、メ
モリゲートおよびセレクトゲートが、実質的に同一平面に存在するようにポリシリコン層
をエッチバックし、膜をパターニングして、セレクトゲートの一部分を除去することによ
り形成され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートは、図５～１０に関して上述
したように形成され得る。
次に、ブロック４４０において、ロジックＦＥＴの犠牲ポリシリコンゲートが、金属ゲ
ートに置き換えられる。金属ゲートを置き換えた後、メモリ領域およびロジックＦＥＴ領
域に形成されたデバイスは、実質的に同一平面上に存在し得る。ＣＭＰプロセス後におい
て、犠牲ポリシリコンゲートの上のハードマスク、又は、犠牲ポリシリコンゲート自体の
何れかを露出させた後、それらの高さは、同一平面上に存在する高さとなる。次に、メモ
リ領域を保護するための保護層のパターニング後、ウェットエッチング又はドライエッチ
ングプロセスの何れかのプロセスを使用して、犠牲ポリシリコンゲートは、エッチング除
去され得る。次に、犠牲ポリシリコンゲートが除去された場所に、金属ゲートが形成され
得る。複数の実施形態において、上述の図１４を参照して説明されるように、犠牲ポリシ
リコンゲートを、金属ゲートに置き換え得る。
ートに置き換えられる。金属ゲートを置き換えた後、メモリ領域およびロジックＦＥＴ領
域に形成されたデバイスは、実質的に同一平面上に存在し得る。ＣＭＰプロセス後におい
て、犠牲ポリシリコンゲートの上のハードマスク、又は、犠牲ポリシリコンゲート自体の
何れかを露出させた後、それらの高さは、同一平面上に存在する高さとなる。次に、メモ
リ領域を保護するための保護層のパターニング後、ウェットエッチング又はドライエッチ
ングプロセスの何れかのプロセスを使用して、犠牲ポリシリコンゲートは、エッチング除
去され得る。次に、犠牲ポリシリコンゲートが除去された場所に、金属ゲートが形成され
得る。複数の実施形態において、上述の図１４を参照して説明されるように、犠牲ポリシ
リコンゲートを、金属ゲートに置き換え得る。
図１６は、上述のスプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方法４００の一例を
示すフローチャートである。例えば、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方
法４００は、図２～１０および上述の説明に示されているように、スプリットゲート不揮
発性メモリデバイス２００を製造するために実行され得る。
示すフローチャートである。例えば、スプリットゲート不揮発性メモリデバイスの製造方
法４００は、図２～１０および上述の説明に示されているように、スプリットゲート不揮
発性メモリデバイス２００を製造するために実行され得る。
まず、ブロック５１０において、ポリシリコンメモリゲート層が、半導体基板の第１の
領域において、電荷蓄積膜の上部の半導体基板の上に堆積され得る。次に、ポリシリコン
メモリゲート層がパターン化され、エッチングされて、メモリゲートを形成する。例えば
、メモリゲートは、上述の図２～図３を参照して説明されるように、堆積および形成され
得る。
領域において、電荷蓄積膜の上部の半導体基板の上に堆積され得る。次に、ポリシリコン
メモリゲート層がパターン化され、エッチングされて、メモリゲートを形成する。例えば
、メモリゲートは、上述の図２～図３を参照して説明されるように、堆積および形成され
得る。
次に、ブロック５２０において、セレクトゲート酸化物が、ポリシリコンセレクトゲー
ト層の下に形成され得る。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、図５を参照して上
述したように堆積され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートは、図に示された
以外の他の構成要素又は特徴で形成されてよい。
ト層の下に形成され得る。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、図５を参照して上
述したように堆積され得る。複数の実施形態において、セレクトゲートは、図に示された
以外の他の構成要素又は特徴で形成されてよい。
次に、ブロック５３０において、ポリシリコンセレクトゲート層は、ポリシリコンセレ
クトゲート層の上面がメモリゲートの上面と実質的に同一平面となるように平坦化されて
よい。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、ＣＭＰプロセス、又はデバイスの表面
に一致した平面を形成するための別のプロセスを使用して平坦化されてよい。複数の実施
形態において、上述の図６を参照して説明されるように、レベリング化又は平坦化が実行
されてよい。
クトゲート層の上面がメモリゲートの上面と実質的に同一平面となるように平坦化されて
よい。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、ＣＭＰプロセス、又はデバイスの表面
に一致した平面を形成するための別のプロセスを使用して平坦化されてよい。複数の実施
形態において、上述の図６を参照して説明されるように、レベリング化又は平坦化が実行
されてよい。
次に、ブロック５４０において、平坦化／レベリング化が実行されたポリシリコンセレ
クトゲート層は、２つのメモリゲート間に配置されたポリシリコンセレクトゲート層、例
えば、スプリットゲート不揮発性メモリセルのソース側に配置されたポリシリコンセレク
トゲート層の一部を除去するように、エッチングされてよい。複数の実施形態において、
ＴＭＡＨを、ウェットエッチング化学物質の一例として、使用し得る。例えば、図９を参
照して上述したように、ウェットエッチング又はドライエッチングが、実行されてよい。
クトゲート層は、２つのメモリゲート間に配置されたポリシリコンセレクトゲート層、例
えば、スプリットゲート不揮発性メモリセルのソース側に配置されたポリシリコンセレク
トゲート層の一部を除去するように、エッチングされてよい。複数の実施形態において、
ＴＭＡＨを、ウェットエッチング化学物質の一例として、使用し得る。例えば、図９を参
照して上述したように、ウェットエッチング又はドライエッチングが、実行されてよい。
次に、ブロック５５０において、セレクトゲートを形成するために、ポリシリコンセレ
クトゲート層の追加部分が除去されてよい。一実施形態において、セレクトゲートは、ス
プリットゲート不揮発性メモリセルのドレイン側でメモリゲートに隣接して形成されてよ
い。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、ドライエッチング又はウェットエッチン
グプロセスなどのように、リソグラフィおよびエッチングプロセスで除去されてよい。複
数の実施形態において、上述の図１０を参照して説明されるように、ポリシリコンセレク
トゲート層は、除去されてよい。
クトゲート層の追加部分が除去されてよい。一実施形態において、セレクトゲートは、ス
プリットゲート不揮発性メモリセルのドレイン側でメモリゲートに隣接して形成されてよ
い。例えば、ポリシリコンセレクトゲート層は、ドライエッチング又はウェットエッチン
グプロセスなどのように、リソグラフィおよびエッチングプロセスで除去されてよい。複
数の実施形態において、上述の図１０を参照して説明されるように、ポリシリコンセレク
トゲート層は、除去されてよい。
さらに、複数の実施形態は、複数のコンピューターシステムによって、格納され、実行
される分散コンピューティング環境で実施されてよい。さらに、コンピューターシステム
間で転送される情報は、コンピューターシステムを接続する通信媒体を介して、プル又は
プッシュされる場合があってよい。
される分散コンピューティング環境で実施されてよい。さらに、コンピューターシステム
間で転送される情報は、コンピューターシステムを接続する通信媒体を介して、プル又は
プッシュされる場合があってよい。
本明細書の方法の動作は、特定の順序で示され説明されているが、各方法の動作の順序
は、特定の動作が逆の順序で実行されるように、又は、少なくとも部分的に、他の動作と
同時に、特定の動作が実行されるように変更されてよい。別の実施形態において、別個の
動作の命令又はサブ動作は、断続的および又は交互的な方法であってよい。本明細書で使
用される「第１」、「第２」、「第３」、「第４」などの用語は、異なる構成要素を区別
するためのラベルとして意図され、必ずしもそれらの数値指定にしたがって、順序の意味
を持つものではない。本明細書で使用される場合、「連結」という用語は、１つ又は複数
の介在要素を介して、直接又は間接的に接続されることを意味し得る。本明細書で説明さ
れる様々なバスを介して提供される信号の何れかは、他の信号と時間多重化され、１つ以
上の一般的なオンダイバスを介して提供され得る。さらに、回路部品又はブロック間の相
互接続およびインターフェイスは、バス又は単一の信号線として表示される場合がある。
あるいは、各バスは１つ以上の単一の信号線であってもよく、各単一の信号線は代替的に
バスであってもよい。
は、特定の動作が逆の順序で実行されるように、又は、少なくとも部分的に、他の動作と
同時に、特定の動作が実行されるように変更されてよい。別の実施形態において、別個の
動作の命令又はサブ動作は、断続的および又は交互的な方法であってよい。本明細書で使
用される「第１」、「第２」、「第３」、「第４」などの用語は、異なる構成要素を区別
するためのラベルとして意図され、必ずしもそれらの数値指定にしたがって、順序の意味
を持つものではない。本明細書で使用される場合、「連結」という用語は、１つ又は複数
の介在要素を介して、直接又は間接的に接続されることを意味し得る。本明細書で説明さ
れる様々なバスを介して提供される信号の何れかは、他の信号と時間多重化され、１つ以
上の一般的なオンダイバスを介して提供され得る。さらに、回路部品又はブロック間の相
互接続およびインターフェイスは、バス又は単一の信号線として表示される場合がある。
あるいは、各バスは１つ以上の単一の信号線であってもよく、各単一の信号線は代替的に
バスであってもよい。
上述の説明は、本発明の複数の実施形態の理解を提供するために、特定のシステム、構
成要素、方法などの例などの多数の特定された詳細な説明を示している。しかしながら、
本発明の少なくとも複数の実施形態は、これらの特定された詳細な説明なしで実施され得
ることは、当業者には明らかである。他の例では、本発明を不必要に曖昧にすることを避
けるために、周知の構成要素又は方法は詳細に説明されない、あるいは、単純なブロック
図形式で提示される。したがって、記載されている特定された詳細な説明は単なる例示に
すぎない。特定の実施形態は、これらの詳細な説明の一例とは異なる場合があり、それで
も本発明の範囲内にあると考えられ得る。
成要素、方法などの例などの多数の特定された詳細な説明を示している。しかしながら、
本発明の少なくとも複数の実施形態は、これらの特定された詳細な説明なしで実施され得
ることは、当業者には明らかである。他の例では、本発明を不必要に曖昧にすることを避
けるために、周知の構成要素又は方法は詳細に説明されない、あるいは、単純なブロック
図形式で提示される。したがって、記載されている特定された詳細な説明は単なる例示に
すぎない。特定の実施形態は、これらの詳細な説明の一例とは異なる場合があり、それで
も本発明の範囲内にあると考えられ得る。
特許請求される範囲の実施形態は、本明細書で説明される様々な動作を含むが、これら
に限定されない。これらの動作は、ハードウェアコンポーネント、ソフトウェア、ファー
ムウェア、又はそれらの組み合わせによって実行され得る。
に限定されない。これらの動作は、ハードウェアコンポーネント、ソフトウェア、ファー
ムウェア、又はそれらの組み合わせによって実行され得る。
上述の説明は、特許請求される範囲の複数の実施形態の理解を提供するために、特定の
システム、構成要素、方法などの一例などの多数の特定された詳細な説明を示している。
しかしながら、これらの特定された詳細な説明なしで、少なくとも複数の実施形態が実施
され得ることは、当業者には明らかであり得る。他の例では、よく知られている構成要素
又は方法は、詳細な説明に記載されていない、あるいは、単純なブロック図の形式で示さ
れている。したがって、記載されている特定された詳細な説明は単なる例示にすぎない。
特定の実施形態は、これらの詳細な説明の一例とは異なる場合があり、依然として特許請
求される範囲内にあると考えられ得る。
システム、構成要素、方法などの一例などの多数の特定された詳細な説明を示している。
しかしながら、これらの特定された詳細な説明なしで、少なくとも複数の実施形態が実施
され得ることは、当業者には明らかであり得る。他の例では、よく知られている構成要素
又は方法は、詳細な説明に記載されていない、あるいは、単純なブロック図の形式で示さ
れている。したがって、記載されている特定された詳細な説明は単なる例示にすぎない。
特定の実施形態は、これらの詳細な説明の一例とは異なる場合があり、依然として特許請
求される範囲内にあると考えられ得る。
本出願は、2017年12月20日に出願された米国仮特許出願第15/848,439号の国際出願であり、2020年12月22日に発行された米国特許第10,872,898号であり、2017年7月19日に出願された米国仮特許出願第62/534,512号の優先権を主張するものであり、これらの仮出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
Claims (25)
- 単一の半導体基板に第１の領域および第２の領域が配置され、
前記第１の領域において、メモリゲートスタックを形成するステップと、
前記第２の領域において、高誘電率誘電体の上に犠牲ポリシリコンゲートを形成するス
テップと、
前記半導体基板の前記第１の領域において、前記メモリゲートスタックに隣接するセレ
クトゲートスタックを形成するステップと、
前記犠牲ポリシリコンゲートを金属ゲートに置き換えて、前記半導体基板の前記第２の
領域において、ロジックＦＥＴを形成するステップと、
を含み、
前記第１の領域および前記第２の領域における前記半導体基板の表面は、実質的に同一
平面上に存在する、方法。 - 前記メモリゲートスタックを形成するステップは、
前記半導体基板における前記第１の領域において、電荷トラップ層を形成するステップ
と、
前記電荷トラップ層の上に、メモリゲートポリシリコン層を形成するステップと、
前記メモリゲートポリシリコン層を、少なくともパターニングし、メモリゲートを形成
するステップと、を含む、
請求項１に記載の方法。 - 前記セレクトゲートスタックを形成するステップは、
前記半導体基板の前記第１の領域において、ゲート酸化物層を形成するステップと、
前記ゲート酸化物層の上に、セレクトゲートポリシリコン層を堆積するステップと、
前記セレクトゲートポリシリコン層を、少なくともパターニングし、前記セレクトゲー
トスタックが前記メモリゲートスタックに隣接して配置されるように、セレクトゲートを
形成するステップと、を含む、
請求項２に記載の方法。 - 前記メモリゲートスタックと前記セレクトゲートスタックとの間に、少なくとも２つの
誘電体層を形成するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。 - 前記メモリゲート又は前記セレクトゲートの少なくとも一方の上に、シリサイドを形成
するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。 - 前記セレクトゲートを形成する工程は、
前記セレクトゲートポリシリコン層を平坦化する工程をさらに含み、
前記セレクトゲートポリシリコン層を平坦化する工程は、
前記メモリゲートスタックおよび前記セレクトゲートスタックが略同じ高さとなるとこ
ろで、前記メモリゲートスタックを覆う薄い誘電体層の平坦化を停止するステップを含む
、
請求項３に記載の方法。 - 前記薄い誘電体層は、約２０オングストロームから約５００オングストロームの範囲の
厚さを有する、
請求項６に記載の方法。 - 前記半導体基板の前記第１の領域における第１の表面、および、前記半導体基板の前記
第２の領域における第２の表面は、互いに、２００オングストローム以内の同一平面上に
存在する、
請求項１に記載の方法。 - 前記セレクトゲートにおける第１の上面、前記メモリゲートにおける第２の上面、およ
び、前記ロジックＦＥＴにおける第３の上面は、互いに、３００オングストローム以内の
同一平面上に存在する、
請求項１に記載の方法。 - 前記犠牲ポリシリコンゲートを前記金属ゲートに置き換えるステップの前に、
前記第１の領域において、少なくとも前記セレクトゲートおよび前記メモリゲートを覆
う保護膜を形成するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。 - 半導体デバイスの製造方法であって、
基板の第１の領域において、スプリットゲート不揮発性メモリセルを形成するステップ
と、
前記基板の第２の領域において、高誘電率誘電体の上に配置された金属ゲートを含むロ
ジックＦＥＴを形成するステップと、
を含み、
前記ロジックＦＥＴおよび前記スプリットゲート不揮発性メモリセルは、実質的に同じ
高さとなり、
前記スプリットゲート不揮発性メモリセルを形成するステップは、
電荷トラップ層の上に、メモリゲートポリシリコン層を堆積するステップと、
メモリゲートポリシリコン層を、少なくともパターニングし、メモリゲートを形成す
るステップと、
セレクトゲート酸化物層および前記メモリゲートを覆うセレクトゲートポリシリコン
層を堆積するステップと、
前記メモリゲートの上面および前記セレクトゲートポリシリコン層の上面が、前記基
板の表面と、実質的に同一平面上に存在し、且つ、前記基板の表面と平行になるように、
前記セレクトゲートポリシリコン層を平坦化するステップと、
前記第１の領域において、前記セレクトゲートポリシリコン層および前記セレクトゲ
ート酸化物層の一部を除去して、前記メモリゲートに隣接する前記セレクトゲートを形成
するステップと、をさらに含む、半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートポリシリコン層を覆う薄い誘電体層を堆積するステップをさらに含み
、
前記薄い誘電体層を堆積するステップは、
前記セレクトゲートポリシリコン層の平坦化を前記薄い誘電体層で停止させる、
請求項１１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートポリシリコン層の一部を除去するステップは、
前記メモリゲートの一方側の上で、前記セレクトゲートポリシリコン層の第１部分を
除去するステップと、
前記メモリゲートの他方側の上で、前記セレクトゲートポリシリコン層の第２部分を
パターニングし、前記セレクトゲートを形成するステップと、を含む、
請求項１１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートポリシリコン層の前記第１部分を除去するステップは、
ウェットエッチングまたはドライエッチングの少なくとも１つを実行するステップと
、を含む、
請求項１３に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートポリシリコン層を堆積するステップの前に、
前記メモリゲートの少なくとも２つの側面を覆う少なくとも２つの誘電体層を形成する
ステップをさらに含む、
請求項１１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートにおける第１の上面、前記メモリゲートの第２の上面、および前記
ロジックＦＥＴにおける第３の上面は、互いに、２００オングストローム以内の同一平面
上に存在する、
請求項１１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートポリシリコン層の上に、キャップ層を堆積するステップをさらに含み
、
前記キャップ層を堆積するステップは、
誘電体層、アモルファスシリコン膜、又は、ポリシリコン層のうちの１つ以上を堆積す
るステップをさらに含む、
請求項１１に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 半導体デバイスの製造方法であって、
基板の第１領域において、電荷トラップ層を覆うメモリゲートポリシリコン層を堆積す
るステップと、
少なくとも前記メモリゲートポリシリコン層をパターニングし、メモリゲートを形成す
るステップと、
前記第１領域において、セレクトゲート酸化物層および前記メモリゲートを覆うセレク
トゲートポリシリコン層を堆積するステップと、
前記メモリゲートの上面および前記セレクトゲートポリシリコン層の上面が、実質的に
同一平面上に存在するように、前記セレクトゲートポリシリコン層を平坦化するステップ
と、
第２の領域において、前記基板の上に、高誘電率誘電体層を堆積し、前記高誘電率誘電
体層を覆う犠牲ポリシリコンゲート層を堆積するステップと、
前記犠牲ポリシリコンゲート層および前記高誘電率誘電体層をパターニングするステッ
プと、
前記セレクトゲートポリシリコン層の一部を除去して、前記メモリゲートに隣接する前
記セレクトゲートを形成するステップと、
層間絶縁層を堆積し、前記メモリゲート、前記セレクトゲート、および、ロジックＦＥ
Ｔをカプセル化するステップと、
前記層間絶縁層を平坦化するステップと、
前記犠牲ポリシリコンゲート層を除去するステップと、
前記高誘電率誘電体層を覆う金属ゲートを堆積し、前記第２の領域において、前記ロジ
ックＦＥＴを形成するステップと、
を含む、半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートポリシリコン層を覆うキャップ層を堆積するステップをさらに含み、
前記キャップ層は、誘電材料、ポリシリコン、又は、それらの組み合わせの少なくとも
１つの層を含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートにおける少なくとも２つの側壁を覆い、それぞれが少なくとも２つの
誘電体層を含むゲート間誘電体層を形成するステップをさらに含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートポリシリコン層を平坦化するステップは、
化学機械的研磨プロセス、ドライエッチバックプロセス、又は、それらの組み合わせを
実行するステップを含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートの上面、前記セレクトゲートの上面、および前記ロジックＦＥＴの上
面が、実質的に同一平面上に存在するように、金属研磨を実行するステップをさらに含む
、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記メモリゲートポリシリコン層を堆積するステップは、
ドープされたポリシリコン層を堆積するステップ、
又は、ドープされていないポリシリコン層を堆積し、続いて、前記ドープされていな
いポリシリコン層をドープするステップ、
のうちの何れか１つを実行するステップを含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記セレクトゲートポリシリコン層を堆積するステップは、
ドープされたポリシリコン層を堆積するステップ、
又は、ドープされていないポリシリコン層を堆積し、続いて、前記ドープされていな
いポリシリコン層をドープするステップ、
のうちの何れか１つを実行するステップを含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記犠牲ポリシリコンゲート層を除去するステップの前に、
少なくとも前記メモリゲートおよび前記セレクトゲートを覆う保護膜を形成するステッ
プと、をさらに含む、
請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762534512P | 2017-07-19 | 2017-07-19 | |
| US62/534,512 | 2017-07-19 | ||
| US15/848,439 US10872898B2 (en) | 2017-07-19 | 2017-12-20 | Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same |
| US15/848,439 | 2017-12-20 | ||
| PCT/US2018/042088 WO2019018231A1 (en) | 2017-07-19 | 2018-07-13 | INTEGRATED NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP2019570571A JP7027463B2 (ja) | 2017-07-19 | 2018-07-13 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019570571A Division JP7027463B2 (ja) | 2017-07-19 | 2018-07-13 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022070982A true JP2022070982A (ja) | 2022-05-13 |
Family
ID=65016335
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019570571A Active JP7027463B2 (ja) | 2017-07-19 | 2018-07-13 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 |
| JP2022022030A Pending JP2022070982A (ja) | 2017-07-19 | 2022-02-16 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019570571A Active JP7027463B2 (ja) | 2017-07-19 | 2018-07-13 | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10872898B2 (ja) |
| JP (2) | JP7027463B2 (ja) |
| CN (1) | CN110785845B (ja) |
| DE (1) | DE112018003681T5 (ja) |
| TW (2) | TWI728253B (ja) |
| WO (1) | WO2019018231A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020004747A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US11495505B2 (en) | 2019-06-03 | 2022-11-08 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor devices and related methods |
| US11569251B2 (en) * | 2019-08-08 | 2023-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device |
| TWI766698B (zh) * | 2021-05-25 | 2022-06-01 | 華邦電子股份有限公司 | 半導體結構的製造方法 |
Family Cites Families (89)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090691A (en) * | 1999-11-15 | 2000-07-18 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for forming a raised source and drain without using selective epitaxial growth |
| JP2004303918A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2006066564A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100646085B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2006-11-14 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 비휘발성 메모리 소자, 그 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP5142494B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2013-02-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8410543B2 (en) * | 2007-02-01 | 2013-04-02 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof |
| JP5232425B2 (ja) | 2007-09-10 | 2013-07-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JP5613506B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP5538838B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| TWI688047B (zh) | 2010-08-06 | 2020-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US8399310B2 (en) * | 2010-10-29 | 2013-03-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory and logic circuit process integration |
| JP2012114269A (ja) | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US8642457B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-02-04 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating semiconductor device |
| JP5734744B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-06-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8716077B2 (en) * | 2011-08-23 | 2014-05-06 | Globalfoundries Inc. | Replacement gate compatible eDRAM transistor with recessed channel |
| JP5779068B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2015-09-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8536007B2 (en) * | 2012-02-22 | 2013-09-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory cell and logic transistor integration |
| US9087913B2 (en) * | 2012-04-09 | 2015-07-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integration technique using thermal oxide select gate dielectric for select gate and apartial replacement gate for logic |
| US8722493B2 (en) * | 2012-04-09 | 2014-05-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Logic transistor and non-volatile memory cell integration |
| JP5936959B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9111865B2 (en) * | 2012-10-26 | 2015-08-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making a logic transistor and a non-volatile memory (NVM) cell |
| JP6029989B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20140210012A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Spansion Llc | Manufacturing of FET Devices Having Lightly Doped Drain and Source Regions |
| US9054220B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-06-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Embedded NVM in a HKMG process |
| JP6026913B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2016-11-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6026914B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2016-11-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN104037131A (zh) | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 飞思卡尔半导体公司 | 对选择栅极和部分替换栅极的栅电介质使用热氧化物 |
| US9136266B2 (en) * | 2013-07-16 | 2015-09-15 | Globalfoundries Inc. | Gate oxide quality for complex MOSFET devices |
| US9129996B2 (en) | 2013-07-31 | 2015-09-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) cell and high-K and metal gate transistor integration |
| US8871598B1 (en) * | 2013-07-31 | 2014-10-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) and high-k and metal gate integration using gate-first methodology |
| US9123822B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-09-01 | Silicon Storage Technology, Inc. | Split gate non-volatile flash memory cell having a silicon-metal floating gate and method of making same |
| US9082837B2 (en) * | 2013-08-08 | 2015-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Nonvolatile memory bitcell with inlaid high k metal select gate |
| US9082650B2 (en) * | 2013-08-21 | 2015-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated split gate non-volatile memory cell and logic structure |
| US9275864B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-03-01 | Freescale Semiconductor,Inc. | Method to form a polysilicon nanocrystal thin film storage bitcell within a high k metal gate platform technology using a gate last process to form transistor gates |
| US9368605B2 (en) | 2013-08-28 | 2016-06-14 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor structure including a split gate nonvolatile memory cell and a high voltage transistor, and method for the formation thereof |
| US8901632B1 (en) * | 2013-09-30 | 2014-12-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) and high-K and metal gate integration using gate-last methodology |
| US9136129B2 (en) * | 2013-09-30 | 2015-09-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) and high-k and metal gate integration using gate-last methodology |
| US10050050B2 (en) * | 2013-11-08 | 2018-08-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device and method for manufacturing the same |
| US9136393B2 (en) | 2013-11-15 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | HK embodied flash memory and methods of forming the same |
| JP2015103698A (ja) | 2013-11-26 | 2015-06-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9496276B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP fabrication solution for split gate memory embedded in HK-MG process |
| US8916432B1 (en) * | 2014-01-21 | 2014-12-23 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods to integrate SONOS into CMOS flow |
| US9202817B2 (en) | 2014-01-22 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductorr Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9583591B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Si recess method in HKMG replacement gate technology |
| JP2015185613A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9252152B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-02-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a split-gate device |
| US9472418B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-10-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a split-gate device |
| US9276010B2 (en) | 2014-05-16 | 2016-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual silicide formation method to embed split gate flash memory in high-k metal gate (HKMG) technology |
| US9343314B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-05-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Split gate nanocrystal memory integration |
| US9659953B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | HKMG high voltage CMOS for embedded non-volatile memory |
| US9431257B2 (en) * | 2014-07-14 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device |
| US9349741B2 (en) * | 2014-07-14 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device |
| US9543153B2 (en) | 2014-07-16 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Recess technique to embed flash memory in SOI technology |
| JP6407609B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2018-10-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016039329A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9735245B2 (en) | 2014-08-25 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device |
| JP6359386B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2016051745A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9318568B2 (en) * | 2014-09-19 | 2016-04-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integration of a non-volatile memory (NVM) cell and a logic transistor and method therefor |
| JP6407651B2 (ja) * | 2014-10-01 | 2018-10-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9431413B2 (en) | 2014-11-19 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | STI recess method to embed NVM memory in HKMG replacement gate technology |
| JP6359432B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2018-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10014410B2 (en) * | 2014-12-02 | 2018-07-03 | Renesas Electronics Corporation | Method for producing semiconductor device and semiconductor device |
| US9484352B2 (en) | 2014-12-17 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device |
| US9425206B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Boundary scheme for embedded poly-SiON CMOS or NVM in HKMG CMOS technology |
| JP6440507B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2018-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9570539B2 (en) | 2015-01-30 | 2017-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology |
| US9653164B2 (en) * | 2015-03-13 | 2017-05-16 | Nxp Usa, Inc. | Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors |
| WO2016147316A1 (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6434841B2 (ja) | 2015-03-30 | 2018-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6518485B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-05-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9589976B2 (en) | 2015-04-16 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits |
| JP5956033B1 (ja) | 2015-07-23 | 2016-07-20 | 株式会社フローディア | メモリセル、半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP6556567B2 (ja) | 2015-09-09 | 2019-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9659948B2 (en) | 2015-09-17 | 2017-05-23 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
| US9761680B2 (en) | 2015-10-26 | 2017-09-12 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device |
| JP6556601B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2019-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN106684085B (zh) * | 2015-11-11 | 2021-02-02 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件以及其制作方法 |
| JP6683488B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2020-04-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6620046B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2019-12-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US9812460B1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | NVM memory HKMG integration technology |
| US10276587B2 (en) * | 2016-05-27 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | NVM memory HKMG integration technology |
| US9947676B2 (en) * | 2016-07-08 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | NVM memory HKMG integration technology |
| JP6713878B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2020-06-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6670719B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-03-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10505015B2 (en) * | 2016-11-17 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device and method of fabricating thereof |
| US10128259B1 (en) * | 2017-07-17 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing embedded memory using high-K-metal-gate (HKMG) technology |
| US10510765B2 (en) * | 2017-07-18 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device and method for fabricating the same |
| US10332884B2 (en) * | 2017-11-02 | 2019-06-25 | United Microelectronics Corp. | FinFET semiconductor device |
-
2017
- 2017-12-20 US US15/848,439 patent/US10872898B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-13 JP JP2019570571A patent/JP7027463B2/ja active Active
- 2018-07-13 DE DE112018003681.2T patent/DE112018003681T5/de active Pending
- 2018-07-13 WO PCT/US2018/042088 patent/WO2019018231A1/en active Application Filing
- 2018-07-13 CN CN201880041113.2A patent/CN110785845B/zh active Active
- 2018-07-16 TW TW107124509A patent/TWI728253B/zh active
- 2018-07-16 TW TW110114945A patent/TWI798687B/zh active
-
2020
- 2020-11-20 US US16/953,643 patent/US20210134811A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-02-16 JP JP2022022030A patent/JP2022070982A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI728253B (zh) | 2021-05-21 |
| JP7027463B2 (ja) | 2022-03-01 |
| US20210134811A1 (en) | 2021-05-06 |
| US10872898B2 (en) | 2020-12-22 |
| TW201919209A (zh) | 2019-05-16 |
| TW202129930A (zh) | 2021-08-01 |
| TWI798687B (zh) | 2023-04-11 |
| US20190027484A1 (en) | 2019-01-24 |
| CN110785845A (zh) | 2020-02-11 |
| JP2020528663A (ja) | 2020-09-24 |
| WO2019018231A1 (en) | 2019-01-24 |
| DE112018003681T5 (de) | 2020-05-14 |
| CN110785845B (zh) | 2024-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11437084B2 (en) | Embedded ferroelectric memory cell | |
| EP2725607B1 (en) | Method of making a logic transistor and a non-volatile memory (nvm) cell | |
| JP2022070982A (ja) | 埋め込み不揮発性メモリデバイス、およびその製造方法 | |
| US8617998B2 (en) | Method of forming a micro-pattern for semiconductor devices | |
| US9431413B2 (en) | STI recess method to embed NVM memory in HKMG replacement gate technology | |
| JP2013530538A (ja) | ビットライン空隙及びワードライン空隙を備える不揮発性メモリ、および、対応する製造方法 | |
| JP2002280467A (ja) | Ｓｏｎｏｓフラッシュメモリ素子及びその形成方法 | |
| US11869564B2 (en) | Embedded ferroelectric memory cell | |
| US7265016B2 (en) | Stepped gate configuration for non-volatile memory | |
| TWI582841B (zh) | 製造電晶體閘極之方法及包含電晶體閘極之半導體裝置 | |
| TWI420673B (zh) | 採用富含矽之層的積體電路記憶體系統 | |
| US8716089B1 (en) | Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell having thin film storage | |
| US8680671B2 (en) | Self-aligned double patterning for memory and other microelectronic devices | |
| US10535660B1 (en) | Dynamic random access memory structure and method for preparing the same | |
| EP3497723B1 (en) | Method of forming low height split gate memory cells | |
| US20210408042A1 (en) | Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming | |
| JP2003282745A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US8741719B1 (en) | Integrating formation of a logic transistor and a non-volatile memory cell using a partial replacement gate technique | |
| JP4783210B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
| JP7376628B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220316 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220316 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230530 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230822 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231003 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240222 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240226 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20240308 |