TW202108792A - 使用不對稱物理氣相沉積來圖案化基板之方法及設備 - Google Patents

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Abstract

於此提供了用於處理基板的方法和設備。在一些實施例中，一種用於處理基板的方法包括以下步驟：將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第一非垂直角度的方向引導，以將材料沉積在基板上的一個或多個特徵上並形成第一懸垂物；蝕刻在對沉積的材料有選擇性的特徵下的基板的層，以形成圖案的第一部分；從特徵移除材料；將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第二非垂直角度的方向引導，以將材料沉積在基板上的特徵上並形成第二懸垂物；及蝕刻在對沉積的材料有選擇性的特徵下的基板的層，以形成圖案的第二部分。

Description

使用不對稱物理氣相沉積來圖案化基板之方法及設備
本揭露書的實施例大體上關於基板處理配備和技術，且更具體地，關於用於執行物理氣相沉積（PVD）的方法和設備。
半導體處理產業通常繼續致力於增加沉積在基板上的層的均勻性。例如，隨著縮小的電路尺寸導致基板的每單位面積的更高電路整合度，通常可期望或在某些應用中要求增加均勻性，以保持令人滿意的產出並降低製造成本。已經開發了各種技術以成本有效且均勻的方式（諸如化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD））在基板上沉積層。
然而，發明人已經觀察到在生產配備以更均勻地沉積的驅動下，在需要相對於在基板上製造的給定結構而言是不對稱或不均勻的有目的地沉積的情況下，某些應用可能無法得到充分滿足。例如，發明人已經觀察到在PVD處理期間靶材的不對稱或不均勻的沉積可有利地用於在下面的基板上產生一個或多個圖案。
於此提供了用於處理基板的方法和設備。在一些實施例中，一種用於處理基板的方法包括以下步驟：將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第一非垂直角度的方向引導，以將材料選擇性地沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過一個或多個特徵的第一側壁的第一懸垂物；第一次蝕刻設置在對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的層，以在層上形成圖案的第一部分；從一個或多個特徵移除沉積的材料；將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第二非垂直角度的方向引導，以將材料選擇性地沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過與一個或多個特徵的第一側壁相對的第二側壁的第二懸垂物；及第二次蝕刻在對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的層，以在層上形成圖案的第二部分。
根據本揭露書的態樣，提供了一種用於處理基板的方法。方法包括以下步驟：將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第一非垂直角度的方向引導，以將材料選擇性地沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過一個或多個特徵的第一側壁的第一懸垂物，基板包含第一層、設置在第一層的頂上的第二層及包括設置在第二層的頂上的一個或多個特徵的第三層；第一次蝕刻設置在對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的第二層，以在第二層上形成圖案的第一部分；從一個或多個特徵移除沉積的材料；將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第二非垂直角度的方向引導，以將材料選擇性地沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過與一個或多個特徵的第一側壁相對的第二側壁的第二個懸垂物；及第二次蝕刻對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的第二層，以在第二層上形成圖案的第二部分。
根據本揭露書的態樣，提供了一種在其上儲存有複數個指令的非暫時性電腦可讀儲存媒體，複數個指令在被執行時使處理控制器執行用於處理基板的方法。方法可包括於此揭露的任何實施例。在一些實施例中，該方法包括以下步驟：將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第一非垂直角度的方向引導，以將材料選擇性地沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過一個或多個特徵的第一側壁的第一懸垂物；第一次蝕刻設置在對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的層，以在層上形成圖案的第一部分；從一個或多個特徵移除沉積的材料；將來自PVD源的材料的流朝基板的表面以與表面的平面成第二非垂直角度的方向引導，以將材料沉積在基板上的一個或多個特徵的頂部部分上並形成延伸超過與一個或多個特徵的第一側壁相對的第二側壁的第二懸垂物；及第二次蝕刻在對沉積的材料有選擇性的一個或多個特徵下的基板的層，以在層上形成圖案的第二部分。
下面描述本發明的其他和進一步的實施例。
於此揭露了用於在下面的基板上創建一個或多個圖案的方法和設備。所揭露的方法和設備的實施例有利地使得能夠在基板上均勻角度地沉積材料。在這樣的應用中，沉積的材料相對於基板上的給定特徵是不對稱的或成角度的，但是在整個基板上的所有特徵內可為相對均勻的。此外，所揭露的方法和設備的實施例可有利地用於在基板的層上形成一個或多個圖案，諸如在基板的層上的線和間隔圖案。
第1圖是根據本揭露書的至少一些實施例的系統10的示意性側視圖，系統10包括可由處理控制器（或處理器）20控制的物理氣相沉積（PVD）設備100和蝕刻設備30。在一些實施例中，PVD設備100和蝕刻設備30的每一個可由處理控制器20控制。在一些實施例中，蝕刻設備30可由單獨的控制器控制。
PVD設備100被配置用於以與基板的大致平坦的表面不垂直的角度在基板106上沉積材料。PVD設備100通常包括第一PVD源102和用於支撐基板106的基板支撐件108。PVD設備100還可包括一個或多個準直器110。
第一PVD源102配置成從源朝向基板支撐件108（及設置在基板支撐件108上的任何基板106）提供材料通量的第一定向流（如，第一流112）。在一些實施例中，PVD設備100可包括第二PVD源104，第二PVD源104配置成從源朝向基板支撐件108（及設置在基板支撐件108上的任何基板106）提供材料的通量的第二定向流（如，第二流114）。基板支撐件具有支撐基板的支撐表面，使得待沉積在其上的基板的工作表面曝露於材料通量的第一流112和材料通量的第二流114（當存在時）。由第一PVD源102和第二PVD源104提供的材料通量的第一流112和第二流114的寬度大於基板支撐件108（及設置在基板支撐件108上的任何基板106）的寬度。材料通量的第一流112和第二流114具有線性的細長軸線，細長軸線對應於材料通量的第一流112和第二流114的寬度。基板支撐件108配置成相對於第一PVD源102和第二PVD源104線性地移動，如箭頭116所示。任選地，基板支撐件108可另外配置成繞基板支撐件108的z軸線旋轉（亦即，垂直於支撐表面的中心軸線）或繞基板支撐件108的y軸線傾斜，如箭頭126所示。可使用與基板表面成非垂直角度的材料沉積產生延伸超過設置在基板106上的特徵的一個或多個側壁的懸垂物，如將在下面更詳細地描述的。
第一PVD源102和第二PVD源104包括待濺射沉積在基板上的靶材。在一些實施例中，第一PVD源102和第二PVD源104的靶材是相同的靶材。替代地，在一些實施例中，第一PVD源102和第二PVD源104的各自的靶材彼此不同。靶材可為適合於在基板上沉積鈦（Ti）或氮化鈦（TiN）的（例如）金屬，諸如鈦或類似者。在一些實施例中，靶材可為適於在基板上沉積矽（Si）、氮化矽（SiN）、氧氮化矽（SiON）或類似者的（例如）矽或含矽化合物。根據於此提供的教示，也可使用其他合適的材料。第一PVD源102進一步包括或耦合至功率源，以提供合適的功率用於形成靠近靶材的電漿並用於將原子濺射出靶材。功率源可為DC、脈衝DC、HiPIM或RF功率源的任一個或組合。
與離子束或其他離子源不同，第一和第二PVD源102、104配置成提供靶材的大部分中性離子和少量離子。這樣，可形成具有足夠低密度的電漿，以避免電離太多靶材的濺射原子。例如，對於300mm直徑晶圓作為基板而言，可提供約1至約20 kW的DC或RF功率。所施加的功率或功率密度可針對其他尺寸的基板進行縮放。另外，可控制其他參數以幫助在材料通量的第一流112和第二流114中提供大部分中性物質。例如，可將壓力控制為足夠低，使得平均自由路徑長於第一和第二PVD源102、104的開口的總體尺寸，材料通量的流通過開口朝向基板支撐件108（如下面更詳細的討論）。在一些實施例中，可將壓力控制為約0.1至約5毫托。
可控制材料通量的第一和第二流的入射的橫向角度。例如，第1圖描繪了根據本揭露書的PVD設備100，其顯示了來自第一PVD源102的第一流112的材料沉積角度α130和來自第二PVD源104的第二流114的材料沉積角度β132。角度α130和β132可固定或藉由如箭頭122所示旋轉第一PVD源102及/或如箭頭124所示旋轉第二PVD源104來調節。在一些實施例中，角度α130和β132可測量為相對於基板106平面的平均入射角度（如，材料通量的給定流中的粒子的最大和最小入射角度的簡單平均）。在一些實施例中，角度α130和β132可測量為相對於基板106的平面的主要入射角度（如，材料通量的給定流中的粒子的各種入射角度的容積或質量加權平均）。
除了角度α130和β132之外，第一流112和第二流114指向基板106表面的平面內角度也可用以在配置在基板上的特徵上產生懸垂物，如下面更詳細地討論的。
如上所述，設備可任選地包括準直器110。準直器110是具有一個或多個開口140、142的物理結構，諸如罩、盤、複數個擋板或類似者。當存在準直器110時，準直器110插入在第一PVD源102和第二PVD源104與基板106之間，使得材料通量的第一流112和第二流114行進通過準直器110以到達基板106。具有大於穿過準直器110的開口140、142的角度的材料將被阻擋，從而限制到達基板106表面的材料的允許角度範圍。準直器110可包括單個開口。替代地/附加地，PVD設備100可包括具有多個開口的單個準直器110。準直器可用作擴展角度控制設備，其控制從第一及/或第二PVD源濺射的材料的擴展角度。一個或多個準直器110可如箭頭128所示線性地移動。
材料的第一流112和第二流114實際接觸基板表面的入射角度130’、132’可不同於由第一PVD源102和第二PVD源104提供的材料的流的入射角度130、132。材料的第一流112和第二流114實際接觸基板表面的入射角度130’，132’可藉由以下一個或多個控制/改變：由第一PVD源102和第二PVD源104提供的材料的流的入射角度130、132、準直器110中的開口的數量和位置、準直器110的線性位置及基板支撐件108繞x軸線、y軸線及/或z軸線的旋轉（如，箭頭126）。
處理控制器20控制PVD腔室11的整體操作。更具體地說，處理控制器20控制第一PVD源102、第二PVD源104（當存在時）、基板支撐件108或準直器110（當存在時）的至少一個或多個。處理控制器20可控制基板支撐件108的運動、第一PVD源102的運動和第二PVD源104的運動，用於以上面參考角度的一個或多個朝基板引導材料通量的第一流112和第二流114及準直器110的運動，若使用的話。在將材料PVD到基板106上之前、期間及/或之後，處理控制器20還可控制PVD設備100內部的壓力和提供給靶材的功率量。
蝕刻設備30可配置成執行一種或多種合適的蝕刻處理。例如，蝕刻設備30可配置成執行乾式蝕刻處理及/或濕式蝕刻處理。蝕刻設備30（例如）可配置成執行適合於選擇性地蝕刻材料的乾式電漿蝕刻處理，如下面更詳細地描述的。
在基板106的蝕刻處理完成之後，可能需要移除沉積的材料。因此，一個或多個合適的目標材料移除設備40可用於從基板106移除（如，剝離）沉積的材料。例如，目標材料移除設備40可為電漿蝕刻腔室（其可為蝕刻設備30的部件，但是配置成使用一種或多種氣體來蝕刻沉積在基板106上的材料，一種或多種氣體可能與蝕刻設備30使用的氣體不同），或可（例如）使用乾式O2 灰化或其他合適的技術從基板106移除/剝離沉積的材料的單獨的獨立設備。
於此揭露的方法和實施例有利地使得能夠沉積具有定型輪廓的材料（如，產生懸垂物），其可有利地用作蝕刻遮罩層，以控制要被蝕刻到基板的一個或多個層的下層圖案的形狀。
例如，第2圖描繪了根據本揭露書的至少一些實施例的用於圖案化基板的方法的流程圖。例如，可使用第2圖的方法在基板的一層或多個層中或一層或多個層上形成一個或多個特徵。第3A至3K圖顯示了根據本揭露書的至少一些實施例的基板300的製造階段的示意圖。
第3A圖顯示了基板300，其包括第一層或目標層302（層302）（如，蝕刻停止層（ESL））、設置在層302上的第二層或轉移層304（層304）及包括至少一個特徵308的第三層306（層306），特徵308可設置在層304上方或之上。可用於層302的材料的示例可包括（但不限於）氮化鋁（AlN）、氧氮化鋁（AlON）、氮化鈦（TiN）、碳氧化矽（SiOC）、氮氧化矽（SiON）等。可用於層304的材料的示例可包括（但不限於）氮化矽（SiN）、氮化鈦（TiN）、氧化矽（SiOx ）、AlN、AlON、AlCN、HfO2等。可用於層306的材料的示例可包括（但不限於）旋塗碳（SOC）、高級圖案化膜（APF）、非晶碳（α-C）、光阻膜（PR）、矽（Si）等。特徵308可為鰭片、開口、溝槽、通孔或雙鑲嵌特徵或類似者，且可從基板300突出而不是延伸到基板300的層302中。儘管前述涉及本揭露書的實施例，但是在不背離本發明的基本範圍的情況下，可設計本揭露書的其他和進一步的實施例。
層306包括其上沉積有材料320（第3B圖）的頂部部分310和從層304延伸的底部部分312。特徵308（如，開口、通孔、溝槽或類似者）延伸穿過層306，並由第一側壁301和第二側壁303以及第三側壁和第四側壁（未明確顯示）界定。在一些實施例中，第一側壁301和第二側壁303以及第三側壁和第四側壁可彼此平行並相對，而第一側壁301和第二側壁303以及第三側壁和第四側壁可佈置為彼此成非零角度，且在所示的示例中彼此成90度（相鄰）。
用於圖案化基板300的方法始於200處，其中來自第一PVD源102的材料320的流朝基板300表面以與基板300表面的平面成非垂直角度（如，α130、α132）或成其它合適角度（例如，參見第3B圖的方向箭頭F）的方向引導。替代地/附加地，第二PVD源104或第一PVD源102和第二PVD源104兩者可分別用以沉積材料320。
材料320沉積在層306的頂部部分310上，以形成延伸超過（例如）特徵308的第二側壁303的懸垂物314b；在特徵308的一側上提供材料320有時被稱為右鼻子輪廓配置。更具體地，材料320的流從第一PVD源102被引導，且材料320的流被引導的角度允許材料320圍繞特徵308不對稱沉積。也就是說，懸垂物314b僅延伸超過第二側壁303，但是因為材料320的流的角度而沒有延伸或基本上不延伸超過第一側壁301或第三和第四側壁（第3B圖）。替代地或組合地，在一些實施例中，可藉由控制基板相對於材料320的流的相對取向來在第一側壁301及/或第三側壁和第四側壁上形成懸垂物，如下面更詳細地描述的。少量的材料320可沉積在第二側壁303與層306的頂部部分310相鄰的相對較小的區域上，並且可支撐懸垂物314b。在一些實施例中，材料320的流也可以提供材料320在基板300的層304上沉積的角度從第一PVD源102引導。
包括開口的準直器110可用以限制材料320的流的角度範圍。更具體地，準直器110相對於第一PVD源102的位置（及準直器110的物理結構）可用以控制材料320的流接觸基板300的表面的入射角度130’，並因此可用以控制懸垂物314b延伸超過第二側壁303多遠；然而，如上所述，準直器110的使用是任選的。
可經由基板支撐件108通過材料320的流掃描（如，沿著箭頭116線性地）基板300，以確保材料320形成僅延伸超過第二側壁303的懸垂物314b，而在第二側壁上最小限度地覆蓋或沒有覆蓋。
懸垂物314b延伸超過第二側壁303的量/距離可取決於（但不限於）用於PVD處理的材料、提供材料320的流的角度、由準直器110控制的入射角度130’、基板支撐件108被掃描多少次、基板支撐件108旋轉的角度、第二PVD源104是否與第一PVD源一起使用102等。
在202處，使用蝕刻設備30在層304中第一次選擇性地蝕刻基板300以在層304上形成圖案的第一部分，諸如鰭片、溝槽、通孔、雙鑲嵌特徵、線、凹槽等，如上所述，蝕刻設備30可配置成在基板300上執行乾式蝕刻處理或其他合適的蝕刻處理。出於說明性目的，顯示了數據線324（線324）蝕刻到層304中；線324可具有大於、等於或小於10nm的寬度。更具體地，並參考第3C圖，基板300被蝕刻，使得基於懸垂物314b延伸超過第二側壁303多遠而相對於層306、層302和懸垂物314b來蝕刻層304；一些沉積材料320可在202處執行的蝕刻處理期間被移除（例如，參見第3C圖）。蝕刻處理可為在基本上垂直於基板300的方向上的各向異性或定向蝕刻。也就是，在蝕刻處理期間被懸垂物314b覆蓋的（多個）部分322未被蝕刻（或基本上未被蝕刻），這導致基板300的層304被蝕刻的次數少於若層304的部分322未被懸垂物314b覆蓋時層304將被蝕刻的次數。蝕刻處理因此將由複數個特徵308所界定的圖案延伸到層304中，同時藉由控制懸垂物314b來控制特徵的臨界尺寸（如，特徵的寬度），懸垂物314b充當用於蝕刻處理的遮罩層。例如，當特徵308為開口時，如在所示的實施例中，開口可轉變為第二層304上的一個、兩個、三個等開口（如，線），如下文更詳細地描述。可在適當的持續時間內執行蝕刻處理，直到（例如）到達層302為止。
若需要將更多的線（如，鄰近第二側壁303設置的線）蝕刻到層304中，則在204處可使用目標移除設備40從基板300（亦即，頂部部分310）移除/剝離材料320，如第3D圖所示。
接下來，在206處，例如，可旋轉基板300，並可將材料320的流朝基板300表面以與基板300表面的平面成非垂直角度（如，α130、α132）或其他合適的角度（例如，參見第3E圖的方向箭頭G）引導。替代地/附加地，第二PVD源104或第一PVD源102和第二PVD源104兩者可分別用以沉積材料320。
再次，材料320沉積在層306的頂部部分310上，以形成延伸超過（例如）特徵308的第一側壁301的懸垂物314a；在特徵308的一側上提供材料320有時被稱為左鼻子輪廓配置。更具體地，材料320的流從第一PVD源102被引導，且材料320的流被引導的角度允許材料320圍繞特徵308不對稱沉積。也就是說，懸垂物314a僅延伸超過第一側壁301，但是因為材料320的流的角度而沒有延伸或基本上不延伸超過第二側壁303或第三和第四側壁（例如，第3E圖）。
如上所述，懸垂物314a延伸超過第一側壁301的量/距離可取決於（但不限於）用於PVD處理的材料、提供材料320的流的角度、由準直器110控制的入射角度130’、基板支撐件108被掃描多少次、基板支撐件108旋轉的角度、第二PVD源104是否與第一PVD源102一起使用等。
在208處，第二次蝕刻層304以在層304上形成圖案的第二部分，如，另一條線326，但是由於懸垂物314a延伸超過第一側壁301的距離小於懸垂物314b延伸超過第二側壁303的距離，在208處蝕刻的線326比線324寬（第3F圖）；然而，懸垂物314a延伸超過第一側壁301的距離可調節成形成比線324細或更細的線326。例如，懸垂物314a延伸超過第一側壁301的距離可大於懸垂物314b延伸超過第二側壁303的距離，在這種情況下，線326將比線324細，或懸垂物314a延伸超過第一側壁301的距離可等於懸垂物314b延伸超過第二側壁303，在這種情況下，線326將與線324一樣細（或粗）。
雖然以上方法於此已描述為包括分別具有懸垂物314a、314b的第一側壁301和第二側壁303以形成線324、326，但是本揭露書不限於此。
例如，若需要將更多的線（如，設置在線324、326之間的線）蝕刻到層304中，則可使用目標移除設備40從基板300（亦即，頂部部分310）移除/剝離材料320，如第3G圖所示，且如第3H圖所示，材料320可沉積在側壁301、303上以形成相應的懸垂物314c，314d（第3H圖）。
例如，可以如上所述的方式首先藉由在第一側壁301上沉積材料320來形成懸垂物314c，並接著可藉由在第二側壁303上沉積材料320來形成懸垂物314d，或反之亦然。懸垂物314c、314d分別延伸超過側壁301、303的距離可取決於將在層304中蝕刻的線的期望的細度（或厚度）而變化，但是懸垂物314c、314d應當至少延伸超過先前蝕刻的線324、326；否則，先前蝕刻的線324、326將被併入新蝕刻的線。
在側壁301、303上形成懸垂物314、314d之後，第三次選擇性地蝕刻基板300以在層304上形成圖案的第三部分(如，線328，第3I圖)。接著，如第3J圖所示，可使用目標移除設備40從基板300（亦即，頂部部分310）移除/剝離材料320，且若需要的話，還可移除層306。
更具體地，在移除層306之後，包括層304的剩餘部分的三條線324、326和328將保留在層302的頂上。線324、326、328可用於圖案轉移到層302中且層304的其餘部分可用於功率軌，如，用於向系統傳遞能量。
於此所述的方法和設備可有利地用於以比配置成在基板製造期間執行類似操作的傳統方法和設備更有效的方式在基板上產生各種圖案。例如，使用於此描述的方法和設備可使用單個光刻處理來形成具有包括一個或多個線（或間隔）配置的圖案的基板。
儘管前述內容涉及本揭露書的實施例，但是在不背離本揭露書的基本範圍的情況下，可設計本揭露書的其他和進一步的實施例。
10:系統 20:處理控制器 30:蝕刻設備 40:目標材料移除設備/目標移除設備 100:物理氣相沉積設備/PVD設備 102:PVD源 104:PVD源 106:基板 108:基板支撐件 110:準直器 112:第一流 114:第二流 116:箭頭 122:箭頭 124:箭頭 126:箭頭 128:箭頭 130:α/入射角度 130’:入射角度 132:β/α/入射角度 132’:入射角度 140:開口 142:開口 200:步驟 202:步驟 204:步驟 206:步驟 208:步驟 300:基板 301:第一側壁/側壁 302:層 303:第二側壁/側壁 304:層 306:層 308:特徵 310:頂部部分 312:底部部分 314a-d:懸垂物 320:320 322:部分 324:線 326:線 328:線
藉由參考在附隨的圖式中描繪的本揭露書的說明性實施例，可理解在上面簡要概述並在下面更詳細地討論的本揭露書的實施例。然而，附隨的圖式僅顯示了本揭露書的典型實施例，且因此不應視為對範圍的限制，因為本揭露書可允許其他等效的實施例。
第1圖是根據本揭露書的至少一些實施例的系統的示意圖，系統包括用於對基板上的材料進行PVD的設備和蝕刻設備；
第2圖是根據本揭露書的至少一些實施例的用於圖案化基板的方法的流程圖；及
第3A至3K圖顯示了根據本揭露書的至少一些實施例的經受方法的基板的製造階段的示意圖。
為了促進理解，在可能的情況下使用了相同的元件符號來表示圖式中共有的相同元件。圖式未按比例繪製，且為清楚起見可簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。
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10:系統
20:處理控制器
30:蝕刻設備
40:目標材料移除設備/目標移除設備
100:物理氣相沉積設備/PVD設備
102:PVD源
104:PVD源
106:基板
108:基板支撐件
110:準直器
112:第一流
114:第二流
116:箭頭
122:箭頭
124:箭頭
126:箭頭
128:箭頭
130:α/入射角度
130’:入射角度
132:β/α/入射角度
132’:入射角度
140:開口
142:開口

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的方法，包含以下步驟： 將來自一PVD源的一材料的流朝一基板的一表面以與該表面的一平面成一第一非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的一個或多個特徵的一頂部部分上並形成延伸超過該一個或多個特徵的一第一側壁的一第一懸垂物；第一次蝕刻設置在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的一層，以在該層上形成一圖案的一第一部分；從該一個或多個特徵移除沉積的該材料；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以與該表面的該平面成一第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過與該一個或多個特徵的該第一側壁相對的一第二側壁的一第二懸垂物；及第二次蝕刻在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該層，以在該層上形成該圖案的一第二部分。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該材料是氮化鈦（TiN）、矽（Si）、氮化矽（SiN）和氧氮化矽（SiON）的至少一種。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該第一懸垂物延伸超過該第一側壁的一距離和該第二懸垂物延伸超過該第二側壁的一距離被改變用於形成該圖案，且其中形成的該圖案包含複數個通孔或溝槽的至少一個。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該第一非垂直角度和該第二非垂直角度彼此不同，使得該第一懸垂物延伸超過該第一側壁的一距離不同於該第二懸垂物延伸超過第二側壁的一距離。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該第一非垂直角度和該第二非垂直角度彼此相同，使得該第一懸垂物延伸超過該第一側壁的一距離等於該第二懸垂物延伸超過第二側壁的一距離。
  6. 如請求項1所述之方法，其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第二懸垂物的步驟包含以下步驟：旋轉該基板並將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第二懸垂物。
  7. 如請求項1至6任一項所述之方法，其中該基板被旋轉180°。
  8. 如請求項1至6任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 在第二次蝕刻之後，從該一個或多個特徵移除沉積的該材料；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的一第三非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積到該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第一側壁的一第三懸垂物；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的一第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的一第四懸垂物；第三次蝕刻在對沉積的該材料具有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該層，以在該層上形成該圖案的一第三部分；及從該基板移除該一個或多個特徵。
  9. 如請求項8所述之方法，其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物的步驟包含以下步驟：旋轉該基板並將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該基板被旋轉180°。
  11. 如請求項8所述之方法，其中該PVD源包含一第二PVD源，且其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物的步驟包含以下步驟：將來自該第二PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物。
  12. 如請求項1至6任一項所述之方法，其中該基板的該層包含一第一層、設置在該第一層的頂上並在其上形成有該圖案的一第二層及包括該一個或多個特徵並設置在該第二層的頂上的一第三層。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該第一次和第二次蝕刻包含蝕刻穿過該第三層中的該一個或多個特徵的一開口並穿過該第二層以曝露該第一層，使得該一個或多個特徵的該開口被轉變為該第二層上的該圖案的該第一部分和該第二部分，該第二層包括小於該一個或多個特徵的該開口的兩個開口。
  14. 一種用於處理一基板的方法，包含以下步驟： 將來自一PVD源的一材料的流朝一基板的一表面以與該表面的一平面成一第一非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的一個或多個特徵的一頂部部分上並形成延伸超過該一個或多個特徵的一第一側壁的一第一懸垂物，該基板包含一第一層、設置在該第一層的頂上的一第二層及包括設置在該第二層的頂上的該一個或多個特徵的一第三層；第一次蝕刻設置在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該第二層，以在該第二層上形成一圖案的一第一部分；從該一個或多個特徵移除沉積的該材料；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以與該表面的該平面成一第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過與該一個或多個特徵的該第一側壁相對的一第二側壁的一第二個懸垂物；及第二次蝕刻在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該第二層，以在該第二層上形成該圖案的一第二部分。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該第一非垂直角度和該第二非垂直角度彼此不同，使得該第一懸垂物延伸超過該第一側壁的一距離不同於該第二懸垂物延伸超過第二側壁的一距離。
  16. 如請求項14所述之方法，其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第二懸垂物的步驟包含以下步驟：旋轉該基板並將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第二非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第二懸垂物，且其中該基板被旋轉180°。
  17. 如請求項14至16任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 在第二次蝕刻之後，從該一個或多個特徵移除沉積的該材料；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的一第三非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積到該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第一側壁的一第三懸垂物；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的一第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的一第四懸垂物；第三次蝕刻在對沉積的該材料具有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該第二層，以在該第二層上形成該圖案的一第三部分；及從該基板移除該一個或多個特徵。
  18. 如請求項17所述之方法，其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物的步驟包含以下步驟：旋轉該基板並將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物，且其中該基板被旋轉180°。
  19. 如請求項17所述之方法，其中該PVD源包含一第二PVD源，且其中將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物的步驟包含以下步驟：將來自該第二PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以相對於該表面的該平面的該第四非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過該第二側壁的該第四懸垂物。
  20. 一種在其上儲存有複數個指令的非暫時性電腦可讀儲存媒體，該複數個指令在被執行時使一處理控制器執行用於處理一基板的一方法，該方法包含以下步驟： 將來自一PVD源的一材料的流朝一基板的一表面以與該表面的一平面成一第一非垂直角度的方向引導，以將該材料選擇性地沉積在該基板上的一個或多個特徵的一頂部部分上並形成延伸超過該一個或多個特徵的一第一側壁的一第一懸垂物；第一次蝕刻設置在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的一層，以在該層上形成一圖案的一第一部分；從該一個或多個特徵移除沉積的該材料；將來自該PVD源的該材料的流朝該基板的該表面以與該表面的該平面成一第二非垂直角度的方向引導，以將該材料沉積在該基板上的該一個或多個特徵的該頂部部分上並形成延伸超過與該一個或多個特徵的該第一側壁相對的一第二側壁的一第二懸垂物；及第二次蝕刻在對沉積的該材料有選擇性的該一個或多個特徵下的該基板的該層，以在該層上形成該圖案的一第二部分。
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