JPH04369220A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH04369220A JPH04369220A JP14571791A JP14571791A JPH04369220A JP H04369220 A JPH04369220 A JP H04369220A JP 14571791 A JP14571791 A JP 14571791A JP 14571791 A JP14571791 A JP 14571791A JP H04369220 A JPH04369220 A JP H04369220A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造分野
等において適用されるアルミニウム系材料のドライエッ
チング方法に関し、特に、レジストマスクとの選択比を
向上させたドライエッチング方法に係わる。
等において適用されるアルミニウム系材料のドライエッ
チング方法に関し、特に、レジストマスクとの選択比を
向上させたドライエッチング方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種のアルミニウム系膜の
ドライエッチング技術としては、塩素（Ｃｌ）系ガスを
用いて行なわれることは良く知られており、最近は三塩
化ホウ素（ＢＣｌ３）／塩素（Ｃｌ２）系ガスを主とす
る所謂ＡＴＴ特許（特公昭５９−２２３７４号公報記載
に係る発明）が主に生産現場でも使われている。しかし
ながら、このようなＢＣｌ３系ガスによるアルミニウム
のエッチングにおける問題点としてはアフタコロージョ
ンの存在が大きくクローズアップされ、これに対して各
種の対策も報告されているが、この他にも、実用上常に
改善が求められている問題点にアルミニウムのエッチン
グ時の対レジスト選択比の低さがある。この対レジスト
選択比は、高くとも２という程度であり、これはエッチ
ングガスに塩素系ガスを用いることによる本質的な問題
ともいえ、デバイス構造の複雑化と共に、高段差を有す
るようになり、更にはマイグレーション耐性等の観点か
ら多層構造化が常識となりつつある最近のアルミニウム
系膜のエッチングには重大な問題といえる。例えば、低
い対レジスト選択比に対処する手近な手段としてレジス
ト膜厚の厚膜化が効果的だが、段差基板上では、段差部
でのフォトレジストの薄膜化等で充分な効果が得られず
、且つリソグラフィー解像度の低下も招くため、実用的
でない。更に、反射防止膜やバリアメタルの採用による
アルミニウム系膜の多層化は、バリアメタルエッチング
時のエッチレートの低下（通常、バリアメタルはアルミ
ニウムのエッチングを同じガス系でスパッタエッチング
的に加工してしまうためエッチレートが低い。）で、よ
り対レジスト選択比は低下してしまう。このような諸問
題に鑑みて、例えば以下に示すような、アルミニウムフ
ォトレジストの選択比向上プロセスが提案されている。
ドライエッチング技術としては、塩素（Ｃｌ）系ガスを
用いて行なわれることは良く知られており、最近は三塩
化ホウ素（ＢＣｌ３）／塩素（Ｃｌ２）系ガスを主とす
る所謂ＡＴＴ特許（特公昭５９−２２３７４号公報記載
に係る発明）が主に生産現場でも使われている。しかし
ながら、このようなＢＣｌ３系ガスによるアルミニウム
のエッチングにおける問題点としてはアフタコロージョ
ンの存在が大きくクローズアップされ、これに対して各
種の対策も報告されているが、この他にも、実用上常に
改善が求められている問題点にアルミニウムのエッチン
グ時の対レジスト選択比の低さがある。この対レジスト
選択比は、高くとも２という程度であり、これはエッチ
ングガスに塩素系ガスを用いることによる本質的な問題
ともいえ、デバイス構造の複雑化と共に、高段差を有す
るようになり、更にはマイグレーション耐性等の観点か
ら多層構造化が常識となりつつある最近のアルミニウム
系膜のエッチングには重大な問題といえる。例えば、低
い対レジスト選択比に対処する手近な手段としてレジス
ト膜厚の厚膜化が効果的だが、段差基板上では、段差部
でのフォトレジストの薄膜化等で充分な効果が得られず
、且つリソグラフィー解像度の低下も招くため、実用的
でない。更に、反射防止膜やバリアメタルの採用による
アルミニウム系膜の多層化は、バリアメタルエッチング
時のエッチレートの低下（通常、バリアメタルはアルミ
ニウムのエッチングを同じガス系でスパッタエッチング
的に加工してしまうためエッチレートが低い。）で、よ
り対レジスト選択比は低下してしまう。このような諸問
題に鑑みて、例えば以下に示すような、アルミニウムフ
ォトレジストの選択比向上プロセスが提案されている。
【０００３】（１）ＳｉＣｌ４利用プロセス（寒川他、
第３３回集積回路シンポジウム講演予稿集第１１５頁）
この方法は、Ｓｉの堆積物でレジスト表面を覆ってしま
うことで、アルミニウム／フォトレジスト間の選択比向
上を図ったものであり、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金のエッ
チング時のＣｕ残渣除去用の高バイアス下でも、選択比
確保が可能なプロセスとして知られている。
第３３回集積回路シンポジウム講演予稿集第１１５頁）
この方法は、Ｓｉの堆積物でレジスト表面を覆ってしま
うことで、アルミニウム／フォトレジスト間の選択比向
上を図ったものであり、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金のエッ
チング時のＣｕ残渣除去用の高バイアス下でも、選択比
確保が可能なプロセスとして知られている。
【０００４】（２）ＢＢｒ３添加プロセス（Ｈ・Ｓａｗ
ａｉｅｔａｌ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ １
１ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＤｒｙＰｒ
ｏｃｅｓｓ，２−２，１９８９） この方法は、最近注目されている臭素（Ｂｒ）系のガス
添加によるプロセスであり、レジストとＢｒの反応生成
物であるＣＢｒＸでレジスト表面を覆うことで、アルミ
ニウム／フォトレジストの高選択比を図っている。
ａｉｅｔａｌ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ １
１ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＤｒｙＰｒ
ｏｃｅｓｓ，２−２，１９８９） この方法は、最近注目されている臭素（Ｂｒ）系のガス
添加によるプロセスであり、レジストとＢｒの反応生成
物であるＣＢｒＸでレジスト表面を覆うことで、アルミ
ニウム／フォトレジストの高選択比を図っている。
【０００５】（３）ＨＣｌ添加プロセス（篠原他、１９
９０年秋季応用物理学会学術講演会２６Ｐ−Ｅ−３，第
５５８頁） この方法は、アルミニウムのエッチング時の側壁保護膜
を強固にすることで、エッチング条件を低バイアス化し
て、実質的なレジストのエッチレート抑制を図ったもの
である。
９０年秋季応用物理学会学術講演会２６Ｐ−Ｅ−３，第
５５８頁） この方法は、アルミニウムのエッチング時の側壁保護膜
を強固にすることで、エッチング条件を低バイアス化し
て、実質的なレジストのエッチレート抑制を図ったもの
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来の技術においては、以下に説明するような問題点
を有している。
の従来の技術においては、以下に説明するような問題点
を有している。
【０００７】上記（１）の方法においては、レジスト表
面を覆うＳｉの堆積物がそのままパーティクル源となっ
てしまい、量産現場では到底使えないという問題がある
。
面を覆うＳｉの堆積物がそのままパーティクル源となっ
てしまい、量産現場では到底使えないという問題がある
。
【０００８】上記（２）の方法においては、エッチング
時の反応生成物であるＡｌＢｒＸの蒸気圧が低いため、
これがレジスト表面を覆ってしまい、高選択比は達成さ
れるものの、今度はレジストの剥離性が悪くなって、Ａ
ｌ系の付着物が、アッシング後も残ってしまうという問
題を有する。更には、この付着物には、ＢｒやＣｌを含
有しているため、当然耐コロージョン性も悪化してしま
う問題もある。
時の反応生成物であるＡｌＢｒＸの蒸気圧が低いため、
これがレジスト表面を覆ってしまい、高選択比は達成さ
れるものの、今度はレジストの剥離性が悪くなって、Ａ
ｌ系の付着物が、アッシング後も残ってしまうという問
題を有する。更には、この付着物には、ＢｒやＣｌを含
有しているため、当然耐コロージョン性も悪化してしま
う問題もある。
【０００９】上記（３）の方法は、上記（１），（２）
の方法のような問題を生じない実用的なプロセスといえ
るが、半面、その分効果も薄く、選択比的には大幅な向
上は望めず、従来例の１．５倍程度しか改善されない。
の方法のような問題を生じない実用的なプロセスといえ
るが、半面、その分効果も薄く、選択比的には大幅な向
上は望めず、従来例の１．５倍程度しか改善されない。
【００１０】以上のように、公知の選択比向上プロセス
は、高選択比が得られるプロセスでは、レジストの剥離
性やパーティクルに問題が残り、こういった問題を生じ
ないプロセスでは充分な選択比が確保できないという一
長一短の状況である。
は、高選択比が得られるプロセスでは、レジストの剥離
性やパーティクルに問題が残り、こういった問題を生じ
ないプロセスでは充分な選択比が確保できないという一
長一短の状況である。
【００１１】本発明は、このような問題点に着目して創
案されたものであって、レジストの剥離性やパーティク
ル等の問題を生じない、アルミニウム／フォトレジスト
の高選択比プロセスを確立させるドライエッチング方法
を提供するものである。
案されたものであって、レジストの剥離性やパーティク
ル等の問題を生じない、アルミニウム／フォトレジスト
の高選択比プロセスを確立させるドライエッチング方法
を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、アルミニウ
ム系膜のエッチング時の対レジスト選択比向上法として
、レジストの上面部のみを選択的に表面改質することで
、これが実現できることを見い出した。これは、表面改
質によってレジスト表面部のみに酸化層を作って、これ
をマスクにアルミニウム系膜のエッチングを行なうこと
で、レジストのエッチングレートを抑えるわけである。 即ち、本発明は、アルミニウム系被エッチング層上に選
択的にフォトレジストパターンを形成する工程と、該フ
ォトレジストパターン表面にフォトレジストと架橋反応
可能な原子を導入する工程と、前記アルミニウム系被エ
ッチング層を前記フォトレジストパターンをマスクとし
てエッチングする工程を備えたことを、その解決方法と
している。
ム系膜のエッチング時の対レジスト選択比向上法として
、レジストの上面部のみを選択的に表面改質することで
、これが実現できることを見い出した。これは、表面改
質によってレジスト表面部のみに酸化層を作って、これ
をマスクにアルミニウム系膜のエッチングを行なうこと
で、レジストのエッチングレートを抑えるわけである。 即ち、本発明は、アルミニウム系被エッチング層上に選
択的にフォトレジストパターンを形成する工程と、該フ
ォトレジストパターン表面にフォトレジストと架橋反応
可能な原子を導入する工程と、前記アルミニウム系被エ
ッチング層を前記フォトレジストパターンをマスクとし
てエッチングする工程を備えたことを、その解決方法と
している。
【００１３】
【作用】アルミニウム系被エッチング層上に形成したフ
ォトレジストパターン表面に、当該フォトレジストと架
橋反応可能な原子を導入することにより、フォトレジス
トパターン表面に硬化層が形成される。具体的には、例
えば、ノボラック樹脂系のフォトレジストに燐（Ｐ）を
高ドーズ量のイオン注入することにより、フォトレジス
トの分子構造中にＰが置換された形で架橋反応を進行さ
せてプラズマに対する耐性を有する硬化層を形成するこ
とが可能である。更に具体的には、三フッ化リン（ＰＦ
３）又はホスフィン（ＰＨ３）を用いたプラズマを照射
することで、フォトレジスト上部の分子構造中にＰを置
換させながら架橋反応を起し、しかる後塩素（Ｃｌ）系
ガスでのアルミニウム系膜のエッチングを行なえばよい
。 特に、硬化層の厚みを予め、条件出しを行なって、エッ
チング終了時に丁度硬化層が無くなるような厚みに適宜
設定することで、硬化層が残存して、アッシング残りを
生じることを回避できる。また、堆積を伴うプロセスで
はないため、当然パーティクル増加の懸念も無く、対レ
ジスト選択比の高いアルミニウムのドライエッチングを
可能にする。また、フォトレジストパターンの断面形状
を矩形状又は逆テーパ状とすることにより、フォトレジ
ストパターンの側壁に硬化層が形成されて、アッシング
残りが生じるのを防止することが可能となる。
ォトレジストパターン表面に、当該フォトレジストと架
橋反応可能な原子を導入することにより、フォトレジス
トパターン表面に硬化層が形成される。具体的には、例
えば、ノボラック樹脂系のフォトレジストに燐（Ｐ）を
高ドーズ量のイオン注入することにより、フォトレジス
トの分子構造中にＰが置換された形で架橋反応を進行さ
せてプラズマに対する耐性を有する硬化層を形成するこ
とが可能である。更に具体的には、三フッ化リン（ＰＦ
３）又はホスフィン（ＰＨ３）を用いたプラズマを照射
することで、フォトレジスト上部の分子構造中にＰを置
換させながら架橋反応を起し、しかる後塩素（Ｃｌ）系
ガスでのアルミニウム系膜のエッチングを行なえばよい
。 特に、硬化層の厚みを予め、条件出しを行なって、エッ
チング終了時に丁度硬化層が無くなるような厚みに適宜
設定することで、硬化層が残存して、アッシング残りを
生じることを回避できる。また、堆積を伴うプロセスで
はないため、当然パーティクル増加の懸念も無く、対レ
ジスト選択比の高いアルミニウムのドライエッチングを
可能にする。また、フォトレジストパターンの断面形状
を矩形状又は逆テーパ状とすることにより、フォトレジ
ストパターンの側壁に硬化層が形成されて、アッシング
残りが生じるのを防止することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の詳細を図面に示す実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１５】（第１実施例）図１〜図３は、本発明の実
施例の工程を示す断面図である。本実施例は、図１に示
すアルミニウム系膜のエッチング工程に本発明を適用し
たものである。
施例の工程を示す断面図である。本実施例は、図１に示
すアルミニウム系膜のエッチング工程に本発明を適用し
たものである。
【００１６】図１は、シリコン基板１表面に形成された
ＳｉＯ２膜２上にアルミニウム系被エッチング層として
のアルミニウム系膜３を形成したものである。なお、こ
のアルミニウム系膜３はより具体的には、Ａｌ−１％Ｓ
ｉ膜（４０００Å）／ＴｉＯＮ膜（７００Å）／Ｔｉ膜
（３００Å）というバリアメタルを含む多層構造である
。次いで、アルミニウム系膜３の上に、ノボラック系樹
脂でなるポジ型のフォトレジスト（ＴＳＭＲ−Ｖ３；東
京応化製）を塗布し、Ｇ線ステッパーを用いたリソグラ
フィー技術で断面矩形状の所定のフォトレジストパター
ン４を形成する。
ＳｉＯ２膜２上にアルミニウム系被エッチング層として
のアルミニウム系膜３を形成したものである。なお、こ
のアルミニウム系膜３はより具体的には、Ａｌ−１％Ｓ
ｉ膜（４０００Å）／ＴｉＯＮ膜（７００Å）／Ｔｉ膜
（３００Å）というバリアメタルを含む多層構造である
。次いで、アルミニウム系膜３の上に、ノボラック系樹
脂でなるポジ型のフォトレジスト（ＴＳＭＲ−Ｖ３；東
京応化製）を塗布し、Ｇ線ステッパーを用いたリソグラ
フィー技術で断面矩形状の所定のフォトレジストパター
ン４を形成する。
【００１７】次に、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチ
ング装置にて、以下の条件でプラズマ処理を行なう。
ング装置にて、以下の条件でプラズマ処理を行なう。
【００１８】○ガス及びその流量
ＰＦ３…１００ＳＣＣＭ
○圧力…１ｍＴｏｒｒ
○μ波電力…８５０Ｗ
○ＲＦバイアス…３００Ｗ（２ＭＨＺ）これによって、
フォトレジストパターン４の上部表面には、図２に示す
ように、フォトレジストの分子構造中にリン（Ｐ）が置
換されて架橋反応を起して変質した硬化層４ａが約５０
０Åの厚さで形成される。このとき、フォトレジストパ
ターン４は、断面矩形状であるため、上部のみにリン（
Ｐ）が選択的に打ち込まれる。なお、ＰＦ３プラズマ照
射に際しては、リン（Ｐ）はフォトレジストパターン４
のみではなく当然アルミニウム系膜３上にも入り込むが
、これは後のエッチングプロセスで除去されるため問題
は生じない。更には、アルミニウム系膜のエッチングの
工程では、活性領域の露出は無いので、リンによるドー
パント化の懸念もない。
フォトレジストパターン４の上部表面には、図２に示す
ように、フォトレジストの分子構造中にリン（Ｐ）が置
換されて架橋反応を起して変質した硬化層４ａが約５０
０Åの厚さで形成される。このとき、フォトレジストパ
ターン４は、断面矩形状であるため、上部のみにリン（
Ｐ）が選択的に打ち込まれる。なお、ＰＦ３プラズマ照
射に際しては、リン（Ｐ）はフォトレジストパターン４
のみではなく当然アルミニウム系膜３上にも入り込むが
、これは後のエッチングプロセスで除去されるため問題
は生じない。更には、アルミニウム系膜のエッチングの
工程では、活性領域の露出は無いので、リンによるドー
パント化の懸念もない。
【００１９】次に、同一チャンバ内でアルミニウム系膜
３を以下に示す条件でエッチングする。
３を以下に示す条件でエッチングする。
【００２０】○エッチングガス及びその流量三塩化ホウ
素（ＢＣｌ３）…１００ＳＣＣＭ塩素（Ｃｌ２）…５０
ＳＣＣＭ ○圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○ＲＦバイアス…６０Ｗ ○μ波電力…８５０Ｗ 図３は、このようなエッチングの終了後の状態を示した
ものである。硬化層４ａの存在によって、フォトレジス
トのエッチレートは大幅に抑えられ、アルミニウム／フ
ォトレジスト選択比は従来の２から８へと大幅に向上し
た。なお、硬化層４ａは、アルミニウム系膜３のエッチ
ング時に徐々にエッチングされ、アルミニウム系膜３の
エッチング終了時には残存していない（図３参照）ので
、その後のアッシングでフォトレジストが残ることはな
い。
素（ＢＣｌ３）…１００ＳＣＣＭ塩素（Ｃｌ２）…５０
ＳＣＣＭ ○圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○ＲＦバイアス…６０Ｗ ○μ波電力…８５０Ｗ 図３は、このようなエッチングの終了後の状態を示した
ものである。硬化層４ａの存在によって、フォトレジス
トのエッチレートは大幅に抑えられ、アルミニウム／フ
ォトレジスト選択比は従来の２から８へと大幅に向上し
た。なお、硬化層４ａは、アルミニウム系膜３のエッチ
ング時に徐々にエッチングされ、アルミニウム系膜３の
エッチング終了時には残存していない（図３参照）ので
、その後のアッシングでフォトレジストが残ることはな
い。
【００２１】（第２実施例）本実施例は、上記第１実施
例と同様のサンプルを用いて、表面硬化処理にホスフィ
ン（ＰＨ３）プラズマを用いた例である。第１実施例と
同様のフォトレジストパターンを形成した後、同じくＲ
Ｆバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、以
下に示す条件でプラズマ処理を行なう。
例と同様のサンプルを用いて、表面硬化処理にホスフィ
ン（ＰＨ３）プラズマを用いた例である。第１実施例と
同様のフォトレジストパターンを形成した後、同じくＲ
Ｆバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、以
下に示す条件でプラズマ処理を行なう。
【００２２】○ガス及びその流量
ＰＨ３…１００ＳＣＣＭ
○圧力…１ｍＴｏｒｒ
○μ波電力…８５０Ｗ
○ＲＦバイアス…２００Ｗ（２ＭＨＺ）斯るプラズマ処
理によって、第１実施例と同様に、リン（Ｐ）がレジス
ト分子構造内に置換され架橋反応を起し、第１実施例に
おける図２と同様の硬化層が形成される。なお、この硬
化層は、第１実施例よりも低バイアス条件としたことも
あって３００Å程度の厚みであった。
理によって、第１実施例と同様に、リン（Ｐ）がレジス
ト分子構造内に置換され架橋反応を起し、第１実施例に
おける図２と同様の硬化層が形成される。なお、この硬
化層は、第１実施例よりも低バイアス条件としたことも
あって３００Å程度の厚みであった。
【００２３】次に、同一チャンバ内で、連続して以下に
示す条件でアルミニウム系膜のエッチングを行なう。
示す条件でアルミニウム系膜のエッチングを行なう。
【００２４】○エッチングガス及びその流量三塩化ホウ
素（ＢＣｌ３）…６０ＳＣＣＭ塩素（Ｃｌ２）…４０Ｓ
ＣＣＭ 塩化水素（ＨＣｌ）…１００ＳＣＣＭ ○圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○ＲＦバイアス…３０Ｗ ○μ波電力…１０００Ｗ このエッチングは、ＨＣｌを添加した低バイアス条件な
ので硬化層が薄くても充分対応でき、第１実施例を示し
た図３のように充分選択比を確保したエッチングが達成
された。また、硬化層はアルミニウム系膜のエッチング
時に徐々にエッチングされ、アルミニウム系膜のエッチ
ング終了時には残存していないので、その後のアッシン
グでフォトレジストが残ることはなかった。
素（ＢＣｌ３）…６０ＳＣＣＭ塩素（Ｃｌ２）…４０Ｓ
ＣＣＭ 塩化水素（ＨＣｌ）…１００ＳＣＣＭ ○圧力…１０ｍＴｏｒｒ ○ＲＦバイアス…３０Ｗ ○μ波電力…１０００Ｗ このエッチングは、ＨＣｌを添加した低バイアス条件な
ので硬化層が薄くても充分対応でき、第１実施例を示し
た図３のように充分選択比を確保したエッチングが達成
された。また、硬化層はアルミニウム系膜のエッチング
時に徐々にエッチングされ、アルミニウム系膜のエッチ
ング終了時には残存していないので、その後のアッシン
グでフォトレジストが残ることはなかった。
【００２５】以上、第１実施例及び第２実施例について
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく
、用いる装置，基板サンプルの構造，エッチング条件等
は適宜変更可能であることから言うまでもない。
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく
、用いる装置，基板サンプルの構造，エッチング条件等
は適宜変更可能であることから言うまでもない。
【００２６】上記実施例においては、フォトレジストパ
ターンの断面形状を矩形形状にしたが、これはプラズマ
中から供給されてレジスト中で置換反応を起こすリン（
Ｐ）がなるべくレジスト上部のみに選択的に打ち込まれ
るようにするためである。というのも、フォトレジスト
パターンの断面形状がテーパ状だったり、プラズマ処理
を高圧で行なって、斜め入射成分を増やしたりするとレ
ジスト側面にも硬化層ができてしまい、後工程での除去
が難しくなるからである。即ち、フォトレジストパター
ンの上部のみの硬化層なら、上述のように硬化層の厚み
を、エッチングで無くなる分程度に最適化しておけば、
アッシング残りを後で生ずることは無いが、フォトレジ
ストパターン側面に硬化層ができると、側面にはイオン
が入射しないので、エッチング工程でも除去されずに硬
化層が残ってしまい、結果的にＢｒ系ガスでのアルミニ
ウム系付着物と同様に、アッシング後に残存してしまう
こととなるからである。
ターンの断面形状を矩形形状にしたが、これはプラズマ
中から供給されてレジスト中で置換反応を起こすリン（
Ｐ）がなるべくレジスト上部のみに選択的に打ち込まれ
るようにするためである。というのも、フォトレジスト
パターンの断面形状がテーパ状だったり、プラズマ処理
を高圧で行なって、斜め入射成分を増やしたりするとレ
ジスト側面にも硬化層ができてしまい、後工程での除去
が難しくなるからである。即ち、フォトレジストパター
ンの上部のみの硬化層なら、上述のように硬化層の厚み
を、エッチングで無くなる分程度に最適化しておけば、
アッシング残りを後で生ずることは無いが、フォトレジ
ストパターン側面に硬化層ができると、側面にはイオン
が入射しないので、エッチング工程でも除去されずに硬
化層が残ってしまい、結果的にＢｒ系ガスでのアルミニ
ウム系付着物と同様に、アッシング後に残存してしまう
こととなるからである。
【００２７】このような理由から、本発明においては、
上記両実施例のフォトレジストパターンのような断面矩
形形状のものの他、図４及び図５に示すような断面が逆
テーパ状のフォトレジストパターンを用いることも、そ
の適用範囲としている。なお、図４はプラズマ処理前の
フォトレジストパターン４を示し、図５はプラズマ処理
後の硬化層４ａを形成したフォトレジストパターン４を
示している。
上記両実施例のフォトレジストパターンのような断面矩
形形状のものの他、図４及び図５に示すような断面が逆
テーパ状のフォトレジストパターンを用いることも、そ
の適用範囲としている。なお、図４はプラズマ処理前の
フォトレジストパターン４を示し、図５はプラズマ処理
後の硬化層４ａを形成したフォトレジストパターン４を
示している。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るドイライエッチング方法によれば、フォトレジス
トの剥離性が良く（アッシングによる除去性が良く）、
パーティクルの発生もなく、しかもアルミニウム系膜／
フォトレジスト間の選択比を高める効果を奏する。
に係るドイライエッチング方法によれば、フォトレジス
トの剥離性が良く（アッシングによる除去性が良く）、
パーティクルの発生もなく、しかもアルミニウム系膜／
フォトレジスト間の選択比を高める効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施例の工程を示す断面図。
【図２】本発明の第１実施例の工程を示す断面図。
【図３】本発明の第１実施例の工程を示す断面図。
【図４】フォトレジストパターンの変形例の断面図。
【図５】フォトレジストパターンの変形例の断面図。
３…アルミニウム系膜、４…フォトレジストパターン、
４ａ…硬化層。
４ａ…硬化層。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウム系被エッチング層上に選
択的にフォトレジストパターンを形成する工程と、該フ
ォトレジストパターン表面にフォトレジストと架橋反応
可能な原子を導入する工程と、前記アルミニウム系被エ
ッチング層を前記フォトレジストパターンをマスクとし
てエッチングする工程を備えたことを特徴とするドライ
エッチング方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジストパターンの断面が
矩形状又は逆テーパ状である請求項１記載に係るドライ
エッチング方法。 - 【請求項３】 前記原子がリン（Ｐ）である請求項１
記載に係るドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14571791A JPH04369220A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14571791A JPH04369220A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369220A true JPH04369220A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15391502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14571791A Pending JPH04369220A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011166061A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10395899B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-08-27 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP14571791A patent/JPH04369220A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011166061A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8313998B2 (en) | 2010-02-15 | 2012-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
| US10395899B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-08-27 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
| US11217431B2 (en) | 2017-09-13 | 2022-01-04 | Kioxia Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
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