JP2021061412A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021061412A JP2021061412A JP2020205772A JP2020205772A JP2021061412A JP 2021061412 A JP2021061412 A JP 2021061412A JP 2020205772 A JP2020205772 A JP 2020205772A JP 2020205772 A JP2020205772 A JP 2020205772A JP 2021061412 A JP2021061412 A JP 2021061412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- frequency module
- shield
- metal
- shield wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
- H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
- H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
- H05K5/065—Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
- H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10522—Adjacent components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1実施形態にかかる高周波モジュール1aについて、図1および図2を参照して説明する。なお、図1は高周波モジュールの平面図、図2は図1のA−A矢視断面図である。また、図1では、シールド膜6の天面部分および封止樹脂層4を図示省略している。
次に、高周波モジュール1aの製造方法について説明する。まず、各種配線電極8や
ビア導体9が形成された配線基板2を準備し、その上面2aに各部品3a〜3eを半田実装などの周知の表面実装技術を用いて実装する。このとき、各金属ピン5aも半田を用いて実装する。
封止樹脂層4に形成するシールド壁5用の溝を、例えば、図3に示すように、配線基板2の上面2aに達するように形成してもよい。この場合、配線基板2の上面2aにおける、平面視でシールド壁5に重なる領域の略全てにシールド用電極10を形成し、該シールド用電極10に各金属ピン5aを実装する。この構成によると、シールド用電極10のレーザ光の反射効果により、レーザ加工によるシールド壁5用の溝形成時に、レーザ光の熱エネルギーに起因する配線基板2へのダメージを低減できる。
本発明の第2実施形態にかかる高周波モジュール1bについて、図4および図5を参照して説明する。なお、図4は高周波モジュール1bの平面図、図5は図4のB−B矢視断面図である。また、図4では、シールド膜6の天面部分および封止樹脂層4を図示省略している。
封止樹脂層4に形成するシールド壁50用の溝を、例えば、図6に示すように、配線基板2の上面2aに達するように形成してもよい。また、図3に示したシールド壁5の変形例と同様に、配線基板2の上面2aにおける、平面視でシールド壁50に重なる領域の略全てにシールド用電極を形成し、該シールド用電極に各金属ピン5aを実装する構成であってもよい。また、図示していないが、シールド壁用の溝の下に、金属ピンを立てる部分の配線電極とは別の配線電極を設けてもよい。
本発明の第3実施形態にかかる高周波モジュール1cについて、図7を参照して説明する。なお、図7は高周波モジュール1cの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第4実施形態にかかる高周波モジュール1dについて、図8を参照して説明する。なお、図8は高周波モジュール1dの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第5実施形態にかかる高周波モジュール1eについて、図9を参照して説明する。なお、図9は高周波モジュール1eの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第6実施形態にかかる高周波モジュール1fについて、図10および図11を参照して説明する。なお、図10は高周波モジュール1fの平面図であって、図1に対応する図、図11は図10のC−C矢視断面図である。
本発明の第7実施形態にかかる高周波モジュール1gについて、図12および図13を参照して説明する。なお、図12は高周波モジュール1gの平面図であって、図1に対応する図、図13は図12の金属ピン5a1,5a2の配列を説明するための図である。なお、図13では配線基板2を平面視したときの一部の金属ピン5a1,5a2を図示している。
本発明の第8実施形態にかかる高周波モジュール1hについて、図17を参照して説明する。なお、図17は高周波モジュール1hの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第9実施形態にかかる高周波モジュール1iについて、図18を参照して説明する。なお、図18は高周波モジュール1iの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第10実施形態にかかる高周波モジュール1jについて、図19および図20を参照して説明する。なお、図19は高周波モジュール1jの平面図であって、図1に対応する図、図20は図19のD−D矢視断面図である。
高周波モジュール1jにおいて、シールド膜6が被覆する領域は、適宜変更することができる。例えば、図21および図22に示すように、シールド膜6が、封止樹脂層4の反対面4aにおける、シールド壁58が所定の部品3jを囲む領域のみを被覆するように形成されていてもよい。この場合、各金属ピン5aの上端面は、いずれもシールド膜6の周端部に接続される。この構成は、特定の部品3jのみをシールドしたい場合に好適である。ここで、図21は図19のシールド膜の変形例を示す図で図1に対応する図、図22は図21のE−E矢視断面図である。なお、このように、特定の部品3jのみをシールドする場合、当該特定の部品3jのみに封止樹脂層4を形成するようにしてもよい。
本発明の第11実施形態にかかる高周波モジュール1kについて、図23を参照して説明する。なお、図23は高周波モジュール1kの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第12実施形態にかかる高周波モジュール1mについて、図24を参照して説明する。なお、図24は高周波モジュール1mの平面図であって、図1に対応する図である。
本発明の第13実施形態にかかる高周波モジュール1nについて、図25を参照して説明する。なお、図25は高周波モジュール1nの平面図であって、図1に対応する図である。
2 配線基板
3a〜3i 部品
4 封止樹脂層
5,50〜58 シールド壁
5a 金属ピン
5a1 第1金属ピン
5a2 第2金属ピン
5c,5d シールド層用金属ピン
6 シールド膜(シールド層)
7 ランド電極
10,10a〜10e シールド用電極(ランド電極)
60〜62 シールド層
Claims (11)
- 配線基板と、
前記配線基板の主面に実装された複数の部品と、
前記配線基板の前記主面に積層され、前記複数の部品を封止する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層内において、前記複数の部品のうち所定の部品と他の部品との間に配置されたシールド壁とを備え、
前記シールド壁は、前記封止樹脂層に設けられた溝内に導電材が充填されたものであり、さらに、前記配線基板の前記主面に立設される複数の金属ピンを有しており、
前記金属ピンの比抵抗は、前記導電材の比抵抗よりも低く、
前記シールド壁を断面視したときに、隣接する前記金属ピンの隙間には前記導電材が配置され、
前記複数の金属ピンそれぞれの上端は、前記封止樹脂層の前記配線基板の前記主面と反対側の面から露出している
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記シールド壁は、前記配線基板を平面視して、線状の形状に形成されるとともに、当該線は屈曲部を有し、
一部の前記金属ピンが、前記屈曲部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記複数の金属ピンの一端は、前記配線基板の前記主面に形成されたランド電極に接続され、
前記ランド電極が、前記配線基板に形成されたグランド電極に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記シールド壁は、前記封止樹脂層に形成された溝を埋める金属膜を有し、前記金属膜の側面は前記複数の金属ピンの側面と接することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記金属膜における金属の純度は、前記金属ピンにおける金属の純度よりも低いことを特徴とする請求項4に記載の高周波モジュール。
- 前記シールド壁は、前記配線基板を平面視して、第1の幅を有する第1の線状部分と、前記第1の幅とは異なる第2の幅を有する第2の線状部分とを有し、
前記第1の線状部分と前記第2の線状部分との接点は前記屈曲部であることを特徴とする請求項2に記載の高周波モジュール。 - 前記金属膜と前記配線基板との間には、前記封止樹脂層が配置されていることを特徴とする請求項4または5に記載の高周波モジュール。
- 前記シールド壁は、前記配線基板を平面視したときに線状をなすように形成され、
前記複数の金属ピンは、前記配線基板を平面視したときに、前記シールド壁がなす線に沿って配列されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記複数の金属ピンは、複数の第1金属ピンと、複数の第2金属ピンとを有し、
前記配線基板を平面視したときに、前記複数の第1金属ピンそれぞれの中心点を結ぶ連結線は前記シールド壁がなす前記線と略平行な線となり、
前記配線基板を平面視したときに、前記複数の第2金属ピンそれぞれの中心は、前記連結線からずれるとともに、前記複数の第2金属ピンそれぞれは、一の前記第1金属ピンとこれに隣接する前記第1金属ピンの間に位置していることを特徴とする請求項8に記載の高周波モジュール。 - 前記第2金属ピンの前記配線基板の前記主面と平行な方向の断面積は、前記第1金属ピンの前記配線基板の前記主面と平行な方向の断面積よりも小さいことを特徴とする請求項9に記載の高周波モジュール。
- 前記シールド壁の前記配線基板を平面視したときに形成される線は、屈曲部または湾曲部を有することを特徴とする請求項8ないし10のいずれかに記載の高周波モジュール。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015096508 | 2015-05-11 | ||
JP2015096508 | 2015-05-11 | ||
JP2015243853 | 2015-12-15 | ||
JP2015243853 | 2015-12-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017517943A Division JP6837432B2 (ja) | 2015-05-11 | 2016-05-10 | 高周波モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021061412A true JP2021061412A (ja) | 2021-04-15 |
JP7120295B2 JP7120295B2 (ja) | 2022-08-17 |
Family
ID=57248086
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017517943A Active JP6837432B2 (ja) | 2015-05-11 | 2016-05-10 | 高周波モジュール |
JP2020205772A Active JP7120295B2 (ja) | 2015-05-11 | 2020-12-11 | 高周波モジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017517943A Active JP6837432B2 (ja) | 2015-05-11 | 2016-05-10 | 高周波モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10772244B2 (ja) |
JP (2) | JP6837432B2 (ja) |
CN (1) | CN107535081B (ja) |
WO (1) | WO2016181954A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286426A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子部品の実装方法及び電子部品実装用部分シールド基板 |
WO2023120993A1 (ko) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 삼성전자 주식회사 | 부품의 실장 부피를 줄이기 위한 차폐 구조를 포함하는 전자 장치 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016121629A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
CN107424974A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 胡迪群 | 具有埋入式噪声屏蔽墙的封装基板 |
WO2018101383A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
WO2018101382A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
WO2018101381A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP6753514B2 (ja) | 2017-03-08 | 2020-09-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
KR102019349B1 (ko) * | 2017-10-19 | 2019-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
CN111357395B (zh) | 2017-11-20 | 2022-03-11 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
CN111587485B (zh) | 2018-01-05 | 2023-12-05 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
US10564679B2 (en) | 2018-04-05 | 2020-02-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic device module, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
KR20190119819A (ko) * | 2018-04-13 | 2019-10-23 | 삼성전자주식회사 | 차폐 공간을 형성하는 커넥터 및 이를 구비하는 전자 장치 |
JP7047904B2 (ja) | 2018-05-08 | 2022-04-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール |
WO2019230705A1 (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US10763334B2 (en) | 2018-07-11 | 2020-09-01 | Cree, Inc. | Drain and/or gate interconnect and finger structure |
US10600746B2 (en) | 2018-07-19 | 2020-03-24 | Cree, Inc. | Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having gaps and/or isolation structures between groups of unit cell transistors |
US11227840B2 (en) * | 2018-08-03 | 2022-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module having improved shield performance |
CN112740844B (zh) * | 2018-10-05 | 2023-10-24 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
WO2020071492A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
CN112740845B (zh) * | 2018-10-05 | 2023-11-07 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
US11211340B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-12-28 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding |
US11239179B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-02-01 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package and fabrication method thereof |
TWI744572B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-11-01 | 蔡憲聰 | 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法 |
US10896880B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-01-19 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof |
US10923435B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-02-16 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance |
US10770415B2 (en) * | 2018-12-04 | 2020-09-08 | Cree, Inc. | Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation |
TWI728604B (zh) * | 2019-01-01 | 2021-05-21 | 蔡憲聰 | 具有封裝內隔室屏蔽及主動電磁相容屏蔽的半導體封裝及其製作方法 |
TWI720749B (zh) * | 2019-01-01 | 2021-03-01 | 蔡憲聰 | 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法 |
US11071196B2 (en) | 2019-04-05 | 2021-07-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic device module and method of manufacturing electronic device module |
CN217334057U (zh) * | 2019-04-15 | 2022-08-30 | 株式会社村田制作所 | 电子元件模块 |
WO2020262457A1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
US11089673B2 (en) * | 2019-07-19 | 2021-08-10 | Raytheon Company | Wall for isolation enhancement |
WO2021020332A1 (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11139268B2 (en) * | 2019-08-06 | 2021-10-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method of manufacturing the same |
US11587881B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-02-21 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device |
US11335646B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-05-17 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN114068493A (zh) * | 2020-07-31 | 2022-02-18 | 华为技术有限公司 | 一种封装模组及其封装方法、电子设备 |
WO2022049671A1 (ja) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電子部品装置を製造する方法、及び電子部品装置 |
US11832391B2 (en) * | 2020-09-30 | 2023-11-28 | Qualcomm Incorporated | Terminal connection routing and method the same |
CN112490218B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-04-16 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 具有电磁屏蔽的封装结构和封装结构制作方法 |
WO2024004846A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0458596A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁シールド方法 |
JP2004260103A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 回路モジュール |
JP2008130915A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Murata Mfg Co Ltd | 部品内蔵基板 |
WO2008093414A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010056180A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路モジュール |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100472780C (zh) * | 2004-02-13 | 2009-03-25 | 株式会社村田制作所 | 电子零部件及其制造方法 |
WO2005099331A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | モジュール部品およびその製造方法 |
KR100691629B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 금속벽을 이용한 고주파 모듈 및 그 제조 방법 |
EP2136610A4 (en) * | 2008-01-25 | 2011-07-13 | Ibiden Co Ltd | MULTILAYER CONDUCTOR PLATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP2009277954A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール |
US8946563B2 (en) * | 2009-10-01 | 2015-02-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Module with exposed parts of copper foil and process for production thereof |
JP5577716B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-08-27 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及び回路モジュールの製造方法 |
JP2011187677A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | モジュール |
JP2012019091A (ja) | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Sony Corp | モジュールおよび携帯端末 |
JP5837515B2 (ja) | 2011-01-27 | 2015-12-24 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
US10091918B2 (en) * | 2012-12-11 | 2018-10-02 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for conformal shielding |
JP5767268B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2015-08-19 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
JP3185689U (ja) * | 2013-06-17 | 2013-08-29 | アルプス電気株式会社 | 電子回路モジュール |
JP5756500B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-07-29 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
JP5466785B1 (ja) * | 2013-08-12 | 2014-04-09 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
JP5517378B1 (ja) * | 2013-08-13 | 2014-06-11 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
JP5517379B1 (ja) * | 2013-08-19 | 2014-06-11 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
JP6219155B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2017-10-25 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-05-10 CN CN201680027030.9A patent/CN107535081B/zh active Active
- 2016-05-10 JP JP2017517943A patent/JP6837432B2/ja active Active
- 2016-05-10 WO PCT/JP2016/063830 patent/WO2016181954A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-11-10 US US15/809,236 patent/US10772244B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-11 JP JP2020205772A patent/JP7120295B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0458596A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁シールド方法 |
JP2004260103A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 回路モジュール |
JP2008130915A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Murata Mfg Co Ltd | 部品内蔵基板 |
WO2008093414A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010056180A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286426A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子部品の実装方法及び電子部品実装用部分シールド基板 |
WO2023120993A1 (ko) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 삼성전자 주식회사 | 부품의 실장 부피를 줄이기 위한 차폐 구조를 포함하는 전자 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107535081B (zh) | 2021-02-02 |
CN107535081A (zh) | 2018-01-02 |
US10772244B2 (en) | 2020-09-08 |
US20180092257A1 (en) | 2018-03-29 |
WO2016181954A1 (ja) | 2016-11-17 |
JP7120295B2 (ja) | 2022-08-17 |
JP6837432B2 (ja) | 2021-03-03 |
JPWO2016181954A1 (ja) | 2018-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6837432B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6806166B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6753514B2 (ja) | 高周波モジュール | |
US10349512B2 (en) | High-frequency module | |
JP7028254B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6950757B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6891965B2 (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法 | |
US10674648B2 (en) | High-frequency module | |
WO2018101382A1 (ja) | 高周波モジュール | |
JPWO2018110397A1 (ja) | モジュール | |
US20180204781A1 (en) | High-frequency module | |
JP5750528B1 (ja) | 部品内蔵回路基板 | |
JPWO2019167908A1 (ja) | 高周波モジュール | |
JP7010372B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP7167933B2 (ja) | 電子部品内蔵構造体 | |
JP6511947B2 (ja) | 高周波モジュール | |
WO2018101383A1 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6495701B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法 | |
CN107710901B (zh) | 高频模块及其制造方法 | |
JP2018137353A (ja) | 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7120295 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |