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DE102019206090.0A DE102019206090A1 (de) 2018-05-09 2019-04-29 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, Leistungswandler und Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
CN201910363080.XA CN110473903B (zh) 2018-05-09 2019-04-30 碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法
US17/660,947 US11984492B2 (en) 2018-05-09 2022-04-27 Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112018002873T5 (de) 2017-06-06 2020-02-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinheit und leistungswandler
WO2021106152A1 (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP7354868B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-03 株式会社デンソー スイッチング素子
JP7735083B2 (ja) * 2020-05-22 2025-09-08 ヒュンダイ・モービス・カンパニー・リミテッド パワー半導体素子およびその製造方法
US11961903B2 (en) * 2020-05-26 2024-04-16 Hyundai Mobis Co., Ltd. Power semiconductor device and method of fabricating the same
JP2021190647A (ja) * 2020-06-04 2021-12-13 豊田合成株式会社 半導体装置とその製造方法
CN111755525A (zh) * 2020-07-24 2020-10-09 华羿微电子股份有限公司 一种Trench MOS功率器件及制备方法
US11004940B1 (en) * 2020-07-31 2021-05-11 Genesic Semiconductor Inc. Manufacture of power devices having increased cross over current
US11764295B2 (en) 2020-11-09 2023-09-19 Wolfspeed, Inc. Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns
JP7585794B2 (ja) 2021-01-07 2024-11-19 三菱電機株式会社 半導体装置
US11616123B2 (en) * 2021-02-12 2023-03-28 Alpha And Omega Semiconductor International Lp Enhancement on-state power semiconductor device characteristics utilizing new cell geometries
WO2022270245A1 (ja) * 2021-06-23 2022-12-29 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
CN114267739A (zh) * 2022-01-05 2022-04-01 北京昕感科技有限责任公司 一种双沟槽型SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法
US12419089B2 (en) * 2022-05-27 2025-09-16 Fast SiC Semiconductor Incorporated Silicon carbide semiconductor device
CN115224111A (zh) * 2022-07-26 2022-10-21 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司 沟槽栅器件的制备方法及沟槽栅器件
CN119586348A (zh) * 2022-07-29 2025-03-07 三菱电机株式会社 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法
CN115084247A (zh) * 2022-08-22 2022-09-20 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 一种双沟槽型碳化硅mosfet的制造方法
CN115241277B (zh) * 2022-09-22 2023-01-10 深圳芯能半导体技术有限公司 一种隔离型沟槽mos器件及其制备方法
CN116799036B (zh) * 2023-06-11 2026-03-31 湖北九峰山实验室 宽禁带半导体沟槽mosfet器件结构及其制作方法
US20250133769A1 (en) * 2023-10-24 2025-04-24 Taipei Anjet Corporation Three-dimensional (3d) trenched metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) device and method for fabricating the same
CN117894846B (zh) * 2023-12-28 2024-07-19 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 低功耗平面栅型碳化硅mosfet功率器件及其制造方法
CN119092547A (zh) * 2024-08-30 2024-12-06 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
CN119208383B (zh) * 2024-11-26 2025-05-02 安徽长飞先进半导体股份有限公司 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471075A (en) * 1994-05-26 1995-11-28 North Carolina State University Dual-channel emitter switched thyristor with trench gate
JP2010245256A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
CN102034715A (zh) * 2010-10-12 2011-04-27 上海宏力半导体制造有限公司 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
CN103262248B (zh) * 2010-12-10 2016-07-13 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102956481B (zh) * 2011-08-18 2015-08-19 科轩微电子股份有限公司 具有源极沟槽的沟槽式功率半导体元件的制造方法
CN103367144A (zh) * 2012-03-26 2013-10-23 马克斯半导体股份有限公司 沟槽式井区电场屏蔽功率mosfet结构及制作方法
JP6061181B2 (ja) * 2012-08-20 2017-01-18 ローム株式会社 半導体装置
KR101439310B1 (ko) * 2012-11-21 2014-09-11 도요타 지도샤（주） 반도체 장치
KR101920717B1 (ko) 2013-01-14 2018-11-21 삼성전자주식회사 이중 병렬 채널 구조를 갖는 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 제조 방법
JP5864784B2 (ja) 2013-01-24 2016-02-17 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN107251198B (zh) * 2015-01-27 2020-08-14 Abb电网瑞士股份公司 绝缘栅功率半导体装置以及用于制造这种装置的方法
US10157986B2 (en) 2015-03-30 2018-12-18 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
JP6115678B1 (ja) * 2016-02-01 2017-04-19 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2019096631A (ja) * 2016-04-07 2019-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置
US20170338302A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-23 Infineon Technologies Ag Power Semiconductor Device with Charge Balance Design
JP6919159B2 (ja) * 2016-07-29 2021-08-18 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6640691B2 (ja) * 2016-09-21 2020-02-05 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20180138300A1 (en) 2016-11-17 2018-05-17 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

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