JP2020506554A - 集積コンデンサフィルタおよびバリスタ機能を有する集積コンデンサフィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
[001]本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、2017年2月6日に出願した米国仮特許出願第62/455076号の出願利益を主張するものである。
[009]当業者を対象とする、その最良モードを含む、現在開示されている主題の完全で、かつ、実施可能な記載は、添付の図を参照する本明細書に明記されている。
[0027]次に、本発明の様々な実施形態が詳細に参照され、そのうちの1つまたは複数の例が以下で明記される。個々の例は、本発明の非制限の説明によって提供される。実際、本発明の範囲または精神を逸脱することなく、様々な修正および変更が本発明に加えられ得ることは当業者には明らかであろう。例えば一実施形態の一部として図解され、あるいは説明されている特徴は、別の実施形態上で使用されてもよく、それによりさらに他の実施形態が得られる。したがって本発明は、このような修正および変更を特許請求の範囲およびそれらの等価物の範囲内として包含することが意図されている。
Claims (24)
- 複数の容量素子を有する多端子多層セラミックデバイスであって、
集積容量構造を形成するための電極層を含む協働する複数の層を有するボディと、
2つのそれぞれのコンデンサの分割フィードスルー型構造を形成する前記電極層の第1の領域と、
多層セラミックコンデンサのオーバラップ型構造を形成する前記電極層の第2の領域と、
前記ボディの外部の、反対の極性を有する第1の対の終端部と、
前記ボディの外部の、同じ極性を有する第2の対の終端部と
を備え、
前記第1の対の終端部が前記第2の領域コンデンサと直列接続であり、前記第1の対の終端部、および前記第2の対の終端部のうちの少なくとも一方が、前記第1の領域の前記2つのそれぞれのコンデンサとそれぞれ並列接続であり、したがって複数の容量素子が単一のパッケージデバイスに集積される、多端子多層セラミックデバイス。 - 前記電極層の前記第1の領域が、前記第2の対の終端部とそれぞれ接触するそれぞれの前面延在エッジおよび背面延在エッジを有する概ね十字形の層の互いに反対側に位置し、前記第1の対の終端部とそれぞれ接触する側面延在エッジを有する少なくとも一対の層を備える、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 前記電極層の前記第2の領域が、オーバラップ構成で少なくとも対にされた交互層を備え、前記交互層のそれぞれの延在部分が前記第1の対の終端部のそれぞれと接触する、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 前記第1の領域の前記2つのそれぞれのコンデンサが互いに直列であり、いずれも前記第2の領域の前記多層セラミックコンデンサと並列である、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 前記第1の対の終端部および第2の対の終端部が、前記ボディのそれぞれの反対側の対の側面に配置され、前記デバイスのための表面実装デバイス(SMD)構成を形成するために、それぞれそこから前記ボディの指定された底面に巻き付く、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 前記第1の対の終端部にそれぞれ取り付けられた第1のリード線および第2のリード線、および前記第2の対の終端部のうちの少なくとも一方に取り付けられた第3のリード線をさらに含む、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 2つのそれぞれの追加コンデンサの分割フィードスルー型構造を形成する前記電極層の第3の領域
をさらに備え、
前記第1の対の終端部、および前記第2の対の終端部のうちの少なくとも一方が、前記第3の領域の前記2つのそれぞれの追加コンデンサとそれぞれ並列接続である、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。 - 前記電極層の前記第2の領域が前記電極層の前記第1の領域と第3の領域の間に存在する、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 前記ボディが、一対の比較的細長い側面および一対の比較的より短い側面を有し、
前記第1の対の終端部がそれぞれ前記対の比較的細長い側面に存在し、
前記第2の対の終端部がそれぞれ前記対の比較的より短い側面に存在する、
請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。 - 前記第1の層の前記対の層が、それぞれ、前記第1の層の前記概ね十字形の層との異なるオーバラップ面積を有し、したがって前記第1の領域の前記それぞれのコンデンサに対して異なるキャパシタンス値をもたらす、請求項2に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 2つのそれぞれの追加コンデンサの分割フィードスルー型構造を形成する前記電極層の第3の領域であって、前記第2の対の終端部とそれぞれ接触するそれぞれの前面延在エッジおよび背面延在エッジを有し、前記第1の対の終端部とそれぞれ接触する側面延在エッジを有する少なくとも一対の層を備える第3の領域 をさらに備え、
前記第3の層の前記対の層が、それぞれ、前記第3の層の前記概ね十字形の層との異なるオーバラップ面積を有し、したがって前記第3の領域の前記それぞれの追加コンデンサに対して異なるキャパシタンス値をもたらす、請求項10に記載の多端子多層セラミックデバイス。 - 前記第2の領域の前記電極層が、比較的大きいキャパシタンス値オーバラップ型多層セラミックコンデンサを形成するための比較的広い面積を含む、請求項1に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- 一対の外部終端部を有する離散バリスタが前記デバイスに対して積み重ねられ、前記第1のリード線および第2のリード線がそれぞれ前記バリスタの前記対の外部終端部に取り付けられ、したがって前記デバイスおよび前記離散バリスタが並列に接続される、請求項6に記載の多端子多層セラミックデバイス。
- バリスタ機能を有する集積コンデンサフィルタであって、
複数の容量素子を有する離散多端子多層セラミックコンデンサデバイスであって、集積容量構造を形成することになる電極層を含む協働する複数の層を有するボディと、前記ボディの外部の、反対の極性を有する第1の対のコンデンサデバイス終端部と、前記ボディの外部の、同じ極性を有する第2の対のコンデンサデバイス終端部と、2つのそれぞれのコンデンサを形成する前記電極層の第1の領域と、前記第1の対の終端部の間に直列接続で受け取られる多層セラミックコンデンサを形成する前記電極層の第2の領域とを備える、離散多端子多層セラミックコンデンサデバイスと、
ボディを備える離散バリスタであって、前記バリスタボディの外部に反対の極性を有する一対のバリスタ終端部を有する離散バリスタと、
それぞれ前記第1の対のコンデンサデバイス終端部および前記一対のバリスタ終端部に取り付けられた第1のリード線および第2のリード線と、
前記第2の対のコンデンサデバイス終端部のうちの少なくとも一方に取り付けられた第3のリード線と
を備える集積コンデンサフィルタ。 - 前記第1の対のコンデンサデバイス終端部、および前記第2の対のコンデンサデバイス終端部のうちの少なくとも一方が前記第1の領域の前記2つのそれぞれのコンデンサとそれぞれ並列接続である、請求項14に記載のバリスタ機能を有する集積コンデンサフィルタ。
- 前記電極層の前記第1の領域が前記2つのそれぞれのコンデンサの分割フィードスルー型構造を形成し、
前記電極層の前記第2の領域が前記多層セラミックコンデンサのオーバラップ型構造を形成する、請求項14に記載のバリスタ機能を有する集積コンデンサフィルタ。 - 複数の容量素子を有する多端子多層セラミックデバイスを提供するための方法であって、
集積容量構造を形成するために使用される電極層を含む協働する複数の層を有するボディを提供するステップと、
前記電極層の指定された第1の領域に2つのそれぞれのコンデンサの分割フィードスルー型構造を形成するステップと、
前記電極層の指定された第2の領域に多層セラミックコンデンサのオーバラップ型構造を形成するステップと、
前記ボディの一対のそれぞれの反対側の面の外部に第1の対の終端部を加えるステップであって、前記第2の領域コンデンサが前記第1の対の終端部の間に直列に接続される、加えるステップと、
前記ボディの別の対のそれぞれの反対側の面の少なくとも一部の外部に、同じ極性を有する第2の対の終端部を加えるステップであって、前記第2の対の終端部および前記第1の対の終端部のうちの少なくとも一方の対の終端部がそれぞれ前記第1の領域の前記2つのそれぞれのコンデンサと並列に接続され、したがって複数の容量素子が単一のパッケージデバイスに集積される、加えるステップと
を含む方法。 - 前記電極層の前記第1の領域が、前記第2の対の終端部とそれぞれ接触するそれぞれの前面延在エッジおよび背面延在エッジを有する概ね十字形の層の互いに反対側に位置し、前記第1の対の終端部とそれぞれ接触する側面延在エッジを有する少なくとも一対の層を備え、
前記電極層の前記第2の領域が、オーバラップ構成で少なくとも対にされた交互層を備え、前記交互層のそれぞれの延在部分が前記第1の対の終端部のそれぞれと接触する、
請求項17に記載の方法。 - 前記第1の対の終端部および第2の対の終端部が、前記デバイスのための表面実装デバイス(SMD)構成を形成するために、それぞれ前記ボディの指定された底面に巻き付く、請求項17に記載の方法。
- 前記電極層の指定された第3の領域の2つのそれぞれのコンデンサの別の分割フィードスルー型構造を形成するステップをさらに含み、前記第3の領域の前記2つのそれぞれのコンデンサが、前記第2の対の終端部および前記第1の対の終端部のうちの少なくとも一方の終端部に対してそれぞれ並列に接続される、請求項17に記載の方法。
- 前記第1の層の前記概ね十字形の層とのそれぞれ異なるオーバラップ面積を有する前記第1の層の前記対の層を提供するステップをさらに含み、したがって前記第1の領域の前記それぞれのコンデンサに対して異なるキャパシタンス値をもたらす、請求項18に記載の方法。
- 前記電極層の指定された第3の領域の2つのそれぞれの追加コンデンサの分割フィードスルー型構造を形成するステップをさらに含み、前記第3の領域が前記第2の対の終端部とそれぞれ接触するそれぞれの前面延在エッジおよび背面延在エッジを有し、前記第1の対の終端部とそれぞれ接触する側面延在エッジを有する少なくとも一対の層を備える、請求項17に記載の方法。
- 第1のリード線および第2のリード線をそれぞれ前記第1の対の終端部に取り付けるステップと、第3のリード線を前記第2の対の終端部のうちの少なくとも一方に取り付けるステップとをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記デバイスに対して、一対の外部終端部を有する離散バリスタを積み重ねるステップをさらに含み、前記第1のリード線および第2のリード線がそれぞれ前記バリスタの前記対の外部終端部に取り付けられ、したがって前記デバイスおよび前記離散バリスタが並列に接続される、請求項23に記載の方法。
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