JP2021191823A - 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な放熱効果を奏する熱伝導性シリコーン組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）平均組成式（１）Ｒ１ａＳｉＯ（４−ａ）／２（１）〔式中、Ｒ１は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１８の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される１種若しくは２種以上の基を示し、ａは１．８≦ａ≦２．２である。〕で表されるオルガノポリシロキサン（Ｂ）タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ３以上であり、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以下であり、かつアスペクト比が、２．０〜１５０．０である銀粉末（Ｃ）平均粒径が０．１〜１００μｍであり、２０〜２００Ｗ／ｍ℃の熱伝導率を有する熱伝導性充填材（Ｄ）触媒を含有し、かつ、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）の組成物中の合計含有量が８５％以上のものであって、成分（Ｄ）は白金系触媒、有機過酸化物触媒、又は縮合反応用触媒である熱伝導性シリコーン組成物。【選択図】図１

Description

本発明は、熱伝導性に優れたシリコーン組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。

電子部品の多くは使用中に熱が発生するので、その電子部品を適切に機能させるためには、その電子部品から熱を取り除くことが必要である。特にパーソナルコンピューターに使用されているＣＰＵ等の集積回路素子は、動作周波数の高速化により発熱量が増大しており、熱対策が重要な問題となっている。

この熱を除去する手段として多くの方法が提案されている。特に発熱量の多い電子部品では、電子部品とヒートシンク等の部材の間に熱伝導性グリースや熱伝導性シートのような熱伝導性材料を介在させて熱を逃がす方法が提案されている。

特許文献１には、特定のオルガノポリシロキサンに一定粒径範囲の球状六方晶系窒化アルミニウム粉末を配合したシリコーングリース組成物が、特許文献２には、粒径の細かい窒化アルミニウム粉末と粒径の粗い窒化アルミニウム粉末を組み合わせた熱伝導性シリコーングリースが、特許文献３には、窒化アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末を組み合わせた熱伝導性シリコーングリースが、特許文献４には、オルガノシランで表面処理した窒化アルミニウム粉末を用いた熱伝導性グリース組成物が開示されている。

窒化アルミニウムの熱伝導率は７０〜２７０Ｗ／ｍＫであり、これより熱伝導性の高い材料として熱伝導率９００〜２，０００Ｗ／ｍＫのダイヤモンドがある。特許文献５には、シリコーン樹脂に、ダイヤモンド、酸化亜鉛、分散剤を用いた熱伝導性シリコーン組成物が開示されている。

また、特許文献６や特許文献７には、シリコーンオイル等の基油に金属アルミニウム粉末を混合した熱伝導性グリース組成物が開示されている。

更には熱伝導率の高い銀粉末を充填剤として用いている特許文献８、特許文献９なども開示されている。

上記の中には高い熱伝導率を示すものもあるが、圧縮時の最小厚み（ＢＬＴ）が厚く、熱抵抗が高い。一方で熱抵抗の低いものはＢＬＴが薄く、ヒートサイクル後の熱抵抗が悪化してしまい、信頼性に欠ける。従って、いずれの熱伝導性材料や熱伝導性グリースも、最近のＣＰＵ等の集積回路素子の発熱量には不十分なものとなってきている。

特開平２−１５３９９５号公報 特開平３−１４８７３号公報 特開平１０−１１０１７９号公報 特開２０００−６３８７２号公報 特開２００２−３０２１７号公報 特開２０００−６３８７３号公報 特開２００８−２２２７７６号公報 特許３１３０１９３号公報 特許３６７７６７１号公報

従って、本発明の目的は、良好な放熱効果を奏する熱伝導性シリコーン組成物を提供することにある。

上記課題を達成するために、本発明では、熱伝導性シリコーン組成物であって、
（Ａ）下記平均組成式（１）
Ｒ^１ _ａＳｉＯ_{（４−ａ）／２} （１）
〔式中、Ｒ¹は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１８の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される１種若しくは２種以上の基を示し、ａは１．８≦ａ≦２．２である。〕
で表される、２５℃における動粘度が１０〜１００，０００ｍｍ^２／ｓのオルガノポリシロキサン
（Ｂ）タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であり、比表面積が２．０ｍ^２/ｇ以下であり、かつアスペクト比が、２．０〜１５０．０である銀粉末：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、３００〜１１，０００質量部
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１００μｍであり、２０〜２００Ｗ/ｍ℃の熱伝導率を有する前記成分（Ｂ）以外の熱伝導性充填材：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、１０〜２，７５０質量部
（Ｄ）触媒：触媒量
を含有し、かつ、前記成分（Ｂ）と前記成分（Ｃ）の組成物中の合計含有量が８５％以上のものであって、
前記成分（Ｄ）は白金系触媒、有機過酸化物触媒、又は縮合反応用触媒であり、
前記成分（Ｄ）が白金系触媒のとき、前記成分（Ａ）の全部又は一部が、成分（Ａ１）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン及び、成分（Ａ２）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであるオルガノポリシロキサンであり、
前記成分（Ｄ）が縮合反応用触媒のとき、前記成分（Ａ）が一分子中にヒドロキシ基を２個以上有するオルガノポリシロキサンを含むものである熱伝導性シリコーン組成物を提供する。

このようなものであれば、良好な放熱効果を奏する熱伝導性シリコーン組成物となる。

また、前記成分（Ｃ）のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であることが好ましい。

このような成分（Ｃ）とすることで、本発明の熱伝導性シリコーン組成物により好適に用いることができる。

また、前記成分（Ｃ）が、タップ密度が０．１ｇ／ｃｍ^３以上の酸化亜鉛粉末であることが好ましい。

このような成分（Ｃ）とすれば、本発明の熱伝導性シリコーン組成物をより取り扱い性に優れたものとすることができる。

また、前記成分（Ｂ）の質量αと前記成分（Ｃ）の質量βの質量比α／βが、３〜１５０であることが好ましい。

このようなものであれば、十分な熱伝導率が得られ、かつ、圧縮時における最小厚みが薄くなり過ぎることもない。

また、前記成分（Ａ）の全部又は一部が、成分（Ａ１）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン及び／又は、成分（Ａ２）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであってもよい。

本発明では、成分（Ａ）をこのようなものとするのが好ましい。

さらに、成分（Ｅ）として、下記一般式（２）
Ｒ^２ _ｂＳｉ（ＯＲ^３）_４−ｂ （２）
〔式中、Ｒ²は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される１種又は２種以上の基を示し、Ｒ³は一価炭化水素基を示し、ｂは１≦ｂ≦３である。〕
で表されるオルガノシランを、前記成分（Ａ）１００質量部に対して０〜２０質量部含むものであってもよい。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物には、このようなオルガノシランを必要に応じて添加することができる。

また、本発明では、発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置であって、
前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に、上記の熱伝導性シリコーン組成物から形成された硬化膜が介在しているものである半導体装置を提供する。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、このような半導体装置に好適に用いることができる。

また、本発明では、発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置の製造方法であって、上記の熱伝導性シリコーン組成物を、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間で、０．０１ＭＰａ以上の圧力を掛けた状態で８０℃以上に加熱する工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の半導体装置は、このような方法で製造することができる。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、優れた熱伝導性、即ち良好な放熱効果を有するため、半導体装置に有用である。

本発明の半導体装置の一例を示す縦断面概略図である。

上述のように、良好な放熱効果を奏する熱伝導性シリコーン組成物の開発が求められていた。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、特定のタップ密度、及び比表面積を持つ銀粉末と特定の粒径の熱伝導性充填材を特定のオルガノポリシロキサン中に混合することで熱伝導性が飛躍的に向上することを見出し本発明を完成した。

即ち、本発明は、熱伝導性シリコーン組成物であって、
（Ａ）下記平均組成式（１）
Ｒ^１ _ａＳｉＯ_{（４−ａ）／２} （１）
〔式中、Ｒ¹は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１８の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される１種若しくは２種以上の基を示し、ａは１．８≦ａ≦２．２である。〕
で表される、２５℃における動粘度が１０〜１００，０００ｍｍ^２／ｓのオルガノポリシロキサン
（Ｂ）タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であり、比表面積が２．０ｍ^２/ｇ以下であり、かつアスペクト比が、２．０〜１５０．０である銀粉末：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、３００〜１１，０００質量部
（Ｃ）平均粒径が０．１〜１００μｍであり、２０〜２００Ｗ/ｍ℃の熱伝導率を有する前記成分（Ｂ）以外の熱伝導性充填材：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、１０〜２，７５０質量部
（Ｄ）触媒：触媒量
を含有し、かつ、前記成分（Ｂ）と前記成分（Ｃ）の組成物中の合計含有量が８５％以上のものであって、
前記成分（Ｄ）は白金系触媒、有機過酸化物触媒、又は縮合反応用触媒であり、
前記成分（Ｄ）が白金系触媒のとき、前記成分（Ａ）の全部又は一部が、成分（Ａ１）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン及び、成分（Ａ２）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであるオルガノポリシロキサンであり、
前記成分（Ｄ）が縮合反応用触媒のとき、前記成分（Ａ）が一分子中にヒドロキシ基を２個以上有するオルガノポリシロキサンを含むものである熱伝導性シリコーン組成物である。

以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜成分（Ａ）＞
成分（Ａ）のオルガノポリシロキサンは、下記平均組成式（１）
Ｒ^１ _ａＳｉＯ_{（４−ａ）／２} （１）
〔式中、Ｒ^１は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１８の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される１種若しくは２種以上の基を示し、ａは１．８≦ａ≦２．２である。〕
で表される、２５℃における動粘度が１０〜１００，０００ｍｍ^２／ｓのオルガノポリシロキサンである。

上記平均組成式（１）において、Ｒ^１で示される炭素数１〜１８の飽和又は不飽和の一価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、２−フェニルエチル基、２−メチル−２−フェニルエチル基等のアラルキル基、３，３，３−トリフロロプロピル基、２−（パーフロロブチル）エチル基、２−（パーフロロオクチル）エチル基、ｐ−クロロフェニル基等のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。

ａはシリコーングリース組成物として要求される稠度の観点から１．８〜２．２の範囲がよく、特に１．９〜２．１が好ましい。

また、本発明で使用するオルガノポリシロキサンの２５℃における動粘度は、１０ｍｍ^２／ｓより低いと組成物にした時にオイルブリードが出やすくなるし、１００，０００ｍｍ^２／ｓより大きくなると組成物にしたときの粘度が高くなることから取り扱い性が乏しくなるため、２５℃で１０〜１００，０００ｍｍ^２／ｓであることが必要であり、特に３０〜１０，０００ｍｍ^２／ｓであることが好ましい。なお、オルガノポリシロキサンの動粘度はオストワルド粘度計で測定した２５℃の値である。

＜＜成分（Ａ１）及び（Ａ２）＞＞
成分（Ａ）の全部又は一部は、成分（Ａ１）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン及び／又は、成分（Ａ２）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることが好ましい。

成分（Ａ１）のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンは、一分子中に平均２個以上（通常２〜５０個）、好ましくは２〜２０個、より好ましくは２〜１０個程度のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するものである。成分（Ａ１）のオルガノポリシロキサンのアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基等が挙げられ、特に、ビニル基が好ましい。成分（Ａ１）のアルケニル基の結合位置としては、例えば、分子鎖末端及び／又は分子鎖側鎖が挙げられる。

成分（Ａ１）のオルガノポリシロキサンにおいて、アルケニル基以外のケイ素原子に結合する有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基などが挙げられ、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。

このような成分（Ａ１）の分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、環状、分岐鎖状、三次元網状等が挙げられるが、基本的に主鎖がジオルガノシロキサン単位（Ｄ単位）の繰り返しからなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキサン、直鎖状のジオルガノポリシロキサンと分岐鎖状あるいは三次元網状のオルガノポリシロキサンの混合物が好ましい。

成分（Ａ２）のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中に少なくとも２個（通常、２〜３００個）、好ましくは２〜１００個程度のケイ素原子に結合した水素原子（即ち、ＳｉＨ基）を有するものであり、直鎖状、分岐状、環状、或いは三次元網状構造の樹脂状物のいずれでもよい。成分（Ａ２）の水素原子の結合位置としては、例えば、分子鎖末端及び／又は分子鎖側鎖が挙げられる。

成分（Ａ２）のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、水素原子以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基などが挙げられ、就中、メチル基、フェニル基が好ましい。

また、（Ａ）成分は、一分子中にヒドロキシ基を２個以上有するオルガノポリシロキサンを含むものであってもよい。このとき、ヒドロキシ基を２個有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

＜成分（Ｂ）＞
成分（Ｂ）は、タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であり、比表面積が２．０ｍ^２／ｇ以下であり、かつアスペクト比が、２．０〜１５０．０の銀粉末である。

成分（Ｂ）の銀粉末のタップ密度は、３．０ｇ／ｃｍ^３より小さいと組成物の充填率が上げられなくなり、粘度が上がってしまい、作業性が悪くなるため、好ましくは３．０ｇ／ｃｍ^３〜１０．０ｇ／ｃｍ^３の範囲であり、より好ましくは４．５ｇ／ｃｍ^３〜１０．０ｇ／ｃｍ^３、さらに好ましくは６．０ｇ／ｃｍ^３〜１０．０ｇ／ｃｍ^３である。

比表面積は、２．０ｍ^２／ｇより大きいと組成物の充填率が上げられなくなり、粘度が上がってしまい、作業性が悪くなるため好ましくは０．０８ｍ^２／ｇ〜２．０ｍ^２／ｇの範囲であり、より好ましくは０．０８ｍ^２／ｇ〜１．０ｍ^２／ｇ、さらに好ましくは０．０８ｍ^２／ｇ〜０．５ｍ^２／ｇである。

尚、タップ密度は銀粉末１００ｇをはかり、ロートで１００ｍｌメスシリンダーに静かに落とした後、シリンダーをタップ密度測定器にのせて落差距離２０ｍｍ、６０回／分の速さで６００回落下させ、圧縮した銀粉末の容積を測定した値である。

また、比表面積はＢＥＴ法により求めた値とすることができる。例えば、銀粉末約２ｇをサンプルにとり、６０±５℃で１０分間脱ガスした後、比表面積自動測定装置（ＢＥＴ法）にて総表面積を測定する。その後、サンプル量をはかり、下記式（４）で計算し、比表面積を算出する。
比表面積（ｍ^２／ｇ）＝総表面積（ｍ^２）／サンプル量（ｇ） （４）

成分（Ｂ）の銀粉末のアスペクト比は２．０〜１５０．０であり、好ましくは３．０〜１００．０の範囲であり、より好ましくは３．０〜５０．０の範囲である。

アスペクト比とは、粒子の長径と短径の比率（長径／短径）をいう。その測定方法としては、たとえば粒子の電子顕微鏡写真を撮り、この写真から粒子の長径と短径を測定して、算出する事が出来る。

粒子の大きさは上面からの電子顕微鏡写真で測定でき、この上面の電子顕微鏡写真から大きい方の直径を長径として測定する。この長径に対して短径は粒子の厚さになる。粒子の厚さは上面からの電子顕微鏡写真では測定できない。粒子の厚さを測定するには、電子顕微鏡写真を撮る際に、粒子の載っている試料台を傾斜させて取り付け、上面から電子顕微鏡写真を撮り、試料台の傾きの角度で補正して粒子の厚さを算出すれば良い。

具体的には、電子顕微鏡で数千倍に拡大した写真を数枚撮影した後、粒子の長径及び短径を任意に１００個測定し、長径と短径の比（長径／短径）を算出して、平均値を求める。

成分（Ｂ）の銀粉末の粒径は特に限定されないが、平均粒径は０．２〜５０μｍの範囲が好ましく、特に１．０〜３０μｍの範囲が好ましい。

平均粒径は銀粉末をミクロスパテラで１〜２杯１００ｍｌビーカーにとり、イソプロピルアルコールを約６０ｍｌ入れて、超音波ホモジナイザーで１分間分散した後、レーザー回折式粒度分析計により測定できる体積基準の体積平均径［ＭＶ］である。なお、測定時間は３０秒で測定する。

本発明で用いる原料銀粉末の製造方法は、特に限定されないが、例えば電解法、粉砕法、熱処理法、アトマイズ法、還元法等が挙げられる。

銀粉末は上記数値範囲を満たす範囲で粉砕して用いてもよい。銀粉末を粉砕する場合、装置は特に限定されず、例えば、スタンプミル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミル、圧延ローラ、乳鉢等の公知の装置が挙げられる。好ましいのは、スタンプミル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミルである。

成分（Ｂ）の配合量は、成分（Ａ）１００質量部に対して、３００〜１１，０００質量部である。成分（Ａ）１００質量部に対して、３００質量部より小さいと得られる組成物の熱伝導率が悪くなり、１１，０００質量部より大きいと流動性が悪くなり取扱い性が悪くなる。好ましくは３００〜５，０００質量部、より好ましくは５００〜５，０００質量部の範囲である。

なお、本発明の熱伝導性シリコーン組成物においては、成分（Ｂ）と後述の成分（Ｃ）の組成物中の合計含有量は８５％以上である。８５％よりも低い場合には十分な熱伝導性を得ることができない。

＜成分（Ｃ）＞
成分（Ｃ）は、平均粒径が０．１〜１００μｍであり、２０〜２００Ｗ／ｍ℃の熱伝導率を有する成分（Ｂ）以外の熱伝導性充填材である。例えば、酸化亜鉛粉末、酸化マグネシウム粉末、アルミナ粉末、窒化ホウ素粉末、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末の中から選択される１種又は２種以上を挙げることができる。

成分（Ｃ）の熱伝導性充填材の平均粒径は、０．１μｍより小さいと得られる組成物の流動性が悪くなり取扱い性が悪くなる。また、１００μｍより大きいと得られる組成物の熱抵抗が高くなり、性能が低下してしまうため、０．１〜１００μｍの範囲がよく、好ましくは１０〜９０μｍ、より好ましくは１５〜７０μｍである。

なお、本発明において、成分（Ｃ）の熱伝導性充填材の平均粒径は、日装機（株）製マイクロトラックＭＴ３３０ＯＥＸにより測定できる体積基準の体積平均径［ＭＶ］である。

熱伝導率は、２０Ｗ／ｍ℃より小さいと組成物の熱伝導率が小さくなるため２０〜２０００Ｗ／ｍ℃の範囲がよく、好ましくは５０〜２００Ｗ／ｍ℃、より好ましくは１００〜２００Ｗ／ｍ℃である。なお、本発明において成分（Ｃ）の熱伝導性充填材の熱伝導率は、京都電子工業（株）製ＱＴＭ−５００により測定した値である。

この熱伝導性充填材は、成分（Ａ）１００質量部に対し１０質量部より少ないと得られる組成物の圧縮時における最小厚みが非常に薄くなり、ヒートサイクル後の熱抵抗が悪化してしまい、２，７５０質量部より多いと得られる組成物の粘度が上昇してしまい作業性が悪化してしまうため、１０〜２，７５０質量部の範囲であり、好ましくは３０〜１，０００質量部、より好ましくは４０〜５００質量部である。

成分（Ｃ）のアスペクト比は特に限定されないが、好ましくは１．０〜３．０がよく、より好ましくは１．０〜２．０の範囲がよく、さらに好ましくは１．０〜１．５の範囲がよい。成分（Ｃ）のアスペクト比は、上述の成分（Ｂ）で説明したのと同じ方法で求めることができる。

さらに、成分（Ｃ）の熱伝導性充填材は、タップ密度が０．１ｇ／ｃｍ^３以上の酸化亜鉛粉末が好ましい。成分（Ｃ）の酸化亜鉛粉末のタップ密度は、０．１ｇ／ｃｍ^３以上であれば得られる組成物の流動性が良好になり取扱い性がよくなる。好ましくは０．１ｇ／ｃｍ^３〜２．０ｇ／ｃｍ^３の範囲がよく、より好ましくは０．２ｇ／ｃｍ^３〜１．５ｇ／ｃｍ^３、さらに好ましくは０．３ｇ／ｃｍ^３〜１．０ｇ／ｃｍ^３である。

尚、本発明において、酸化亜鉛粉末のタップ密度は筒井理化学器械（株）製Ａ．Ｂ．Ｄ粉体特性測定器Ａ．Ｂ．Ｄ−７２型により測定した値である。

成分（Ｂ）の銀粉末の質量αと成分（Ｃ）の熱伝導性充填材の質量βの質量比α／βは３以上であれば得られる組成物の熱伝導率が十分となり、１５０以下であれば圧縮時における最小厚みが薄くなり過ぎず、ヒートサイクル後の熱抵抗が悪化することがないため、３〜１５０が好ましく、特に８〜１００が好ましく、更に１０〜８０の範囲が好ましい。

＜成分（Ｂ）、（Ｃ）以外の充填材＞
また、本発明の熱伝導性シリコーン組成物は成分（Ｂ）及び（Ｃ）以外に、無機化合物粉末及び／又は有機化合物材料を含有せしめても良い。

無機化合物粉末は、例えば水酸化アルミニウム粉末、無水炭酸マグネシウム粉末、水酸化マグネシウム粉末、酸化ケイ素粉末、ダイヤモンド粉末、金粉末、銅粉末、カーボン粉末、ニッケル粉末、インジウム粉末、ガリウム粉末、金属ケイ素粉末、二酸化ケイ素粉末の中から選択される１種又は２種以上を挙げることができる。

有機化合物材料も、熱伝導率の高いものが好ましく、例えば、炭素繊維、グラフェン、グラファイト、カーボンナノチューブ、カーボン材料の中から選択される１種又は２種以上を挙げることができる。

これら無機化合物粉末と有機化合物材料の表面は、必要に応じてオルガノシラン、オルガノシラザン、オルガノポリシロキサン、有機フッ素化合物等で疎水化処理を施してもよい。

無機化合物粉末と有機化合物材料の平均粒径は得られるグリース組成物（本発明の熱伝導性シリコーン組成物）の充填率を上げる観点から、０．５〜１００μｍの範囲が好ましく、特に好ましくは１〜５０μｍの範囲である。また、炭素繊維の繊維長は得られるグリース組成物の充填率を上げる観点から、１０〜５００μｍの範囲が好ましく、特に好ましくは３０〜３００μｍの範囲である。

無機化合物粉末と有機化合物材料の配合量は、成分（Ａ）１００質量部対して０.１〜３，０００質量部が好ましく、特に好ましくは０.１〜２，０００質量部である。この範囲であれば、得られる組成物の流動性が良好になり取扱い性がよくなる。

＜成分（Ｄ）＞
成分（Ｄ）は、白金系触媒、有機過酸化物触媒及び縮合反応用触媒からなる群より選択される触媒であり、本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、該触媒を配合することにより、硬化性の組成物とすることができる。

＜＜白金系触媒＞＞
本発明の熱伝導性シリコーン組成物がヒドロシリル化反応により硬化する場合には、成分（Ａ）として上述の成分（Ａ１）及び成分（Ａ２）と、白金系触媒を添加する。成分（Ａ２）の配合量は、成分（Ａ１）のアルケニル基１モルに対して成分（Ａ２）のケイ素原子結合水素原子が０．１〜１５．０モルの範囲内となる量とすることが好ましく、さらに、０．１〜１０．０モルの範囲内となる量とすることがより好ましく、特に、０．１〜５．０モルの範囲内となる量とすることがさらに好ましい。

白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体が挙げられる。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物において、白金系触媒の含有量は、組成物の硬化に必要な量、所謂触媒量であり、具体的には、成分（Ａ）に対して成分（Ｄ）中の白金金属が質量単位で０．１〜２，０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０．１〜１，５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。

また、本発明の熱伝導性シリコーン組成物の硬化速度を調節し、取扱作業性を向上させるため、２−メチル−３−ブチン−２−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエン−イン化合物；その他、ヒドラジン系化合物、フォスフィン系化合物、メルカプタン系化合物等の硬化反応抑制剤を含有することができる。この硬化反応抑制剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０００１〜１．０質量部の範囲内とすることが好ましい。

＜＜有機過酸化物触媒＞＞
一方、本発明の熱伝導性シリコーン組成物が有機過酸化物によるフリーラジカル反応により硬化する場合には、硬化触媒は有機過酸化物を用いる。

この有機過酸化物としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジ（ｐ−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジ（ｏ−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエートが挙げられる。

この有機過酸化物の含有量は触媒量であり、組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜８質量部の範囲内とすることが好ましい。

＜＜縮合反応用触媒＞＞
また、本発明の熱伝導性シリコーン組成物を縮合反応により硬化させる場合には、組成物中に、（Ａ）成分として一分子中にヒドロキシ基（水酸基）を２個以上有するオルガノポリシロキサン、及び硬化触媒として縮合反応用触媒を含有させる。さらに、硬化剤として、一分子中に少なくとも３個のケイ素原子結合加水分解性基を有するシランもしくはシロキサンオリゴマーを含有させることが好ましい。

このとき用いられる（Ａ）成分としては、ヒドロキシ基を２個以上有するオルガノポリシロキサンであれば特に限定はされないが、ヒドロキシ基を２個有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

硬化剤のケイ素原子結合加水分解性基としては、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基が例示される。また、このシランのケイ素原子には上記の加水分解性基以外に、例えば、前記と同様の直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基が結合していてもよい。

このようなシランもしくはシロキサンオリゴマーとしては、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン、ビニルトリアセトキシシラン、エチルオルソシリケート、ビニルトリ（イソプロぺノキシ）シランが挙げられる。

このシランもしくはシロキサンオリゴマーの含有量は特に限定されないが、組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜２０質量部の範囲内が好ましく、特に、０．１〜１０質量部の範囲内が好ましい。

また、縮合反応用触媒としては、例えば、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート等の有機チタン酸エステル；ジイソプロポキシビス（アセチルアセテート）チタン、ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン等の有機チタンキレート化合物；アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等の有機アルミニウム化合物；ジルコニウムテトラ（アセチルアセトネート）、ジルコニウムテトラブチレート等の有機ジルコニウム化合物；ジブチルスズジオクトエート、ジブチルスズジラウレート、ブチルスズ−２−エチルヘキソエート等の有機スズ化合物；ナフテン酸スズ、オレイン酸スズ、ブチル酸スズ、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸亜鉛等の有機カルボン酸の金属塩；ヘキシルアミン、燐酸ドデシルアミン等のアミン化合物、およびその塩；ベンジルトリエチルアンモニウムアセテート等の４級アンモニウム塩；酢酸カリウム等のアルカリ金属の低級脂肪酸塩；ジメチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン等のジアルキルヒドロキシルアミン；グアニジル基含有有機ケイ素化合物が挙げられる。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物において、この縮合反応用触媒の含有量は触媒量（任意量）であり、配合する場合は、具体的には、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜２０質量部の範囲内とすることが好ましく、特に、０．１〜１０質量部の範囲内とすることが好ましい。

＜成分（Ｅ）＞
更に、本発明の熱伝導性シリコーン組成物には、成分（Ｅ）として、下記一般式（２）
Ｒ^２ _ｂＳｉ（ＯＲ^３）_４−ｂ （２）
〔式中、Ｒ^２は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される１種又は２種以上の基を示し、Ｒ^３は一価炭化水素基を示し、ｂは１≦ｂ≦３である。〕
で表されるオルガノシランを配合してもよい。

上記一般式（２）のＲ^２の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基等のアルキル基；シクロアルキルアルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロヘキシル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、２−フェニルエチル基、２−メチル−２−フェニルエチル基等のアラルキル基、３，３，３−トリフロロプロピル基、２−（パーフロロブチル）エチル基、２−（パーフロロオクチル）エチル基、ｐ−クロロフェニル基等のハロゲン化炭化水素基等が挙げられる。一価炭化水素基の置換基としては、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等が挙げられる。また、ｂは１〜３である。Ｒ^３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの炭素数１〜６の１種若しくは２種以上のアルキル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基が好ましい。

成分（Ｅ）の一般式（２）で表されるオルガノシランの具体例としては、下記のものを挙げることができる。
Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（Ｃ_６Ｈ_５）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣ_２Ｈ_５）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ_２）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３）（ＯＣＨ_３）_２、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯＣ_８Ｈ_１６Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３。

このオルガノシランを添加する場合には、成分（Ａ）１００質量部に対し０〜２０質量部の範囲で添加するのが良く、より好ましくは０．１〜１０質量部である。

＜成分（Ｆ）＞
また、成分（Ａ）の一般式（１）で示されるオルガノポリシロキサンと併せて、下記一般式（３）で表される、加水分解性基を有するオルガノポリシロキサン（成分（Ｆ））を配合してもよい。この加水分解性オルガノポリシロキサンの含有量は、成分（Ａ）に対して０〜２０質量％の量が好ましく、より好ましくは０〜１０質量％である。

（一般式（３）中、Ｒ^４は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ^５は、互いに独立に、炭素数１〜１８の、飽和または不飽和の、非置換または置換の一価炭化水素基であり、ｃは５〜１２０である）

上記一般式（３）で示されるオルガノポリシロキサンは、本発明の熱伝導性シリコーン組成物中に粉末を高充填することを補助する。また、該オルガノポリシロキサンによって粉末の表面を疎水化処理することもできる。

上記一般式（３）中、Ｒ^４は、炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数１〜６のアルキル基等が挙げられるが、特にメチル基、エチル基が好ましい。

Ｒ^５は、互いに独立に、炭素数１〜１８、好ましくは炭素数１〜１０の、飽和または不飽和の、非置換または置換の一価炭化水素基である。該一価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、及びオクタデシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、及びアリル基等のアルケニル基、フェニル基、及びトリル基等のアリール基、２−フェニルエチル基、及び２−メチル−２−フェニルエチル基等のアラルキル基、又は、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えば、３，３，３−トリフロロプロピル基、２−（パーフロロブチル）エチル基、２−（パーフロロオクチル）エチル基、ｐ−クロロフェニル基等が挙げられる。この内、特にメチル基が好ましい。

上記一般式（３）中、ｃは５〜１２０の整数であり、好ましくは１０〜９０の整数である。

＜熱伝導性シリコーン組成物＞
本発明の熱伝導性シリコーン組成物の製造方法は、従来公知のシリコーングリース組成物の製造方法に従えばよく、特に制限されるものでない。例えば、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分、並びに必要に応じてその他の成分を、トリミックス、ツウィンミックス、プラネタリミキサー（いずれも井上製作所（株）製混合機、登録商標）、ウルトラミキサー（みずほ工業（株）製混合機、登録商標）、ハイビスディスパーミックス（特殊機化工業（株）製混合機、登録商標）等の混合機にて３０分〜４時間混合することにより製造することができる。また、必要に応じて、５０〜１５０℃の範囲の温度で加熱しながら混合してもよい。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、２５℃にて測定される絶対粘度が好ましくは１０〜６００Ｐａ・ｓ、より好ましくは１５〜５００Ｐａ・ｓ、更に好ましくは１５〜４００Ｐａ・ｓである。絶対粘度が上記範囲内であることにより良好なグリースを提供でき、また作業性にも優れる。上記範囲の絶対粘度は、各成分を上述した配合量で調整することにより得ることができる。本発明において、絶対粘度は、株式会社マルコム社製の型番ＰＣ−１ＴＬ（１０ｒｐｍ）を用いて測定した値である。

本発明の熱伝導性シリコーン組成物を硬化させて得られる熱伝導性シリコーン硬化物の性状は限定されないが、例えば、ゲル状、低硬度のゴム状、あるいは高硬度のゴム状が挙げられる。

＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、発熱性電子部品の表面と放熱体との間に、本発明の熱伝導性シリコーン組成物から形成された硬化膜が介在することを特徴とする。本発明の熱伝導性シリコーン組成物の硬化膜は、１０〜２００μｍの厚さで介在させることが好ましい。

本発明の半導体装置の代表的な構造を図１に示すが本発明はこれに限定されるものではない。図１において、本発明の半導体装置５は、基板１に搭載された発熱性電子部品２と放熱体４の間に熱伝導性シリコーン組成物層３（本発明の熱伝導性シリコーン組成物から形成された硬化膜）が介在するものである。

本発明の半導体装置を製造するには、本発明の熱伝導性シリコーン組成物を、発熱性電子部品と放熱体との間で、０．０１Ｍｐａ以上の圧力を掛けられた状態で８０℃以上に加熱する方法が好ましい。この際、掛ける圧力は、０．０１Ｍｐａ以上が好ましく、特に０．０５Ｍｐａ〜１００Ｍｐａが好ましく、更に０．１ＭＰａ〜１００Ｍｐａが好ましい。加熱する温度は、好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは９０℃〜３００℃であり、さらに好ましくは１００℃〜３００℃であり、極めて好ましくは１２０℃〜３００℃である。

以下、本発明の効果をより明確にする目的で、実施例及び比較例によって更に詳述するが、本発明はこれによって限定されるものではない。

本実施例で用いた組成物を作製するための各成分を以下に示す。

成分（Ａ）
Ａ−１：両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、２５℃における動粘度が６００ｍｍ^２／ｓのジメチルポリシロキサン。
Ａ−２：下記式で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン。

Ａ−３：両末端が水酸基で封鎖され、２５℃における動粘度が５０００ｍｍ^２／ｓのジメチルポリシロキサン。

成分（Ｂ）
Ｂ−１：タップ密度が６．６ｇ／ｃｍ^３、比表面積が０．２８ｍ^２／ｇ、アスペクト比が８の銀粉末。
Ｂ−２：タップ密度が６．２ｇ／ｃｍ^３、比表面積が０．４８ｍ^２／ｇ、アスペクト比が１３の銀粉末。
Ｂ−３：タップ密度が９．０ｇ／ｃｍ^３、比表面積が０．１６ｍ^２／ｇ、アスペクト比が３０の銀粉末。
Ｂ−４：タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ^３、比表面積が２．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比が５０の銀粉末。
Ｂ−５（比較例）：タップ密度が２．３ｇ／ｃｍ^３、比表面積が２．３ｍ^２／ｇ、アスペクト比が１の銀粉末。
Ｂ−６（比較例）：タップ密度が３．３ｇ／ｃｍ^３、比表面積が２．１１ｍ^２／ｇ、アスペクト比が１の銀粉末。
Ｂ−７（比較例）：タップ密度が２．８ｇ／ｃｍ^３、比表面積が１．８ｍ^２／ｇ、アスペクト比が２の銀粉末。

成分（Ｃ）
Ｃ−１：平均粒径が０．３μｍ、熱伝導率２５Ｗ／ｍ℃、タップ密度が０．４ｇ／ｃｍ^３、アスペクト比が１．５の酸化亜鉛粉末。
Ｃ−２：平均粒径が２０μｍ、熱伝導率２７Ｗ／ｍ℃、アスペクト比が１．２のアルミナ粉末。
Ｃ−３：平均粒径が８０μｍ、熱伝導率１８０Ｗ／ｍ℃、アスペクト比が１．１の窒化アルミニウム粉末。
Ｃ−４（比較例）：平均粒径が１１０μｍ、熱伝導率２７Ｗ／ｍ℃、アスペクト比が１．１のアルミナ粉末。

成分（Ｄ）
Ｄ−１（白金触媒）：白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のＡ−１溶液、白金原子として１ｗｔ％含有。
Ｄ−２（有機過酸化物）：パーオキサイド。日本油脂（株）製の商品名パーヘキサＣ。
Ｄ−３（縮合反応用触媒）：テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン。

成分（Ｅ）
Ｅ−１：下記式で表されるオルガノシラン。

成分（Ｆ）
Ｆ−１：下記式で表されるオルガノポリシロキサン。

成分（Ｇ）硬化反応抑制剤
Ｇ−１：１−エチニル−１−シクロヘキサノール。

成分（Ｈ）硬化剤
Ｈ−１：ビニルトリ（イソプロピノキシ）シラン。

［実施例１〜１４および比較例１〜８］
下記表１〜３に示す組成で、次のように混合して実施例１〜１４および比較例１〜８の組成物を得た。即ち、５リットルプラネタリーミキサー（井上製作所（株）社製）に成分（Ａ）、及び必要に応じて（Ｅ）及び（Ｆ）を取り、成分（Ｂ）、及び（Ｃ）を加え２５℃で１．５時間混合した。次に成分（Ｄ）、及び必要に応じて（Ｇ）又は（Ｈ）を加えて均一になるように混合した。

得られた組成物について、絶対粘度、熱伝導率、ＢＬＴ、熱抵抗、及びヒートサイクル試験後の熱抵抗を下記の方法にてそれぞれ測定した。結果を表１〜３に併せて示す。

〔粘度〕
各組成物の絶対粘度は、マルコム粘度計（タイプＰＣ−１ＴＬ）を用いて２５℃で測定した。

〔熱伝導率〕
各組成物を６ｍｍ厚の型に流し込み、０．３５Ｍｐａの圧力を掛けられた状態で１５０℃に加熱した後、京都電子工業（株）社製のＴＰＳ−２５００Ｓにより、いずれも２５℃において測定した。

〔圧縮時の最小厚み（ＢＬＴ）測定〕
φ１２．７ｍｍのアルミニウム板２枚の厚みを測定し、その後、厚みを測定したアルミニウム板２枚の間に、各組成物を挟み込み、０．３５Ｍｐａの圧力を掛けられた状態で１５０℃のオーブンに９０分間装入して各組成物を加熱硬化させ、ＢＬＴ測定用の試験片を作製し、この測定用試験片の厚みを測定した。ＢＬＴは下記式（５）で計算し、算出したものである。
ＢＬＴ（μｍ）＝試験片の厚み（μｍ）−使用したアルミニウム板２枚の厚み（μｍ）
（５）
なお、厚みの測定はデジマチック標準外側マイクロメータ（（株）ミツトヨ社製、ＭＤＣ−２５ＭＸ）により行った。

〔熱抵抗測定及びヒートサイクル〕
φ１２．７ｍｍのアルミニウム板２枚の間に、各組成物を挟み込み、０．３５Ｍｐａの圧力を掛けられた状態で１５０℃のオーブンに９０分間装入して各組成物を加熱硬化させ、熱抵抗測定用の試験片を作製し、熱抵抗を測定した。更にその後（−５５℃←→１５０℃）ヒートサイクル試験を１，０００時間実施して熱抵抗の変化を観察した。なお、この熱抵抗測定はナノフラッシュ（ニッチェ社製、ＬＦＡ４４７）により行った。

表１、２に示すように、本発明の熱伝導性シリコーン組成物である実施例１〜１４では、いずれも高い熱伝導率を示し、またＢＬＴも薄すぎないためにヒートサイクル後において熱抵抗の悪化は見られなかった。このことから、本発明の熱伝導性シリコーン組成物は良好な放熱効果を有するものであり、発熱性電子部品を含む半導体装置に好適に用いられるものであることが明らかになった。

一方、表３に示すように、比較例１では（Ｂ）成分である銀粉末の配合量が少なかったために十分な熱伝導率を示さなかった。比較例２では（Ｂ）成分の配合量が多すぎたためにグリース状にならなかった。比較例３では（Ｃ）成分である熱伝導性充填材の平均粒径が大きすぎたために熱抵抗が高くなってしまった。比較例４ではＢＬＴが薄くなり過ぎたことから、ヒートサイクルによって熱抵抗が悪化した。比較例５では（Ｃ）成分の配合量が多すぎたために粘度が上がって取り扱い性および作業性が悪化し、さらには十分な熱伝導率も得られなかった。比較例６〜８では、本発明に用いる（Ｂ）成分ではない銀粉末を用いたため、粘度が上昇してしまい、さらには十分な熱伝導率も得られなかった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…基板、 ２…発熱性電子部品（ＣＰＵ）、 ３…熱伝導性シリコーン組成物層、
４…放熱体（リッド）、 ５…半導体装置。

Claims (8)

1. 熱伝導性シリコーン組成物であって、
   （Ａ）下記平均組成式（１）
   Ｒ^１ _ａＳｉＯ_{（４−ａ）／２} （１）
   〔式中、Ｒ¹は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１８の飽和若しくは不飽和の一価炭化水素基の群の中から選択される１種若しくは２種以上の基を示し、ａは１．８≦ａ≦２．２である。〕
   で表される、２５℃における動粘度が１０〜１００，０００ｍｍ^２／ｓのオルガノポリシロキサン
   （Ｂ）タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であり、比表面積が２．０ｍ^２/ｇ以下であり、かつアスペクト比が、２．０〜１５０．０である銀粉末：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、３００〜１１，０００質量部
   （Ｃ）平均粒径が０．１〜１００μｍであり、２０〜２００Ｗ/ｍ℃の熱伝導率を有する前記成分（Ｂ）以外の熱伝導性充填材：前記成分（Ａ）１００質量部に対して、１０〜２，７５０質量部
   （Ｄ）触媒：触媒量
   を含有し、かつ、前記成分（Ｂ）と前記成分（Ｃ）の組成物中の合計含有量が８５％以上のものであって、
   前記成分（Ｄ）は白金系触媒、有機過酸化物触媒、又は縮合反応用触媒であり、
   前記成分（Ｄ）が白金系触媒のとき、前記成分（Ａ）の全部又は一部が、成分（Ａ１）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン及び、成分（Ａ２）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであるオルガノポリシロキサンであり、
   前記成分（Ｄ）が縮合反応用触媒のとき、前記成分（Ａ）が一分子中にヒドロキシ基を２個以上有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とする熱伝導性シリコーン組成物。
2. 前記成分（Ｃ）のアスペクト比が、１．０以上３．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
3. 前記成分（Ｃ）が、タップ密度が０．１ｇ／ｃｍ^３以上の酸化亜鉛粉末であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
4. 前記成分（Ｂ）の質量αと前記成分（Ｃ）の質量βの質量比α／βが、３〜１５０であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
5. 前記成分（Ａ）の全部又は一部が、成分（Ａ１）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン及び／又は、成分（Ａ２）：一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
6. さらに、成分（Ｅ）として、下記一般式（２）
   Ｒ^２ _ｂＳｉ（ＯＲ^３）_４−ｂ （２）
   〔式中、Ｒ²は、置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の一価炭化水素基、エポキシ基、アクリル基及びメタクリル基の中から選択される１種又は２種以上の基を示し、Ｒ³は一価炭化水素基を示し、ｂは１≦ｂ≦３である。〕
   で表されるオルガノシランを、前記成分（Ａ）１００質量部に対して０〜２０質量部含むものであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
7. 発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置であって、
   前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の熱伝導性シリコーン組成物から形成された硬化膜が介在しているものであることを特徴とする半導体装置。
8. 発熱性電子部品と、放熱体とを備えている半導体装置の製造方法であって、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の熱伝導性シリコーン組成物を、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間で、０．０１ＭＰａ以上の圧力を掛けた状態で８０℃以上に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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