JP2020193250A - 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020193250A JP2020193250A JP2019098441A JP2019098441A JP2020193250A JP 2020193250 A JP2020193250 A JP 2020193250A JP 2019098441 A JP2019098441 A JP 2019098441A JP 2019098441 A JP2019098441 A JP 2019098441A JP 2020193250 A JP2020193250 A JP 2020193250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- component
- heat
- conductive silicone
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
- C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
- C09K5/14—Solid materials, e.g. powdery or granular
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
- C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0806—Silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/006—Additives being defined by their surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/014—Additives containing two or more different additives of the same subgroup in C08K
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/016—Additives defined by their aspect ratio
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
- H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
従って、この熱を放熱する多くの方法が提案されている。特に発熱量の多い電子部品では、電子部品とヒートシンク等の部材の間に熱伝導性グリースや熱伝導性シートの熱伝導性材料を介在させて熱を逃がす方法が提案されている。
窒化アルミニウムの熱伝導率は70〜270W/mKであり、これより熱伝導性の高い材料として熱伝導率900〜2,000W/mKのダイヤモンドがある。特許文献5には、シリコーン樹脂に、ダイヤモンド、酸化亜鉛、分散剤を用いた熱伝導性シリコーン組成物が開示されている。
更には熱伝導率の高い銀粉末を充填剤として用いていることが特許文献8〜12等にも開示されている。
上記の中には高い熱伝導率を示すものもあるが、圧縮時の最小厚み(BLT)が厚く、熱抵抗が高い。一方で熱抵抗の低いものは加熱硬化後の硬度が高く、電子部品に適用した場合、剥離しやすく信頼性に欠ける。従って、いずれの熱伝導性材料や熱伝導性グリースも、最近のCPU等の集積回路素子の発熱量には不十分なものとなってきている。
(A)ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)ケイ素原子に結合した水素原子を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:全組成物中のアルケニル基1モル当たり(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子の量が0.2〜10モルとなる量、
(C)ヒドロシリル化反応用触媒:(A)及び(B)成分の合計量に対して触媒金属元素に換算して質量基準で0.1〜2,000ppm、
(D)タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下であり、かつアスペクト比が1〜30である銀粉末:300〜2,000質量部、
(E)平均粒径が3μm〜50μmである天然黒鉛粉末又は人造黒鉛粉末:0.3〜100質量部
この半導体装置は、発熱性電子部品で発生した熱の放熱体への熱伝導性が高いものである。
この半導体装置の製造方法により、発熱性電子部品で発生した熱の放熱体への熱伝導性が高い半導体装置を製造できる。
(A)ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)ケイ素原子に結合した水素原子を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:全組成物中のアルケニル基1モル当たり(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子の量が0.2〜10モルとなる量、
(C)ヒドロシリル化反応用触媒:(A)及び(B)成分の合計量に対して触媒金属元素に換算して質量基準で0.1〜2,000ppm、
(D)タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下であり、かつアスペクト比が1〜30である銀粉末:300〜2,000質量部、
(E)平均粒径が3μm〜50μmである天然黒鉛粉末又は人造黒鉛粉末:0.3〜100質量部
<オルガノポリシロキサン>
(A)成分のオルガノポリシロキサンは本発明の組成物のベースポリマーであり、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個含有する。
(A)成分の分子構造としては、例えば、直鎖状構造、環状構造が挙げられ、これらの構造は分岐を有していてもよいが、主鎖が基本的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキサンが(A)成分として好ましく用いられる。
本発明の組成物中、(A)成分を4〜25質量%含有することが好ましい。
(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、(A)成分と反応し架橋剤として作用する。(B)成分の分子構造に特に制限はなく、例えば、線状、環状、分岐状、三次元網状構造(樹脂状)等の従来公知の各種のオルガノハイドロジェンポリシロキサンを使用することができる。
(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中に2個以上、好ましくは3個以上(通常、3〜500個、好ましくは3〜200個、より好ましくは3〜100個程度)のケイ素原子に結合した水素原子(即ち、ヒドロシリル基またはSiH基)を有する。(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンが線状構造を有する場合、これらのSiH基は、分子鎖末端および分子鎖末端でない部分のどちらか一方にのみ位置していても、その両方に位置していてもよい。
R3 aHbSiO(4−a−b)/2 (1)
(式中、R3は、脂肪族不飽和基を除く、非置換または置換の炭素原子数が好ましくは1〜14、より好ましくは1〜10のケイ素原子に結合した一価炭化水素基であり、aおよびbは、好ましくは0.7≦a≦2.1、0.001≦b≦1.0、かつ0.8≦a+b≦3.0、より好ましくは0.9≦a≦2.0、0.01≦b≦1.0、かつ1.0≦a+b≦2.5を満足する正数である)
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンが用いられる。
上記R3としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基;これらの炭化水素基中の水素原子の一部または全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子で置換した基、例えば、クロロメチル基、3−クロロプロピル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等が挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
(C)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、(A)成分中のアルケニル基と、(B)成分中のSiH基との付加反応を促進するものであれば、いかなる触媒を使用してもよい。例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィン類、ビニルシロキサンもしくはアセチレン化合物との配位化合物等の白金系触媒;テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等のパラジウム系触媒;クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム等のロジウム系触媒が(C)成分として使用されるが、好ましくは白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体等の白金系触媒である。
(D)成分は、タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下であり、かつアスペクト比が1〜30の銀粉末である。
(D)成分の銀粉末のタップ密度が、3.0g/cm3より小さいと(D)成分の組成物への充填率が上げられなくなり、組成物の粘度が上がってしまい、作業性が悪くなるため、3.0g/cm3〜8.0g/cm3の範囲が好ましく、4.5g/cm3〜8.0g/cm3の範囲がより好ましく、5.5g/cm3〜8.0g/cm3の範囲が更に好ましい。
また、比表面積は、銀粉末約2gをサンプルにとり、60±5℃で10分間脱ガスした後、比表面積自動測定装置(DET法)にて総表面積を測定し、その後、サンプル量をはかり、下記式(2)で計算し、算出したものである。
比表面積(m2/g)=総表面積(m2)/サンプル量(g) (2)
本発明で用いる銀粉末の製造方法としては、特に限定されないが、例えば電解法、粉砕法、熱処理法、アトマイズ法、還元法等が挙げられる。
銀粉末は、上記方法で製造されたものをそのまま用いてもよく、上記数値範囲を満たす範囲で粉砕して用いてもよい。銀粉末を粉砕する場合、装置は特に限定されず、例えば、スタンプミル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミル、圧延ローラ、乳鉢等の公知の装置を用いることができる。なかでも、スタンプミル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミルが好ましい。
(E)成分は平均粒径が3μm〜50μmである天然黒鉛粉末又は人造黒鉛粉末である。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、特定の粒径範囲の黒鉛粉末を含むことにより、加圧加熱硬化後の熱抵抗と硬度が低く、放熱性と信頼性が良好なものとなる。これは黒鉛粉末が熱伝導経路の形成を阻害することなく、銀粉末の過度な焼結を抑制するためである。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、上記の(A)〜(E)成分に加えて任意の成分として、以下の成分を含有してもよい。
本発明の組成物において、上記の(A)〜(E)成分に加えて任意の成分として、付加反応触媒に対して硬化抑制効果を有するとされている従来公知のすべての硬化反応制御剤を使用することができる。このような化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィンなどのリン含有化合物、トリブチルアミンやテトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリアゾールなどの窒素含有化合物、硫黄含有化合物、1−エチニル−1−シクロヘキサノールなどのアセチレン系化合物、トリアリルイソシアヌル酸、ハイドロパーオキシ化合物、マレイン酸誘導体などが挙げられる。硬化反応制御剤による硬化遅延効果の度合は、硬化反応制御剤の化学構造によって大きく異なる。従って、硬化反応制御剤の配合量は、使用する硬化反応制御剤の個々について最適な量に調整すべきであるが、そのような調整は当業者に周知の方法によって容易に行うことができる。一般には、該配合量が少なすぎると室温において本発明組成物の長期貯蔵安定性が得られず、逆に該配合量が多すぎると該組成物の硬化が阻害される。
(D)成分及び(E)成分以外の配合可能な無機化合物粉末及び有機化合物材料としては、
アルミニウム、金、銅、ニッケル、インジウム、ガリウム、金属ケイ素等の金属粉末;
ダイヤモンド粉末;
炭素繊維等のカーボン材料;
酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、アルミナ、酸化鉄、二酸化ケイ素(ヒュームドシリカ、結晶性シリカ、沈降性シリカ等)等の金属酸化物粉末;
水酸化アルミニウム等の金属水酸化物粉末;
窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の窒化物粉末;
炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛等の炭酸塩;
中空フィラー;シルセスキオキサン;層状マイカ;ケイ藻土;ガラス繊維;シリコーンゴムパウダー;シリコーンレジンパウダー等が挙げられる。
更に、本発明の組成物には、その他の任意の成分として、例えば、ケイ素原子に結合した水素原子またはアルケニル基を一分子中に一個含有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子に結合した水素原子およびアルケニル基のどちらをも含有しないオルガノポリシロキサン、有機溶剤、耐熱性付与剤、難燃性付与剤、可塑剤、チキソトロピー付与剤、染料、防かび剤等が含まれていてもよい。
本発明のシリコーン組成物の製造方法は、従来公知のシリコーン組成物の製造方法に従えばよく、特に制限されるものでない。例えば、上記(A)〜(E)成分、並びに必要に応じてその他の成分を、トリミックス、ツウィンミックス、プラネタリミキサー(いずれも井上製作所(株)製混合機、登録商標)、ウルトラミキサー(みずほ工業(株)製混合機、登録商標)、ハイビスディスパーミックス(プライミクス(株)製混合機、登録商標)等の混合機にて10分〜4時間混合することにより製造することができる。また、必要に応じて、50〜200℃の範囲の温度で加熱しながら混合してもよい。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、25℃にて測定される絶対粘度が10〜600Pa・sのものが好ましく、15〜500Pa・sのものがより好ましく、15〜400Pa・sであるものが更に好ましい。絶対粘度が上記範囲内であることにより良好なグリースを提供でき、また組成物の作業性にも優れる。該絶対粘度は、各成分を上述した配合量で調製することにより得ることができる。上記絶対粘度は、例えば株式会社マルコム社製の型番PC−1TL(10rpm)を用いて測定した結果である。
上記のようにして得られる熱伝導性シリコーン組成物を、0.01MPa以上の圧力をかけた状態で80℃以上に加熱することで本発明の熱伝導性シリコーン組成物は硬化する。こうして得られた硬化物の性状は限定されないが、例えば、ゲル状、低硬度のゴム状、又は高硬度のゴム状が挙げられる。
本発明の半導体装置は、発熱性電子部品の表面と放熱体との間に、本発明の熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が介在するものである。本発明の熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を10〜500μmの厚さで介在させることが好ましい。
代表的な構造を図1に示すが本発明はこれに限定されるものではない。基板1上に搭載されたCPU等の発熱性電子部品2とリッド等の放熱体4の間に本発明の熱伝導性シリコーン組成物の硬化物3が介在している。発熱性電子部品2で発生した熱は前記硬化物3を介して放熱体4に伝わり、外部に放熱される。
本発明の半導体装置を製造する方法は、本発明の熱伝導性シリコーン組成物を、発熱性電子部品と放熱体との間で、0.01MPa以上の圧力をかけた状態で80℃以上に加熱する工程を有する。この際、かける圧力は、0.05MPa〜100MPaであることが好ましく、0.1MPa〜100MPaであることがより好ましい。加熱する温度は、好ましくは100℃〜300℃であり、より好ましくは120℃〜300℃であり、更に好ましくは140℃〜300℃である。
粘度、熱抵抗及びAsker C硬度の測定は次のように行った。
組成物の絶対粘度は、マルコム粘度計(タイプPC−1TL)を用いて25℃で測定した。
φ12.7mmのアルミニウム板2枚の間に、各組成物を挟み込み、0.35Mpaの圧力をかけた状態で150℃のオーブンに90分間装入して各組成物を加熱硬化させ、熱抵抗測定用の試験片を作製し、熱抵抗を測定した。なお、この熱抵抗測定はナノフラッシュ(ニッチェ社製、LFA447)により行った。
下記表1〜3に記載の実施例1〜14及び比較例1〜6の各組成物を12mm厚の型に流し込み、0.35MPaの圧力をかけた状態で150℃に加熱した後、バーレイス社製の自動硬度計デジテストIIにより、いずれも25℃においてAsker C硬度を測定した。
(A)成分:両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、25℃における動粘度が600mm2/sのジメチルポリシロキサン
(D−1):タップ密度が6.6g/cm3、比表面積が0.28m2/g、アスペクト比が8の銀粉末
(D−2):タップ密度が6.0g/cm3、比表面積が0.91m2/g、アスペクト比が3の銀粉末
(D−3):タップ密度が3.0g/cm3、比表面積が2.0m2/g、アスペクト比が30の銀粉末
(E−1):平均粒径が18μmの鱗片状天然黒鉛
(E−2):平均粒径が4μmの鱗片状天然黒鉛
(E−3):平均粒径が48μmの鱗片状天然黒鉛
(E−4):平均粒径が10μmの塊状天然黒鉛
(E−5):平均粒径が10μmの板状人造黒鉛
(E−6)(比較例):平均粒径が2μmの鱗片状天然黒鉛
(E−7)(比較例):平均粒径が55μmの鱗片状天然黒鉛
下記表1〜3に示す組成で、次のように混合して実施例1〜14及び比較例1〜6の組成物を得た。
即ち、5リットルプラネタリーミキサー(井上製作所(株)社製)に(A)及び(D)成分を取り、(C)、(E)及び(F)成分を加え25℃で1.5時間混合した。次に、(B)成分を加えて均一になるように混合し、得られた組成物について上記の試験を行った。結果を表1〜3に示す。
3・・・熱伝導性シリコーン組成物の硬化物層、4・・・放熱体(リッド)。
Claims (3)
- 下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)成分を含有する熱伝導性シリコーン組成物。
(A)ケイ素原子に結合したアルケニル基を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)ケイ素原子に結合した水素原子を1分子中に少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:全組成物中のアルケニル基1モル当たり(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子の量が0.2〜10モルとなる量、
(C)ヒドロシリル化反応用触媒:(A)及び(B)成分の合計量に対して触媒金属元素に換算して質量基準で0.1〜2,000ppm、
(D)タップ密度が3.0g/cm3以上であり、比表面積が2.0m2/g以下であり、かつアスペクト比が1〜30である銀粉末:300〜2,000質量部、
(E)平均粒径が3μm〜50μmである天然黒鉛粉末又は人造黒鉛粉末:0.3〜100質量部 - 発熱性電子部品と放熱体とを備えている半導体装置であって、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に請求項1に記載の熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が介在しているものであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の熱伝導性シリコーン組成物を発熱性電子部品と放熱体との間で0.01MPa以上の圧力をかけた状態で80℃以上に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098441A JP7076400B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 |
US17/607,133 US20220213370A1 (en) | 2019-05-27 | 2020-04-06 | Thermal conductive silicone composition, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
KR1020217037727A KR20220012850A (ko) | 2019-05-27 | 2020-04-06 | 열전도성 실리콘 조성물, 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
CN202080037748.2A CN113853676A (zh) | 2019-05-27 | 2020-04-06 | 导热性有机硅组合物、半导体装置及其制造方法 |
EP20813307.4A EP3979314A4 (en) | 2019-05-27 | 2020-04-06 | HEAT-CONDUCTING SILICONE COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF |
PCT/JP2020/015462 WO2020241054A1 (ja) | 2019-05-27 | 2020-04-06 | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 |
TW109111940A TWI834860B (zh) | 2019-05-27 | 2020-04-09 | 熱傳導性矽氧組成物、半導體裝置及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098441A JP7076400B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020193250A true JP2020193250A (ja) | 2020-12-03 |
JP2020193250A5 JP2020193250A5 (ja) | 2022-01-06 |
JP7076400B2 JP7076400B2 (ja) | 2022-05-27 |
Family
ID=73547811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019098441A Active JP7076400B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220213370A1 (ja) |
EP (1) | EP3979314A4 (ja) |
JP (1) | JP7076400B2 (ja) |
KR (1) | KR20220012850A (ja) |
CN (1) | CN113853676A (ja) |
WO (1) | WO2020241054A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116284946A (zh) | 2017-02-08 | 2023-06-23 | 埃肯有机硅美国公司 | 具有改进的热管理的二次电池组 |
CN117580912A (zh) * | 2021-07-02 | 2024-02-20 | 信越化学工业株式会社 | 热传导性有机硅组合物、半导体装置及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299534A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Denso Corp | 放熱材およびその製造方法 |
WO2017159252A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639591B2 (ja) | 1988-12-05 | 1994-05-25 | 信越化学工業株式会社 | シリコーングリース組成物 |
US5011870A (en) | 1989-02-08 | 1991-04-30 | Dow Corning Corporation | Thermally conductive organosiloxane compositions |
JP3130193B2 (ja) | 1993-10-06 | 2001-01-31 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | シリコーンゴム用銀粉末、その製造方法、およびシリコーンゴム組成物 |
JP3142800B2 (ja) | 1996-08-09 | 2001-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース |
JP2930298B1 (ja) | 1998-08-18 | 1999-08-03 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性グリース組成物 |
JP3948642B2 (ja) | 1998-08-21 | 2007-07-25 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置 |
JP3677671B2 (ja) | 1999-04-30 | 2005-08-03 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | シリコーンゴム用銀粉末の製造方法 |
JP2002030217A (ja) | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Fujitsu Ltd | 熱伝導性シリコーン組成物 |
JP2004111253A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Noda Screen:Kk | 電子デバイスの電気的接続用導電性組成物および電子デバイス |
JP3130193U (ja) | 2006-12-28 | 2007-03-15 | ライオン株式会社 | エアゾール缶用押しボタン |
JP2008222776A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
JP6318137B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-04-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電性ペースト及び導電膜 |
EP3150672B1 (en) | 2015-10-02 | 2018-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal conductive silicone composition and semiconductor device |
JP2017159252A (ja) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 株式会社キャタラー | 排ガス浄化用触媒 |
JP6610491B2 (ja) | 2016-10-03 | 2019-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
-
2019
- 2019-05-27 JP JP2019098441A patent/JP7076400B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-06 CN CN202080037748.2A patent/CN113853676A/zh active Pending
- 2020-04-06 EP EP20813307.4A patent/EP3979314A4/en not_active Withdrawn
- 2020-04-06 US US17/607,133 patent/US20220213370A1/en active Pending
- 2020-04-06 WO PCT/JP2020/015462 patent/WO2020241054A1/ja unknown
- 2020-04-06 KR KR1020217037727A patent/KR20220012850A/ko unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299534A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Denso Corp | 放熱材およびその製造方法 |
WO2017159252A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202106810A (zh) | 2021-02-16 |
EP3979314A1 (en) | 2022-04-06 |
WO2020241054A1 (ja) | 2020-12-03 |
JP7076400B2 (ja) | 2022-05-27 |
EP3979314A4 (en) | 2023-08-09 |
CN113853676A (zh) | 2021-12-28 |
KR20220012850A (ko) | 2022-02-04 |
US20220213370A1 (en) | 2022-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6705426B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
KR20170040107A (ko) | 열전도성 실리콘 조성물 및 반도체 장치 | |
EP3533839B1 (en) | Thermally-conductive silicone composition | |
JP5843364B2 (ja) | 熱伝導性組成物 | |
WO2014188667A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP6610491B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
JP5947267B2 (ja) | シリコーン組成物及び熱伝導性シリコーン組成物の製造方法 | |
JP7082563B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物の硬化物 | |
WO2020241054A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2016079378A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物 | |
WO2020129555A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
WO2020137332A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
EP4155347A1 (en) | Highly thermally-conductive silicone composition | |
JP2005325212A (ja) | 熱伝導性シリコーンゴム組成物及び成型品 | |
JP7271411B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 | |
TWI834860B (zh) | 熱傳導性矽氧組成物、半導體裝置及其製造方法 | |
JP6965869B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
JP6965870B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
WO2023276846A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2023049417A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物の製造方法 | |
JP2021191823A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2022264715A1 (ja) | 熱伝導性ポリシロキサン組成物 | |
TW202340377A (zh) | 導熱性矽氧組成物 | |
KR20240021236A (ko) | 열전도성 폴리실록산 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7076400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |