CN212046250U - 液晶聚合物复合层结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种液晶聚合物复合层结构，包括从下往上依次叠设的第一复合层和第二复合层；第一复合层包括至少两层第一线路结构层以及夹设并固定连接于相邻两层第一线路结构层之间的第一液晶聚合物层，第二复合层包括从下往上依次叠设的第二液晶聚合物层和第二线路结构层；第一液晶聚合物层为I型液晶聚合物层、II型液晶聚合物层中的其中一种，第二液晶聚合物层为II型液晶聚合物层与III型液晶聚合物层中不同于第一液晶聚合物层的其中一种，第一液晶聚合物层的熔点高于第二液晶聚合物层的熔点，第二液晶聚合物层压合固定于第二线路结构层与相邻第一线路结构层之间。与相关技术相比，本实用新型的液晶聚合物复合层结构成本低、工艺性能高。

Description

液晶聚合物复合层结构
【技术领域】
本实用新型涉及通讯传输技术领域，尤其涉及一种液晶聚合物复合层结构。
【背景技术】
随着5G时代的到来，越来越多的传输线和天线采用液晶聚合物(LCP，LiquidCrystal Polymer)材料代替常规的聚酰亚胺材料以降低损耗。
相关技术的液晶聚合物材料因为其特性增加工艺制造的难度，如当所述液晶聚合物材料制作成为复合液晶聚合物层结构时，由于其多层结构为液晶聚合物，如何使多层结构粘接一起同时保证其成本不增加是重难点。
因此，有必要提供一种新的液晶聚合物复合层结构解决上述问题。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种成本低、工艺性能高的液晶聚合物复合层结构。
为达到上述目的，本实用新型提供一种液晶聚合物复合层结构，包括从下往上依次叠设的第一复合层和第二复合层；所述第一复合层包括至少两层第一线路结构层以及夹设并固定连接于相邻两层所述第一线路结构层之间的第一液晶聚合物层，所述第二复合层包括从下往上依次叠设的第二液晶聚合物层和第二线路结构层；所述第一液晶聚合物层为I型液晶聚合物层、II型液晶聚合物层中的其中一种，所述第二液晶聚合物层为II型液晶聚合物层与III型液晶聚合物层中不同于所述第一液晶聚合物层的其中一种，所述第一液晶聚合物层的熔点高于所述第二液晶聚合物层的熔点，所述第二液晶聚合物层压合固定于所述第二线路结构层与相邻所述第一线路结构层之间。
优选的，所述第一线路结构层与所述第二线路结构层均为铜片层。
优选的，所述第一液晶聚合物层为I型液晶聚合物层且熔点大于或等于280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点小于280℃。
优选的，所述第一液晶聚合物层的熔点为280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为260℃。
优选的，所述第一液晶聚合物层的熔点为280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为230℃。
优选的，所述第一液晶聚合物层为II型液晶聚合物层且熔点为大于或等于260℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为小于260℃。
优选的，所述第一液晶聚合物层的熔点为260℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为230℃。
优选的，所述第二复合层在所述第一复合层上的正投影与所述第一复合层重合。
优选的，所述第二线路结构层在所述第二液晶聚合物层上的正投影与所述第二液晶聚合物层重合。
优选的，所述第一线路结构层在所述第一液晶聚合物层上的正投影与所述第一液晶聚合物层重合。
与相关技术相比，本实用新型的液晶聚合物复合层结构，所述第一液晶聚合物层的熔点高于所述第二液晶聚合物层的熔点，所述第二液晶聚合物层压合固定于所述第二线路结构层与相邻所述第一线路结构层之间，无需其他粘接材料(如胶水)，直接利用所述第二液晶聚合物层和所述第一液晶聚合物层的熔点不同，使其第二液晶聚合物层处于熔融状态粘接所述第一复合层的所述线路结构层；此时所述第一液晶聚合物层未达到其熔点，仍处于结晶状态，即所述第一复合层不会发生变形和漂移，成本低，工艺性能高。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本实用新型的液晶聚合物复合层结构的剖视图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参图1所示，本实用新型提供一种液晶聚合物复合层结构100，其包括从下往上依次叠设的第一复合层1和第二复合层2。
所述第一复合层1包括至少两层第一线路结构层10以及夹设并固定连接于相邻两层第一线路结构层10之间的第一液晶聚合物层11，所述第二复合层2包括从下往上依次叠设的第二液晶聚合物层21和第二线路结构层20；所述第一液晶聚合物层11的熔点高于所述第二液晶聚合物层21的熔点，所述第二液晶聚合物层21压合固定于所述第二线路结构层20与相邻所述第一线路结构层10之间。在本申请的实施方式中，市售液晶聚合物包含以下三种类型：I型液晶聚合物树脂为高耐热型，其熔点温度大于或等于280℃；II型液晶聚合物树脂为中耐热型，其熔点温度约大于或等于260℃；III型液晶聚合物树脂为低耐热型，其熔点温度约小于或等于230℃。
所述第一液晶聚合物层11为I型液晶聚合物层、II型液晶聚合物层中的其中一种，所述第二液晶聚合物层21为II型液晶聚合物层与III型液晶聚合物层中不同于所述第一液晶聚合物层的其中一种。
本实施例中，所述第一线路结构层10与所述第二线路结构层20均为铜片层。
优选的，所述第二复合层2在所述第一复合层1上的正投影与所述第一复合层重合。
更优的，所述第二线路结构层20在所述第二液晶聚合物层21上的正投影与所述第二液晶聚合物层21重合；所述第一线路结构层10在所述第一液晶聚合物层11上的正投影与所述第一液晶聚合物层11重合。
本实施例中，所述第一液晶聚合物层11为I型液晶聚合物层且熔点大于或等于280℃，所述第二液晶聚合物层21的熔点小于280℃。
例如所述第一液晶聚合物层11的熔点为280℃，即为I型液晶聚合物层；所述第二液晶聚合物层21的熔点为260℃，即为II型液晶聚合物层。升温至270℃，所述第二液晶聚合物层21处于熔融状态，所述第一液晶聚合物层11仍为结晶状态，处于熔融状态时的第二液晶聚合物层21粘合于所述第一复合层1的所述线路结构层10以使所述第二复合层2和所述第一复合层1粘接，所述第一复合层1不会发生变形和漂移。
或者所述第一液晶聚合物层11的熔点为280℃，即为I型液晶聚合物层；所述第二液晶聚合物层21的熔点为230℃，即为III型液晶聚合物层。此时升温至270℃，所述第二液晶聚合物层21处于熔融状态，所述第一液晶聚合物层11仍为结晶状态，处于熔融状态时的第二液晶聚合物层21粘合于所述第一复合层1的所述线路结构层10以使所述第二复合层2和所述第一复合层1粘接，所述第一复合层1不会发生变形和漂移。
当然，所述第一液晶聚合物层11还可以为II型液晶聚合物层且熔点大于或等于260℃，所述第二液晶聚合物层21的熔点为小于260℃。
例如，所述第一液晶聚合物层11的熔点为260℃，即为II型液晶聚合物层；此时所述第二液晶聚合物层21的熔点为230℃，即为III型液晶聚合物层，此时升温至250℃，所述第二液晶聚合物层21处于熔融状态，所述第一液晶聚合物层11仍为结晶状态，处于熔融状态时的第二液晶聚合物层21粘合于所述第一复合层1的所述线路结构层10以使所述第二复合层2和所述第一复合层1粘接，所述第一复合层1不会发生变形和漂移。
与相关技术相比，本实用新型的液晶聚合物复合层结构，所述第一液晶聚合物层的熔点高于所述第二液晶聚合物层的熔点，所述第二液晶聚合物层压合固定于所述第二线路结构层与相邻所述第一线路结构层之间，无需其他粘接材料(如胶水)，直接利用所述第二液晶聚合物层和所述第一液晶聚合物层的熔点不同，使其第二液晶聚合物层处于熔融状态粘接所述第一复合层的所述线路结构层；此时所述第一液晶聚合物层未达到其熔点，仍处于结晶状态，即所述第一复合层不会发生变形和漂移，成本低，工艺性能高。
本实用新型提供以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种液晶聚合物复合层结构，包括从下往上依次叠设的第一复合层和第二复合层；所述第一复合层包括至少两层第一线路结构层以及夹设并固定连接于相邻两层所述第一线路结构层之间的第一液晶聚合物层，所述第二复合层包括从下往上依次叠设的第二液晶聚合物层和第二线路结构层；其特征在于，所述第一液晶聚合物层为I型液晶聚合物层、II型液晶聚合物层中的其中一种，所述第二液晶聚合物层为II型液晶聚合物层与III型液晶聚合物层中不同于所述第一液晶聚合物层的其中一种，所述第一液晶聚合物层的熔点高于所述第二液晶聚合物层的熔点，所述第二液晶聚合物层压合固定于所述第二线路结构层与相邻所述第一线路结构层之间。
2.根据权利要求1所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一线路结构层与所述第二线路结构层均为铜片层。
3.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一液晶聚合物层为I型液晶聚合物层且熔点大于或等于280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点小于280℃。
4.根据权利要求3所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一液晶聚合物层的熔点为280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为260℃。
5.根据权利要求3所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一液晶聚合物层的熔点为280℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为230℃。
6.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一液晶聚合物层为II型液晶聚合物层且熔点为大于或等于260℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为小于260℃。
7.根据权利要求6所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一液晶聚合物层的熔点为260℃，所述第二液晶聚合物层的熔点为230℃。
8.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第二复合层在所述第一复合层上的正投影与所述第一复合层重合。
9.根据权利要求8所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第二线路结构层在所述第二液晶聚合物层上的正投影与所述第二液晶聚合物层重合。
10.根据权利要求9所述的液晶聚合物复合层结构，其特征在于，所述第一线路结构层在所述第一液晶聚合物层上的正投影与所述第一液晶聚合物层重合。
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