JP2019526927A5 - 基板をパターニングするための構造を形成する方法、基板をパターニングする方法及びマスクを形成する方法 - Google Patents
基板をパターニングするための構造を形成する方法、基板をパターニングする方法及びマスクを形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019526927A5 JP2019526927A5 JP2019504912A JP2019504912A JP2019526927A5 JP 2019526927 A5 JP2019526927 A5 JP 2019526927A5 JP 2019504912 A JP2019504912 A JP 2019504912A JP 2019504912 A JP2019504912 A JP 2019504912A JP 2019526927 A5 JP2019526927 A5 JP 2019526927A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- etching
- features
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 15
- 241000894007 species Species 0.000 claims 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 5
- 235000020127 ayran Nutrition 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N Tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Description
他の実施形態において、キャップ層108は、酸化アルミニウム、酸化タンタル、窒化タンタル、窒化タングステン又は窒化チタン、又は、他の金属酸化物もしくは金属窒化物などの窒化物又は酸化物から成ることができる。実施形態は本文脈に限定されない。例えば、イオン106は基板102へ向けられるが、酸素などの反応種107の流束は基板102へ供給することができる。酸素などの反応種107の流束は、イオン106にさらされる間に、基板102を含むプロセスチャンバ(図示せず)の中へ、反応ガスの流れを供給することにより、供給することができる。特定の実施形態において、基板102の近くに配置されるローカルプラズマ酸素源により、反応酸素を供給することができる。
Claims (15)
- 基板の上に配置されるマスクに最初のマスク造作を提供するステップであって、該最初のマスク造作は第1の材料を含み、前記基板は基板平面を画定するステップと、
イオンをイオンビームとして、前記基板平面に対する垂線に対して、非ゼロの入射角θで、前記最初のマスク造作へ向けるステップであって、複合マスク造作が形成され、該複合マスク造作は前記最初のマスク造作の上に配置されるキャップ材料を含み、該キャップ材料は前記イオンを含むステップと、
基板エッチングを実施するステップであって、エッチングの造作が前記基板に形成され、前記最初のマスク造作の少なくとも1部が、前記基板エッチングの後に、残り、前記キャップ材料は前記基板エッチングの完了前に完全に除去されるステップと、を有し、
前記基板エッチングは、前記第1の材料を第1のエッチング速度でエッチングし、前記キャップ材料を第2のエッチング速度でエッチングし、前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度より大きい、基板をパターニングするための構造を形成する方法。 - 前記キャップ材料は、Al、Ta、W、Ti、酸化アルミニウム、酸化タンタル、窒化タンタル、窒化タングステン又は窒化チタンを含む、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。
- 前記イオンビームを向ける前記ステップ中に、反応種の流束を前記基板へ供給するステップを更に有する、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。
- 前記基板エッチングを実施する前記ステップは、反応性エッチャントを前記基板へ向けるステップを有し、前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度より少なくとも5倍大きい、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。
- 前記イオンビームを向ける前記ステップは、金属種の第1の流束を前記基板へ供給するステップを有し、
前記方法は、更に、前記イオンビームを向ける前記ステップ中に、反応種の第2の流束を前記基板へ供給するステップを有し、
前記キャップ材料は、前記金属種から形成される酸化物、又は、前記金属種から形成される窒化物を含む、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。 - 前記イオンビームを向ける前記ステップは、
前記基板が第1の位置にあるときに、金属種の第1のドーズを含む第1の照射で、前記イオンビームを前記基板へ向けるステップと、
前記第1の位置から第2の位置へ前記垂線の周りを前記基板を回転させるステップと、
前記基板が前記第2の位置にあるときに、前記金属種の第2のドーズを含む第2の照射で、前記イオンビームを前記基板へ向けるステップと、を有する、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。 - 前記イオンビームを向ける前記ステップの前に、成形イオンビームを前記最初のマスク造作へ向けるステップを更に有し、
前記キャップ材料が形成される前に、前記最初のマスク造作の頂部部分が変えられる、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。 - 前記イオンビームは、100eVから2000eVのイオンエネルギーを有するイオンを含む、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。
- 前記キャップ材料は、5nmから50nmの厚さを有するキャップ層を備える、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。
- 前記マスクは前記最初のマスク造作及び少なくとも1つの追加のマスク造作を含む複数のマスク造作を備え、
前記複数のマスク造作は、造作の高さHを備え、造作の間隔Sを画定し、tan(θ)>S/Hである、請求項1記載の基板をパターニングするための構造を形成する方法。 - 基板をパターニングする方法であって、該方法は、
犠牲マスクを基板の上に形成するステップであって、該犠牲マスクは複数の最初のマスク造作を備え、該複数の最初のマスク造作の1つの最初のマスク造作は第1の材料を含み、前記基板は基板平面を画定するステップと、
イオンをイオンビームとして、前記基板平面に対する垂線に対して、非ゼロの入射角(θ)で、前記犠牲マスクへ向けるステップであって、複合犠牲マスクが形成され、該複合犠牲マスクは複数の最初のマスク造作を含み、前記複数の最初のマスク造作の1つの最初のマスク造作は、前記第1の材料を含む下部と、該下部の上に配置されるキャップ材料とを備え、該キャップ材料は前記イオンを含むステップと、
基板エッチングを実施するステップであって、複数のエッチングの造作が前記基板に形成され、前記犠牲マスクの少なくとも1部が、前記基板エッチングの後に、残り、前記キャップ材料は前記基板エッチングの完了前に完全に除去されるステップと、を有し、
前記基板エッチングは、前記第1の材料を第1のエッチング速度でエッチングし、前記キャップ材料を第2のエッチング速度でエッチングし、前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度より大きい、基板をパターニングする方法。 - 前記複数のマスク造作は、造作の高さHを備え、造作の間隔Sを画定し、tan(θ)>S/Hである、請求項11記載の基板をパターニングする方法。
- 前記イオンビームを向ける前記ステップは、金属種の第1の流束を前記基板へ供給するステップを有し、
前記方法は、更に、前記イオンビームを向ける前記ステップ中に、反応種の第2の流束を前記基板へ供給するステップを有し、
前記キャップ材料は金属酸化物又は金属窒化物を含み、該金属酸化物及び金属窒化物は前記金属種から形成される、請求項11記載の基板をパターニングする方法。 - マスクを形成する方法であって、該方法は、
第1の材料を含み、基板平面に沿って配置される、ブランケット層を形成するステップと、
複数の最初のマスク造作を形成するために、前記ブランケット層をパターンニングするステップであって、前記複数の最初のマスク造作は前記第1の材料を含むステップと、
イオンをイオンビームとして、前記基板平面に対する垂線に対して、非ゼロの入射角(θ)で、前記複数の最初のマスク造作へ向けるステップであって、前記イオンビームを向ける前記ステップの後に、前記複数の最初のマスク造作は、前記第1の材料を含む下部と、該下部の上に配置されるキャップ材料とを備え、該キャップ材料は前記イオンを含むステップと、
基板エッチングを実施するステップであって、複数のエッチングの造作が前記基板に形成され、前記最初のマスク造作の少なくとも1部が、前記基板エッチングの後に、残り、前記キャップ材料は前記基板エッチングの完了前に完全に除去されるステップと、を有し、
前記基板エッチングは、前記第1の材料を第1のエッチング速度でエッチングし、前記キャップ材料を第2のエッチング速度でエッチングし、前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度より大きい、マスクを形成する方法。 - 前記複数のマスク造作は、造作の高さHを備え、造作の間隔Sを画定し、tan(θ)>S/Hである、請求項14記載のマスクを形成する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662372388P | 2016-08-09 | 2016-08-09 | |
US62/372,388 | 2016-08-09 | ||
US15/296,782 US10109498B2 (en) | 2016-08-09 | 2016-10-18 | Composite patterning mask using angled ion beam deposition |
US15/296,782 | 2016-10-18 | ||
PCT/US2017/043281 WO2018031219A1 (en) | 2016-08-09 | 2017-07-21 | Composite patterning mask using angled ion beam deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019526927A JP2019526927A (ja) | 2019-09-19 |
JP2019526927A5 true JP2019526927A5 (ja) | 2021-09-30 |
Family
ID=61159208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019504912A Pending JP2019526927A (ja) | 2016-08-09 | 2017-07-21 | 傾斜イオンビーム蒸着を用いる複合パターニングマスク |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10109498B2 (ja) |
JP (1) | JP2019526927A (ja) |
KR (1) | KR102408866B1 (ja) |
CN (1) | CN109478502B (ja) |
TW (1) | TWI730147B (ja) |
WO (1) | WO2018031219A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10566194B2 (en) * | 2018-05-07 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning |
US11119405B2 (en) * | 2018-10-12 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Techniques for forming angled structures |
US11651965B2 (en) | 2019-08-12 | 2023-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method and system for capping of cores for self-aligned multiple patterning |
KR20210039825A (ko) | 2019-10-02 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 기판 증착장치 및 이를 구비하는 기판 증착 시스템 |
CN111463106B (zh) * | 2020-04-02 | 2023-06-02 | 超晶科技(北京)有限公司 | 一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法 |
US11640987B2 (en) * | 2021-02-04 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Implant to form vertical FETs with self-aligned drain spacer and junction |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2984539B2 (ja) * | 1994-04-19 | 1999-11-29 | 日本電気株式会社 | 酸化シリコン膜のドライエッチング方法 |
JP2000058802A (ja) | 1998-01-13 | 2000-02-25 | Stmicroelectronics Srl | Soiウェハの製造方法 |
JPH11335818A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Sony Corp | 成膜方法 |
ATE368849T1 (de) * | 2002-10-25 | 2007-08-15 | Ct De Rech Public Gabriel Lipp | VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ßIN-SITU- DEPONIERUNGß VON NEUTRALEM CS UNTER ULTRAHOCHVAKUUM ZU ANALYTISCHEN ZWECKEN. |
JP4069041B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2008-03-26 | 日本電信電話株式会社 | エッチング用マスク及びその形成方法 |
US7443639B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-10-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions including crystalline and amorphous tunnel barrier materials |
KR100769142B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
KR100769143B1 (ko) | 2006-11-29 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
KR20100025363A (ko) | 2008-08-27 | 2010-03-09 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 나노 패턴 제조방법, 마스크 제조방법 및 나노 임프린트 리소그래피 방법 |
JP2010093051A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 電界効果型半導体装置 |
US8465909B2 (en) * | 2009-11-04 | 2013-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned masking for solar cell manufacture |
US8741723B2 (en) | 2012-04-25 | 2014-06-03 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming self-aligned contacts for a semiconductor device |
US8906807B2 (en) | 2012-10-10 | 2014-12-09 | International Business Machines Corporation | Single fin cut employing angled processing methods |
US9105295B2 (en) * | 2013-02-25 | 2015-08-11 | HGST Netherlands B.V. | Pattern tone reversal |
US9412613B2 (en) | 2014-01-08 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films |
US9349939B2 (en) | 2014-05-23 | 2016-05-24 | Qualcomm Incorporated | Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device |
US9455200B2 (en) | 2014-08-11 | 2016-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for semiconductor device fabrication |
US9464348B2 (en) * | 2014-08-26 | 2016-10-11 | HGST Netherlands B.V. | Method for making a patterned perpendicular magnetic recording disk using glancing angle deposition of hard mask material |
US9536748B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure |
KR102354468B1 (ko) * | 2015-01-23 | 2022-01-24 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법, 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법, 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 |
-
2016
- 2016-10-18 US US15/296,782 patent/US10109498B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-21 KR KR1020197006341A patent/KR102408866B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-21 WO PCT/US2017/043281 patent/WO2018031219A1/en active Application Filing
- 2017-07-21 CN CN201780045678.3A patent/CN109478502B/zh active Active
- 2017-07-21 JP JP2019504912A patent/JP2019526927A/ja active Pending
- 2017-07-26 TW TW106125132A patent/TWI730147B/zh active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019526927A5 (ja) | 基板をパターニングするための構造を形成する方法、基板をパターニングする方法及びマスクを形成する方法 | |
JP6983796B2 (ja) | 基板を処理する方法 | |
JP2013055336A5 (ja) | ||
JP2001345310A5 (ja) | ||
JP7170860B2 (ja) | 角度付き構造を形成するための技術 | |
US9076804B2 (en) | Systems and methods to enhance passivation integrity | |
TWI730147B (zh) | 用於形成用以圖案化基板的結構的方法以及圖案化基板的方法 | |
KR102550498B1 (ko) | 패턴 전사 및 리소그래피 결함을 감소시키기 위한 방법 | |
JP2008311617A (ja) | ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 | |
JP2018037656A5 (ja) | ||
JPWO2014076983A1 (ja) | 反射防止構造用金型製造方法、及び反射防止構造用金型としての使用方法 | |
JPH09321023A (ja) | 金属配線の形成方法 | |
JP4654811B2 (ja) | エッチングマスクおよびドライエッチング方法 | |
US20190181005A1 (en) | Technique for Multi-Patterning Substrates | |
US10381231B2 (en) | Ion beam etching | |
JP4640047B2 (ja) | エッチング方法、金属膜構造体の製造方法およびエッチング構造体 | |
TW202108792A (zh) | 使用不對稱物理氣相沉積來圖案化基板之方法及設備 | |
CN104851811B (zh) | 去除铝残余缺陷的方法 | |
US7205243B2 (en) | Process for producing a mask on a substrate | |
JP5720473B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6019967B2 (ja) | パターン形成方法 | |
CN111415860A (zh) | 用于对基底进行多重图案化的方法 | |
JP2014053535A (ja) | パターン形成方法 | |
JPH04369220A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2010232352A (ja) | ドライエッチング方法及び金属薄膜のパターニング方法 |