JP2019135301A - 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】熱可塑性液晶ポリマーフィルム５，６は、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である。回路基板３０は、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備えている。前記回路基板材料の少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである。回路基板をＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、回路基板は、はんだ耐熱性を有している。【選択図】図２Ｂ

Description

関連出願

本願は、２０１３年１０月３日に出願した特願２０１３−２０８２０９の優先権、２０１４年３月２７日に出願した特願２０１４−０６５７５１の優先権、および２０１４年６月１０日に出願した特願２０１４−１１９８５０の優先権を主張するものであり、その全体を参照により本出願の一部をなすものとして引用する。

本発明は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルム（以下、熱可塑性液晶ポリマーフィルム、または単に液晶ポリマーフィルムと称する場合がある）であって、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよびその製造方法、並びに回路基板およびその製造方法に関する。

情報処理機器、通信機器等の電子機器は、一般に回路基板を内蔵している。回路基板は通常、絶縁性の材料で形成された基板と、基板上に形成された導電材料からなる層を有し、この導電層に回路が形成されている。各種の電子部品は、はんだ付け等の処理によって、回路基板に設置される。近年では、複数の導電層を有する積層回路基板も広く用いられている。

回路基板として、従来、ポリイミドを絶縁材料に用いたものが知られており、例えば、ポリイミドフィルム上の導電体層に回路を形成した基板と、ポリイミドフィルムと接着剤層からなるカバーレイフィルムを貼り合わせて構成された回路基板が知られている。

しかし、このような回路基板では、接着剤を用いているために、耐熱性、特に半田耐熱性に劣る場合がある。また、接着剤に由来する溶剤が残存する場合があるが、このような場合、多層化後の回路基板において不具合を発生させ、回路基板の信頼性を低下させる可能性がある。そのため、接着剤を用いることなく回路基板を形成する技術が求められている。

近年、ＰＣなど情報処理分野、携帯電話などの通信機器分野の発展は目覚ましく、このようなエレクトロニクスや通信機器に使用される周波数は、ギガヘルツの領域にシフトしている。しかしながら、一般にこのような高周波帯域では、伝送損失が大きくなることが知られている。

回路基板は、従来、ポリイミドフィルムに導体回路が形成された基板と、ポリイミドフィルムと接着剤層とで構成されたカバーレイフィルムとを貼り合わせて形成されたものが知られている。

しかし、このような回路基板では、接着剤を用いているため耐熱性、特にはんだ耐熱性に劣る場合がある。また、このような回路基板では、接着剤に由来する溶剤が残存する場合があり、このような残存溶剤は、多層化後の回路基板において不具合を発生させ、回路基板の信頼性を低下させてしまう虞がある。そのため、接着剤を用いることなく回路基板を形成する技術が求められている。

一方、接着剤を用いることなく、回路基板を形成するための基板材料として、熱可塑性液晶ポリマーフィルムが注目されている。しかしながら、熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいては、フィルムの押出成形時に表面に硬いスキン層が発生してしまうため、熱可塑性液晶ポリマーを熱接着させる場合、スキン層によって層間接着性が十分でない場合がある。

それを改良するため、例えば特許文献１（特開２０１０−１０３２６９号公報）では、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して熱可塑性液晶ポリマーフィルムを形成するフィルム形成工程と、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に対して、物理的な研磨または紫外線照射を行うことにより、このフィルム表面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１〜０．１ＧＰａを有するように軟化させて、接着面を形成する軟化工程と、
前記接着面を、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板の回路形成面に対向させ、全体を熱圧着により接着させる熱圧着工程と、
を含む多層回路基板の製造方法が開示されている。

一方で、接着材を用いることなく、銅などの金属層からなる導体層と液晶ポリマー層とを貼り合わせ、積層により回路基板を形成する場合、導体層上に凹凸を形成してアンカー効果により、導体層と絶縁層との圧着性を高め、ピール強度（耐剥離強度）を確保する処理が行われており、この凹凸形状の最適化が研究されている。

例えば、特許文献２（国際公開ＷＯ２０１２/０２０８１８号パンフレット）には、液晶ポリマー層の片面または両面に金属箔を有する金属張積層基板において、金属箔は、液晶ポリマー層と接する面が粗化処理されて表層部に突起物を有し、該突起物の根本部分の幅Ｌに対する突起物の高さＨの比で表されるアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が３〜２０の範囲であると共に、突起物の高さが０．１〜２μｍの範囲であり、液晶ポリマー層は、１０〜２０００μｍの厚さを有して、膜厚公差が６％未満であることを特徴とする金属張積層板が開示されている。

特開２０１０−１０３２６９号公報 国際公開ＷＯ２０１２／０２０８１８号

特許文献１では、物理的研磨または紫外線照射によるスキン層への軟化処理によって、液晶ポリマーフィルム間の層間接着性を向上させているが、スキン層へのダメージを与えることなく液晶ポリマーフィルム間の層間接着性を向上させることについては開示も示唆もされていない。

特許文献２には、金属箔を粗化処理することにより、液晶ポリマーフィルムと金属箔の層間接着性を向上させることについては記載されているが、液晶ポリマーフィルムに対して特定の処理を行うことにより層間接着性を向上する点については、認識されていない。さらに、この文献に記載されている発明では、銅箔に突出部が存在するため、液晶ポリマーがそのような突出部により受ける不利益についても検討されていない。

本発明の目的は、層間接着性を向上することが可能な熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルム、およびその製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、層間接着性を向上させた回路基板およびその製造方法を提供することにある。

本発明の発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、以下の構成を見出した。

すなわち、本発明の第１の構成は、
光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上真空下で脱気することにより、および／または（ｉｉ）１００℃〜２００℃の範囲で加熱下で脱気することより、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルム中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気する脱気工程と、
を少なくとも備え、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する方法である。

前記製造方法では、脱気工程が、準備された熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、１００℃〜２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、を備えていてもよい。また、真空下での脱気（ｉ）または第二の脱気工程は、真空度１５００Ｐａ以下で、８０〜２００℃の範囲で加熱することにより行われてもよい。

また、脱気工程が行われる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ロール状物であってもよい。

本発明は、第２の構成として、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムについても包含する。このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である。また、フィルムの厚みが１０〜２００μｍ程度であってもよい。前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、前記製造方法で製造されてもよい。前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ガスバリア性包装材で包装されている熱可塑性液晶ポリマーフィルムであってもよい。

なお、本発明は、前記熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、この熱可塑性液晶ポリマーフィルムを包装している、ガスバリア性包装材と、で構成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体についても包含してもよい。

前記包装体では、ガスバリア性包装材が、例えば酸素透過度１０ｍＬ／ｍ^２・ｄａｙ・ＭＰａ以下を有していてもよい。また、ガスバリア性包装材は、例えば透湿度１０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下を有していてもよい。

本発明は、第３の構成として、回路基板の製造方法も包含し、前記製造方法は、
少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
（Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、前記脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
（ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイの少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、前記脱気工程が行われる製造方法である。

前記製造方法では、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも一種が熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されてもよい。

また前記製造方法では、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも二種の回路基板材料が、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルムと、それよりも低い耐熱性を有する低融点液晶ポリマーフィルムとで構成され、前記高融点液晶ポリマーフィルムと、低融点液晶ポリマーフィルムとの融点差が、７０℃以内であってもよい。

前記回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧５ＭＰａ以下（好ましくは０．５〜２．５ＭＰａ）下で加熱して回路基板材料を熱圧着する工程を含んでいてもよい。また、例えば、熱圧着される熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、（Ｔｍ−６０）℃以上（Ｔｍ＋４０）℃以下で加熱して回路基板材料を熱圧着してもよい。

本発明は、第４の構成として、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備え、
絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである回路基板であって、
回路基板をＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板を包含する。前記回路基板は、前記製造方法で製造された回路基板であってもよい。

好ましくは、回路基板は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ−Ｃ５０１６−１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料（例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルム）との間で０．８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．３ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
なお、液晶ポリマーフィルムに対して導体層が接する部分の表面積の割合（すなわち、残導体率＝接触面におけるユニット回路基板上の回路パターンの面積／ユニット回路基板の総面積ｘ１００）が３０％以上である場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと導体層との間の接着強度として測定され、導体層の表面積が３０％未満の割合で液晶ポリマーフィルムに接触している場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと液晶ポリマーフィルムとの間の接着強度として測定される。

また、回路基板では、接着強度の等方性に優れるのが好ましい。例えば、回路基板の一方向（Ａ方向）と、それに対する直交方向（Ｂ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、Ａ順方向、Ａ逆方向、Ｂ順方向、Ｂ逆方向の４方向について、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ−Ｃ５０１６−１９９４に準拠した接着強度を測定した場合、接着強度の最小値が、
（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよいし、または
（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．２５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。

また、回路基板において、前記回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有しており、前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差が、０〜７０℃である回路基板であってもよい。

さらに、回路基板材料が、すべて熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成され、ボンディングシートを介することなく、絶縁基板同士、または絶縁基板とカバーレイとが接着していてもよい。

前記回路基板では、導体層が平滑であるのが好ましく、たとえば、導体層の少なくとも一方の表面のＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下であってもよい。

回路基板の厚みを薄くすることが出来る指標として、例えば、回路基板が、ｎ＋１層の熱可塑性液晶ポリマーフィルム層と、これらの熱可塑性液晶ポリマーフィルム層に挟まれるｎ層の導体回路層とを備えていてもよい。この場合、回路基板はボンディングシートを介することなく、導体回路層を挟んだ状態で熱可塑性液晶ポリマーフィルム同士を接着することができる。

回路基板における導体回路の沈み込みが抑制されている場合、その指標として、上面と底面を有する絶縁基板の上面側に導体回路が形成されている絶縁基板において、導体回路が形成されていない箇所における絶縁基板の厚みＬ１と、導体回路が形成されている箇所における絶縁基板の厚みＬ２とをそれぞれ測定した場合、Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が、８０〜１００％であってもよい。

回路基板において、導体回路が、ストリップライン構造またはマイクロストリップライン構造を有している回路基板であってもよい。
本発明は、前記製造方法で製造された回路基板を包含することができる。本発明の回路基板は、上述するように導体層を１層有する単層回路基板であっても、導体層を複数層有する多層回路基板であっても、いずれでもよい。

また、本発明では、別の構成として、以下の発明を含んでいてもよい。
第５の構成は、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを、準備する工程と、
前記ユニット回路基板と前記回路基板材料とを、例えば大気圧下で、100℃〜200℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
前記ユニット回路基板と前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、
前記回路基板材料と前記ユニット回路基板とを積層して形成した積層体に加熱及び加圧を行い、熱圧着により前記積層体を一体化する工程とを備えるとともに、
前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下である、回路基板の製造方法である。

第二の脱気工程は、８０℃〜２００℃の範囲で行われてもよい。また、第二の脱気工程が、無加圧下で行われてもよい。回路基板材料は、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種であってもよい。

また、ユニット回路基板の準備工程は、
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面または両面に金属箔を熱圧着する熱圧着工程と、
前記熱圧着された金属箔表面に、耐酸化被膜を形成する皮膜形成工程と、を備えていてもよい。
前記導体層は、銅箔からなる銅層を含むのが好ましく、さらに銅を含む合金層を耐酸化性皮膜として含んでいてもよい。
さらに、ユニット回路基板の準備工程は、導体層表面に、シランカップリング剤を付着する、シランカップリング剤付着工程をさらに備えていてもよい。

本発明の第６の構成では、回路基板は、上記の方法によって製造された回路基板とすることができる。
また、本発明の第６の構成では、前記回路基板は、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを有する回路基板であって、
前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下であり、かつ
回路基板を、ＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板とすることができる。

第１の構成に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、特定の脱気工程が行われることにより、液晶ポリマーフィルムの等方性を保ちつつ熱接着性を向上させることができ、その結果、たとえ接着剤を用いない場合であっても液晶ポリマーフィルムを用いた回路基板の層間接着性を向上することができる。

さらに、特定の脱気工程が行われた熱可塑性液晶ポリマーフィルムをガスバリア性包装材で包装することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気状態を維持したままで熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体として、輸送・運搬することができる。

第２の構成に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法では、接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを効率よく製造することができる。

第３の構成に係る回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いた回路基板の層間接着性を高めることにより、局部的な密着不良を抑制し、電子部品を回路基板に取り付けるリフロー処理時などの高温処理時において、回路基板に膨れが生じるのを抑制することができる。また、接着剤を利用することなく層間接着を行うことが可能であるため、回路基板の信頼性を向上することもできる。

第４の構成に係る回路基板の製造方法では、このような回路基板を効率よく製造することが可能である。

この発明は、添付の図面を参考にした以下の好適な実施形態の説明からより明瞭に理解されるであろう。しかしながら、実施形態および図面は単なる図示および説明のためのものであり、この発明の範囲を定めるために利用されるべきでない。この発明の範囲は添付のクレームによって定まる。
本発明の一実施形態に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されたロール状物の形状を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層前の状態を示す。 本発明の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層後の状態を示す。 本発明の別の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層前の状態を示す。 本発明の別の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層後の状態を示す。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、ｎ層の導体層と、これらの導電層を内部に含むｎ＋１層の絶縁層との関係を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、導体層の沈み込み量を説明するための、導体回路と、この導体回路を挟み込む２枚の液晶ポリマーフィルムを備える積層体の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、上記図５Ａの積層体の両面に、さらに地導体を備える積層体の概略断面図である。 本発明の実施例４および５、ならびに比較例４について撮像した断面ＳＥＭ像である。図中のスケールの幅は１００μｍであり、いずれのＳＥＭ像も互いに等倍である。

本発明の第１の構成は、以下の点を見出したことに基づいている。すなわち（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、剛直なメソゲン基を有するためか、数ある有機材料の中でも最高レベルのガスバリア性を有している。これは、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、他の有機材料とを比較する際の大きなメリットであり、熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいては、脱気をする必要性について、何ら認識されていなかった。（ｉｉ）しかしながら、明確な理由は定かではないが、熱可塑性液晶ポリマーに含まれる水分などのガス化しうる成分、熱可塑性液晶ポリマーフィルム表面に吸着した水分や表面に存在するエアーが、存在すると、フィルムと被着体との層間接着性が低下するためか、高温条件下で回路基板にふくれを生じさせる原因となりうることが推測された。そして、（ｉｉｉ）その知見に基づき、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して特定の脱気工程（degassing）を行うと、驚くべきことに、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの等方性を維持した状態で、フィルムと被着体との層間接着性を向上させ、高温条件下で回路基板にふくれが生じるのを抑制できることが見出された。

［熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法］
本発明の一実施態様は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法であり、この製造方法は、光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、
（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上真空下で脱気させることにより、および／または
（ｉｉ）１００℃〜２００℃の範囲で加熱下で脱気させることより、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気する脱気工程と、
を少なくとも備え、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する。

（熱可塑性液晶ポリマーフィルムの準備工程）
準備される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成される。この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。

また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。

本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。

（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）

（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）

（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）

（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）

これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。

これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。

例えば、（ｉ）の重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０〜８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０〜８０／２０程度であってもよい。

また、（ｉｉ）の重合体の場合、ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオール（Ｄ）と、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸（Ｅ）の、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０〜８０：３５〜１０：３５〜１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５〜７５：３２．５〜１２．５：３２．５〜１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０〜７０：３０〜１５：３０〜１５程度であってもよい。

また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。

なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。

熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｔｍ_０と称す）が２６０〜３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＴｍ_０が２７０〜３５０℃のものである。なお、融点は示差走査熱量計（（株）島津製作所ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。

前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマー、各種添加剤を添加してもよい。また、必要に応じて充填剤を添加してもよい。

本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。熱可塑性液晶ポリマーの剛直な棒状分子の方向を制御できる限り、任意の押出成形法が適用できるが、周知のＴダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向（または機械加工方向：以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられ、ＭＤ方向とＴＤ方向における分子配向性、誘電特性などを制御したフィルムが得られる。

押出成形では、配向を制御するために、延伸処理を伴うのが好ましく、例えば、Ｔダイ法による押出成形では、Ｔダイから押出した溶融体シートを、フィルムのＭＤ方向だけでなく、これとＴＤ方向の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはＴダイから押出した溶融体シートを一旦ＭＤ方向に延伸し、ついでＴＤ方向に延伸してもよい。

また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比（ＭＤ方向の延伸倍率に相当する）およびブロー比（ＴＤ方向の延伸倍率に相当する）で延伸してもよい。

このような押出成形の延伸倍率は、ＭＤ方向の延伸倍率（またはドロー比）として、例えば、１．０〜１０程度であってもよく、好ましくは１．２〜７程度、さらに好ましくは１．３〜７程度であってもよい。また、ＴＤ方向の延伸倍率（またはブロー比）として、例えば、１．５〜２０程度であってもよく、好ましくは２〜１５程度、さらに好ましくは２．５〜１４程度であってもよい。

ＭＤ方向とＴＤ方向とのそれぞれの延伸倍率の比（ＴＤ方向／ＭＤ方向）は、例えば、２．６以下、好ましくは０．４〜２．５程度であってもよい。

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。

また、必要に応じて、公知または慣用の熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点および／または熱膨張係数を調整してもよい。熱処理条件は目的に応じて適宜設定でき、例えば、液晶ポリマーの融点（Ｔｍ_０）−１０℃以上（例えば、Ｔｍ_０−１０〜Ｔｍ_０＋３０℃程度、好ましくはＴｍ_０〜Ｔｍ_０＋２０℃程度）で数時間加熱することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）を上昇させてもよい。

このようにして得られた本発明の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、優れた誘電特性、ガスバリア性、低吸湿性などを有しているため、回路基板材料として好適に用いることができる。

熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）は、フィルムの所望の耐熱性および加工性を得る目的において、２００〜４００℃程度の範囲内で選択することができ、好ましくは２５０〜３６０℃程度、より好ましくは２６０〜３５０℃程度（例えば、２６０〜３４０℃）であってもよい。なお、フィルムの融点は、示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得ることができる。すなわち供試フィルムを２０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を５０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した後に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録すればよい。

本発明において使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、任意の厚みであってもよい。ただし、高周波伝送線路に使用する場合は、厚みが厚いほど伝送損失が小さくなるので、できるだけ厚みを厚くするのが好ましい。電気絶縁層として熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、そのフィルムの膜厚は、１０〜５００μｍの範囲内にあることが好ましく、１５〜２００μｍの範囲内がより好ましい。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛性や強度が小さくなることから、フィルム膜厚１０〜２００μｍの範囲のフィルムを積層させて任意の厚みを得る方法を使用してもよい。

（脱気工程）
このようにして得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、フィルムに存在するエアーや水分を除去するための脱気工程へ供せられる。
脱気工程は、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法において行われてもよいし、回路基板の製造方法の一工程として行われてもよい。
脱気工程により熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上することができ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと被着体との層間接着性を向上することができる。

脱気工程に供せられる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気が可能である限り、その形状は特に限定されない。例えば、脱気工程において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、導電層が形成されていてもよいシート物として供せられてもよいし、シートの多層積層物（例えば、導電層が形成されていてもよいフィルム層が複数層に重ねられた多層積層物など）として供せられてもよいし、ロール状物として供せられてもよい。

例えば、ロール状物とする場合、公知または慣用の方法により、フィルムを筒状のコアに対してロール状に巻き取られてロール状物として準備される。図１は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されたロール状物を説明するための概略図である。図１に示すように、ロール状物１は、筒状のコア２に対して、熱可塑性液晶ポリマーフィルム３が巻き取られた状態で形成されている。

ロール状物では、例えば、図１に示すように、ロール状物中のフィルム部分の厚み幅（Ｗ）が、１０００ｍｍ以下（例えば、１０〜９００ｍｍ程度）であってもよく、好ましくは８００ｍｍ以下、より好ましくは６００ｍｍ以下であってもよい。

脱気処理では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、特定の真空下での脱気（例えば真空乾燥）および／または加熱下での脱気（例えば加熱乾燥）を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの内部や表面に存在するエアーや水分を極めて高度に低減することが可能となる。そして、驚くべきことに、このような脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、その熱接着性を向上させることが可能となる。

例えば、このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、スキン層を破壊するといった軟化処理を行わなくとも、高い接着性を達成することが可能となる。ただし、本発明では、軟化処理を否定するものではない。熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、必要に応じて、軟化処理などの表面処理が行われてもよい。

脱気工程では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上、真空下で脱気させることにより、および／または（ｉｉ）１００℃〜２００℃の範囲で、加熱下で脱気させることより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気することができる。
脱気工程では、上記（ｉ）真空下での脱気工程または（ｉｉ）加熱下での脱気工程のいずれか一方を充足する条件で脱気すればよいが、上記（ｉ）および（ｉｉ）の双方を充足する条件で脱気するのが好ましい。

（ｉ）および（ｉｉ）の双方を充足する条件で脱気する場合とは、（ｉ）および（ｉｉ）の双方が同時に充足される条件（すなわち、真空加熱下）で行われる脱気工程であってもよいし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して（ｉ）および（ｉｉ）の条件が別々に行われる脱気工程、すなわち（ｉ）から（ｉｉ）の順、または（ｉｉ）から（ｉ）の順で別々に行われる脱気工程であってもよい。

なお、別々に脱気工程を行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性に悪影響を与えない範囲において、（ｉ）および（ｉｉ）の間、または（ｉｉ）および（ｉ）の間に別工程が行われてもよい。

また、脱気工程では、脱気性を向上させる観点から、実質的に加圧を行わない無加圧下（圧力解放下）で脱気を行ってもよい。例えば、低加圧または圧力解放状態（例えば、０〜０．７ＭＰａ程度の圧力下、好ましくは０〜０．５ＭＰａ程度の圧力下）で脱気工程を行ってもよい。

（ｉ）真空下での脱気は、真空度１５００Ｐａ以下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。
真空下での脱気を独立して行う場合、常温下（例えば１０〜５０℃、好ましくは１５〜４５℃の範囲）において行われてもよいが、脱気効率を高める観点から加熱下で行ってもよい。その場合の加熱温度は、例えば、５０〜２００℃（例えば、５０〜１５０℃）、好ましくは８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１９０℃程度であってもよい。

（ｉｉ）加熱下での脱気は、１００〜２００℃の範囲で行われ、好ましくは１０５〜１９０℃の範囲、より好ましくは１１０〜１８０℃の範囲で行ってもよい。
また、加熱下での脱気は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、所定の温度範囲を設定してもよい。その場合は、例えば、（Ｔｍ−２３５）℃〜（Ｔｍ−５０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ−２００）℃〜（Ｔｍ−５０）℃の範囲）で加熱してもよく、好ましくは、（Ｔｍ−２２５）℃〜（Ｔｍ−６０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ−１９０）℃〜（Ｔｍ−６０）℃の範囲）、より好ましくは、（Ｔｍ−２１５）℃〜（Ｔｍ−７０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ−１８０）℃〜（Ｔｍ−７０）℃の範囲）で行われてもよい。
上述のような、特定の温度範囲において加熱することにより、フィルムから急激に水分が発生することを抑制しつつ、フィルム中（例えば、フィルム内部やフィルム表面）の水を水蒸気として脱気したり、表面に存在するエアーの運動エネルギーを高めてフィルム表面から脱気することが可能となる。
なお、加熱下での脱気を単独で行う場合、真空度１５００Ｐａ以下を含まない条件下で行われてもよく、例えば、圧力を調整しない大気圧下（または常圧下）で行ってもよいが、必要に応じて、大気圧から減圧された条件下（例えば、１５００Ｐａを超えて１０００００Ｐａ未満、好ましくは３０００〜５００００Ｐａ程度）で加熱してもよい。

脱気工程に要する時間は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの状態、真空度および／または加熱温度などの各種条件により適宜設定することができるが、熱可塑性液晶ポリマーフィルム全体から水分やエアーを除去する観点から、例えば、それぞれの脱気工程（真空下、加熱下、真空加熱下）について、同一または異なって、３０分以上、４０分以上、または５０分以上であってもよく、６時間以下、４時間以下、３時間以下、２時間以下、または１．５時間以下であってもよい。
また、脱気工程に要する時間は、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの水分率が、後述する所定の範囲（例えば、３００ｐｐｍ以下、または２００ｐｐｍ以下）になる時点を見計らって適宜設定してもよい。

上述したように、脱気工程において、（ｉ）真空下での脱気と（ｉｉ）加熱下での脱気とを組み合わせて行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上できる範囲で、（ｉ）真空下での脱気と（ｉｉ）加熱下での脱気の順序はいずれを先にしてもよいが、好ましくは、第一の脱気工程として加熱下での脱気を行った後、第二の脱気工程として真空下での脱気を行ってもよい。
具体的には、例えば、脱気工程が、前記回路基板材料を、１００℃〜２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程とを備えていてもよい。これらの脱気工程を行う際には、上述した条件を適宜組み合わせて行うことができる。

［熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルム］
このような脱気工程を経ることにより、驚くべきことに熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを得ることが可能となる。その理由については定かではないが、以下のメカニズムが考えられる。ガスバリア性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、フィルム内部に含まれた水分や、その表層に存在するエアーがかえって抜けにくい状態になる可能性がある。

また、一般に、樹脂から放出されるガスの主成分は水であり、水は水蒸気になるとその体積が数千倍になる一方、真空度が進むにつれて樹脂からの排出量と真空ポンプの排出量が平衡状態となった後は、ほとんど内部から水分が排出されなくなる。そのため、真空下において熱圧着を行うような場合、フィルム内部に取り込まれた水分子はなかなか放出されない可能性も考えられる。

そして、フィルムに由来して発生するエアーや水分は、回路基板作製時の積層工程においてもそのままフィルム内部または表層に残存し、層間接着をする上で局所的な密着不良を起こす原因となるのではないかと考えられる。

さらに、特定の脱気方法により得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、等方性を維持した状態で極めて低い水分率を達成することができる。

脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、液晶ポリマーフィルムの分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムである。
水分率は、好ましくは２００ｐｐｍ以下、より好ましくは１８０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１５０ｐｐｍ以下であってもよい。なお、ここで水分率は、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。

また、等方性の指標である分子配向度ＳＯＲは、０．８〜１．４であり、好ましくは０．９〜１．３、より好ましくは１．０〜１．２、特に好ましくは１．０〜１．１である。

ここで、分子配向度ＳＯＲ（Segment Orientation Ratio）とは、分子を構成するセグメントについての分子配向の度合いを与える指標をいい、従来のＭＯＲ（Molecular Orientation Ratio）とは異なり、物体の厚さを考慮した値である。

また、フィルムは等方性であるため、好ましくは、フィルムの寸法安定性が、ＭＤおよびＴＤ方向において、±１％以内、より好ましくは±０．５％以内、さらに好ましくは±０．１％であってもよい。ここで、寸法安定性は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０２．２．４に準じて測定した値であってもよい。

得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、導体層が片面または両面に形成されユニット回路基板の絶縁性基材層として用いられてもよい。また、導体層に対して接着するための接着性材料（例えば、ボンディングシートおよびカバーレイ）として用いられてもよい。

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの２５ＧＨｚにおける誘電正接は、例えば、０．００２５以下（例えば、０．０００１〜０．００２３程度）、好ましくは０．００１０〜０．００２２程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となる。

熱可塑性液晶ポリマーフィルムの比誘電率は、フィルムの厚みに応じて異なるが、例えば、２５ＧＨｚにおける熱可塑性液晶ポリマーフィルムのＴＤ方向の比誘電率は、３．２５以下（例えば、１．８〜３．２３程度）、好ましくは２．５〜３．２０程度であってもよい。なお、一般的に、誘電率は、比誘電率に対して真空の誘電率（＝８．８５５×１０^−１２（F/m)）を乗じることにより算出できる。

例えば、誘電率測定は周波数１０ＧＨｚで共振摂動法により実施してもよい。ネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｅ８３６２Ｂ」）に１ＧＨｚの空洞共振器（（株）関東電子応用開発）を接続し、空洞共振器に微小な材料（幅：２．７ｍｍ×長さ：４５ｍｍ）を挿入し、温度２０℃、湿度６５％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率および誘電正接を測定することができる。

本発明は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを包装している、ガスバリア性包装材と、で構成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体についても包含してもよく、この場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ガスバリア性包装材で包装されている。

このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体では、ガスバリア性包装材で熱可塑性液晶ポリマーフィルムが包装されているため、脱気工程後の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの状態を維持しつつ、輸送・運搬することが可能となる。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの形状は、上述したシート物、多層積層物、ロール状物のいずれであってもよい。熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、必要に応じて導体層または導電層が形成されていてもよい。
持ち運び性の観点から、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体で包装される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ロール状物であるのが好ましい。

ガスバリア性包装材は、例えば、透湿度が１０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下（例えば０．５〜１０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ）であってもよく、好ましくは８ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下、より好ましくは６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であってもよい。

また、ガスバリア性包装材は、例えば、酸素透過度が１０ｍＬ／ｍ^２・ｄａｙ・ＭＰａ以下（例えば０．５〜１０ｍＬ／ｍ^２／ｄａｙ／ＭＰａ）であってもよく、好ましくは８ｍＬ／ｍ^２／ｄａｙ／ＭＰａ以下、より好ましくは５ｍＬ／ｍ^２／ｄａｙ／ＭＰａ以下であってもよい。

ガスバリア性包装材としては、例えば、各種ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムとワリフ・紙・不織布などとの積層体などを例示することができる。
ガスバリア性フィルムとしては、例えば、各種アルミニウム箔ラミネートフィルム、アルミニウム蒸着フィルム、シリカ蒸着フィルム、ポリ塩化ビニリデンコートフィルムなどが挙げられ、これらのフィルム基材としては、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムなどが適宜用いられてもよい。
さらにまた、これらのフィルムや積層体は、その外側を紙などで包装してもよいし、カートンボックス、木箱、金属ケース、架台などに収容してもよい。

[回路基板の製造方法]
本発明の一実施形態は、接着剤を用いなくとも層間接着性に優れた回路基板の製造方法についても包含する。
前記製造方法は、少なくとも一方の面に導体層（例えば、導体回路または導体パターン、導体箔、導体膜など）が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
（Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、前記脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
（ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイの少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、前記脱気工程が行われる製造方法である。

すなわち、本発明の回路基板の製造方法では、（Ｉ）準備工程において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとして、脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いることにより、回路基板の層間接着性を向上させてもよいし、および／または（ＩＩ）熱圧着工程の前に、特定の脱気工程を備えており、この脱気工程によって熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気を行い、回路基板の層間接着性を向上させてもよい。

（回路基板材料の準備工程）
準備工程では、回路基板材料（または絶縁性基板材料）として、少なくとも一方の面に導体層（例えば、導体回路または導体パターン、導体箔、導体膜など）が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を、複数枚準備する。
準備工程では、例えば、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板を複数枚準備してもよいし、少なくとも一方の面に導体回路が形成された絶縁基板と、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種とを準備してもよい。

上述のように、回路基板の製造工程（Ｉ）の場合、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも１枚が、上述の脱気処理が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されている。このような熱接着性が向上した熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いることにより、通常の回路基板で行われる熱圧着工程であっても、回路基板の層間接着性を向上させることができる。

絶縁基板は、通常の回路基板で用いられている各種有機材料や無機材料を用いてもよい。有機材料としては、熱可塑性液晶ポリマー、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル系樹脂などが挙げられ、無機材料としては、セラミックなどが挙げられる。これらの材料は、回路基板において、単独でまたは二種以上組み合わせて使用してもよい。これらのうち、高周波特性、寸法安定性などに優れる観点から、熱可塑性液晶ポリマー絶縁基板が好ましい。

少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板の例としては、
絶縁基板の片面に導体回路または導体パターンが形成されたユニット回路基板、
絶縁基板の両面に導体回路または導体パターンが形成されたユニット回路基板、
絶縁体の一方の面に導体回路または導体パターン、他方の面に導体膜または導体箔が形成されたユニット回路基板、
絶縁基板の片面に導体膜または導体箔が形成された導体張積層板、
絶縁基板の両面に導体膜または導体箔が形成された導体張積層板が挙げられる。

（導体層）
導体層は、例えば、少なくとも導電性を有する金属から形成され、この導体層に公知の回路加工方法を用いて回路が形成される。導体層を形成する導体としては、導電性を有する各種金属、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウムまたはこれらの合金金属などであってもよい。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる絶縁性基材上に導体層を形成する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば金属層を蒸着してもよく、無電解めっき、電解めっきにより、金属層を形成してもよい。また、金属箔（例えば銅箔）を熱圧着により、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの表面に圧着してもよい。
導体層を構成する金属箔は、電気的接続に使用されるような金属箔が好適であり、銅箔、のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどの各種金属箔を挙げることができ、また実質的に（例えば、９８質量％以上）これらの金属で構成される合金箔を含んでいてもよい。

これらの金属箔のうち、銅箔が好ましく用いられる。銅箔は、回路基板において用い得る銅箔であれば、特に限定されず、圧延銅箔、電解銅箔のいずれであってもよい。

はんだ耐熱性、層間接着性を向上させる観点から、導体層の表面は平滑であるのが好ましい。
好ましくは、導体層の表面粗度は、ＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）として、１．２５μｍ以下であってもよく、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは１．１５μｍ以下であってもよい。Ｒｚ_ＪＩＳの下限は特に限定されないが、例えば、０．５μｍ程度であってもよい。
また、ＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による算術平均粗さ（Ｒａ）として、例えば、０．１５μｍ以下であってもよく、０．１４μｍ以下であってもよい。Ｒａの下限は特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ程度であってもよく、０．１１μｍ程度であってもよい。

上記構成において、積層体を形成する際に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの被着されない面の導体層も平滑であってもよい。なお、導体層には回路が加工されるが、回路加工後に残る導体の表面が平滑であればよい。

導体層の厚さは、例えば、１〜５０μｍ（例えば、５〜５０μｍ程度）の範囲内が好ましく、より好ましくは８〜３５μｍ（例えば１０〜３５μｍ）の範囲内がより好ましい。

また、導体層は、導体層の表面に耐酸化性の皮膜を形成していてもよい。導体層の表面処理により、導体層の表面上に導体層本体より耐酸化性が高い合金層を形成したのち、脱気処理を行えば、脱気処理の際に導体表面が酸化して導体層が劣化することを避けることができ、さらに合金層による接着性の向上を期待しうる。
例えば、その場合、ユニット回路基板の準備工程が、
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面または両面に金属箔を熱圧着する熱圧着工程と、
前記熱圧着された金属箔表面に、耐酸化性皮膜を形成する耐酸化性皮膜形成工程と、
を備えていてもよい。
また、ユニット回路基板の準備工程は、前記導体層表面に、シランカップリング剤を付着する、シランカップリング剤付着工程をさらに備えていてもよい。

耐酸化性皮膜としては、例えば、耐酸化性合金層、耐酸化性メッキ層、ベンゾトリアゾール類などの防錆剤層などが挙げられる。
なお、耐酸化性皮膜は、導体層および耐酸化性皮膜の種類に応じて、回路加工前、回路加工後のいずれに形成してもよい。

たとえば、導体層が熱圧着された金属箔を含む場合、耐酸化性合金層としては、例えば、接着性を高める観点から、金属箔を形成する金属を少なくとも含む合金であるのが好ましい。例えば、導体層を構成する金属箔が銅箔の場合、合金層は少なくとも銅を含む合金であってもよい。例えば、耐酸化性合金層は、回路加工前に形成されるのが好ましい。

例えば、このような合金層は、メック（株）から上市されている「FlatBONDGT」などで形成してもよい。

なお、銅箔から離れる部分には、銅を含まない合金部分が存在する場合がある。その場合、銅を含まない合金部分については、エッチング液によりエッチングしてもよい。そのようなエッチング液としては、例えば「メックリムーバーＳ−６５１Ａ」（メック（株）製）、「エスパックH-150」（佐々木化学薬品（株）製）、硝酸等の無機酸を含む水溶液などが挙げられる。

さらに、導体層の接着性を向上させる観点から、導体層（特に合金層）表面に対して、公知または慣用のシランカップリング剤を付着させてもよい。合金層表面にシランカップリング剤を付着させると、導体層と液晶ポリマーフィルムとの接着性をさらに改善し、導体層の表面にアンカー効果を有する凹凸を形成することなく、表面状態を平滑に保ったまま熱圧着を行っても、高いピール強度で示される接着強度を得ることができる。

（ボンディングシートおよび／またはカバーレイ）
導体層に対して接着するための回路基板材料（接着性材料）として、上記ユニット回路基板とは別に、ユニット回路基板の導体層と接着させるための回路基板材料を一以上準備してもよい。接着性材料は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであるのが好ましく、例えば、具体的には、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種が挙げられる。なお、カバーレイは、通常、導体層を被覆するために用いられ、ボンディングシートは、回路基板材料間を接着するために用いられる。ボンディングシートおよび／またはカバーレイが液晶ポリマーフィルムで構成されていてもよく、好ましくは、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも一種が熱接着性液晶ポリマーフィルムで構成されていてもよい。

例えば、好適な回路基板材料の組み合わせとしては、脱気工程が行われた液晶ポリマーフィルムを熱接着性液晶ポリマーフィルムと称し、脱気工程が行われていない液晶ポリマーフィルムを未脱気液晶ポリマーフィルムと称する場合、
（ａ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｂ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｃ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして未脱気液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｄ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｅ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｆ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｇ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｈ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｉ）第１の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、第２の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｊ）第１の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、第２の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；などの組み合わせを例示することができる。

また、回路基板の製造工程において脱気工程を行う場合、液晶ポリマーフィルムの熱接着性は脱気工程後に発現することが可能であるため、準備される絶縁基板、ボンディングシート、カバーレイは、いずれも未脱気液晶ポリマーフィルムであってもよい。

また、回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有する場合、前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差は、例えば、０〜７０℃であってもよく、好ましくは０〜６０℃程度（例えば１０〜５０℃程度）であってもよい。

例えば、第１の液晶ポリマーフィルムは、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルムであってもよく、第２の液晶ポリマーフィルムは、第１の液晶ポリマーフィルムよりも低い耐熱性を有する低融点液晶ポリマーフィルムであってもよく、例えば、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも二枚の回路基板材料が、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルム（例えば、３００〜３５０℃程度）と、低融点液晶ポリマーフィルム（例えば、２５０〜３００℃程度）とで構成されていてもよい。

また、本発明の回路基板では層間接着性に優れるため、例えば、回路基板材料において、互いに隣接して接着する液晶ポリマーフィルムが、双方とも高融点液晶ポリマーフィルムであってもよいし、双方とも低融点液晶ポリマーフィルムであってもよい。例えば、この場合、双方の融点差は０〜２０℃程度であってもよく、好ましくは０〜１０℃程度であってもよい。

一方で、回路基板材料において、互いに隣接して接着する双方の液晶ポリマーフィルムが、高融点液晶ポリマーフィルムおよび低融点液晶ポリマーフィルムの組み合わせであってもよく、その場合、融点差は２０℃を超えていてもよく、好ましくは３０℃〜７０℃であってもよい。

熱接着性液晶ポリマーフィルムは、高融点液晶ポリマーフィルムとして用いても、低融点液晶ポリマーフィルムとして用いてもよい。また、互いに隣接して接着する液晶ポリマーフィルム（例えば、高融点液晶ポリマーフィルム同士の組合わせ、低融点液晶ポリマーフィルム同士の組合わせ、または高融点液晶ポリマーフィルムおよび低融点液晶ポリマーフィルムの組合わせ）の少なくとも一方が、熱接着性液晶ポリマーフィルムであればよく、双方が熱接着性液晶ポリマーフィルムであってもよい。または、少なくとも低融点液晶ポリマーフィルムが熱接着性液晶ポリマーフィルムであってもよい。

また、回路基板の構成に応じて、接着性材料として用いられる液晶ポリマーフィルムの融点は、ユニット回路基板の基材の融点と同一であってもよいが、ユニット回路基板を形成する液晶ポリマーフィルムよりも、融点が低いものを用いてもよい。その場合、両者の融点差は、例えば、０〜７０℃程度であってもよく、０〜６０℃程度がより好ましい。

なお、本発明の効果を阻害しない範囲において、回路基板材料（特に液晶ポリマーフィルム）に対して表面処理を施してもよい。表面処理は、例えば、紫外線照射、プラズマ照射、物理的研磨などの公知の方法によって行うことができる。

（脱気工程）
回路基板の製造方法において、上述した脱気工程を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上させてもよい。
回路基板の製造方法において脱気工程を行う場合、脱気工程を熱圧着工程の前に行ってもよいし、回路基板材料の準備工程と熱圧着工程との間に行ってもよい。
回路基板の製造方法において脱気工程を行う場合、好ましくは、脱気工程が、前記回路基板材料を、１００℃〜２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程とを備えていてもよい。

また、脱気工程は、予熱工程として、熱圧着工程の前に行われてもよい。この場合、予熱工程は、例えば、真空度１５００Ｐａ以下の真空下で加熱温度５０℃〜１５０℃の範囲で行われてもよい。予熱工程中の加熱温度は、好ましくは６０〜１２０℃程度、より好ましくは７０〜１１０℃であってもよい。

このような予熱工程を行うことによって、たとえ脱気工程を経たフィルムでなくとも、液晶ポリマーフィルムの表面および／または中に存在するエア−や水分をある程度放出することが可能となり、その結果、接着剤を用いない場合であっても液晶ポリマーフィルムとその被着体との層間接着性を向上させることが出来る。

予熱工程は、真空度１５００Ｐａ以下の真空下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。
また、予熱工程中、発明の効果を阻害しない範囲で、圧力を例えば、０．８ＭＰａ以下、より好ましくは０．６ＭＰａ以下程度で加えてもよいが、極力圧力を加えないのが好ましい。

また、予熱工程は、例えば、３０〜１２０分間程度行われてもよく、好ましくは４０〜１００分間程度、より好ましくは４５〜７５分間程度行われてもよい。

例えば、第一の脱気工程と、第２の脱気工程を組み合わせる場合、以下のように脱気工程を行ってもよい。
（第一の脱気工程：加熱下での脱気工程）
回路基板の積層時またはその後の工程で、回路基材と接着性材料用の液晶ポリマーフィルム、および導体層の金属層から脱ガスが生じることを防止するため、予め、ユニット回路基板と、接着性材料用の液晶ポリマーフィルムを、例えば、大気圧下（または常圧下）で加熱することにより脱気を行う。
加熱温度は、１００〜２００℃の範囲で行われ、好ましくは１１０〜１９０℃の範囲で行われてもよい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜調節することができるが、例えば３０分〜４時間、好ましくは１時間〜３時間であってもよい。
また、加熱下での脱気は、真空度１５００Ｐａ以下を含まない条件下で行われてもよく、例えば、圧力を調整しない大気圧下（または常圧下）で行ってもよいが、必要に応じて、大気圧から減圧された条件下（例えば、１５００Ｐａを超えて１０００００Ｐａ未満、好ましくは３０００〜５００００Ｐａ程度）で加熱してもよい。
なお、第一の脱気工程は、導体（銅箔など）の酸化を防止するため、窒素などの不活性ガス雰囲気下で加熱することが好ましい。あるいは、導体表面に耐酸化性皮膜（例えば、耐酸化性合金層、耐酸化性メッキ層、ベンゾトリアゾール類などの防錆剤層など）が形成された状態で行ってもよい。

（第二の脱気工程：脱気強化工程）
次いで、真空雰囲気下で、さらにユニット回路基板、および接着性材料用液晶ポリマーフィルムの脱気を行うことが好ましい。この工程は、真空度１５００Ｐａ以下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。また、脱気時間は、真空度に応じて適宜調節することができるが、例えば３０分以上、４０分以上、または５０分以上であってもよく、６時間以下、４時間以下、３時間以下、２時間以下、または１．５時間以下であってもよい。

真空下での脱気は、常温下（例えば１０〜５０℃、好ましくは１５〜４５℃の範囲）において行われてもよいが、脱気効率を高める観点から加熱下で行ってもよい。加熱をする場合、加熱温度としては、８０℃〜２００℃の範囲で加熱することにより行われ、好ましくは１００℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１１５℃〜２００℃範囲で行われてもよい。上述のように、このような融点よりも特定の低い温度において加熱することにより、フィルムから急激に水分が発生することを抑制しつつ、フィルム中の水を水蒸気として脱気することが可能となる。

また、第二の脱気工程では、脱気性を向上させる観点から、実質的に加圧を行わない無加圧下（圧力解放下）で脱気を行ってもよい。例えば、真空熱プレス装置を用いて回路基板を作成する場合、ユニット回路基板と接着性材料用液晶ポリマーフィルムを第一の脱気工程で脱気した後、交互に積層して装置内に設置し、第二の脱気工程では、無加圧下で脱気を行えばよい。

このような脱気工程により、極めて低い水分量やエアー量を有する液晶ポリマーフィルムを基板材料として用いるため、例えば、多層積層時の脱気不足でエアーをかみ込み、局部的に密着不良となることを抑制することができる。特に多層回路基板の場合、多層積層時の段数が多い場合であっても、中央部のフィルムの脱気不足を抑制することができる。

（熱圧着工程）
熱圧着工程では、準備工程で準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する。
積層される回路基板の構造は、回路基板の所望の構造に応じて適宜設定することが可能であり特に限定されないが、通常、回路基板材料が、導体層（または導体回路）を挟むように重ね合わせて積層される。

なお、回路基板材料は、熱圧着を行う際に、積層された状態であればよく、回路基板材料を積層する工程は、準備された回路基板材料の状態、作業手順などに応じて、準備工程、脱気工程、熱圧着工程などのいずれの段階で行われてもよい。
重ね合わせる際は、例えば、少なくとも一方の面に導体回路が形成された少なくとも２枚の絶縁基板の間にボンディングシートが配設され、必要に応じて最外層にカバーレイが配設されてもよいし、少なくとも一方の面に導体回路が形成された少なくとも２枚の絶縁基板がボンディングシートを介せずに配設され、必要に応じて最外層にカバーレイが配設されてもよい。絶縁基板同士をボンディングシートを介せずに直接配設することができる場合、回路基板全体の厚みを低減することができる。

熱圧着は、回路基板材料の種類などに応じて、真空熱プレス装置や加熱ロール積層設備等を用いて行うことができるが、液晶ポリマーフィルムからエアーをさらに低減させることができる観点から、真空熱プレス装置を用いるのが好ましい。例えば、真空熱プレスに際しては、真空脱気による積層体の脱気状態を保持しながら、熱圧着を行うのが好ましく、熱圧着時の真空度は、第二の脱気工程と同程度（例えば、１５００Ｐａ以下）に保持することが好ましい。

脱気工程により熱接着性が向上している熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、熱圧着の際の加熱温度は、接着される熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルム（温度が異なる熱可塑性液晶ポリマーフィルム間の場合は、より低温の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）の融点をＴｍとすると、例えば、（Ｔｍ−６０）℃〜（Ｔｍ＋４０）℃の範囲であってもよく、好ましくは（Ｔｍ−５５）℃〜（Ｔｍ＋３０）℃、より好ましくは（Ｔｍ−５０）℃〜（Ｔｍ＋２５）℃程度の幅広い温度範囲から選択することができる。例えば、高温下で熱圧着を行う場合は、（Ｔｍ−２０）℃〜（Ｔｍ＋４０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ−２０）℃〜（Ｔｍ＋２０）℃の範囲）であってもよく、好ましくは（Ｔｍ−１０）℃〜（Ｔｍ＋３０）℃程度の範囲であってもよく、より好ましくは（Ｔｍ−１０）℃〜（Ｔｍ＋１０）℃の範囲であってもよい。
また、本発明では、脱気工程（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせる場合、驚くべきことに、接着される熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点未満で接着しても、良好な層間接着性を達成することが可能であり、例えば、（Ｔｍ−６０）℃以上（Ｔｍ−２０）℃未満で熱圧着を行ってもよく、（Ｔｍ−５０）℃以上（Ｔｍ−３０）℃未満、より好ましくは（Ｔｍ−４０）℃〜（Ｔｍ−３２）℃で熱圧着を行ってもよい。

また、熱圧着時に加える圧力は、液晶ポリマーフィルムの性質に応じて、例えば、０．５〜６ＭＰａの広い範囲から選択することができるが、本発明では脱気工程を経た熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いて接着するため、プレス圧力が５ＭＰａ以下、特に４．５ＭＰａ以下（例えば、０．５ＭＰａ〜３ＭＰａ、好ましくは、１〜２．５ＭＰａ）であっても、液晶ポリマーフィルム層間での良好な接着が可能となり、接着後においてもエアーのかみ込みによって生じる局部的な密着不良を抑制することができる。

また、本発明では、脱気工程（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせる場合、熱圧着工程が、低圧下での熱圧着工程を含むことも可能であり、例えば、低圧下では、プレス圧０．５〜２．５ＭＰａの範囲で熱圧着を行ってもよく、好ましくは０．６〜２ＭＰａの範囲、より好ましくは０．７〜１．５ＭＰａの範囲で熱圧着を行ってもよい。

また、本発明では、熱圧着を１段プレスで行ってもよく、２段プレスなどの多段プレスを行ってもよい。例えば、２段プレスを行う場合、熱圧着の前工程として高圧下（例えば、２．５ＭＰａを超えて５ＭＰａ以下の範囲）でプレスすることにより仮接着を行い、続いて上述した低圧下で本接着を行ってもよい。低圧下での熱圧着は、高圧下での熱圧着より、長時間であってもよい。また、低圧下での加熱温度は、高圧下での加熱温度より高温であってもよい。

また、熱圧着工程に要する時間（一定の温度および圧力下での保持時間）は、回路基板の層間接着性を良好にできる限り特に限定されないが、例えば、１５〜６０分間程度行われてもよく、好ましくは２０〜５０分間程度、さらに好ましくは２０〜４０分間程度行われてもよい。なお多段プレスで行われる場合は、それぞれの保持時間の合計時間であってもよい。

なお回路基板を製造する際には、必要に応じて、公知又は慣用に行われている各種製造工程（例えば、回路形成工程、貫通接続工程、層間接続工程など）を行ってもよい。

好ましい一実施形態にかかる回路基板の製造方法では、例えば、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを、準備する工程と、
前記ユニット回路基板と前記回路基板材料とを、例えば大気圧下（または常圧下）、100℃〜200℃の範囲で３０分以上加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、 前記ユニット回路基板と前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、
前記回路基板材料と前記ユニット回路基板とを積層して形成した積層体に加熱及び加圧を行い、熱圧着により前記積層体を一体化する工程とを備えるとともに、
前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下である、回路基板の製造方法であってもよい。

以下、上記本発明にかかる回路基板の製造方法の一実施形態（ボンディングシートを使用せずに、絶縁基板を積層する形態）、別の一実施形態（ボンディングシートを使用して、絶縁基板を積層する形態）について、それぞれ、図面を参照して説明する。なお、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
図２Ａは、ボンディングシートを使用せずに、絶縁基板を積層する場合の回路基板の積層前の状態を示す模式断面図である。ここでは、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム５の両面に銅箔４，４を貼り付けた第一のユニット回路基板（両面銅張板）１０と、第二の塑性液晶ポリマーフィルム６の片面に銅箔４を張り付けた第二のユニット回路基板（片面銅張基板）２０と、を準備する。ここで、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１と第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２は、同一または異なる厚みを有する同じ素材からなるものであってもよい。

ついで対向するユニット回路基板に挟まれる銅箔などに回路加工（例えば、ストリップラインパターン）を施した後、導体回路を形成する。

その後、好ましくは窒素ガス雰囲気下で、第一のユニット回路基板１０、および第二のユニット回路基板２０を所定時間加熱する（第一の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に説明したものを用いることができる。

その後、真空熱プレス装置のチャンバ（図示せず）内において、第一のユニット回路基板１０および第二のユニット回路基板２０を積層して載置し、図２Ｂに示す積層体３０とする。次いで、真空引を行って１５００Ｐａ以下の真空度を保持しながら、所定時間加熱を行う（第二の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に記載したものを用いることができる。

次いで、真空度を１５００Ｐａ以下に保持したまま、温度を熱圧着条件に上げ、加圧して積層体３０の各層を圧着する。熱圧着時の温度、圧力条件は、上記に説明した条件を用いることができる。

次いで、通常のプロセスに従って、装置内を常温常圧条件にもどしたのち、回路基板３０を装置より回収する。

上記実施形態では、第一のユニット回路基板１０と第二のユニット回路基板２０とを直接接着しているが、変形例として、必要に応じて、直接第一のユニット回路基板１０と第二のユニット回路基板２０との間にボンディングシートを用いてもよい。また、さらなる変形例として、導体回路をマイクロストリップラインパターンにするとともに、第二のユニット回路基板２０に代えてカバーレイを用いてもよい。
また、図２Ｂに示す例では、回路基板は、導体層を３層形成しているが、導体層の数は、１層または複数層（例えば、２〜１０層）において、適宜設定することができる。

図３Ａは、ボンディングシートを使用して、絶縁基板を積層する場合の回路基板の積層前の状態を示す模式断面図である。ここでは、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７の両面に銅箔４０を貼り付けた第一のユニット回路基板（両面銅張板）７０と、第二の塑性液晶ポリマーフィルム８の片面に銅箔４０を張り付けた第二のユニット回路基板（片面銅張基板）８０と、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７、第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム８より、融点の低い第三の熱可塑性液晶ポリマーフィルム９からなるボンディングシート（接着性材料用液晶ポリマーフィルム）９０とを準備する。ここで、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７と第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム８は、同一または異なる厚みを有する同じ素材からなるものであってもよい。

ついで各ユニット回路基板の銅箔４０に回路加工を施した後、第一のユニット回路基板の銅箔表面にFlatBONDGT（メック（株）製）処理を施し銅箔表面に耐酸化性合金層（図示せず）を形成し、次いでFlatBONDGC（メック（株）製）処理を行うことでシランカップリング剤を付着させ、導体層を形成する。

その後、好ましくは窒素ガス雰囲気下で第一のユニット回路基板７０、第二のユニット回路基板８０、およびボンディングシート９０を所定時間加熱する（第一の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に説明したものを用いることができる。

その後、真空熱プレス装置のチャンバ（図示せず）内において、第一のユニット回路基板７０、ボンディングシート９０、第二のユニット回路基板８０を積層して載置し、図３Ｂに示す積層体５０とする。次いで、真空引を行って１５００Ｐａ以下の真空度を保持しながら、所定時間加熱を行う（第二の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に記載したものを用いることができる。

次いで、真空度を１５００Ｐａ以下に保持したまま、温度を熱圧着条件に上げ、加圧して積層体５０の各層を圧着する。熱圧着時の温度、圧力条件は、上記に説明した条件を用いることができる。

次いで、通常のプロセスに従って、装置内を常温常圧条件にもどしたのち、回路基板５０を装置より回収する。
これらに示す例では、絶縁層の両面に導体層(銅箔)が接合された第一のユニット回路基板の上に、ボンディングシートを介してまたは介さずに、絶縁層の片面（上面）に導体層が形成された第二のユニット回路基板を積層しているが、図示された構成は、本発明の回路基板を限定するものではない。例えば、回路基板は、導体層を二枚のみ有するものであってもよく、四枚以上の導体層を有するものであってもよい。また、回路基板は、導体層をカバーするために、最外層に液晶ポリマーフィルムからなるカバーレイを備えていてもよい。

［回路基板］
第４の構成にかかる回路基板（好ましくは多層回路基板）は、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備え、
絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである回路基板である。

前記回路基板は、耐熱性に優れており、回路基板をＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板である。はんだ耐熱性の評価は、ＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠してはんだ浴の温度２９０℃、フロート時間６０秒として、半田フロート試験を行い、フロート試験後の基板が高さ１００μｍ以上のふくれを有するか否かを目視および光学顕微鏡（×５倍以上）を用いて観察し、評価してもよい。

例えば、本発明の回路基板は、以下の構成を有する回路基板などであってもよい。
（ｉ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルム（第一の液晶ポリマーフィルム）からなる絶縁層（基材層）と、前記フィルムの片面または両面上に形成された導体層とを有するユニット回路基板と、ボンディングシートとを備え、ボンディングシートを介してユニット回路基板が二枚以上積層した回路基板（多層または積層回路基板）、
（ｉｉ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルム（第一の液晶ポリマーフィルム）からなる絶縁層（基材層）と、前記フィルムの片面または両面上に形成された導体層とを有するユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層をカバーするためのカバーレイとを備える回路基板（単層または二層回路基板）、
（ｉｉｉ）上記（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせた構成であり、ユニット回路基板と、ボンディングシートと、カバーレイとを備え、二枚以上のユニット回路基板がボンディングシートを介して積層され、回路基板の最外層が、ユニット回路基板の導体層をカバーするカバーレイで構成されている回路基板（多層または積層回路基板）、
（ｉｖ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルムからなる絶縁層（基材層）を備えるユニット回路基板を複数枚備え、二枚以上のユニット回路基板が、ボンディングシートを介することなく直接積層した回路基板（多層または積層回路基板）、および
（ｖ）上記（ｉｉ）および（ｉｖ）を組み合わせた構成であり、二枚以上のユニット回路基板と、カバーレイとを備え、二枚以上のユニット回路基板がボンディングシートを介することなく直接積層され、回路基板の最外層が、ユニット回路基板の導体層をカバーするカバーレイで構成されている回路基板（多層または積層回路基板）。

なお、導体層について、製造方法において既に述べたように、前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）が、例えば、１．２５μｍ以下であってもよい。

また、前記回路基板は、液晶ポリマーフィルムの接着性を向上できるため、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ−Ｃ５０１６−１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料（好ましくは、他の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）との間で、例えば、０．８ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．８〜３ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．９ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは１ｋＮ／ｍ以上であってもよく、さらに好ましくは１．１ｋＮ／ｍ以上であってもよい。なお、接着強度は、ＪＩＳ Ｃ５０１６−１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で、９０°の方向に被着体同士を引きはがしながら、引っ張り試験機［日本電産シンポ(株)製、デジタルフォースゲージＦＧＰ-２］により、測定された引きはがし強さの値であってもよい。

また、前記回路基板は、液晶ポリマーフィルムの接着性を向上できるため、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ−Ｃ５０１６−１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で、例えば、０．３ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．３〜２ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
なお、層間接着性を判断するに当たり、凝集剥離が生じる場合、一般的に接着性が良好であると判断することが可能である。一方、接着性が良好でない場合は、界面剥離が生じる場合が多い。

また、好ましくは、回路基板の接着強度は、方向に係らず全体的に向上されており、例えば、サンプルの一方向（Ａ方向）と、それに対する直交方向（Ｂ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、Ａ順方向、Ａ逆方向、Ｂ順方向、Ｂ逆方向の４方向について接着強度を測定した場合、接着強度の最小値が、 （ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で、例えば、０．５ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．５〜３ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．６ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは０．７ｋＮ／ｍ以上であってもよく、さらに好ましくは０．８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、特に好ましくは０．９ｋＮ／ｍ以上であってもよく、および／または
（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で、例えば、０．２５ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．２５〜２ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．２８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。

また、回路基板は、前記回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有していてもよい。前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差が、上述した範囲であってもよい。また、高周波特性を向上させる観点から、回路基板材料が、すべて熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されるのが好ましい。

また、回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性に応じて、ボンディングシートを用いることなく、絶縁基板同士、または絶縁基板とカバーレイとが接着していてもよい。例えば、ボンディングシートを用いない場合、回路基板の厚みを薄くすることが可能である。

例えば、図４に示すように、回路基板は、絶縁層に挟まれるｎ層の導体層４と、前記導体層の各層を挟む、ｎ＋１層の絶縁層（または熱可塑性液晶ポリマーフィルム層）３とを備えていてもよい。この場合、回路基板は、必要に応じて最外層に導体層を備えていてもよい。また、導体層は、上側および下側の絶縁層にそれぞれ形成された導体層であっても、それぞれ同一の絶縁層により挟まれる限り、同一層としている。

また、回路基板は、接着性の高い熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いているため、低圧下（好ましくは、低温かつ低圧下）で熱圧着することが可能である。そのため、熱圧着の際に生じる導体回路の沈み込み量を低減し、回路基板の信頼性を向上させることが可能である。

例えば、図５Ａに示すように、導体回路４と、液晶ポリマーフィルム５，６を備える積層体を導体回路に対して垂直に切断して得られた断面サンプルにおいて、導体回路４が形成されていない箇所における液晶ポリマーフィルム５の厚みＬ１と、導体回路が形成されている箇所における絶縁基板の厚みＬ２をそれぞれ測定した場合、沈み込みの指標であるＬ２／Ｌ１のパーセント比率は、８０〜１００％であってもよく、好ましくは８５〜１００％であってもよく、より好ましくは９０〜１００％であってもよい。なお、この指標は全く沈み込まない場合は、Ｌ１＝Ｌ２となるため１００％であり、沈み込みが大きいほど数値が低下する。厚みＬ２は、導体回路４の下面と前記液晶ポリマーフィルム５の下面との距離Ｌ２として測定してもよい。

なお、図５Ｂに示すように、地導体４ｂが液晶ポリマーフィルムの底面に形成されている場合、Ｌ１は、隣接する液晶ポリマーフィルム界面と地導体４ｂの上面との距離として、Ｌ２は、回路基板の導体回路４ａの下面と地導体４ｂの上面との間の距離として把握してもよい。

本発明の回路基板は、誘電特性に優れる熱可塑性液晶ポリマーを絶縁材料として用いているため、特に高周波回路基板として好適に用いることができる。高周波回路は、単に高周波信号のみを伝送する回路からなるものだけでなく、高周波信号を低周波信号に変換して、生成された低周波信号を外部へ出力する伝送路や、高周波対応部品の駆動のために供給される電源を供給するための伝送路等、高周波信号ではない信号を伝送する伝送路も同一平面上に併設された回路も含まれる。

例えば、１０ＧＨｚの周波数において、前記回路基板の比誘電率（ε_ｒ）は、例えば２．６〜３．５であってもよく、より好ましくは２．６〜３．４であってもよい。

また、例えば、１０ＧＨｚの周波数において、前記回路基板の誘電正接（Ｔａｎδ）は、例えば０．００１から０．０１であってもよく、より好ましくは０．００１から０．００８であってもよい。

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。

［融点］
示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、供試フィルムを２０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を５０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録した。

［水分率］
水分の測定法としてカールフィッシャー法（カール・フィッシャー滴定の原理を利用し、水分を溶媒に吸収させ電位差の変化により水分を測定する）を使用した。
１）微量水分測定装置名：(株)三菱化学アナリテック社製（ＶＡ−０７，ＣＡ−０７）
２）加熱温度： ２６０（℃）
３）N₂パージ圧： １５０（ml/min）
４）測定準備（自動）
Purge １分
Preheat ２分 試料ボード空焼き
Cooling ２分 試料ボード冷却
５）測定
滴定セル内溜め込み時間（Ｎ_２で水分を送り出す時間）： ３分
６）試料量： 1.0〜1.3ｇ

［分子配向度（ＳＯＲ）］
マイクロ波分子配向度測定機において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の電場強度（マイクロ波透過強度）を測定する。そして、この測定値に基づいて、次式により、ｍ値（屈折率と称する）を算出する。
ｍ＝（Ｚｏ／△ｚ） Ｘ ［１−νmax／νｏ］
ここで、Ｚｏは装置定数、△ｚは物体の平均厚、νmaxはマイクロ波の振動数を変化させたとき、最大のマイクロ波透過強度を与える振動数、νｏは平均厚ゼロのとき（すなわち物体がないとき）の最大マイクロ波透過強度を与える振動数である。

次に、マイクロ波の振動方向に対する物体の回転角が０°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向と、物体の分子が最もよく配向されている方向であって、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致しているときのｍ値をｍ_０、回転角が９０°のときのｍ値をｍ９_０として、分子配向度ＳＯＲをｍ_０／ｍ_９０により算出した。

［膜厚］
膜厚は、デジタル厚み計（株式会社ミツトヨ製）を用い、得られたフィルムをＴＤ方向に１ｃｍ間隔で測定し、中心部および端部から任意に選んだ１０点の平均値を膜厚とした。

（耐熱性試験）
ＪＩＳ Ｃ ５０１２に準拠して半田フロート試験を実施し、回路基板のはんだ耐熱性を調べた。はんだ浴の温度は２９０℃、フロート時間は６０秒として、フロート試験後の基板のふくれ（１００μｍｘ１００μｍ以上の面積を有するもの）の有無を目視および光学顕微鏡（×５倍以上）にて観察した。
具体的には、３０ｃｍ四方の回路基板サンプルの任意の５箇所をそれぞれ５ｃｍ四方に切り取って５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルを作成し、この５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルそれぞれについて半田フロート試験を実施し、目視および光学顕微鏡（×５倍以上）により膨れの有無を観察した。５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプル全てに膨れが見られない場合を良としてはんだ耐熱性を有すると評価し、５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルのうちいずれか一つでも膨れが見られた場合は不良として評価した。

［隣接する回路基板材料間の接着強度の測定方法］
ＪＩＳ Ｃ５０１６−１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で、隣接する回路基板材料間において、一方を、他方に対し９０°の方向に引きはがしながら、引っ張り試験機[日本電産シンポ(株)製、デジタルフォースゲージＦＧＰ-２]により、引きはがし強さを測定し、得られた値を接着強度（ピール強度）とした。
なお、回路基板の一方向（ＭＤ方向）と、それに対する直交方向（ＴＤ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、ＭＤ順方向（またはＭＤ進行方向）、ＭＤ逆方向（またはＭＤ非進行方向）、ＴＤ順方向（またはＴＤ右方向）、ＴＤ逆方向（またはＴＤ左方向）の４方向について接着強度を測定し、その平均値を回路基板の接着強度の代表値とした。
また、液晶ポリマーフィルムに対して導体層が接する表面積の割合（すなわち、残導体率＝接触面におけるユニット回路基板上の回路パターンの面積／ユニット回路基板の総面積ｘ１００）が３０％以上である場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと導体層との間の接着強度として測定され、導体層が３０％未満の接触面積で液晶ポリマーフィルムに接着している場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと液晶ポリマーフィルムとの間の接着強度として測定された。

（表面粗度の測定方法）
接触式表面粗さ計（ミツトヨ（株）製、型式 ＳＪ−２０１）を用い、積層体（Ｂ）で粗化処理された銅箔表面の算術平均粗さ（Ｒａ）と十点平均粗さ（Ｒｚ_ＪＩＳ）を測定した。測定はＩＳＯ４２８７−１９９７に準拠した方法により行った。より詳細には、Ｒａは、平均線から絶対値偏差の平均値を示したものであり、表面粗度（Ｒｚ_ＪＩＳ）は、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さを抜き取り、最高から５番目までの山頂（凸の頂点）の標高の平均値と、最深から５番目までの谷底（凹の底点）の標高の平均値との差をμｍで表わしたもので、十点平均粗さを示したものである。

［沈み込み性］
積層体を切断し、導体回路に対して垂直な断面サンプルを得た。サンプルをＰｔスパッタに設置し、表面に２０ÅのＰｔ膜を形成した。次いで、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製 ＳＵ−７０）を用い、加速電圧５ｋＶで、積層体断面の二次電子像（ＳＥＭ像）を撮像し、沈み込みの度合いを観察した。
図５Ｂに示すように、隣接する液晶ポリマーフィルム界面と地導体との距離Ｌ１と、回路基板の導体回路の下面と地導体との間の距離Ｌ２とをそれぞれ測定し、Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率で把握し、下記の基準に従って評価した。全く沈み込まない場合は、Ｌ１＝Ｌ２となるため１００％であり、沈み込みが大きいほど数値が低下する。
良好：Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が８０％以上である。
不良：Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が８０％未満である。

［フロー性］
回路基板を目視により観察し、長さ１０ｃｍにおいて１ｍｍ以下の樹脂流れが観察されたものを良好とし、１ｍｍを超える樹脂流れが観察されたものを不良として評価した。

［実施例１］
（１）接着性液晶ポリマーフィルムの製造
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出し、インフレーション製膜法により融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物（フィルム層の厚み幅Ｗ＝６００ｍｍ）を準備した。このロール状物中の、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：４００ｐｐｍであった。
この熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物を、１２０℃において６０分間加熱処理を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物の脱気を行った。脱気後のロール状物中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：２００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲ：１．０２であった。
（２）ユニット回路基板の製造
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍである熱可塑性液晶ポリマーフィルムを窒素雰囲気下で２６０℃４時間、さらに２８０℃２時間熱処理することで融点を３２５℃に増加させ、フィルム上下に圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）をセットし、一対のロールでの連続プレス機にてロール温度２９０℃、線圧１００ｋｇ／ｃｍ、ライン速度２ｍ／分の条件にて銅張積層板を得た後、この銅張積層板がストリップライン構造となるように配線加工したユニット回路基板を作製した。なお、ユニット回路基板中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：４００ｐｐｍであった。
（３）多層回路基板の製造
上記（１）で得られた接着性液晶ポリマーフィルムをボンディングシートとして、その両側に２枚のユニット回路基板を重ね合わせて真空熱プレス装置にセットした。その後、この積層体を真空度１３００Ｐａ下、加圧力４ＭＰａで３００℃３０分間熱圧着することによりそれぞれを接着し、ユニット回路基板／ボンディングシート／ユニット回路基板で構成された回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。

［実施例２］
（１）回路基板の製造
ボンディングシートとして、脱気工程が行われていないｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、水分率４００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例１と同様にして、その両側に２枚のユニット回路基板を重ね合わせて真空熱プレス装置にセットした。
その後、真空下での脱気工程として、真空度１０００Ｐａ下、加圧（プレス圧）０．５ＭＰａ下で１２０℃、６０分間の状態で、重ね合わせた積層体に脱気処理を行った。
真空下での脱気工程後、この積層体を実施例（１）と同様に熱圧着することによりそれぞれを接着し、ユニット回路基板／ボンディングシート／ユニット回路基板で構成された回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。

［実施例３］
（１）回路基板の製造
ボンディングシートとして、実施例１で得られた接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例２と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。

［比較例１］
（１）回路基板の製造
ボンディングシートとして、脱気工程が行われていないｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、水分率４００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。

表７に示すように、実施例１および３では、ボンディングシートとして熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いているため、通常の熱圧着工程においても、回路基板の層間接着性を向上することができる。また、これらの回路基板では、耐熱性にもすぐれており、高温下での膨れが生じるのを抑制することができる。

一方、実施例２では、回路基板材料としては、熱接着性液晶ポリマーフィルムを用いていないが、熱圧着前に、積層体の真空下での脱気工程を行っているため、その後の熱圧着工程により、回路基板の層間接着性を向上することができる。また、これらの回路基板では、耐熱性にもすぐれており、高温下での膨れが生じるのを抑制することができる。

特に、実施例３は、ボンディングシートとして熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いているとともに、特定の脱気工程を行っているため、特に接着性に優れている。

一方、比較例１では、熱接着性液晶ポリマーフィルムを用いておらず、また脱気工程も行っていないため、層間接着性が実施例と比べると低い値であり、高温下での膨れが発生するサンプルが存在している。

［実施例４］
（１）ユニット回路基板の製造
融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、10分間、圧着して、銅箔／第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一の銅張積層板を作製した。一方で、融点２８０℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｆ、厚さ５０μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２７５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二の銅張積層板を作製した。
ついで、第一の銅張積層板の一方の銅箔に対し、ストリップライン構造となるように化学エッチング法により回路パターン（残導体率３０％未満）を形成し、第１のユニット回路基板を得た。

上記第一のユニット回路基板と、第二の銅張積層板とを、回路パターンが第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間により挟まれるように積み重ね、大気圧下、０ＭＰａのプレス圧、１００℃、１時間の条件で加熱処理を行い、積層体に脱気処理を行った（第一の脱気工程：加熱下での脱気工程）。

次いで、第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間に回路パターンがはさまれた状態で、第一のユニット回路基板および第二の銅張積層板を重ね合わせて真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、０ＭＰａの圧力下１００℃で１時間加熱した（第二の脱気工程：真空下での脱気工程）。

その後、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３００℃に設定し、１ＭＰａの圧力下３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うことにより、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図中、白色の部分は液晶ポリマーであるが、第一の熱可塑性液晶ポリマー層と第二の熱可塑性液晶ポリマー層との界面を観察できる。銅ストライプまたは銅箔の断面は、白色または白黒の高コントラストの部位として観察できる。図からは、回路層の沈み込みが抑制されているのが観察できる。

［実施例５］
第二の銅張積層板として、融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の銅張積層板を作製した。第二の銅張積層板として、上記銅張積層板を用いる以外は、実施例４と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図からは、回路層の沈み込みが抑制されているのが観察できる。

［比較例２］
加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例４と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。

［比較例３］
加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例５と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。

［比較例４］
加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わないこと、および熱圧着工程において、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３２０℃に設定し、３ＭＰａの圧力下、３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うこと以外は、実施例５と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図からは、回路層が液晶ポリマー層に沈み込んでいるのが観察できる。

表８に示すように、実施例４および５では、特定の脱気工程が行われた熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いているため、耐熱性に優れている。さらに、熱圧着工程において本接着工程として行われる後工程が１ＭＰａという低圧下で行われる場合であっても、回路基板の層間接着性（熱可塑性液晶ポリマーフィルム間、および熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導電層間）を向上することができる。特に、実施例４および５では、実施例１〜３で用いられたボンディングシートを介することなく、直接ユニット回路基板同士を良好に接着することができる。
また、これらの回路基板では、熱圧着工程において本接着工程として行われる後工程が１ＭＰａという低圧下で行われるため、回路基板を製造する際に樹脂流れが生じないだけでなく、導体層が熱可塑性液晶ポリマーフィルム内部へ沈み込むのを抑制することができる。

さらに、実施例５では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムが双方とも高融点フィルムであっても、双方の回路基板材料を良好に接着することが可能である。特に驚くべきことには、実施例５では、熱圧着時の温度が、これらの高融点フィルムの融点よりも低い場合であっても良好な層間接着性を示している。

一方、比較例２および比較例３では、脱気工程を行っていないため、耐熱性に劣るだけでなく、層間接着性が実施例５よりも４０％程度低下している。
また比較例４では、本接着工程として行われる後工程において高温、高圧プレス下で熱圧着を行ったため、接着強度は向上しているが、耐熱性は劣っている。また、製造する際に樹脂流れが発生するとともに、導電層が熱可塑性液晶ポリマーフィルム内部へ沈み込んでいる。

上述した実施例では、絶縁基板とボンディングフィルム、絶縁基板とカバーレイの組み合わせ、絶縁基板と絶縁基板の組み合わせにおいて各種特性を測定し、優れた耐熱性、層間接着性などを有することが示されている。

次いで、導電層の表面粗度が回路基板に対して与える影響を実施例６〜８および比較例５に基づいて考察する。

［実施例６］
融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｚ）に対して、フィルム上下に圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一のユニット回路基板、および銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二のユニット回路基板を作製した。第一のユニット回路基板では熱可塑性液晶ポリマーフィルムの膜厚は１００μｍ、第二のユニット回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの膜厚は７５μｍである。ついで、それぞれの銅箔に化学エッチング法により回路加工（残導体率３０％以上）を行った。

ついで第一のユニット回路基板の銅箔の表面処理を行った。具体的にはメック（株）「FlatBONDGT、及びFlatBONDGC処理」を行った。以下、この処理をＦｌａｔＢＯＮＤ処理と称する。合金層を含む導体層の表面粗度は、Ｒａ０．１３μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳ１．０５であった。

上記第一のユニット回路基板と、ボンディングシート［融点２８０℃、膜厚２５μｍ、の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｆ）］と、第二のユニット回路基板を、この順に積み重ね、大気圧下、０ＭＰａの圧力下、１１５℃、２時間の条件で加熱下での脱気処理を行った（第一の脱気工程）。

次いで、図３Ｂで示されるように、第一のユニット回路基板と第二のユニット回路基板の間にボンディングシートをはさんだ状態で、真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、０ＭＰａの圧力下、１００℃で１時間加熱した（第二の脱気工程）。
その後、加熱盤の温度を２９５℃に設定し、１ＭＰａの圧力下、３０分間加圧の条件で圧着して、図３Ｂに示されるような、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。

得られた回路基板において、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。これらの結果を表９に示す。

［実施例７］
第一のユニット回路基板の銅箔に対し、ＦｌａｔＢＯＮＤ処理を行わない以外は実施例６と同様にして回路基板を作製し、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。その結果を表９に示す。なお、この場合の導体層を形成する銅箔の表面粗度はＲａが０．１４μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳが１．０９μｍであった。

［実施例８］
ＦｌａｔＢＯＮＤ処理に代えて、従来技術の表面粗化処理に属する黒化処理で第一のユニット回路基板の表面処理を行うとともに、熱圧着時の圧力を４ＭＰａにした以外は、実施例６と同様にして回路基板を作製し、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。その結果を表９に示す。
なお黒化処理では、亜硫酸ナトリウム３１ｇ/Ｌ、水酸化ナトリウム１５ｇ/Ｌ、リン酸ナトリウム１２ｇ/Ｌを含む黒化処理液（水溶液）を保温槽で９５℃に保持し、これに第一のユニット回路基板を２分間浸漬させた後、水洗、乾燥させることにより行った。この場合の銅箔の表面粗度は、Ｒａが０．１８μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳが１．３１μｍであった。

［比較例５］
加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例８と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表９に示す。

表９に示すように、いずれの実施例においても、特定の条件下における脱気工程を組み合わせることにより、回路基板にふくれが発生するのを効果的に抑制することができる。

特に、実施例６の回路基板では、銅箔の表面にＦｌａｔＢＯＮＤ処理を行うことにより、銅箔表面を平滑にするとともに、特定の条件下における脱気工程を組み合わせているため、耐熱性にも優れるだけでなく、回路基板内の接着強度を向上することもできる。

一方、実施例６および７では、熱圧着時のプレス圧を低くすることにより、回路層が絶縁基板に沈み込む量を低減することが可能であるが、実施例８の回路基板では、熱圧着時のプレス圧が高いため、回路層が絶縁基板に沈み込む量が多く、また、フロー性が不良である。

次いで、脱気工程が回路基板の層間接着強度に対して与える影響を実施例１０〜１１および比較例６に基づいて考察する。

［実施例９］
第一の脱気工程を行わず、第二の脱気工程のみを行う以外は、実施例４と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。

［実施例１０］
第二の脱気工程を行わず、第一の脱気工程のみを行う以外は、実施例４と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。

［比較例６］
（１）ユニット回路基板の製造
融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、10分間、圧着して、銅箔／第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一の銅張積層板を作製した。一方で、融点２８０℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ−Ｆ、厚さ５０μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ−Ｔ−１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２７５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二の銅張積層板を作製した。
ついで、第一の銅張積層板の一方の銅箔に対し、ストリップライン構造となるように化学エッチング法により回路パターン（残導体率３０％未満）を形成し、第１のユニット回路基板を得た。

次いで、第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間に回路パターンがはさまれた状態で、第一のユニット回路基板および第二の銅張積層板を重ね合わせて真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３２０℃に設定し、１ＭＰａの圧力下３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うことにより、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。

表１０に示すように、比較例６では、脱気工程を行っていないため、接着強度の最大値および最小値が低いだけでなく、全体の平均値としても低い接着強度となっている。特に比較例６では、接着強度を高めるために熱圧着温度を３２０℃と高く設定しているにも係らず、接着強度を向上することが困難であり、例えば、実施例４と比較した場合、接着強度の代表値は、１／３以下、接着強度の最小値は、１／５以下でしかない。

実施例９では、第二の脱気工程を行っているため、比較例６と比べ、接着強度の最大値、最小値および平均値を増加することができる。また、実施例１０では、第一の脱気工程を行っているため、比較例６と比べ、接着強度の最大値、最小値および平均値を増加することができる。これらの実施例９および１０では、回路基板の接着強度を４方向から評価した場合、最も低い値であっても０．７ｋＮ／ｍを充足することができ、比較例６で得られる最小値の２倍以上の接着強度を達成している。

本発明の液晶ポリマーフィルムは、熱接着性に優れるため、各種回路基板材料などとして有用に用いることが出来る。また、本発明の回路基板は、各種電気・電子製品の基板として利用することが可能である。特に、液晶ポリマーフィルムは、高周波における誘電特性に優れているため、本発明の回路基板は、高周波回路基板等として、有効に利用することができる。

以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。

１…ロール状物
２…コア
３，５，６，７，８，９…熱可塑性液晶ポリマーフィルム
４，４ａ，４ｂ，４０…銅箔または回路層
１０，２０，７０，８０…ユニット回路基板
３０…積層体（回路基板）
Ｗ…フィルム部分の厚み

Claims (6)

1. 光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
   前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、１００℃〜２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
   前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、真空度１５００Ｐａ以下で８０〜２００℃の範囲で加熱することにより、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、を備え、
   分子配向度ＳＯＲが０．８〜１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する製造方法。
2. 請求項１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法において、第二の脱気工程で、３０分以上加熱して脱気が行われる製造方法。
3. 少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
   前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
   を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
   （Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、請求項１または２に記載される脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
   （ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、請求項１または２に記載された脱気工程が行われる、
   製造方法。
4. 請求項３の回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧５ＭＰａ以下で加熱して回路基板材料を熱圧着する、製造方法。
5. 請求項４の回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧０．５〜２．５ＭＰａ下で加熱して回路基板材料を熱圧着する、製造方法。
6. 請求項３〜５のいずれか一項の回路基板の製造方法において、熱圧着工程で、熱圧着される熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、（Ｔｍ−６０）℃以上（Ｔｍ＋４０）℃以下で加熱して回路基板材料を熱圧着する製造方法。

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