JP6588194B2 - 熱電材料および熱電モジュール - Google Patents
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Description
これらの技術の中で、熱電変換を用いた発電は、比較的低品質の熱においても直接電気に変換することが可能であるため、現状の未利用の廃熱を回収できる技術である。したがって、最近のエネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、熱電変換に対する期待度はますます大きくなっている。
ここで、熱電特性の性能評価に用いられる性能指数ZTは、下記の式で表される。
S:ゼーベック係数
σ:電気伝導率
T:絶対温度
κ:熱伝導率
また、この中でS2・σはパワーファクター(出力因子)と呼ばれ、このパワーファクターも熱電特性の性能評価に用いられている。
ここで、ゼーベック係数は物性値であるため、材料によって決まってしまうが、電気伝導率と熱伝導率は、材料の微細組織や構成される元素等によっても大きく変化させることが可能である。このため、電気伝導率を大きくしたり熱伝導率を小さくしたりするための方法が検討されている。
また、上記特許文献3により提案された方法によると、磁場中において焼結を行うことにより電気的配向性を得ているのみであり、磁場強度が小さいため結晶そのものを配向することができず、かえって電気抵抗や熱伝導率等の物理的特性の異方性を減少又は消失させてしまって、結晶組織の配向度を大きくし、ある方向における電気伝導率を大きくしたり熱伝導率を小さくしたりするための結晶組織制御方法という目的では用いることができないのが現状である。
これに対し、主にCrおよびSiから構成される熱電材料は毒性がなく、環境にやさしい熱電材料であり、さらに、高温まで使用することが可能であるため、現在、大いに注目されている。
(イ)金属合金の粉末を製造し、これを合成する工程。
(ロ)合成した粉末金属合金をプレスして所定の形状とする工程。
(ハ)所定の形状に成型した金属合金成型体を焼結する工程。
(ニ)焼結した金属合金成型体を大気中において熱処理し、熱電素子を製造する工程。
また、上記金属合金がCrSi2を含有するものからなる熱電素子の製造方法が提案されている。
を特徴とする。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
本発明に係る熱電材料は、少なくともCr及びSiを主成分とする熱電材料において、当該熱電材料は、Crの同族元素であり、且つ、Crよりも原子量が大きい元素(A)を含有することを特徴とする。
また、本発明に係る熱電材料は、少なくともCr及びSiを主成分とする熱電材料において、当該熱電材料は、Siとで構成される化合物の結晶構造が、CrとSiとで構成される化合物と同形の結晶構造を有し、且つ、Crよりも原子量が大きい元素(B)を含有することを特徴とする。
さらに、本発明に係る熱電材料は、少なくともCr及びSiを主成分とする熱電材料において、当該熱電材料は、Siの同族元素であり、且つ、Siよりも原子量が大きい元素(C)を含有することを特徴とする。
(1):Crの同族元素であり、且つ、Crよりも原子量が大きい元素(A)
(2):Siとで構成される化合物の結晶構造が、CrとSiとで構成される化合物と同形の結晶構造を有し、且つ、Crよりも原子量が大きい元素(B)
(3):Siの同族元素であり、且つ、Siよりも原子量が大きい元素(C)
元素(A)はCrの同族元素であり、且つ、Crよりも原子量が大きい。
元素(A)としては、Mo、WまたはUが好ましいが、MoまたはWが特に好ましい。Mo、WまたはUを含有することで、電気伝導率が大きく、あるいは、熱伝導率の小さい熱電材料が製造でき、それにより熱電特性が向上できるため好ましい。
元素(B)は、Siとで構成される化合物の結晶構造が、CrとSiとで構成される化合物と同形の結晶構造を有し、且つ、Crよりも原子量が大きい。
Siとの化合物がCrとSiとで構成される化合物と同形の結晶構造を有する元素としては、V、Nb及びTaがあげられるが、NbまたはTaが特に好ましい。NbまたはTaを含有することで、電気伝導率が大きく、あるいは、熱伝導率の小さい熱電材料が製造でき、それにより熱電特性が向上できるため好ましい。
元素(C)はSiの同族元素であり、且つ、Siよりも原子量が大きい。
元素(C)としては、Ge、SnまたはPbが好ましいが、GeまたはSnが特に好ましい。Ge、SnまたはPbを含有することで、電気伝導率が大きく、あるいは、熱伝導率の小さい熱電材料が製造でき、それにより熱電特性が向上できるため好ましい。
なお、上記においてMo、W、U、Nb、TaはCrサイトを置換した場合と例示しているが、本発明はこの態様に限定されるものではない。すなわち、本発明に係る熱電材料では、必ずしもCrサイトを含有元素(Mo、W、U、Nb、Ta)で置換している必要はなく、含有することにより上記のように熱電特性を向上できればよい。
図1は、本発明に係る熱電材料の製造工程の一例を示したものである。
最初の工程は、原料を秤量する工程である。Cr、Si、Mo、W、Nb、Ta、Ge、Sn等の原料を必要な分秤量する。
焼結方法としては、電気炉等を用いた焼結、放電プラズマ焼結等を用いることができるが、特にこれらの方法に限定されるわけではなく、目的のバルク材料が得られれば特に問題はない。
焼結の温度は、焼結方法や主構成成分及びその組成比さらに置換元素等の種類や量により異なるが、800℃〜1500℃程度が好ましい。さらに高温で焼結を行うことも可能であるが、溶解、構成成分の組成変化あるいは焼結体の粒成長が問題になる場合があるので注意が必要である。また、焼結の温度が低すぎる場合緻密化が不十分になる場合が生じるので、それぞれの場合に適宜調整すればよい。
焼結の時間は、主構成成分及びその組成比さらに添加物や置換元素等の種類や量により異なるが、5分〜20時間程度が適当である。焼結時間が短いと緻密化が不十分になり、また、焼結時間が長いと生産効率の低下が問題になる場合があるので、それぞれの場合に応じて適宜調節することが必要になる。
また、焼結時に使用する基板あるいは容器としては、例えばAl2O3等のセラミックス基板及びセラミックス容器等を用いることができるが、その他にも、カーボン、グラファイト、アモルファスカーボン等を用いることができる。
焼結の雰囲気としては、真空、不活性ガス雰囲気、大気及び還元性の雰囲気を用いることができるが、粉砕した合金の酸化を防止するため、真空あるいはAr等の不活性ガス雰囲気が好ましい。
本発明に係る熱電モジュールは、上述した本発明に係る熱電材料を含有するものである。具体的には、本発明の熱電材料をp型材料として使用し、既存のn型の熱電材料をn型材料として使用して、図12に示したように、補強材4aと補強材4bとの間にp型材料1及びn型材料2を設け、電極3を用いてこれらを直列に連結する実施形態が挙げられる。そして、この一端(例えば図12中の下側であり、補強材4b側)を高温にし、反対側(例えば図12中の上側であり、補強材4a側)にある他端の低温部分との温度差が生じることにより、ゼーベック効果によって電圧が生じ発電できるものである。
尚、上記した実施形態は、p型材料とn型材料との両方を用いる場合を示しているが、本発明の熱電材料をp型材料として使用するのみの、いわゆるユニレグ構造の熱電モジュールであっても問題ない。本発明の熱電材料を用いていればよい。
高純度化学研究所製の純クロム(純度:99.9%)、高純度化学研究所製の純珪素(純度:99.999%)、高純度化学研究所製の純モリブデン(純度:99.9%)を所望の量になるように秤量し、CrSi2のCrをMoで5at%、10at%および20at%置換した組成とした。
続いて、技研エンジニアリングサービス製のアーク溶解炉GMAC−1100を用いてAr雰囲気中でアーク溶解を行い、Cr0.95Mo0.05Si2、Cr0.9Mo0.1Si2、およびCr0.8Mo0.2Si2の組成の合金とした。
次いで、上記合金をメノウ乳鉢で粉砕後、富士電波工機製の放電プラズマ焼結装置SPS−511Sを用いて真空中で放電プラズマ焼結を行った。焼結は、50MPaの圧力を印加しながら950℃で10分間実施した。これによりCr0.95Mo0.05Si2(試料1)、Cr0.9Mo0.1Si2(試料2)、およびCr0.8Mo0.2Si2(試料3)を製造した。
実施例1で製造した試料1〜3の熱伝導率の温度変化を、アルバック理工製のレーザフラッシュ法熱定数測定装置TC−7000を用いて測定した結果を図4に示す。図4には、比較のためMoを置換していないCrSi2の熱伝導率の温度変化も同時に示している。図4から明らかなようにCrの一部をMoで置換することにより、熱伝導率が減少している。
また、図5に上記試料1〜3のZTの温度変化を示した。図5には、比較のためMoを置換していないCrSi2のZTの温度変化も同時に示している。ZTの値はアルバック理工製の熱電特性評価装置ZEM−3を用いて測定したパワーファクターの値と、アルバック理工製のレーザフラッシュ法熱定数測定装置TC−7000を用いて測定した熱伝導率の値を用いて算出した。図5からわかるようにCrの一部をMoで置換することにより、ZTが増加している。
このように、Crの一部をMoで置換することにより、熱電材料であるCrSi2の熱伝導率を減少することができ、また、ZTを増加することができた。これによりCrSi2の熱電特性を向上できた。
高純度化学研究所製の純クロム(純度:99.9%)、高純度化学研究所製の純珪素(純度:99.999%)、高純度化学研究所製の純ニオブ(純度:99.9%)を所望の量になるように秤量し、CrSi2のCrをNbで5at%および10at%置換した組成とした。
続いて、技研エンジニアリングサービス製のアーク溶解炉GMAC−1100を用いてAr雰囲気中でアーク溶解を行い、Cr0.95Nb0.05Si2およびCr0.9Nb0.1Si2の組成の合金とした。
次いで、上記合金をメノウ乳鉢で粉砕後、富士電波工機製の放電プラズマ焼結装置SPS−511Sを用いて真空中で放電プラズマ焼結を行った。焼結は、50MPaの圧力を印加しながら950℃で10〜20分間実施した。これによりCr0.95Nb0.05Si2(試料4)およびCr0.9Nb0.1Si2(試料5)を製造した。
実施例3で製造した試料4〜5の熱伝導率の温度変化を、アルバック理工製のレーザフラッシュ法熱定数測定装置TC−7000を用いて測定した結果を図8に示す。図8には、比較のためNbを置換していないCrSi2の熱伝導率の温度変化も同時に示している。図8から明らかなようにCrの一部をNbで置換することにより、熱伝導率が減少している。
また、図9に上記試料4〜5のZTの温度変化を示した。図9には、比較のためNbを置換していないCrSi2のZTの温度変化も同時に示している。ZTの値はアルバック理工製の熱電特性評価装置ZEM−3を用いて測定したパワーファクターの値と、アルバック理工製のレーザフラッシュ法熱定数測定装置TC−7000を用いて測定した熱伝導率の値を用いて算出した。図9からわかるようにCrの一部をNbで置換することにより、ZTが増加している。
このように、Crの一部をNbで置換することにより、熱電材料であるCrSi2の熱伝導率を減少することができ、また、ZTを増加することができた。これによりCrSi2の熱電特性を向上できた。
高純度化学研究所製の純クロム(純度:99.9%)、高純度化学研究所製の純珪素(純度:99.999%)、高純度化学研究所製の純ゲルマニウム(純度:99.99%)を所望の量になるように秤量し、CrSi2のSiをGeで10at%および20at%置換した組成とした。
続いて、技研エンジニアリングサービス製のアーク溶解炉GMAC−1100を用いてAr雰囲気中でアーク溶解を行い、Cr(Si0.9Ge0.1)2およびCr(Si0.8Ge0.2)2の組成の合金とした。
次いで、上記合金をメノウ乳鉢で粉砕後、富士電波工機製の放電プラズマ焼結装置SPS−511Sを用いて真空中で放電プラズマ焼結を行った。焼結は、50MPaの圧力を印加しながら950℃で10分間実施した。これによりCr(Si0.9Ge0.1)2(試料6)およびCr(Si0.8Ge0.2)2(試料7)を製造した。
2 n型材料
3 電極
4a 補強材
4b 補強材
Claims (2)
- 少なくともCr及びSiを主成分とする熱電材料において、
当該熱電材料は、CrSi合金であり、
Siの同族元素であり、且つ、Siよりも原子量が大きい元素(C)であるGeを含有し、CrSi 2 のSiをGeで一部置換した、Cr(Si x Ge (1-x) ) 2 (ただし、x=0.8〜0.9)であることを特徴とする熱電材料。 - 請求項1に記載の熱電材料を含有することを特徴とする熱電モジュール。
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