JP2020065035A - 熱電合金及びその製造方法と熱電合金複合物 - Google Patents
熱電合金及びその製造方法と熱電合金複合物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020065035A JP2020065035A JP2018237243A JP2018237243A JP2020065035A JP 2020065035 A JP2020065035 A JP 2020065035A JP 2018237243 A JP2018237243 A JP 2018237243A JP 2018237243 A JP2018237243 A JP 2018237243A JP 2020065035 A JP2020065035 A JP 2020065035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- thermoelectric alloy
- quartz tube
- composition
- carburizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 60
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 230000005680 Thomson effect Effects 0.000 description 1
- 229910007657 ZnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C12/00—Alloys based on antimony or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/20—Carburising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/34—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases more than one element being applied in more than one step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/40—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C8/42—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being applied
- C23C8/44—Carburising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/40—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C8/58—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions more than one element being applied in more than one step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/60—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes
- C23C8/62—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes only one element being applied
- C23C8/64—Carburising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/60—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes
- C23C8/78—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes more than one element being applied in more than one step
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/8556—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing germanium or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、熱電合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】この熱電合金の製造方法は、まず出発材料を提供して、出発材料に対して酸化プロセスを行って、酸化材料の組成物を得る。次に、酸化材料の組成物と浸炭剤を石英管に加え、管閉鎖プロセスを行う。そして、閉鎖された石英管に対して浸炭プロセスを行って、良好な熱電性能指数を有する熱電合金を製造する。【選択図】図1
Description
本発明は、熱電合金に関し、特に高熱電性能指数を有する熱電合金及びその製造方法を提供する。
熱電材料は、熱エネルギー及び電気エネルギーを効率的に変換することができる。熱電材料の熱電現象は、その変換機構の違いによって、ゼーベック効果(Seebeck effect)、ペルチェ効果(Peltier effect)、又はトムソン効果(Thomson effect)であってよい。熱電材料の材料の両端部に温度差又は電圧差がある場合、材料の両端部に電圧差が生じたり、一端が熱吸収し他端が熱放出する現象が形成される。
これにより、前記の熱電現象により、熱電材料は一般的に廃熱回収発電(waste heat recovery)又は熱電冷却(thermoelectric cooler)に適用されてよい。
次に、熱電材料の熱電現象は材料の熱電性能指数(thermoelectric figure−of−merit)に依存して、且つ熱電性能指数が以下の式(I)で示される。
zTは熱電性能指数を示し、SはSeekbeck係数を示し、ρは抵抗率を示し、S2/ρは材料のパワーファクター(power factor)を示し、κは熱伝達係数を示し、且つTは絶対温度(K)である。
熱電性能指数が高いほど熱電変換材料の熱電変換効率が良い。しかしながら、現在市販されている熱電材料の熱電変換係数は約1.0であるため、一般的な熱電材料は、依然として放熱用コンプレッサ(熱電変換素子が約3.5倍)に代わることができず、適用範囲が限られている。
これに鑑みて、従来の熱電合金の欠陥を改善するために、熱電合金及びその製造方法の提供が急務である。
したがって、本発明の一態様は、浸炭プロセスによる高温により、活性炭素原子が生じるように浸炭剤を分解させ、且つ活性炭素原子が溶融した熱電合金材料に浸透できて、製造された熱電合金の熱電特性を向上させることができる熱電合金の製造方法を提供することにある。
本発明の別の態様は、前記の方法により製造される熱電合金を提供する。
本発明のまた他の態様は、前記の熱電合金を含む熱電合金複合物を提供する。
本発明の一態様によれば、熱電合金の製造方法を提出する。この製造方法は、まず出発材料を提供し、酸化プロセスをして酸化材料の組成物を製造する。酸化材料の組成物の100原子%に対して酸化材料の組成物の酸素含有量は0.001原子%〜10原子%である。そして、酸化材料の組成物と浸炭剤を石英管に加え、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を製造する。次に、閉鎖された石英管に対して浸炭プロセスを行って、本発明の熱電合金が製造される。
本発明の一実施例によれば、前記の出発材料は、ゲルマニウム、テルル、ビスマス、亜鉛、アンチモン、セレン、銅、インジウム、ガリウム、銀、コバルト、鉄及び/又は鉛を含む。
本発明の別の実施例によれば、前記の浸炭剤は、固体炭素源、液体炭素源、気体炭素源及び/又はプラズマ炭素源を含む。
本発明のまた他の実施例によれば、前記酸化材料の組成物と浸炭剤を石英管に加える操作は、浸炭剤により炭素メッキプロセスを行って、石英管の内壁に炭素被膜を形成し、酸化材料の組成物を炭素被膜の有する石英管に加えることを含む。
本発明の更に1つの実施例によれば、前記閉鎖された石英管の真空度は0.03mbar以下である。
本発明のまた別の実施例によれば、前記の浸炭プロセスは、昇温工程を含み、且つ昇温工程が200℃から出発材料の融点まで昇温する。
本発明の更に別の実施例によれば、前記浸炭プロセスの冷却速度は2℃/時間〜10℃/時間である。
本発明の更なる別の実施例によれば、前記の浸炭プロセスの後で、この製造方法は更に熱電合金に対して結晶成長プロセスを行う。
本発明の別の態様によれば、前記の方法により製造される熱電合金を提出する。熱電合金の100重量%に対して、熱電合金の炭素含有量は0.005重量%〜0.05重量%である。
本発明の一実施例によれば、前記の熱電合金はP型熱電合金とN型熱電合金を含む。
本発明のまた他の態様によれば、前記の熱電合金を含む熱電合金複合物を提出する。熱電合金複合物の含有量の100重量%に対して、熱電合金の含有量は10重量%以上である。
本発明の熱電合金及びその製造方法によれば、浸炭プロセスを行うことにより、活性炭素原子が生じるように加えられた浸炭剤を分解させて、活性炭素原子の溶融した酸化材料の組成物への浸透を促進し、更に製造された熱電合金の熱電特性を向上させる。
添付図面を参照してなされる下記の説明は、本発明の実施例及びそのメリットをより分かりやすくするためのものである。注意すべきなのは、各特徴は図解のみを目的とし、実際の比例で描かれるものではない。関連図面の説明は以下の通りである。
以下、詳しく本発明の実施例の製造及び使用を検討する。しかしながら、理解すべきなのは、実施例は様々な特定の内容に実施される数多くの応用可能な発明概念を提供する。検討される特定の実施例は、説明するためのものだけであり、本発明の範囲を限定するものではない。
一般的に、熱電合金における不純物元素の含有量が少ないほど、熱電合金の抵抗値が低くなるため、その熱電性能指数が高いほど、優れた熱電特性を有する。これにより、他の不純物元素による熱電特性への影響を低下させるために、熱電合金に適用される出発材料は何れも高純度の材料から選ばれ、又は一連の精製プロセスにより出発材料を処理して、不純物元素を除去する。例として、熱電合金の酸素原子の含有量が高いほど、熱電合金の抵抗値が高くなるため、その熱電特性が悪くなる。これにより、出発材料の純度に対する要求は厳しい。なお、出発材料は、貯蔵中に酸化されることを避けるために、適切に貯蔵されなければならない。しかしながら、一般的な熱電合金の熱電性能指数は、まだ顕著に進展していない。
これにより、熱電合金の熱電性能指数を効果的に向上させるために、本発明は、まず熱電合金の出発材料を酸化して、出発材料の酸素含有量を高め、更に浸炭プロセスを行って、酸化された出発材料を還元することにより製造された熱電合金における炭素浸透量を向上させ、更にその熱伝達係数を低下させ且つパワーファクターを高め、したがって本発明の熱電合金の熱電特性を向上させる。
図1を参照すると、本発明の一実施例による熱電合金の製造方法を示すフロー図である。方法100は、工程110と工程120に示すように、まず出発材料を提供して、出発材料に対して酸化プロセスをして酸化材料の組成物を製造する。製造されようとする熱電合金の化学組成によれば、出発材料は対応する組成と比例を有する。ある実施例において、出発材料は混合物である。これらの実施例において、この混合物は、金属材料及び/又は非金属材料を含んでよい。ある実施例において、出発材料は、ゲルマニウム、テルル、ビスマス、亜鉛、アンチモン、セレン、銅、インジウム、ガリウム、銀、コバルト、鉄、鉛、他の適切な熱電材料、又は上記の材料の任意の混合を含んでよいがこれらに限定されない。ある実施例において、良好な特性を有する熱電合金を製造するために、出発材料における各材料の純度は4N以上であることが好ましい。
工程120で製造された酸化材料の組成物の100原子%に対して酸化材料の組成物の酸素含有量は、0.001原子%〜10原子%であってよい。ある実施例において、酸化材料の組成物の酸素含有量は、好ましく1原子%〜6原子%であってよく、且つより好ましく2原子%〜5原子%である。
そして、工程130に示すように、酸化材料の組成物と浸炭剤を石英管に加え、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を製造する。ある実施例において、加えられた浸炭剤は、後続きの浸炭プロセスにおいて炭素源とすることができれば、特に制限されない。ある実施例において、浸炭剤の主要組成は炭素原子であり、且つ他の不純物元素を含まないことが好ましくて、製造された熱電合金の組成が要求を満たすことができないことを避ける。ある実施例において、浸炭剤は、固体炭素源、液体炭素源、気体炭素源、プラズマ炭素源、他の適切な種類の炭素源、又は上記の材料の任意の混合を含んでよいがこれらに限定されない。例として、浸炭剤は、炭素粉末、グラファイト粉末、グラフェン、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、フラーレン、他の適切な材料、又は上記の材料の任意の混合を含んでよいがこれらに限定されない。
ある実施例において、浸炭剤は酸化材料の組成物と同時に石英管に加えてよい。他の実施例において、浸炭剤は酸化材料の組成物を加える前に、予め石英管に形成され、又は石英管に加えられてよい。例として、石英管は、まず炭素メッキプロセスを行って、予め浸炭剤を石英管の内壁に形成し、内壁に炭素被膜を有する石英管を形成する。そして、酸化材料の組成物は炭素被膜を有する石英管に加えられ、後続きの管閉鎖プロセスを行うことができる。
管閉鎖プロセスを行う場合、石英管内の空気をエアポンプで除去し、石英管のノズルを酸素ガス火炎ガンで焼結して石英管を閉鎖する。閉鎖された石英管内の真空度が0.03mbar以下である。
管閉鎖プロセスを行ってから、工程140と工程150に示すように、得られた閉鎖された石英管に対して浸炭プロセスを行って、本発明の熱電合金が製造される。浸炭プロセスを行う場合、閉鎖された石英管における浸炭剤(又は炭素原子)は酸化材料の組成物を還元でき、且つ浸炭プロセスの進行につれて、活性炭素原子が溶融した酸化材料の組成物に浸透でき、製造された熱電合金の特性を向上させることができる。ある実施例において、製造された熱電合金の100重量%に対して、熱電合金の炭素含有量は0.005重量%〜0.05重量%であってよい。ある実施例において、製造された熱電合金は酸素原子を含まないことが好ましい。熱電合金が酸素原子を含む場合、熱電合金の抵抗値が向上し、その熱電性能指数を低下させる。
浸炭剤から活性炭素原子を分解させ、活性炭素原子を効果的に熱電合金に浸透するために、浸炭プロセスは、昇温工程を含み、且つ昇温工程が200℃から前記出発材料の熔点まで昇温して、炭素原子を酸化材料の組成物に浸透し、酸化材料の組成物を溶融する。昇温工程は、全ての酸化材料の組成物が溶融するまで、温度を上昇させることが好ましい。すなわち、設定温度まで昇温すると、酸化材料の組成物は何れも溶融する。ある実施例において、昇温工程は、200℃から1100℃まで昇温することが好ましく、且つより好ましく200℃から950℃まで昇温する。ある実施例において、浸炭プロセスを行う場合、加熱炉が室温から200℃まで加熱されてから、閉鎖された石英管を200℃の加熱炉に置く。ある実施例において、酸化材料の組成物を還元するように浸炭プロセスの昇温段階において、炭素原子はまず酸化材料の組成物に浸透してよい。次に、還元された酸化材料の組成物は液体熱電合金に熔融し結合されてもよい。ある実施例において、浸炭プロセスの昇温段階において、酸化材料の組成物はまず液体に熔融されてよく、且つ炭素原子がこれらの液体の酸化材料の組成物に浸透して還元させる。次に、還元された酸化材料の組成物は熱電合金に結合される。ある実施例において、浸炭プロセスの昇温段階において、酸化材料の組成物はまず液体熱電合金に熔融し結合されてもよい。そして、炭素原子は液体の熱電合金に浸透し、酸素原子を還元してよい。
浸炭プロセスにおいて、前記製造された酸化材料の組成物の酸素含有量が0.001原子%よりも小さい場合、酸化材料の組成物の酸化程度が低すぎるため、熱により分解した活性炭原子は、熱電合金に浸透しにくく、熱電合金の炭素含有量を低下させるため、製造された熱電合金の熱電特性を低下させる。酸化材料の組成物の酸素含有量が10原子%よりも大きい場合、酸化材料の一部は還元されないので、製造された熱電材料は依然として酸素原子を含み、更に熱電材料の抵抗値を増加させて、その熱電特性を低下させる。
また、浸炭プロセスにおいて、閉鎖された石英管の真空度が前記の範囲にある場合、閉鎖された石英管の内部は、低酸素環境になることができる。したがって、浸炭プロセスによる活性炭素原子は、より効果的に酸化材料の組成物を還元でき、環境中の酸素原子に干渉されることなく溶融した酸化材料の組成物に浸透し、更に製造された熱電合金の熱伝達係数を低下させ且つパワーファクターを高める。したがって、製造された熱電合金は優れた熱電特性を有する。
高温の浸炭プロセスが完了すると、浸炭プロセスの冷却速率は、2℃/時間〜10℃/時間であってよい。冷却速度は前記の範囲にある場合、溶融した還元された酸化材料の組成物をゆっくりと冷却することができて、より緻密な構造及び好ましい結晶性を有し、更に熱電合金の特性を向上させることができる。ある実施例において、浸炭プロセスの冷却速率は、好ましく3℃/時間〜8℃/時間であってよく、且つ更に好ましく5℃/時間〜7℃/時間であってよい。
前記の浸炭プロセスを行ってから、この製造方法は選択的に熱電合金に対して結晶成長プロセスを行ってもよく、更に製造された熱電合金の結晶特性を高めることができるため、結晶成長プロセス製造された熱電合金ブロック材の熱電特性を向上させる。
ある具体例において、適用される出発材料の使用量と組成によれば、前記方法により製造された熱電合金は、P型熱電合金とN型熱電合金であってよい。
ある具体例において、製造された熱電合金はM1x1(B1y1C1z1)の組成を有してよい。M1はドーピングされた金属元素を示し、且つM1はLi、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Ag、Au、Zn、Mn、Fe、Co、Ni、La、Ce、Pr、Nd、Yb、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、B1はAl、Ga、In、Sb、Bi、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、C1はO、S、Se、Te、F、Cl、Br、I、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、x1は0よりも大きく且つ1よりも小さい数値を示し、y1は1.5よりも大きく且つ2.5よりも小さい数値を示し、z1は2.3よりも大きく且つ3.7よりも小さい数値を示す。このような熱電合金は例えばM1をドープしたBi2Te3であってよい。
ある具体例において、製造された熱電合金はM2x2(B2y2C2z2)の組成を有してよい。M2はドーピングされた金属元素を示し、且つLi、Na、K、Rb、Sr、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Ag、Au、Zn、Al、Ga、In、As、Sb、Bi、Br、I、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、B2はSi、Ge、Sn、Pb、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、C2はN、P、As、Sb、Bi、Te、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、x2は0.02よりも大きく且つ0.2よりも小さい数値を示し、y2は0.7よりも大きく且つ1.3よりも小さい数値を示してよく、z2は0.7よりも大きく且つ1.3よりも小さい数値を示してよい。このような熱電合金は例えばM2をドープしたPbTe又はGeTeであってよい。
ある具体例において、製造された熱電合金はM3x3(B3y3C3z3)の組成を有してよい。M3はドーピングされた金属元素を示し、且つLi、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Ag、Au、Zn、La、Ce、Mn、Fe、Co、Ni、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、B3はAl、Ga、In、Zn、Cd、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、C3はN、P、As、Sb、Bi、Se、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、x3は0よりも大きく且つ0.5よりも小さい数値を示し、y3は2.7よりも大きく且つ4.4よりも小さい数値を示し、z3は2.5よりも大きく且つ3.5よりも小さい数値を示す。このような熱電合金は例えばM3をドープしたZnSb、Zn4Sb3、In4Se3又はInSbであってよい。
ある具体例において、製造された熱電合金はM4x4(B4y4C4z4)の組成を有してよい。M4はドーピングされた金属元素を示し、且つLi、Cs、Rb、Ba、Ga、In、Tl、La、Ce、Pr、Nd、Yb、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、B4はFe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、C4はAs、Sb、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、x4は0よりも大きく且つ0.4よりも小さい数値を示し、y4は0.7よりも大きく且つ1.3よりも小さい数値を示し、z4は2.5よりも大きく且つ3.5よりも小さい数値を示す。このような熱電合金は例えばM4をドープしたFeCoSb3であってよい。
ある具体例において、製造された熱電合金はM5x5(A5p5B5y5C5z5)の組成を有してよい。M5はドーピングされた金属元素を示し、且つLi、Na、K、Cs、Cl、Br、I、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、A5はCu、Ag、Au、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、B5はGa、In、Ge、Sn、As、Sb、Bi、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、C5はS、Se、Te、他の適切な元素、又は上記の元素の任意の混合を示してよく、x5は0よりも大きく且つ0.2よりも小さい数値を示し、p5は0.7よりも大きく且つ1.3よりも小さい数値を示し、y5は0.7よりも大きく且つ1.3よりも小さい数値を示し、z5は1.7よりも大きく且つ2.3よりも小さい数値を示す。このような熱電合金は例えばM5をドープしたAgSbTe2又はCuInSe2であってよい。
ある具体例において、本発明で製造された熱電合金は一般的な熱電合金と混合して、熱電合金複合物を形成することができ、且つこの熱電合金複合物が良好な熱電性能指数を有することができる。熱電合金複合物の100重量%に対して、本発明で製造された熱電合金の含有量は10重量%以上であり、10重量%〜80重量%であることが好ましく、且つ50重量%〜60重量%であることがより好ましい。
前記の浸炭プロセスを行う時に、熱により分解した活性炭原子は、溶融した酸化材料の組成物に浸透して、製造された熱電合金の熱伝達係数を低下させ、又はそのパワーファクター(power factor)を高めるため、製造された熱電合金は優れた熱電特性を有する。
以下、実施例により本発明の適用を説明するが、本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、各種の変更や修正を加えることができる。
[熱電合金の調製]
[実施例1]
まず、純度が4N以上の銅金属(Cu)、ビスマス金属(Bi)とテルル金属(Te)を提供し、これらの金属に対して酸化プロセスを行って、酸化銅、酸化ビスマスと酸化テルルを含む酸化材料の組成物をそれぞれ製造し、酸化材料の組成物の酸素含有量が4原子%であった。そして、炭素メッキプロセスを行うと、石英管の内壁に炭素被膜を形成することができる。次に、前記の酸化材料の組成物を内壁に炭素被膜を有する石英管に入れ、エアポンプにより排気して、石英管の真空度を低下させた。
[実施例1]
まず、純度が4N以上の銅金属(Cu)、ビスマス金属(Bi)とテルル金属(Te)を提供し、これらの金属に対して酸化プロセスを行って、酸化銅、酸化ビスマスと酸化テルルを含む酸化材料の組成物をそれぞれ製造し、酸化材料の組成物の酸素含有量が4原子%であった。そして、炭素メッキプロセスを行うと、石英管の内壁に炭素被膜を形成することができる。次に、前記の酸化材料の組成物を内壁に炭素被膜を有する石英管に入れ、エアポンプにより排気して、石英管の真空度を低下させた。
石英管の真空度が0.03mbar以下となると、石英管に対して管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を形成した。次に、閉鎖された石英管の温度が950℃となるまで、2℃/分間〜5℃/分間の昇温速率で閉鎖された石英管を加熱して、炭素被膜が熱により活性炭素原子を生じさせて、浸炭プロセスを行うことができるようになった。
石英管内の材料が均質化された後で、室温まで冷却し、固化した試料を結晶成長炉に入れ、4℃/時間の速度で結晶成長させ、実施例1の熱電合金を得た。製造された熱電合金は、以下の熱電性能指数の評価法により評価され、その評価結果については後述した。
[実施例2]
まず、純度が4N以上のアンチモン金属(Sb)、ゲルマニウム金属(Ge)とテルル金属(Te)を提供し、これらの金属に対して酸化プロセスを行って、酸化アンチモン、酸化ゲルマニウムと酸化テルルを含む酸化材料の組成物をそれぞれ製造し、酸化材料の組成物の酸素含有量が10原子%であった。そして、炭素メッキプロセスを行うと、石英管の内壁に炭素被膜を形成することができる。次に、前記の酸化材料の組成物を内壁に炭素被膜を有する石英管に入れ、エアポンプにより排気して、石英管の真空度を低下させた。
まず、純度が4N以上のアンチモン金属(Sb)、ゲルマニウム金属(Ge)とテルル金属(Te)を提供し、これらの金属に対して酸化プロセスを行って、酸化アンチモン、酸化ゲルマニウムと酸化テルルを含む酸化材料の組成物をそれぞれ製造し、酸化材料の組成物の酸素含有量が10原子%であった。そして、炭素メッキプロセスを行うと、石英管の内壁に炭素被膜を形成することができる。次に、前記の酸化材料の組成物を内壁に炭素被膜を有する石英管に入れ、エアポンプにより排気して、石英管の真空度を低下させた。
石英管の真空度が0.03mbar以下となると、石英管に対して管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を形成した。次に、閉鎖された石英管の温度が950℃となるまで、2℃/分間〜5℃/分間の昇温速率で閉鎖された石英管を加熱して、炭素被膜が熱により活性炭素原子を生じさせて、浸炭プロセスを行うことができるようになった。
石英管内の材料が均質化された後で、5℃/時間〜10℃/時間の冷却速率で室温まで冷却すると、実施例2の熱電合金を得た。製造された熱電合金は、以下の熱電性能指数の評価法により評価され、その評価結果については後述した。
[比較例1]
比較例1の熱電合金は実施例1の熱電合金の出発材料と同じ組成と含有量を使用した。しかしながら、比較例1はこれらの出発材料を直接に石英管に入れ、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を得た。
比較例1の熱電合金は実施例1の熱電合金の出発材料と同じ組成と含有量を使用した。しかしながら、比較例1はこれらの出発材料を直接に石英管に入れ、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を得た。
次に、閉鎖された石英管に対して熔融プロセスを行った。石英管内の材料が均質化された後で、室温まで冷却し、固化した試料を結晶成長炉に入れ、4℃/時間の速度で結晶成長させると、比較例1の熱電合金を得た。製造された熱電合金は、以下の熱電性能指数の評価法により評価され、その評価結果については後述した。
比較例2
比較例2
比較例2の熱電合金は実施例2の熱電合金の出発材料と同じ組成と含有量を使用した。しかしながら、比較例2はこれらの出発材料を直接に石英管に入れ、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を得た。
次に、閉鎖された石英管に対して熔融プロセスを行った。石英管内の材料が均質化された後で、5℃/時間〜10℃/時間の冷却速率で室温まで冷却すると、比較例2の熱電合金を得た。製造された熱電合金は、以下の熱電性能指数の評価法により評価され、その評価結果については後述した。
[評価方式]
[熱電性能指数]
実施例1〜2と比較例1〜2で製造された熱電合金はそれぞれゼーベック係数・導電率可変温度測定システム(ULVAC−RIKO製、且つその型番はZEM−3の測定システムである)により抵抗率(ρ)とシーベック(Seekbeck)係数(S)を測定した。この測定システムにおいて、2つのニッケル電極を用いて熱電合金の試験片を固定し、試験片の温度差を測定するために2本の熱電対を設定し、温度差をそれぞれ7K、10K、13Kと16Kに設定する。そして、測定チャンバー内の圧力を10−2torrに下げ、6Nの不活性ガスを導入した。数回繰り返した後、試験片が高温で酸化反応を起こさないように少量の高純度のヘリウムガスを導入した。次に、試験電圧を一定値に設定し、試験片の抵抗値に応じて試験電流を調整すると、コンピュータソフトウェアにより計算して抵抗率(ρ)とシーベック係数(S)を測定でき、試験電流の最大値が130mAであった。
[熱電性能指数]
実施例1〜2と比較例1〜2で製造された熱電合金はそれぞれゼーベック係数・導電率可変温度測定システム(ULVAC−RIKO製、且つその型番はZEM−3の測定システムである)により抵抗率(ρ)とシーベック(Seekbeck)係数(S)を測定した。この測定システムにおいて、2つのニッケル電極を用いて熱電合金の試験片を固定し、試験片の温度差を測定するために2本の熱電対を設定し、温度差をそれぞれ7K、10K、13Kと16Kに設定する。そして、測定チャンバー内の圧力を10−2torrに下げ、6Nの不活性ガスを導入した。数回繰り返した後、試験片が高温で酸化反応を起こさないように少量の高純度のヘリウムガスを導入した。次に、試験電圧を一定値に設定し、試験片の抵抗値に応じて試験電流を調整すると、コンピュータソフトウェアにより計算して抵抗率(ρ)とシーベック係数(S)を測定でき、試験電流の最大値が130mAであった。
そして、フラッシュ熱伝導度計(Netzsch製、且つその型番はLFA 457である)により熱電合金の熱伝達係数(κ)を測定した。熱伝導率計では、熱電合金の試験片の側面をレーザ光で加熱し、赤外線センサー(又は熱電対)により試験片の反対側の温度を測定した。したがって、特定の時間における試験片の温度変化を測定することができる。熱電合金の試験片は、直径7mm、厚さ1.5mm〜2mmのラウンドケーキ試験片である。次に、実施例1〜2及び比較例1〜2の熱電合金の熱伝導率(κ)を下記式(II)により算出した。
式(II)において、Dは試験片の温度変化を示し、Cpは試験片の比熱(
であり、Rは常数8.314J/g−mol*Kであり、且つMは分子量である)であり、且つdは試験片密度である。
前記測定された抵抗率(ρ)、シーベック係数(S)と熱伝達係数(κ)によれば、実施例1〜2と比較例1〜2の熱電合金の各温度での熱電性能指数は前記の式(I)により算出できる。
図2Aと図2Bを参照すると、図2Aは本発明の実施例1と比較例1による熱電合金の熱電性能指数の温度に対する折れ線グラフであり、且つ図2Bは本発明の実施例2と比較例2による熱電合金の熱電性能指数の温度に対する折れ線グラフである。
図2Aに示される内容から分かるように、300K(約26.85℃)時に、実施例1で製造された熱電合金の熱電性能指数は1.7であり、且つ比較例1の熱電合金の熱電性能指数は1.2だけであった。次に、各測定温度で、実施例1で製造された熱電合金の何れも高い熱電性能指数を有する。
また、市販の熱電合金(n型BiドープTeSe熱電材料、その熱電性能指数は約0.85〜1.04である)と比べると、300Kの時に実施例1の熱電合金は約2倍の熱電変換係数を有する。
図2Bに示される内容から分かるように、723K(約449.85℃)時に、実施例2で製造された熱電合金の熱電性能指数は2.5であり、且つ比較例2の熱電合金の熱電性能指数は約1.0である。同じように、各測定温度で、比較例2で製造された熱電合金と比べると、実施例2の熱電合金の何れも高い熱電性能指数を有する。
したがって、実施例1〜実施例2と比較例1〜比較例2の評価結果から分かるように、本案の製造方法は酸化プロセスにより、使用される出発材料は、その後の浸炭プロセスで生じた活性炭原子によって還元可能な酸化状態を形成させ、これらの活性炭原子を溶融した酸化材料の組成物に浸透して、製造された熱電合金の熱伝達係数を低下させそのパワーファクターを増加させ、これにより熱電合金の熱電特性を向上させることができる。
本発明の実施形態を前記の通りに開示したが、これは、本発明を限定するものではなく、業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えてもよく、したがって、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。
100 方法
110/120/130/140/150 工程
110/120/130/140/150 工程
Claims (10)
- ゲルマニウム、テルル、ビスマス、亜鉛、アンチモン、セレン、銅、インジウム、ガリウム、銀、コバルト、鉄及び/又は鉛を含む出発材料を提供することと、
前記出発材料に対して酸化プロセスをして酸化材料の組成物を製造することと(前記酸化材料の組成物の100原子%に対して前記酸化材料の組成物の酸素含有量は0.001原子%〜10原子%である)、
前記酸化材料の組成物と浸炭剤を石英管に加え、管閉鎖プロセスを行って、閉鎖された石英管を製造し、前記閉鎖された石英管に対して浸炭プロセスを行って、熱電合金を製造することと、
を備える熱電合金の製造方法。 - 前記浸炭剤は、固体炭素源、液体炭素源、気体炭素源及び/又はプラズマ炭素源を含む請求項1に記載の熱電合金の製造方法。
- 前記酸化材料の組成物と前記浸炭剤を前記石英管に加える操作は、
前記浸炭剤により炭素メッキプロセスを行って、前記石英管の内壁に炭素被膜を形成することと、
前記酸化材料の組成物を前記炭素被膜の有する前記石英管に加えることと、
を含む請求項1又は2に記載の熱電合金の製造方法。 - 前記閉鎖された石英管の真空度は0.03mbar以下である請求項1〜3の何れか1項に記載の熱電合金の製造方法。
- 前記浸炭プロセスは、昇温工程を含み、且つ前記昇温工程が200℃から前記出発材料の融点まで昇温する請求項1〜4の何れか1項に記載の熱電合金の製造方法。
- 前記浸炭プロセスの冷却速度は2℃/時間〜10℃/時間である請求項5に記載の熱電合金の製造方法。
- 前記浸炭プロセスの後で、前記製造方法は、前記熱電合金に対して結晶成長プロセスを行うことを更に含む請求項1〜6の何れか1項に記載の熱電合金の製造方法。
- 請求項1〜7の何れか1項に記載の方法により製造され、その100重量%に対して、炭素含有量は0.005重量%〜0.05重量%である熱電合金。
- 前記熱電合金はP型熱電合金とN型熱電合金を含む請求項8に記載の熱電合金。
- 請求項8又は9に記載の熱電合金を含み、その含有量の100重量%に対して、前記熱電合金の含有量は10重量%以上である熱電合金複合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107136813 | 2018-10-18 | ||
TW107136813A TWI683910B (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 熱電合金及其製作方法與熱電合金複合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020065035A true JP2020065035A (ja) | 2020-04-23 |
Family
ID=65351841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018237243A Pending JP2020065035A (ja) | 2018-10-18 | 2018-12-19 | 熱電合金及びその製造方法と熱電合金複合物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10975456B2 (ja) |
EP (1) | EP3640361B1 (ja) |
JP (1) | JP2020065035A (ja) |
CN (1) | CN111081859B (ja) |
TW (1) | TWI683910B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022054577A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7469316B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2024-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび光センサ |
CN113421960B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-12-06 | 合肥工业大学 | 一种共掺杂Cu和Bi提高n型PbTe基热电材料性能的方法 |
CN113956042B (zh) * | 2021-09-18 | 2023-02-03 | 深圳大学 | 一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法 |
CN115403016A (zh) * | 2022-10-09 | 2022-11-29 | 合肥工业大学 | 一种高性能黄铜矿体系热电材料及其制备方法 |
CN115915895B (zh) * | 2023-02-09 | 2023-10-03 | 北京航空航天大学 | 一种基于P型SnSe晶体的热电制冷材料的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002021606A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Korea Institute Of Science And Technology | The method manufacturing p-type bismuth telluride thermoelectric materials for the enhancement of the yield of high quality ingot |
JP2009529799A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-20 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛 |
JP2013541639A (ja) * | 2010-08-20 | 2013-11-14 | コーニング インコーポレイテッド | p型スクッテルダイト材料およびその製造方法 |
JP2016006827A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換素子 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4061505A (en) * | 1971-10-08 | 1977-12-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Rare-earth-metal-based thermoelectric compositions |
US6043424A (en) * | 1996-07-03 | 2000-03-28 | Yamaha Corporation | Thermoelectric alloy achieving large figure of merit by reducing oxide and process of manufacturing thereof |
JP2005072391A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Kyocera Corp | N型熱電材料及びその製造方法並びにn型熱電素子 |
JP2006222161A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱電変換材料およびその製造方法 |
US20100163091A1 (en) | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Composite material of complex alloy and generation method thereof, thermoelectric device and thermoelectric module |
WO2011022189A2 (en) | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Laird Technologies, Inc. | Synthesis of silver, antimony, and tin doped bismuth telluride nanoparticles and bulk bismuth telluride to form bismuth telluride composites |
CN102031416B (zh) * | 2009-09-28 | 2012-08-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法 |
CN102881814B (zh) * | 2011-07-12 | 2015-11-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法 |
TWI452142B (zh) | 2011-11-22 | 2014-09-11 | 中原大學 | Tin and antimony ternary compounds and their application and forming methods |
EP2971196B1 (en) * | 2013-03-15 | 2018-08-22 | United Technologies Corporation | Process for treating steel alloy gears |
JP5976604B2 (ja) | 2013-03-29 | 2016-08-23 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電発電用物品及びセンサー用電源 |
KR102109500B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2020-05-12 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 산화물 나노입자가 분산된 칼코겐화합물 기반 상분리 복합 열전소재 |
CN106997919A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-08-01 | 宁波工程学院 | n‑型Cu4In9Se16基中高温热电半导体及其合成工艺 |
CN107010609B (zh) * | 2017-03-10 | 2019-01-04 | 宁波工程学院 | 一种p-型Cu4Ga6Te11基中温热电半导体 |
-
2018
- 2018-10-18 TW TW107136813A patent/TWI683910B/zh active
- 2018-12-17 CN CN201811540147.4A patent/CN111081859B/zh active Active
- 2018-12-18 EP EP18213379.3A patent/EP3640361B1/en active Active
- 2018-12-19 JP JP2018237243A patent/JP2020065035A/ja active Pending
- 2018-12-27 US US16/234,535 patent/US10975456B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002021606A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Korea Institute Of Science And Technology | The method manufacturing p-type bismuth telluride thermoelectric materials for the enhancement of the yield of high quality ingot |
JP2009529799A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-20 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛 |
JP2013541639A (ja) * | 2010-08-20 | 2013-11-14 | コーニング インコーポレイテッド | p型スクッテルダイト材料およびその製造方法 |
JP2016006827A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022054577A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 |
US12058936B2 (en) | 2020-09-10 | 2024-08-06 | National Institute For Materials Science | Thermoelectric material, method for producing same, and thermoelectric power generation element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10975456B2 (en) | 2021-04-13 |
CN111081859B (zh) | 2022-03-22 |
CN111081859A (zh) | 2020-04-28 |
TW202016326A (zh) | 2020-05-01 |
EP3640361B1 (en) | 2023-03-01 |
TWI683910B (zh) | 2020-02-01 |
US20200123637A1 (en) | 2020-04-23 |
EP3640361A1 (en) | 2020-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111081859B (zh) | 热电合金及其制作方法与热电合金复合物 | |
JP6219386B2 (ja) | 熱電装置のための四面銅鉱構造に基づく熱電材料 | |
JP2006523019A (ja) | 熱電発生器又はペルチェ配置のためのPb−Ge−Te−化合物 | |
US20110036099A1 (en) | Method for producing a thermoelectric intermetallic compound | |
JP2009253301A (ja) | ジカルコゲナイド熱電材料 | |
JP7344531B2 (ja) | 熱電変換材料、及びその製造方法 | |
JP2012521648A (ja) | 自己組織化熱電材料 | |
CN106986315B (zh) | 一种适用于低温发电的p型碲化铋热电材料及制备方法 | |
JP6054606B2 (ja) | 熱電半導体 | |
KR101264311B1 (ko) | 외생삽입을 통한 AgSbTe₂나노돗이 형성된 Te계 열전재료의 제조방법 | |
JP5352860B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
US10115879B2 (en) | Thermoelectric conversion material and method of production thereof | |
CN109103323A (zh) | 一种通过填充Ga、Te替换Sb提高基方钴矿材料热电性能的方法 | |
JP2005217310A (ja) | クラスレート化合物、熱電変換素子及びその製造方法 | |
JP3562296B2 (ja) | P型熱電変換材料およびその製造方法 | |
JP6588194B2 (ja) | 熱電材料および熱電モジュール | |
JP5784888B2 (ja) | BiTe系熱電材料の製造方法 | |
JP2018085415A (ja) | 熱電変換素子およびその製造方法 | |
JP2007073640A (ja) | クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子 | |
JP2008041871A (ja) | 熱電材料、熱電素子及び熱電材料の作製方法 | |
CN114477104B (zh) | (Sb2Te3)n(GeTe)m热电材料及其制备方法 | |
JP2000261046A (ja) | 熱電変換材料とその製造方法 | |
Park et al. | Electrical, Thermal, and Thermoelectric Transport Properties of Co-Doped n-type Cu 0.008 Bi 2 Te 2.6 Se 0.4 Polycrystalline Alloys | |
JP2023096415A (ja) | 熱電変換材料、および、それを用いた熱電変換素子 | |
JP7087362B2 (ja) | p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200831 |