JPH104084A - 金属系膜のエッチング方法 - Google Patents
金属系膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH104084A JPH104084A JP15648296A JP15648296A JPH104084A JP H104084 A JPH104084 A JP H104084A JP 15648296 A JP15648296 A JP 15648296A JP 15648296 A JP15648296 A JP 15648296A JP H104084 A JPH104084 A JP H104084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- film
- etching
- resist pattern
- based film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塩素系ガスを用いたドライエッチングでは、
レジストマスクとの選択性が低いため、レジストマスク
がエッチングされ、異方性に優れた金属系膜のパターン
が得られなかった。 【解決手段】 第１工程で、基板１１上の金属系膜１２
上にレジスト膜２１を形成した後、リソグラフィー技術
によって該レジスト膜２１をパターニングしてレジスト
パターン２２を形成し、第２工程で、フルオロカーボン
系のガスを用いたプラズマ処理によって、レジストパタ
ーン２２の表面に保護膜２３を形成した後、第３工程
で、保護膜２３を形成したレジストパターン２２をエッ
チングマスクに用いて、金属系膜１２をエッチングする
ことにより、異方性に優れたエッチングを達成する。
レジストマスクとの選択性が低いため、レジストマスク
がエッチングされ、異方性に優れた金属系膜のパターン
が得られなかった。 【解決手段】 第１工程で、基板１１上の金属系膜１２
上にレジスト膜２１を形成した後、リソグラフィー技術
によって該レジスト膜２１をパターニングしてレジスト
パターン２２を形成し、第２工程で、フルオロカーボン
系のガスを用いたプラズマ処理によって、レジストパタ
ーン２２の表面に保護膜２３を形成した後、第３工程
で、保護膜２３を形成したレジストパターン２２をエッ
チングマスクに用いて、金属系膜１２をエッチングする
ことにより、異方性に優れたエッチングを達成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
おける金属系膜のエッチング方法に関するものである。
おける金属系膜のエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の配線材料としては、アルミ
ニウム系の合金材料が主に使用されている。アルミニウ
ム系の合金材料のドライエッチングには、一般に三塩化
ホウ素（ＢＣｌ3 ）と塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスのよ
うな塩素系のエッチングガスが使用されている。
ニウム系の合金材料が主に使用されている。アルミニウ
ム系の合金材料のドライエッチングには、一般に三塩化
ホウ素（ＢＣｌ3 ）と塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガスのよ
うな塩素系のエッチングガスが使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塩素系
のエッチングガスを用いたドライエッチングでは、エッ
チングマスクとなるレジストパターンとの選択性が高く
ない。そのため、ドライエッチングによってレジストパ
ターンがエッチングされて、アルミニウム系の合金材料
のような金属系膜からなる金属系膜パターンは良好な形
状が得られなかった。例えば、図３の（１）に示すよう
に、基板１０１上に形成された積層膜からなる金属系膜
１１１のエッチングが進行すると、金属系膜１１１上に
形成されたレジストパターン１２１は２点鎖線で示すパ
ターニングした当初の状態から上端辺からエッチングさ
れて、実線で示すような断面が三角形状になる。さらに
エッチングを進行めると図３の（２）に示すように、レ
ジストパターン１１１はさらにエッチングされるため、
金属系膜１１１で形成される金属パターン１１２の上部
端辺がエッチングされて、金属パターン１１２の上部に
傾斜面が形成されるようになる。このように、レジスト
パターン１２１がエッチングされ易いため、金属系膜１
１１を異方性エッチングすることが困難になる。
のエッチングガスを用いたドライエッチングでは、エッ
チングマスクとなるレジストパターンとの選択性が高く
ない。そのため、ドライエッチングによってレジストパ
ターンがエッチングされて、アルミニウム系の合金材料
のような金属系膜からなる金属系膜パターンは良好な形
状が得られなかった。例えば、図３の（１）に示すよう
に、基板１０１上に形成された積層膜からなる金属系膜
１１１のエッチングが進行すると、金属系膜１１１上に
形成されたレジストパターン１２１は２点鎖線で示すパ
ターニングした当初の状態から上端辺からエッチングさ
れて、実線で示すような断面が三角形状になる。さらに
エッチングを進行めると図３の（２）に示すように、レ
ジストパターン１１１はさらにエッチングされるため、
金属系膜１１１で形成される金属パターン１１２の上部
端辺がエッチングされて、金属パターン１１２の上部に
傾斜面が形成されるようになる。このように、レジスト
パターン１２１がエッチングされ易いため、金属系膜１
１１を異方性エッチングすることが困難になる。
【０００４】また、近年のデバイスの微細化にともな
い、レジスト膜厚の薄膜化が必須になっている。そのた
め、上記課題はますます増長されることになり、金属系
膜パターンの断面形状を矩形断面に形成することは非常
に困難になっている。また、三塩化ホウ素と塩素との混
合ガスのような塩素系のエッチングガスに窒素（Ｎ2 ）
またはジフロロメタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）を添加してエッチ
ングを行う方法、レジストパターンに紫外線を照射して
硬化させる方法等が提案されているが、いずれも、金属
系膜に対するレジスト膜のエッチング選択性を確保する
ことはできない。また、上記のような添加ガスを導入し
た場合には、エッチング雰囲気のパーティクルが増大
し、例えば金属系膜パターン間にショートを発生させて
歩留りの低下を来す。
い、レジスト膜厚の薄膜化が必須になっている。そのた
め、上記課題はますます増長されることになり、金属系
膜パターンの断面形状を矩形断面に形成することは非常
に困難になっている。また、三塩化ホウ素と塩素との混
合ガスのような塩素系のエッチングガスに窒素（Ｎ2 ）
またはジフロロメタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）を添加してエッチ
ングを行う方法、レジストパターンに紫外線を照射して
硬化させる方法等が提案されているが、いずれも、金属
系膜に対するレジスト膜のエッチング選択性を確保する
ことはできない。また、上記のような添加ガスを導入し
た場合には、エッチング雰囲気のパーティクルが増大
し、例えば金属系膜パターン間にショートを発生させて
歩留りの低下を来す。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた金属系膜のエッチング方法であ
る。すなわち、第１工程で、金属系膜上にレジスト膜を
形成した後、リソグラフィー技術によって該レジスト膜
をパターニングしてレジストパターンを形成し、第２工
程で、フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理
によってレジストパターンの表面に保護膜を形成する。
またはイオン注入処理によってレジストパターンの表層
へ不純物を導入してレジストパターンの表面に硬化層を
形成する。そして第３工程で、上記処理を施したレジス
トパターンをエッチングマスクに用いて金属系膜をエッ
チングする。
決するためになされた金属系膜のエッチング方法であ
る。すなわち、第１工程で、金属系膜上にレジスト膜を
形成した後、リソグラフィー技術によって該レジスト膜
をパターニングしてレジストパターンを形成し、第２工
程で、フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理
によってレジストパターンの表面に保護膜を形成する。
またはイオン注入処理によってレジストパターンの表層
へ不純物を導入してレジストパターンの表面に硬化層を
形成する。そして第３工程で、上記処理を施したレジス
トパターンをエッチングマスクに用いて金属系膜をエッ
チングする。
【０００６】上記金属系膜のエッチング方法では、フル
オロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によってレ
ジストパターンの表面に保護膜が形成されることから、
金属系膜のエッチング時において、レジストパターンが
保護膜によって保護される。またはイオン注入処理によ
ってレジストパターンの表面に硬化層を形成することか
ら金属系膜に対するエッチング耐性が高まる。そのた
め、金属系膜近傍におけるレジストパターンの垂直形
状、すなわち基板表面に対するレジストパターンの側壁
の垂直性が確保される。それによって、金属系膜のエッ
チング形状が良好になる。
オロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によってレ
ジストパターンの表面に保護膜が形成されることから、
金属系膜のエッチング時において、レジストパターンが
保護膜によって保護される。またはイオン注入処理によ
ってレジストパターンの表面に硬化層を形成することか
ら金属系膜に対するエッチング耐性が高まる。そのた
め、金属系膜近傍におけるレジストパターンの垂直形
状、すなわち基板表面に対するレジストパターンの側壁
の垂直性が確保される。それによって、金属系膜のエッ
チング形状が良好になる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態の一例を、
図１のエッチング方法の説明図によって説明する。図１
では、アルミニウム系多層膜のエッチング方法を示す。
図１のエッチング方法の説明図によって説明する。図１
では、アルミニウム系多層膜のエッチング方法を示す。
【０００８】図１の（１）に示すように、基板１１上に
は金属系膜１２として、バリアメタル層１３、アルミニ
ウム−銅合金膜１４、窒化チタンからなる反射防止膜１
５が順に積層されている。まず第１工程では、塗布法
（例えば回転塗布法）によって上記金属系膜１２上にレ
ジスト膜２１を形成する。その後、リソグラフィー技術
によってこのレジスト膜２１をパターニングし、図１の
（２）に示すように、レジストパターン２２を形成す
る。
は金属系膜１２として、バリアメタル層１３、アルミニ
ウム−銅合金膜１４、窒化チタンからなる反射防止膜１
５が順に積層されている。まず第１工程では、塗布法
（例えば回転塗布法）によって上記金属系膜１２上にレ
ジスト膜２１を形成する。その後、リソグラフィー技術
によってこのレジスト膜２１をパターニングし、図１の
（２）に示すように、レジストパターン２２を形成す
る。
【０００９】次いで図１の（３）に示すように、第２工
程を行う。この工程では、フルオロカーボン系のガスを
用いたプラズマ処理によって上記レジストパターン２２
の表面に保護膜２３を形成する。
程を行う。この工程では、フルオロカーボン系のガスを
用いたプラズマ処理によって上記レジストパターン２２
の表面に保護膜２３を形成する。
【００１０】上記プラズマ処理は、例えばマグネトロン
型の平行平板プラズマエッチング装置を用い、下記のよ
うな条件によって行った。 プラズマ処理ガス：オクタフルオロブタン（Ｃ4 Ｆ8 ）；７ｓｃｃｍ、 一酸化炭素（ＣＯ）；２００ｓｃｃｍ、 アルゴン（Ａｒ）；２００ｓｃｃｍ〔なお、ｓｃｃｍは標 準状態における体積流量（ｃｍ3 ／分）を表し、以下同様である〕、 処理雰囲気の圧力：２．７Ｐａ、 ＲＦパワー：１．４５ｋＷ に設定した。上記条件のプラズマ処理を２０秒間行った
結果、レジストパターン２２の表面には、保護膜２３と
して炭素を主成分とする薄いポリマーが形成され、この
ポリマーは金属系膜１２のエッチングの際にエッチング
耐性を有していた。実験では、レジストパターン２２／
金属系膜１２のエッチング選択比は、従来は２程度であ
ったのが保護膜２３が形成されたことにより４程度に高
まった。なお、プラズマ処理時間は、上記説明した時間
に限定されることはなく、レジストパターン２２のエッ
チング耐性が維持できる厚さの保護膜２３が形成される
時間に適宜設定される。
型の平行平板プラズマエッチング装置を用い、下記のよ
うな条件によって行った。 プラズマ処理ガス：オクタフルオロブタン（Ｃ4 Ｆ8 ）；７ｓｃｃｍ、 一酸化炭素（ＣＯ）；２００ｓｃｃｍ、 アルゴン（Ａｒ）；２００ｓｃｃｍ〔なお、ｓｃｃｍは標 準状態における体積流量（ｃｍ3 ／分）を表し、以下同様である〕、 処理雰囲気の圧力：２．７Ｐａ、 ＲＦパワー：１．４５ｋＷ に設定した。上記条件のプラズマ処理を２０秒間行った
結果、レジストパターン２２の表面には、保護膜２３と
して炭素を主成分とする薄いポリマーが形成され、この
ポリマーは金属系膜１２のエッチングの際にエッチング
耐性を有していた。実験では、レジストパターン２２／
金属系膜１２のエッチング選択比は、従来は２程度であ
ったのが保護膜２３が形成されたことにより４程度に高
まった。なお、プラズマ処理時間は、上記説明した時間
に限定されることはなく、レジストパターン２２のエッ
チング耐性が維持できる厚さの保護膜２３が形成される
時間に適宜設定される。
【００１１】続いて図１の（４）に示すように、第３工
程を行う。この工程では、上記保護膜２３〔前記図１の
（３）参照〕を形成したレジストパターン２２をエッチ
ングマスクに用いて上記金属系膜１２をエッチングす
る。上記エッチングは、例えば有磁場マイクロ波プラズ
マエッチング装置を用い、下記のような条件によって行
った。 エッチングガス：三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）；８０ｓｃｃｍ、 塩素（Ｃｌ2 ）；１２０ｓｃｃｍ、 エッチング雰囲気の圧力：６６７ｍＰａ、 ＲＦパワー：１２０Ｗ、 マイクロ波パワー：８００Ｗ に設定した。上記条件で金属膜２３のエッチングを行う
ことによって、エッチング中であっても上記レジストパ
ターン２２の側壁の形状は維持されるため、金属系膜１
２からなる加工形状に優れた金属系膜パターン１６が形
成された。
程を行う。この工程では、上記保護膜２３〔前記図１の
（３）参照〕を形成したレジストパターン２２をエッチ
ングマスクに用いて上記金属系膜１２をエッチングす
る。上記エッチングは、例えば有磁場マイクロ波プラズ
マエッチング装置を用い、下記のような条件によって行
った。 エッチングガス：三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）；８０ｓｃｃｍ、 塩素（Ｃｌ2 ）；１２０ｓｃｃｍ、 エッチング雰囲気の圧力：６６７ｍＰａ、 ＲＦパワー：１２０Ｗ、 マイクロ波パワー：８００Ｗ に設定した。上記条件で金属膜２３のエッチングを行う
ことによって、エッチング中であっても上記レジストパ
ターン２２の側壁の形状は維持されるため、金属系膜１
２からなる加工形状に優れた金属系膜パターン１６が形
成された。
【００１２】上記金属系膜のエッチング方法では、フル
オロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によってレ
ジストパターン２２の表面に保護膜２３が形成されるこ
とから、金属系膜１２のエッチング時には保護膜２３に
よってレジストパターン２２が保護される。そのため、
金属系膜１２の近傍におけるレジストパターン２２の垂
直形状、すなわち基板１１の表面に対するレジストパタ
ーン２２の側壁の垂直性が確保される。それによって、
レジストパターン２２／金属系膜１２のエッチング選択
比が高められ、金属系膜１２のエッチングして得られる
金属系膜パターン１６の形状が良好になる。なお、金属
系膜１２のエッチングの際に、上記保護膜２３は徐々に
エッチングされていき、やがてレジストパターン２２の
上部もエッチングされていくが、金属系膜１２の近傍の
レジストパターン２２の側壁がエッチングされるまでに
は至らない。したがって、少なくとも金属系膜１２の近
傍のレジストパターン２２の側壁形状は保持される。ま
た、上記プラズマ処理に用いるフルオロカーボン系のガ
スとしては、上記オクタフルオロブタンと一酸化炭素と
アルゴンとの混合ガスの他に、例えばトリフルオロメタ
ン（ＣＨＦ3 ）の単独ガス、トリフルオロメタンとテト
ラフルオロメタン（ＣＦ4 ）とアルゴン（Ａｒ）との混
合ガス等を用いることも可能であり、上記各ガスを用い
ても、上記同様の保護膜２３を形成することができる。
オロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によってレ
ジストパターン２２の表面に保護膜２３が形成されるこ
とから、金属系膜１２のエッチング時には保護膜２３に
よってレジストパターン２２が保護される。そのため、
金属系膜１２の近傍におけるレジストパターン２２の垂
直形状、すなわち基板１１の表面に対するレジストパタ
ーン２２の側壁の垂直性が確保される。それによって、
レジストパターン２２／金属系膜１２のエッチング選択
比が高められ、金属系膜１２のエッチングして得られる
金属系膜パターン１６の形状が良好になる。なお、金属
系膜１２のエッチングの際に、上記保護膜２３は徐々に
エッチングされていき、やがてレジストパターン２２の
上部もエッチングされていくが、金属系膜１２の近傍の
レジストパターン２２の側壁がエッチングされるまでに
は至らない。したがって、少なくとも金属系膜１２の近
傍のレジストパターン２２の側壁形状は保持される。ま
た、上記プラズマ処理に用いるフルオロカーボン系のガ
スとしては、上記オクタフルオロブタンと一酸化炭素と
アルゴンとの混合ガスの他に、例えばトリフルオロメタ
ン（ＣＨＦ3 ）の単独ガス、トリフルオロメタンとテト
ラフルオロメタン（ＣＦ4 ）とアルゴン（Ａｒ）との混
合ガス等を用いることも可能であり、上記各ガスを用い
ても、上記同様の保護膜２３を形成することができる。
【００１３】次に第２実施形態の一例を、図２のエッチ
ング方法の説明図によって説明する。第２実施形態は、
前記第１実施形態で説明した第１工程を行った後に、第
２工程で、イオン注入処理によってレジストパターンの
表面に硬化層を形成させ、その後前記第１実施形態で説
明した第３工程を行う方法である。ここでは、第２工程
のみを説明することにする。
ング方法の説明図によって説明する。第２実施形態は、
前記第１実施形態で説明した第１工程を行った後に、第
２工程で、イオン注入処理によってレジストパターンの
表面に硬化層を形成させ、その後前記第１実施形態で説
明した第３工程を行う方法である。ここでは、第２工程
のみを説明することにする。
【００１４】図２の（１）に示すように、基板１１上に
は金属系膜１２として、バリアメタル層１３、アルミニ
ウム−銅合金膜１４、反射防止膜１５が順に積層されて
いる。そして前記図１で説明したのと同様にして、第１
工程で、金属系膜１２上にレジスト膜からなるレジスト
パターン２２が形成されている。次いで第２工程を行
う。この工程では、不純物にアルゴンイオンを用いたイ
オン注入処理によって上記レジストパターン２２の表面
にアルゴンイオンを注入してその部分を硬化させる。す
なわち、レジストパターン２２の表面に硬化層２４を形
成する。上記イオン注入処理は、例えば下記のような条
件によって行った。 注入不純物：アルゴンイオン（Ａｒ+ ）、 注入エネルギー：７０ｋｅＶ、 ドーズ量：３．５×１０15個／ｃｍ2 に設定した。上記条件でイオン注入処理を行うことによ
ってレジストパターン２２の表面は硬化され、薄い硬化
層２４が形成された。
は金属系膜１２として、バリアメタル層１３、アルミニ
ウム−銅合金膜１４、反射防止膜１５が順に積層されて
いる。そして前記図１で説明したのと同様にして、第１
工程で、金属系膜１２上にレジスト膜からなるレジスト
パターン２２が形成されている。次いで第２工程を行
う。この工程では、不純物にアルゴンイオンを用いたイ
オン注入処理によって上記レジストパターン２２の表面
にアルゴンイオンを注入してその部分を硬化させる。す
なわち、レジストパターン２２の表面に硬化層２４を形
成する。上記イオン注入処理は、例えば下記のような条
件によって行った。 注入不純物：アルゴンイオン（Ａｒ+ ）、 注入エネルギー：７０ｋｅＶ、 ドーズ量：３．５×１０15個／ｃｍ2 に設定した。上記条件でイオン注入処理を行うことによ
ってレジストパターン２２の表面は硬化され、薄い硬化
層２４が形成された。
【００１５】続いて図２の（２）に示すように、前記第
１実施形態で説明したと同様の第３工程を行う。この工
程では、上記表面に硬化層２４〔図２の（１）参照〕を
形成したレジストパターン２２をエッチングマスクに用
いて上記金属系膜１２をエッチングする。その結果、レ
ジストパターン２２の側壁形状が維持された状態で上記
金属系膜１２のエッチングが進行し、加工形状に優れた
金属系膜パターン１６が形成された。
１実施形態で説明したと同様の第３工程を行う。この工
程では、上記表面に硬化層２４〔図２の（１）参照〕を
形成したレジストパターン２２をエッチングマスクに用
いて上記金属系膜１２をエッチングする。その結果、レ
ジストパターン２２の側壁形状が維持された状態で上記
金属系膜１２のエッチングが進行し、加工形状に優れた
金属系膜パターン１６が形成された。
【００１６】上記金属系膜のエッチング方法では、アル
ゴンイオンを用いたイオン注入処理によってレジストパ
ターン２２の表面に硬化層２４が形成される。この硬化
層２４は金属系膜２２のエッチングに対してエッチング
耐性を有している。そのため、金属系膜２２のエッチン
グ時には、上記硬化層２４によってレジストパターン２
２／金属系膜１２のエッチング選択比が高められる。な
お、金属系膜１２のエッチングの際に、上記硬化層２４
は徐々にエッチングされていき、やがてレジストパター
ン２２の上部もエッチングされていくが、金属系膜１２
の近傍のレジストパターン２２の側壁がエッチングされ
るまでには至らない。したがって、少なくとも金属系膜
１２の近傍のレジストパターン２２の側壁形状は保たれ
る。
ゴンイオンを用いたイオン注入処理によってレジストパ
ターン２２の表面に硬化層２４が形成される。この硬化
層２４は金属系膜２２のエッチングに対してエッチング
耐性を有している。そのため、金属系膜２２のエッチン
グ時には、上記硬化層２４によってレジストパターン２
２／金属系膜１２のエッチング選択比が高められる。な
お、金属系膜１２のエッチングの際に、上記硬化層２４
は徐々にエッチングされていき、やがてレジストパター
ン２２の上部もエッチングされていくが、金属系膜１２
の近傍のレジストパターン２２の側壁がエッチングされ
るまでには至らない。したがって、少なくとも金属系膜
１２の近傍のレジストパターン２２の側壁形状は保たれ
る。
【００１７】上記各実施形態で説明した金属系膜１２
は、上記積層膜に限定されることはなく、半導体装置製
造に用いられるような、金属膜（例えばアルミニウム、
銅、タングステン、チタン等の膜）、合金膜（例えばア
ルミニウム銅、タングステンチタン等の膜）、金属化合
物膜（例えばアルミニウムシリコン、金属シリサイド、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の膜）または
それらのうちの複数種類からなる積層膜からなる。
は、上記積層膜に限定されることはなく、半導体装置製
造に用いられるような、金属膜（例えばアルミニウム、
銅、タングステン、チタン等の膜）、合金膜（例えばア
ルミニウム銅、タングステンチタン等の膜）、金属化合
物膜（例えばアルミニウムシリコン、金属シリサイド、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の膜）または
それらのうちの複数種類からなる積層膜からなる。
【００１８】また上記イオン注入に用いる不純物として
は、アルゴンの他に、例えばキセノン、窒素、シリコン
等を用いることも可能である。
は、アルゴンの他に、例えばキセノン、窒素、シリコン
等を用いることも可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によっ
てレジストパターンの表面に保護膜を形成する。または
イオン注入処理によってレジストパターンの表層へ不純
物を導入してレジストパターンの表面に硬化層を形成す
るので、レジストパターン／金属系膜のエッチング選択
比が高まる。そのため、金属系膜を異方性エッチングす
ることができるので、金属系膜パターンは良好な形状に
形成することが可能になる。
フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によっ
てレジストパターンの表面に保護膜を形成する。または
イオン注入処理によってレジストパターンの表層へ不純
物を導入してレジストパターンの表面に硬化層を形成す
るので、レジストパターン／金属系膜のエッチング選択
比が高まる。そのため、金属系膜を異方性エッチングす
ることができるので、金属系膜パターンは良好な形状に
形成することが可能になる。
【図１】本発明に係わる第１実施形態のエッチング方法
の説明図である。
の説明図である。
【図２】本発明に係わる第２実施形態のエッチング方法
の説明図である。
の説明図である。
【図３】課題の説明図である。
１１ 基板 １２ 金属系膜 ２１ レジスト膜 ２２ レジストパターン ２３ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上の金属系膜上にレジスト膜を形成
した後、リソグラフィー技術によって該レジスト膜をパ
ターニングしてレジストパターンを形成する第１工程
と、 フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によっ
て前記レジストパターンの表面に保護膜を形成する第２
工程と、 前記保護膜を形成したレジストパターンをエッチングマ
スクに用いて前記金属系膜をエッチングする第３工程と
を備えたことを特徴とする金属系膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 基板上に金属系膜を形成し、次いで該金
属系膜上にレジスト膜を形成した後、リソグラフィー技
術によって該レジスト膜をパターニングしてレジストパ
ターンを形成する第１工程と、 イオン注入処理によって前記レジストパターンの表層へ
不純物を導入して前記レジストパターンの表面に硬化層
を形成する第２工程と、 前記硬化層を形成したレジストパターンをエッチングマ
スクに用いて前記金属系膜をエッチングする第３工程と
を備えたことを特徴とする金属系膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15648296A JPH104084A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 金属系膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15648296A JPH104084A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 金属系膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104084A true JPH104084A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15628730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15648296A Pending JPH104084A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 金属系膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104084A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| KR100312049B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2001-11-03 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치의 제조공정에서의 패터닝 방법 |
| KR100317624B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 금속층 식각방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법 |
| JP2003133295A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-05-09 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジストパターンをマスクに利用するエッチング方法 |
| WO2006030581A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006209126A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Applied Materials Inc | フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP15648296A patent/JPH104084A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312049B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2001-11-03 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치의 제조공정에서의 패터닝 방법 |
| KR100317624B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 금속층 식각방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법 |
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2003133295A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-05-09 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジストパターンをマスクに利用するエッチング方法 |
| WO2006030581A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| US7723235B2 (en) | 2004-09-17 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Method for smoothing a resist pattern prior to etching a layer using the resist pattern |
| JP2006209126A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Applied Materials Inc | フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2915807B2 (ja) | 六弗化イオウ、臭化水素及び酸素を用いる珪化モリブデンのエッチング | |
| KR101029947B1 (ko) | 플라즈마 에칭 성능 강화를 위한 방법 | |
| US6773998B1 (en) | Modified film stack and patterning strategy for stress compensation and prevention of pattern distortion in amorphous carbon gate patterning | |
| JP3271359B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US6693043B1 (en) | Method for removing photoresist from low-k films in a downstream plasma system | |
| US6686293B2 (en) | Method of etching a trench in a silicon-containing dielectric material | |
| CN1543672A (zh) | 将氨用于刻蚀有机低k电介质 | |
| JPH08172077A (ja) | ビアのプラズマエッチング改良方法 | |
| KR101075045B1 (ko) | 플라즈마 에칭 성능 강화를 위한 방법 | |
| US6271115B1 (en) | Post metal etch photoresist strip method | |
| US6518174B2 (en) | Combined resist strip and barrier etch process for dual damascene structures | |
| JPH07147271A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1307902A2 (en) | Process for photoresist descumming and stripping in semiconductor applications by nh3 plasma | |
| JPH104084A (ja) | 金属系膜のエッチング方法 | |
| JP2006024730A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100432146B1 (ko) | 알루미늄계금속막의에칭방법 | |
| KR0166205B1 (ko) | 반도체장치의 폴리사이드 게이트 형성방법 | |
| US6495455B2 (en) | Method for enhancing selectivity between a film of a light-sensitive material and a layer to be etched in electronic semiconductor device fabrication processes | |
| JP4651956B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
| JP3082396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04350939A (ja) | 銅配線の形成方法 | |
| JP3271373B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3239460B2 (ja) | 接続孔の形成方法 | |
| JP2005327873A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3079656B2 (ja) | ドライエッチング方法 |