JP2015038984A - 熱電変換材料及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱電変換材料は、下記組成式(1)で表される組成を有するクラスレート化合物より実質的に構成されている。大気雰囲気にて300℃で100時間の加熱を行った後に測定して得られる熱電変換材料のゼーベック係数Sagingの絶対値が、加熱を行う前のゼーベック係数Sinitialの絶対値に対して90%以上であることが好ましい。
Ba8(Gax,Sny,Gez)46 ・・・・・・(1)
(但し、上記組成式(1)において、0<x<1、0≦y<1、0<z<1であり、x+y+z=1を満たす。)
【選択図】図2
Description
(但し、上記数式におけるS(V/K)はゼーベック係数であり、ρ(Ωm)は電気抵抗率であり、T(K)は温度であり、κ(W/mK)は熱伝導率である。)
Ba8(Gax,Sny,Gez)46 ・・・・・・(1)
(但し、上記組成式(1)において、0<x<1、0≦y<1、0<z<1であり、x+y+z=1を満たす。)
該溶融工程により得られる溶融液を冷却して凝固させる冷却工程とを含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法にある。
上記熱電変換材料及びその製造方法の実施例について、以下に説明する。本例においては、上記組成式(1)で表される組成を有するクラスレート化合物より実質的に構成されているP型熱電変換材料(試料1〜試料12、表1参照)を作製した。なお、表1に示す試料5は、Geを含む試料との比較のために作製した、Geを含まないクラスレート化合物Ba8(Ga18,Sn28)より構成されている熱電変換材料の例である。
メノウ乳鉢を用いて試料を再度粉砕し、得られた粉末の粉末X線回折測定を行った。その結果、いずれの試料についても、主相がType−VIIIの結晶構造を有するクラスレート化合物1(図2参照)であることが確認できた。なお、図2における符号11はBa原子を示し、符号12はクラスレート格子を構成するGa原子、Sn原子及びGe原子のうちいずれかの原子を示している。
試料を研磨した後、EPMA(電子線マイクロアナライザ(日本電子株式会社製、製品名「JXA−8500F」))を用いて研磨面の組成を評価した。その結果、得られた組成比(at%)を表1に示す。表1より知られるように、試料1〜試料4及び試料12については、研磨面からGeが検出された。これは、クラスレート化合物のクラスレート格子内にGeが組み込まれているためと考えられる。なお、いずれの試料においても、仕込比率に比べて試料の組成比のほうが、Geの割合が低くなっている。これは、試料の作製過程において、Geが不純物として除去されたりすることが原因と考えられる。
次に、熱電特性評価装置(アルバック理工株式会社製、製品名「ZEM−2」)を用いて各試料のゼーベック係数S(V/K)の測定を以下の手順により行った。
本例は、上記組成式(1)で表される組成を有するクラスレート化合物より実質的に構成されているN型熱電変換材料(試料21〜試料35、表3参照)の例である。なお、表3に示す試料27は、Geを含む試料との比較のために作製した、Geを含まないクラスレート化合物Ba8(Ga14,Sn34)より構成されている熱電変換材料の例である。試料21〜試料35の作製方法及びゼーベック係数Sの測定方法等は、実施例1と同様の方法により行った。また、図には示さないが、粉末X線回折測定を行ったところ、試料21〜35は、いずれもType−VIIIの結晶構造を有していた。
Claims (14)
- 下記組成式(1)で表される組成を有するクラスレート化合物より実質的に構成されていることを特徴とする熱電変換材料。
Ba8(Gax,Sny,Gez)46 ・・・・・・(1)
(但し、上記組成式(1)において、0<x<1、0≦y<1、0<z<1であり、x+y+z=1を満たす。) - 大気雰囲気にて300℃で100時間の加熱を行った後に測定して得られる上記熱電変換材料のゼーベック係数Sagingの絶対値が、上記加熱を行う前のゼーベック係数Sinitialの絶対値に対して90%以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計に対するGeの比率が2.5at%以上であり、導電型がP型であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、Ba;14.7〜16.1at%、Ga;29.1〜33.1at%を含み、SnとGeとの合計が50.8〜56.2at%であることを特徴とする請求項3に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、SnとGeとの合計が55.1at%以下であることを特徴とする請求項4に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計に対するGeの比率が0.2at%以上であり、導電型がN型であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、Ba;13.8〜16.7at%、Ga;26.5〜32.6at%を含み、SnとGeとの合計が50.7〜59.7at%であることを特徴とする請求項6に記載の熱電変換材料。
- Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、SnとGeとの合計が58.7at%以下であることを特徴とする請求項7に記載の熱電変換材料。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法であって、
上記クラスレート化合物の構成元素であるBa、Ga、Sn及びGeを溶融させる溶融工程と、
該溶融工程により得られる溶融液を冷却して凝固させる冷却工程とを含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 - 上記溶融液中のGeの比率が、Ba、Ga、Sn、Geの合計に対して10.7at%以上であり、得られる熱電変換材料の導電型がP型を呈することを特徴とする請求項9に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 上記溶融液は、Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、Ba;13.1〜15.7at%、Ga;32.1〜37.7at%を含み、SnとGeとの合計が46.6〜54.8at%であることを特徴とする請求項10に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 上記溶融液は、Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、SnとGeとの合計が49.0〜53.6at%であることを特徴とする請求項11に記載の熱電変換材料。
- 上記溶融液中のGeの比率が、Ba、Ga、Sn、Geの合計に対して0.2at%以上であり、得られる熱電変換材料の導電型がN型を呈することを特徴とする、請求項9に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 上記溶融液は、Ba、Ga、Sn、Geの合計を100at%としたときに、Ba;13.8〜14.3at%、Ga;24.1〜25.0at%を含み、SnとGeとの合計が60.7〜62.1at%であることを特徴とする請求項13に記載の熱電変換材料の製造方法。
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