JP5784888B2 - BiTe系熱電材料の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)Bi−Te系、Pb−Te系、Si−Ge系等の化合物半導体、
(2)NaxCoO2(0.3≦x≦0.8)、(ZnO)mIn2O3(1≦m≦19)、Ca3Co4O9等のCo系酸化物セラミックス、
(3)Zn−Sb系、Co−Sb系、Fe−Sb系等のスクッテルダイト化合物、
(4)ZrNiSn等のハーフホイスラー化合物、
(5)FeSi2、MnSixなどのケイ化物
(6)IV族元素で主に構成された籠状のクラスタ格子とその内部空間に原子が取り込まれた、Ba−Ga−Ge、Ba−Ga−Si、Ba−Ga−Sn等のクラスレート化合物、
等が知られている。
Claims (1)
- テルル化ビスマス系熱電材料の製造方法であって、メタノール、エタノール、1−プロパノール、イソプロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、酢酸エチル、アセトン及びアセトニトリルからなる群より選ばれる、330℃以上で超臨界流体となり得る溶媒中で、330℃以上、テルルの融点未満の温度においてビスマスとテルルを合金化させ、熱電材料を製造することを含む方法。
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