ATE368849T1 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ßIN-SITU- DEPONIERUNGß VON NEUTRALEM CS UNTER ULTRAHOCHVAKUUM ZU ANALYTISCHEN ZWECKEN. - Google Patents

VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ßIN-SITU- DEPONIERUNGß VON NEUTRALEM CS UNTER ULTRAHOCHVAKUUM ZU ANALYTISCHEN ZWECKEN.

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ATE368849T1
ATE368849T1 AT03767512T AT03767512T ATE368849T1 AT E368849 T1 ATE368849 T1 AT E368849T1 AT 03767512 T AT03767512 T AT 03767512T AT 03767512 T AT03767512 T AT 03767512T AT E368849 T1 ATE368849 T1 AT E368849T1
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Henri-Noel Migeon
Tom Wirtz
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Ct De Rech Public Gabriel Lipp
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    • H01J49/02—Details
    • H01J49/10—Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
    • H01J49/142—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using a solid target which is not previously vapourised
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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